JPH01278417A - 新規なジルコニウムの反応性誘導体及びその製造方法 - Google Patents
新規なジルコニウムの反応性誘導体及びその製造方法Info
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G25/00—Compounds of zirconium
- C01G25/02—Oxides
-
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
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- C01P2006/82—Compositional purity water content
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なジルコニウムの反応性誘導体及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
本明細書に使用する術語「ジルコニウムの反応性誘導体
」は水性溶媒または有機溶媒に溶解しているか、該溶解
に溶解することができるジルコニウム化合物を示す、ジ
ルコニウムの反応性誘導体は溶解した状態で他の化合物
と反応させることができる。
」は水性溶媒または有機溶媒に溶解しているか、該溶解
に溶解することができるジルコニウム化合物を示す、ジ
ルコニウムの反応性誘導体は溶解した状態で他の化合物
と反応させることができる。
多くのジルコニウムの反応性誘導体が既知である。これ
らの中で、工業に最も普通に使用されている化合物は以
下のものである: 湿ったペースト形態のZrO□を40重量%含有する塩
基性炭酸ジルコニウム(C○z/ZrO2約0.5)、 水溶液形態(Z ro 218重量%含有)または結晶
化された固体形態(ZrO232重量%含有)のオルト
硫酸ジルコニウム(硫酸根/ZrO2約2)、水溶液形
態(Zr○22O重景%含有重量たは結晶化された固体
形態(Z ro 233重量%含有)のオキシ塩化ジル
コニウム(塩化物/ Z r O2約2)、湿ったペー
スト形態(ZrO237重量%含有)の塩基性硫酸ジル
コニウム(硫酸根/ZrO2約0.6)、水溶液形態(
Z r0□19重量%含有)または固体形R(Z ro
240重量%含有)の硝酸ジルコニウム、溶けた状態
の酢酸ジルコニウム(Z ro 222重量%含有)、 水酸化ジルコニウム(ZrO□42重量%含有)、及び 溶けた状態の炭酸ジルコニウムアンモニウム(ZrO2
13重量%含有〉。
らの中で、工業に最も普通に使用されている化合物は以
下のものである: 湿ったペースト形態のZrO□を40重量%含有する塩
基性炭酸ジルコニウム(C○z/ZrO2約0.5)、 水溶液形態(Z ro 218重量%含有)または結晶
化された固体形態(ZrO232重量%含有)のオルト
硫酸ジルコニウム(硫酸根/ZrO2約2)、水溶液形
態(Zr○22O重景%含有重量たは結晶化された固体
形態(Z ro 233重量%含有)のオキシ塩化ジル
コニウム(塩化物/ Z r O2約2)、湿ったペー
スト形態(ZrO237重量%含有)の塩基性硫酸ジル
コニウム(硫酸根/ZrO2約0.6)、水溶液形態(
Z r0□19重量%含有)または固体形R(Z ro
240重量%含有)の硝酸ジルコニウム、溶けた状態
の酢酸ジルコニウム(Z ro 222重量%含有)、 水酸化ジルコニウム(ZrO□42重量%含有)、及び 溶けた状態の炭酸ジルコニウムアンモニウム(ZrO2
13重量%含有〉。
また、多くのジルコニウムの有機誘導体(プロピオネー
ト、ラクテート、アセチルアセトネート、種々のアルコ
レート)も既知であり、それらのZrO2含量は6〜1
5重量%の範囲内である。
ト、ラクテート、アセチルアセトネート、種々のアルコ
レート)も既知であり、それらのZrO2含量は6〜1
5重量%の範囲内である。
これらの物質はそのまま(溶けた状態の誘導体の場合)
使用されるか、または最終使用者により溶液、通常酸と
反応させることにより溶解させなければならない(固体
またはペースト形態の誘導体の場合)。
使用されるか、または最終使用者により溶液、通常酸と
反応させることにより溶解させなければならない(固体
またはペースト形態の誘導体の場合)。
実際に、上述の物質中に存在するジルコニウムのみが通
常利用され、アニオン類(例えば塩化物、炭酸根、Vf
