JPH01277687A - クライオポンプ - Google Patents

クライオポンプ

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Publication number
JPH01277687A
JPH01277687A JP10691688A JP10691688A JPH01277687A JP H01277687 A JPH01277687 A JP H01277687A JP 10691688 A JP10691688 A JP 10691688A JP 10691688 A JP10691688 A JP 10691688A JP H01277687 A JPH01277687 A JP H01277687A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
cryopanel
cryopump
heat transfer
shield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10691688A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsuo Mukuda
睦夫 椋田
Yasuo Kataoka
靖雄 片岡
Toshihiko Nakase
俊彦 中瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Precision Products Co Ltd filed Critical Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority to JP10691688A priority Critical patent/JPH01277687A/ja
Publication of JPH01277687A publication Critical patent/JPH01277687A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、スパッタリング装置等に接続されるクライ
オポンプの改良に係り、固定オリフィスを内蔵すること
により、排気系に可変絞りを有する従来ポンプに比較し
、排気時間を大幅に短縮したクライオポンプに関する。
背景技術 真空装置は、半導体の製造や薄膜被着技術など、種々の
分野で使用されている。
例えば、スパッタリング等の装置は、不純物の混入を避
けるため、通常、1 x 10’Torr程度の真空度
まで、チャンバー内の真空度を上げた後、1 x 10
’Torr程度のやや低いレベルに落したり、所要の不
活性ガス雰囲気となして使用される。
スパッタリング装置等に付設させる真空装置は、1つの
真空槽に対して、排気用として低レベル排気用の粗引き
ポンプと、高真空用のポンプ、例えば、クライオポンプ
あるいはターボ分子ポンプ等を使用している。
従って、従来の真空装置の高真空用のポンプは、流量制
御弁の制御性が所要範囲を外れないように、使用するプ
ロセスに適した制御性を確保するため、クライオポンプ
のボンプロ径寸法力情Iノ限されている。
また、半導体用スパッタリング装置を例に取って説明す
ると、定期的、例えば、数日に1回程度、ターゲットを
取替えるために装置を停止し、真空槽を大気開放する必
要がある。
そのために、真空槽内が大気にさらされることにより、
水分、空気等のガス負荷が高い状態で、再起動すること
になる。
従来の真空装置ではかかる再起動に際L5て、大気圧か
ら所要の高真空度までに排気するのに、長時間を要して
いた。
一般的なスパッタリング装置には、第2図に示す如く、
スパッタ室(20)との連通を遮断するゲート弁(21
)を供えた排気系配管(22)に、クライオポンプ(2
3)を接続するのに際し、ポンプ(23)の上部と第1
段クライオパネルとゲート弁(21)との間に可変絞り
弁(24)を配設し、口径の大きなりライオポンプを接
続使用1−だ構成もの、あるいは同様に、排気系に固定
絞り弁を介して口径の小さなりライオポンプ接続使用し
たものがある。
前者の場合、可変絞りを使用しているために性能の再現
性が悪く、スパッタリング中に不安定な運転となり、ま
たその構造上、コンダクタンスが小さく排気抵抗が大き
いことから立ち上がりの排気時間が長くなる等の問題が
あった。
一方、後者の場合は、スパッタリング中の安定性は良い
が、立ち上がりの排気時間はやはり長く、生産性向上の
重大な障害となる問題があった。
発明の目的 この発明は、スパッタリング装置等に接続されるクライ
オポンプの性能向上を目的とし、再起動等の排気時間を
大幅に短縮したクライオポンプの提供を目的としている
発明の構成 この発明は、 最外部の第1段クライオパネルを冷却する第1段冷凍機
と、これより低温に保持する第2段クライオパネルを冷
却する第2段冷凍機を有し、極低温面にガスを選択的に
凝縮または物理吸着させる溜め込み型のクライオポンプ
において、 第1段目と第2段目のクライオパネル間で、該ポンプの
シールド内の横断面に、所要開孔を有するオリフィスを
設けたことを特徴とするクライオポンプである。
この発明によるクライオポンプは、所要の真空室との排
気系に絞り弁を用いることなく、1段目クライオパネル
と2段目クライオパネルの間に固定オリフィスを設ける
ことにより、所要の真空度までの達成時間が大幅に短縮
される利点がある。
発明の図面に基づく開示 第1図はこの発明によるクライオポンプの構成を示す概
略説明図である。
クライオポンプは、上部に取付フランジ(2)を有する
有底筒状のポンプケース(1)がらなり、ポンプケース
(1)の底部にはケース内部へ伝熱部を嵌入した冷凍機
(5)を配設しである。
ポンプケース(1)内には、上部にルーバー状の第1段
クライオパネル(4)を配置した該ケースよりゃや小径
の有底筒状のシールド(3)が同軸配置しである。
