JPH01277311A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH01277311A JPH01277311A JP10394588A JP10394588A JPH01277311A JP H01277311 A JPH01277311 A JP H01277311A JP 10394588 A JP10394588 A JP 10394588A JP 10394588 A JP10394588 A JP 10394588A JP H01277311 A JPH01277311 A JP H01277311A
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- JP
- Japan
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- film
- polyimide resin
- magnetic head
- nickel
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ポリイミド系樹
脂の劣化を防ぐのに好適な、導体コイルと樹脂との間に
金属膜を具備した薄膜磁気ヘッドの構造に関する。
脂の劣化を防ぐのに好適な、導体コイルと樹脂との間に
金属膜を具備した薄膜磁気ヘッドの構造に関する。
今日、ＬＳＩに対する高密度化、高集積化、高信頼度化
の要求を満足する配線方式の一つとして樹脂絶縁法多層
配線技術の開発が盛んであり、絶縁材料としてポリイミ
ド系樹脂が使われる傾向にある。このポリイミド系樹脂
は耐熱性に優れているため、スパッタリング法等、比較
的高温で磁性膜を成膜して形成している薄膜磁気ヘッド
の絶縁材にも適している。薄膜磁気ヘッドの導体コイル
は特願昭５９−２１７０３号に記載のように、めっき法
あるいはりフトオフ法によって成膜された銅が一般に用
いられているが、昭和５０年度電子通信学会全国大会要
旨集３７８に記載のように、ポリイミド系樹脂は、銀、
銅を配線金属材料として用いた場合、金属と樹脂の接す
る界面で劣化する。この劣化を防ぐ方法として、特開昭
６０−２４０３７号公報に記載のように、熱処理を高真
空中で行なう方法が提案されている。
の要求を満足する配線方式の一つとして樹脂絶縁法多層
配線技術の開発が盛んであり、絶縁材料としてポリイミ
ド系樹脂が使われる傾向にある。このポリイミド系樹脂
は耐熱性に優れているため、スパッタリング法等、比較
的高温で磁性膜を成膜して形成している薄膜磁気ヘッド
の絶縁材にも適している。薄膜磁気ヘッドの導体コイル
は特願昭５９−２１７０３号に記載のように、めっき法
あるいはりフトオフ法によって成膜された銅が一般に用
いられているが、昭和５０年度電子通信学会全国大会要
旨集３７８に記載のように、ポリイミド系樹脂は、銀、
銅を配線金属材料として用いた場合、金属と樹脂の接す
る界面で劣化する。この劣化を防ぐ方法として、特開昭
６０−２４０３７号公報に記載のように、熱処理を高真
空中で行なう方法が提案されている。
上記従来技術は、ポリイミド系樹脂と配線金属材料との
間で起こる劣化反応において、金属酸化物が触媒の働き
をしていることに着目し、真空中で処理することによっ
て金属を酸化しに＜＜シた点が特徴であった。しかし、
この方法では、排気設備をもった加熱炉が必要であり、
処理する真空度も１０−２〜１０−’Ｐａと範囲がある
ことから、完全に金属の酸化を防げる手段とは言えない
。
間で起こる劣化反応において、金属酸化物が触媒の働き
をしていることに着目し、真空中で処理することによっ
て金属を酸化しに＜＜シた点が特徴であった。しかし、
この方法では、排気設備をもった加熱炉が必要であり、
処理する真空度も１０−２〜１０−’Ｐａと範囲がある
ことから、完全に金属の酸化を防げる手段とは言えない
。
本発明の目的は、完全に配線金属材料の酸化を防ぎ、ポ
リイミド系樹脂の劣化反応が完全に防止される薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。
リイミド系樹脂の劣化反応が完全に防止される薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。
上記目的は、配線金属材料とポリイミド系樹脂との界面
に、ニッケルの金属膜を無電解めっき法を用いて形成す
ることにより達成される。
に、ニッケルの金属膜を無電解めっき法を用いて形成す
ることにより達成される。
ポリイミド系樹脂と配線金属材料との間で起こる劣化反
応は、配線金属材料の酸化物による触媒作用により促進
される。従って、樹脂の劣化反応を防止する最も有効な
方法は、昭和５０年度電子通信学会全国大会要旨集３７
８に記載されているように、配線金属材料として酸化さ
れにくい金属。
応は、配線金属材料の酸化物による触媒作用により促進
される。従って、樹脂の劣化反応を防止する最も有効な
方法は、昭和５０年度電子通信学会全国大会要旨集３７