L酸根、硝酸根または酢酸根)及び/または水が上述の
物質の重要な部分を形成する場合でさえ、アニオン類は
利用されず、アニオン類の役割は実質上可溶性形態にジ
ルコニウムを保持することにある。アニオン類及び/ま
たは水は上述の物質の実際の用途に含まれる反応で直接
関与す″るものではなく、実際にはむしろ有害である。
常利用され、アニオン類(例えば塩化物、炭酸根、Vf
L酸根、硝酸根または酢酸根)及び/または水が上述の
物質の重要な部分を形成する場合でさえ、アニオン類は
利用されず、アニオン類の役割は実質上可溶性形態にジ
ルコニウムを保持することにある。アニオン類及び/ま
たは水は上述の物質の実際の用途に含まれる反応で直接
関与す″るものではなく、実際にはむしろ有害である。
実際に、ジルコニウム化合物の溶液類は腐食性で有毒で
あり、これは貯蔵及び輸送の際に問題を生じ、また、ジ
ルコニウム化合物を主体とするペースト類は遊離の水が
存在するために不均質系であり、取り扱いが困難である
。更に、特定のアニオン類(特に硫酸根及び塩化物)ま
たは水は例えばジルコニウム石鹸タイプの乾燥促進剤の
製造中に所定の反応を妨害することがある。最後に、経
済的な観点から、比較的少量の物質を含む物質を輸送し
たり、溶液またはペースト形態の物質の場合においては
腐食に抵抗できるコストのかさむ容器を使用しなければ
ならないことは有利とは言えない。
あり、これは貯蔵及び輸送の際に問題を生じ、また、ジ
ルコニウム化合物を主体とするペースト類は遊離の水が
存在するために不均質系であり、取り扱いが困難である
。更に、特定のアニオン類(特に硫酸根及び塩化物)ま
たは水は例えばジルコニウム石鹸タイプの乾燥促進剤の
製造中に所定の反応を妨害することがある。最後に、経
済的な観点から、比較的少量の物質を含む物質を輸送し
たり、溶液またはペースト形態の物質の場合においては
腐食に抵抗できるコストのかさむ容器を使用しなければ
ならないことは有利とは言えない。
従って、最低法の不純物及び水を含有する固体物質であ
り、高ZrO2含量をもつジルコニウムの反応性誘導体
を入手できれば有利である。
り、高ZrO2含量をもつジルコニウムの反応性誘導体
を入手できれば有利である。
本発明の目的は上述のようなジルコニウムの反応性誘導
体を提供することにある。
体を提供することにある。
更に詳細には、本発明はジルコニウムの反応性誘導体に
おいて、ジルコニウムの反応性誘導体は、結晶化されて
おらず且つ外見は乾燥しており、酸水溶液に可溶性であ
り、且つ遊離の水または弱く結合した水を付随し、○H
−イオンの若干をハロゲンイオンにより置換することが
できるメタジルコン酸Z ro (OH)2よりなる微
粉白色固体の形態であり、前記誘導体のZ r Ox含
量が60〜92重旦%、平旦には75〜86.5重量%
であり、前記誘導体の水含量が3〜40%、好適には1
3〜25%の範囲内であり、前記誘導体のハロゲンイオ
ン含量が約5%までの範囲内であることができることを
特徴とするジルコニウムの反応性誘導体に関する。
おいて、ジルコニウムの反応性誘導体は、結晶化されて
おらず且つ外見は乾燥しており、酸水溶液に可溶性であ
り、且つ遊離の水または弱く結合した水を付随し、○H
−イオンの若干をハロゲンイオンにより置換することが
できるメタジルコン酸Z ro (OH)2よりなる微
粉白色固体の形態であり、前記誘導体のZ r Ox含
量が60〜92重旦%、平旦には75〜86.5重量%
であり、前記誘導体の水含量が3〜40%、好適には1
3〜25%の範囲内であり、前記誘導体のハロゲンイオ
ン含量が約5%までの範囲内であることができることを
特徴とするジルコニウムの反応性誘導体に関する。
本発明の誘導体は原料中に存在する不純物に起因する痕
跡量のハロゲンイオンを通常含有する。
跡量のハロゲンイオンを通常含有する。
しかし、本発明において、本発明の誘導体のハロゲン含
量が分析精度範囲内の0.02重量%以下である場合に
、該誘導体はハロゲン類を含まないと見なされる。好適
なりラスの誘導体は重量基準で75〜86.5重量%の
ZrO,,13〜25重景%の重量び約0.5%以下の
ハロゲンイオン、特にC1−イオンを含有する誘導体で
ある。他の好適なりラスの誘導体は重量基準で13%以
下の水及び0.5%以上のハロゲンイオン、特にC1−
イオンを含有する誘導体である。
量が分析精度範囲内の0.02重量%以下である場合に
、該誘導体はハロゲン類を含まないと見なされる。好適