ポンプケース(1)内に侵入配置される冷凍機(5)の
伝熱部は、第1段伝熱部(6)と第2段伝熱部(7)が
同軸配置され、第1段伝熱部(6)が前記シールド(3
)に接続され第1段クライオパネル(4)を冷却し、シ
ールド(3)内に侵入配置した第2段伝熱部(7)の先
端に翼状の第2段クライオパネル(8)が接続されてい
る。
この発明の特徴であるオリフィス(io)は、シールド
(3ン内の第1段クライオパネル(4)と第2段クライ
オパネル(8)との間に、シールド(3)の水平横断面
に配設置−である。
かかるクライオポンプは、例えば、真空装置の真空室か
らの排気系配管のフランジを前記ポンプケース(1)の
取付フランジ(2)に締結して接続され、排気系には何
らの絞り弁を設けない。
作用 接続された真空装置は、まず、粗引ポンプを作動させて
排気し、室内を低真空となした後、さらに上記クライオ
ポンプを作動させて、室内を目的の高真空度となす。
この際、第1段クライオパネル(4)は主として、水蒸
気や炭酸ガスを凝縮排気し、第2段クライオパネル(8
)にて酸素、窒素、アルゴン等を凝縮排気し、さらに、
10〜20にでも凝縮しない水素、ヘリウム、ネオンを
、第2段クライオパネル(8)の裏面に設けた活性炭(
9)にて吸着する。
効果 ■第1段クライオパネル(4)により捕捉される気体分
子(主に水蒸気)は固定オリフィスを通過しにくいため
、安定したアルゴンの流量制御が可能となる。
■排気系に可変絞りを使用しないため、装置の制御系が
簡単になり、再現性が高く安定したプロセス制御が可能
となる。
■従来の絞り弁を設けた排気系を有するクライオポンプ
と比較して、低真空度領域での排気速度が大きく、ター
ゲット交換後の立ち上りが早い利点がある。
■冷凍機の冷凍能力が大きいため、クールダウンが早く
、また排気容量も大きい。
■この発明によるクライオポンプは、固定オリフィスを
内蔵することにより、大気開放後の立上りの際に、大幅
に時間短縮が計れ、半導体の如き大量生産設備において
は、大きな生産性の向上が見込める。
実施例 スパッタリング装置で、真空室内容量が1001の容積
の場合、JIS SB相当排気能力を有するこの発明に
よるクライオポンプを配設したことにより、これを有し
ない従来のクライオポンプでの立上り時間が、10〜1
5時間であったのを、4.5時間に短縮することができ
た。
また、到達真空度と排気速度との関係を調査したところ
、第2図に示す如く、従来ポンプと比較して、低真空度
領域での排気能力が著しく向上したことが分る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による真空装置の構成を示す概略説明
図である。 第2図は真空度と排気速度との関係を示すグラフである
。 第3図は従来のスパッタリング装置の構成を示す説明図
である。 1・・・ポンプケース、2・・・取付フランジ、3・・
・シールド、4・・・第1段クライオパネル、5・・・
冷凍機、6・・・第1段伝熱部、7・・・第2段伝熱部
、8・・・第2段クライオパネル、9・・・活性炭、1
0・・・オリフィス、20・・・スパッタ室、21・・
・ゲート弁、22・・・排気系配管、23・・・クライ
オポンプ、24・・・可変絞り弁。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 最外部の第1段クライオパネルを冷却する第1段冷凍機
    と、これより低温に保持する第2段クライオパネルを冷
    却する第2段冷凍機を有し、極低温面にガスを選択的に
    凝縮または物理吸着させる溜め込み型のクライオポンプ
    において、 第1段目と第2段目のクライオパネル間で、該ポンプの
    シールド内の横断面に、所要開孔を有するオリフィスを
    設けたことを特徴とするクライオポンプ。
JP10691688A 1988-04-28 1988-04-28 クライオポンプ Pending JPH01277687A (ja)

Priority Applications (1)

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JP10691688A JPH01277687A (ja) 1988-04-28 1988-04-28 クライオポンプ

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JPH01277687A true JPH01277687A (ja) 1989-11-08

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ID=14445752

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10691688A Pending JPH01277687A (ja) 1988-04-28 1988-04-28 クライオポンプ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706818B1 (ko) * 2005-11-07 2007-04-12 박병직 크라이오 펌프
JP2014156832A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd クライオポンプ及びクライオポンプ取付構造

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053684A (ja) * 1983-09-02 1985-03-27 Ulvac Corp クライオポンプ
JPS6247783B2 (ja) * 1981-09-24 1987-10-09 Nitto Boseki Co Ltd

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