８に記載されているように、配線金属材料として酸化さ
れにくい金属。
すなわち、金属酸化物の生成ギブスエネルギの大きなも
のを選定すればよい、また、膜形成の容易さという観点
から無電解メツキ法により成膜できる金属であることが
望ましい、これらの要求を満たす金属としてニッケルを
選定した。
のを選定すればよい、また、膜形成の容易さという観点
から無電解メツキ法により成膜できる金属であることが
望ましい、これらの要求を満たす金属としてニッケルを
選定した。
以下、本発明の実施例を第１図から第２図により説明す
る。薄膜磁気ヘッドの主要部の断面図が第１図である。
る。薄膜磁気ヘッドの主要部の断面図が第１図である。
基板１の上には、上部磁性膜４と下部磁性膜２，３によ
って構成される磁気コアがあり、導体コイル７がコア中
央を貫通している。
って構成される磁気コアがあり、導体コイル７がコア中
央を貫通している。
絶縁膜５，６は薄膜磁気ヘッドの骨格を決めるように特
開昭６０−２４０３７号公報に記載されている方法によ
り所定の形状にパターニングされている。
開昭６０−２４０３７号公報に記載されている方法によ
り所定の形状にパターニングされている。
導体コイル７は、この絶縁膜５，６に包み込まれ。
磁性膜２，３．４と電気的に絶縁されている。薄膜磁気
ヘッドの導体コイル７は、記録再生時の信号の雑音を少
なくする点から、低抵抗であることが望ましく、一般に
は銅が使用されている。ところが、銅は絶縁膜に用いら
れるポリイミド系樹脂の劣化反応の触媒として作用する
。この劣化反応の原因は、ポリイミド系樹脂の分子構造
内に含まれるカルボニル基の数が、金属との反応によっ
て減少することにより、樹脂の熱分解が促進されること
にある。金属は、樹脂との反応によって金属酸化物とな
る。従って、樹脂の劣化反応を阻むためには、酸化され
にくい金属、すなわち、酸化物の生成ギブスエネルギの
大きな金属で導体コイル表面を覆ってやればよいｅ Ｃ
ｕ ｘ Ｏの生成ギブスエネルギは３０．４ＫｃａＱ／
飄ｏＱであり、この値よりも大きな生成ギブスエネルギ
をもつ金属酸化物にはＣｒａｂｓ、Ｃｏｏ、ＮｉＯ，５
ｎＯｚ、５ｉｆｔｓＡｎｚＯａ等がある。これらの金属
の内、成膜手段として比較的容易な無電解めっき法で成
膜できる金属という観点から、金属膜８の材質としてニ
ッケルを選定した。導体コイル７の周囲に金属膜８を形
成する工程を示したのが第２図である。まず、下部絶縁
膜５の上にクロム、銅をスパッタ法で順次堆積し、めっ
き下地膜９とする。このめっき下地膜９の上に、コイル
を形成したい領域以外の所をホトレジストで覆った後、
めっき下地膜９を導電膜としてめっきを行ない導体コイ
ル７を形成する。ホトレジストを除去し、コイル以外の
領域にあるめっき下地膜９をミリング法、又は、スパッ
タエツチング法等により除去することによって、コイル
間を分離する０次に、この導体コイル７の表面にニッケ
ル金属膜８を無電解めっき法により成膜する。ニッケル
をめっきするためのめつき浴は、酸性浴、中性浴、水酸
化アルカリ浴、アンモニアアルカリ浴など多くの浴組成
が開発されているが、ポリイミド系樹脂５はアルカリ性
浴中では侵食されるので、中性、又は、酸性浴がよい、
この無電解めっきにより、導体コイル７の表面に均一な
ニッケル金属膜８が形成できる。その後、上部絶縁膜６
を塗布し導体コイル７を樹脂で包み込む。
ヘッドの導体コイル７は、記録再生時の信号の雑音を少
なくする点から、低抵抗であることが望ましく、一般に
は銅が使用されている。ところが、銅は絶縁膜に用いら
れるポリイミド系樹脂の劣化反応の触媒として作用する
。この劣化反応の原因は、ポリイミド系樹脂の分子構造
内に含まれるカルボニル基の数が、金属との反応によっ
て減少することにより、樹脂の熱分解が促進されること
にある。金属は、樹脂との反応によって金属酸化物とな
る。従って、樹脂の劣化反応を阻むためには、酸化され
にくい金属、すなわち、酸化物の生成ギブスエネルギの
大きな金属で導体コイル表面を覆ってやればよいｅ Ｃ
ｕ ｘ Ｏの生成ギブスエネルギは３０．４ＫｃａＱ／
飄ｏＱであり、この値よりも大きな生成ギブスエネルギ
をもつ金属酸化物にはＣｒａｂｓ、Ｃｏｏ、ＮｉＯ，５
ｎＯｚ、５ｉｆｔｓＡｎｚＯａ等がある。これらの金属
の内、成膜手段として比較的容易な無電解めっき法で成
膜できる金属という観点から、金属膜８の材質としてニ
ッケルを選定した。導体コイル７の周囲に金属膜８を形
成する工程を示したのが第２図である。まず、下部絶縁
膜５の上にクロム、銅をスパッタ法で順次堆積し、めっ
き下地膜９とする。このめっき下地膜９の上に、コイル
を形成したい領域以外の所をホトレジストで覆った後、
めっき下地膜９を導電膜としてめっきを行ない導体コイ
ル７を形成する。ホトレジストを除去し、コイル以外の
領域にあるめっき下地膜９をミリング法、又は、スパッ
タエツチング法等により除去することによって、コイル
間を分離する０次に、この導体コイル７の表面にニッケ