なりラスの誘導体は重量基準で75〜86.5重量%の
ZrO,,13〜25重景%の重量び約0.5%以下の
ハロゲンイオン、特にC1−イオンを含有する誘導体で
ある。他の好適なりラスの誘導体は重量基準で13%以
下の水及び0.5%以上のハロゲンイオン、特にC1−
イオンを含有する誘導体である。
また、本発明は上述のジルコニウムの反応性誘導体の製
造方法において、 (a)水に富んだジルコニア水和物Z r O2・2H
2Oすなわち水酸化ジルコニウムZ r(OH)4を調
製し、(b)工程(a)の生成物中のOH−イオンの若
干をハロゲンイオンで適宜置換し、且つ (e)工程(a)または(b)の生成物を130℃以下
の温度へ、結晶化せず、外見が乾燥し且つ酸水溶液中に
可溶性である微粉白色固体が得られるまで加熱すること
により制御された方法で部分的に脱水することを特徴と
するジルコニウムの反応性誘導体の製造方法に関する。
造方法において、 (a)水に富んだジルコニア水和物Z r O2・2H
2Oすなわち水酸化ジルコニウムZ r(OH)4を調
製し、(b)工程(a)の生成物中のOH−イオンの若
干をハロゲンイオンで適宜置換し、且つ (e)工程(a)または(b)の生成物を130℃以下
の温度へ、結晶化せず、外見が乾燥し且つ酸水溶液中に
可溶性である微粉白色固体が得られるまで加熱すること
により制御された方法で部分的に脱水することを特徴と
するジルコニウムの反応性誘導体の製造方法に関する。
第1工程(a)は水酸化ジルコニウムZ r(OH)4
とも呼ばれる水に富んだジルコニア水和物Z「02・2
■]2Oを調製することからなる。上述の「水に富んだ
」は少なくとも45重量%の水金計量(遊離水+結合水
)を含む生成物を意味する。この工程は例えば下記のよ
うな種々の方法で行なうことができるニ ーZr塩(例えばオキシ塩化物、硝酸塩または酢酸塩)
の酸性水溶液を塩基(例えば水酸化ナトリウム、水性ア
ンモニア)で中和し、次に、濾過し、濾過ケーキを洗浄
する。このようにして、ジルコニア水和物すなわち水酸
化ジルコニウムの嵩張り水に富んだ(90%またはそれ
以上)の沈澱物が得られる。
とも呼ばれる水に富んだジルコニア水和物Z「02・2
■]2Oを調製することからなる。上述の「水に富んだ
」は少なくとも45重量%の水金計量(遊離水+結合水
)を含む生成物を意味する。この工程は例えば下記のよ
うな種々の方法で行なうことができるニ ーZr塩(例えばオキシ塩化物、硝酸塩または酢酸塩)
の酸性水溶液を塩基(例えば水酸化ナトリウム、水性ア
ンモニア)で中和し、次に、濾過し、濾過ケーキを洗浄
する。このようにして、ジルコニア水和物すなわち水酸
化ジルコニウムの嵩張り水に富んだ(90%またはそれ
以上)の沈澱物が得られる。
この方法は原料塩中に存在することがある不純物のない
純粋な生成物を提供する利点を提供する。
純粋な生成物を提供する利点を提供する。
−水または水−アルコール混合物中に溶けた状態の有機
ジルコニウム塩を加水分解し、次に、濾過し、濾過ケー
キを洗浄する。しかし、この方法は有機Zr塩を利用し
なければならないために経済的な観点から有利ではない
。
ジルコニウム塩を加水分解し、次に、濾過し、濾過ケー
キを洗浄する。しかし、この方法は有機Zr塩を利用し
なければならないために経済的な観点から有利ではない
。
一状況に応じて水溶液中の反応剤または水により固体塩
基性Zr塩からイオンを置換し、次に、濾過し、濾過ケ
ーキを洗浄する。塩基性硫酸Zr(反応剤:水溶液中の
塩基)またはジルコン酸ナトリウムのようなジルコニア
酸アルカリ金属塩(反応剤:水)を塩基性Zr塩として
使用することができる。
基性Zr塩からイオンを置換し、次に、濾過し、濾過ケ
ーキを洗浄する。塩基性硫酸Zr(反応剤:水溶液中の
塩基)またはジルコン酸ナトリウムのようなジルコニア
酸アルカリ金属塩(反応剤:水)を塩基性Zr塩として
使用することができる。
この方法はコストの点から好適な方法である。また、遊
離水または弱く結合した水の含量を低減したジルコニウ
ムの反応性誘導体を得ることができる。しかし、最終生
成物中の硫酸塩(塩基性Zr硫酸塩の場合)またはアル
カリ金属酸化物(ジルコン酸アルカリ金属塩の場合)の
相当高い残留含量が残ることがある。しかし、適宜工程
(b)を使用する場合には、アルカリ金属酸化物預が実
質上削除できることを見出した。
離水または弱く結合した水の含量を低減したジルコニウ