ル金属膜８を無電解めっき法により成膜する。ニッケル
をめっきするためのめつき浴は、酸性浴、中性浴、水酸
化アルカリ浴、アンモニアアルカリ浴など多くの浴組成
が開発されているが、ポリイミド系樹脂５はアルカリ性
浴中では侵食されるので、中性、又は、酸性浴がよい、
この無電解めっきにより、導体コイル７の表面に均一な
ニッケル金属膜８が形成できる。その後、上部絶縁膜６
を塗布し導体コイル７を樹脂で包み込む。
本発明によれば、導体コイル表面にニッケル膜を形成す
ることにより、銅膜とポリイミド系樹脂とが直接接触し
ないため、樹脂の劣化反応が起こらない。
ることにより、銅膜とポリイミド系樹脂とが直接接触し
ないため、樹脂の劣化反応が起こらない。
第１図は、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの主要部
分の断面図、第２図は、導体コイル表面にニッケル膜を
形成するときの工程図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性膜、３・・・下部磁性
膜。 第１図
分の断面図、第２図は、導体コイル表面にニッケル膜を
形成するときの工程図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性膜、３・・・下部磁性
膜。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上下二層の磁性膜と、一層又は複数の導体膜により
形成されるコイルとの間を絶縁するための絶縁膜として
ポリイミド系樹脂を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記導体膜と前記絶縁膜とが直接接触する界面に別の金
属膜を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記導体膜として銅を用い、前記金属膜としてニッケル
を用いたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項において、 前記ポリイミド系樹脂がポリイミド・イソ・インドロキ
ナゾリンジオン樹脂で構成されることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10394588A JPH01277311A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10394588A JPH01277311A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01277311A true JPH01277311A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14367579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10394588A Pending JPH01277311A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01277311A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702379A1 (en) | 1994-09-16 | 1996-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic and/or magnetic devices |
| JP2005191408A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コイル導電体とその製造方法およびこれを用いた電子部品 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10394588A patent/JPH01277311A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702379A1 (en) | 1994-09-16 | 1996-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic and/or magnetic devices |
| US5738931A (en) * | 1994-09-16 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device and magnetic device |
| JP2005191408A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コイル導電体とその製造方法およびこれを用いた電子部品 |
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