ムの反応性誘導体を得ることができる。しかし、最終生
成物中の硫酸塩(塩基性Zr硫酸塩の場合)またはアル
カリ金属酸化物(ジルコン酸アルカリ金属塩の場合)の
相当高い残留含量が残ることがある。しかし、適宜工程
(b)を使用する場合には、アルカリ金属酸化物預が実
質上削除できることを見出した。
工程(a)の生成物中のOH−イオンをハロゲンイオン
により部分的に置換する適宜工程(b)は高ZrO2含
量をもつジルコニウムの反応性誘導体を得ることを可能
にする。0.02%以上のハロゲンイオン含量が望まし
い場合に使用されるこの工程は、工程(a)の生成物を
対応するハロゲン化水素酸の水溶液で洗浄することによ
り行なうことができる。O[″イオンをCI−イオンへ
W損することを意図する塩酸による洗浄の場合において
、約5重量%のC1−イオン含量を達成することができ
るが、最終含量は例えばアンモニア水による第2洗浄工
程を行なうことにより調節することができる。工程(a
)の生成物がジルコン酸ナトリウムのようなジルコン酸
アルカリ金属塩からイオンを置換することにより得られ
る場合には、OH−イオンのハロゲンイオン例えばC1
−による置換は工程(a)の生成物をハロゲン化アンモ
ニウム例えば適宜塩酸で酸性化した塩化アンモニウムに
より洗浄することにより行なうことができる。従って、
残留ナトリウムは洗浄溶液のpHを調節することにより
C1の制御可能な量と置換することができる。
により部分的に置換する適宜工程(b)は高ZrO2含
量をもつジルコニウムの反応性誘導体を得ることを可能
にする。0.02%以上のハロゲンイオン含量が望まし
い場合に使用されるこの工程は、工程(a)の生成物を
対応するハロゲン化水素酸の水溶液で洗浄することによ
り行なうことができる。O[″イオンをCI−イオンへ
W損することを意図する塩酸による洗浄の場合において
、約5重量%のC1−イオン含量を達成することができ
るが、最終含量は例えばアンモニア水による第2洗浄工
程を行なうことにより調節することができる。工程(a
)の生成物がジルコン酸ナトリウムのようなジルコン酸
アルカリ金属塩からイオンを置換することにより得られ
る場合には、OH−イオンのハロゲンイオン例えばC1
−による置換は工程(a)の生成物をハロゲン化アンモ
ニウム例えば適宜塩酸で酸性化した塩化アンモニウムに
より洗浄することにより行なうことができる。従って、
残留ナトリウムは洗浄溶液のpHを調節することにより
C1の制御可能な量と置換することができる。
他の酸による次工程の洗浄は、対応するアニオンが安定
性に寄与しない場合でさえ、該アニオンを吸着する(実
施例5におけるHNO3による洗浄の場合)。
性に寄与しない場合でさえ、該アニオンを吸着する(実
施例5におけるHNO3による洗浄の場合)。
制御され、た脱水工程(c)もまた種々の方法により行
なうことができる。この脱水工程は工程(a)または(
b)の生成物を相対湿度50〜70%の場合においては
ハロゲン化されていない生成物の場合には12O℃以下
の温度で、ハロゲン化されている生成物(すなわちハロ
ゲンイオンが○I]−イオンの若干と置換している)の
場合には130℃以下の温度でオーブン中で単に加熱す
ることにより行なうことができ、脱水は30℃で既に始
まっているが、この温度では遅い、操作は80〜110
℃の温度で行なうことが好適である。得られる脱水の程
度は使用する温度及び加熱の程度により明確に変化する
。また、脱水は超音波を使用して加熱することにより行
なうこともできる。この加熱方法は非常に有効で、迅速
である。不溶性ジルコニア(すなわち結晶化ジルコニア
)及び水の製造を伴うZ ro (OH)2の分解を生
ずる非常に過酷な加熱はどの場合においても回避しなけ
ればならない。
なうことができる。この脱水工程は工程(a)または(
b)の生成物を相対湿度50〜70%の場合においては
ハロゲン化されていない生成物の場合には12O℃以下
の温度で、ハロゲン化されている生成物(すなわちハロ
ゲンイオンが○I]−イオンの若干と置換している)の
場合には130℃以下の温度でオーブン中で単に加熱す
ることにより行なうことができ、脱水は30℃で既に始
まっているが、この温度では遅い、操作は80〜110
℃の温度で行なうことが好適である。得られる脱水の程
度は使用する温度及び加熱の程度により明確に変化する
。また、脱水は超音波を使用して加熱することにより行
なうこともできる。この加熱方法は非常に有効で、迅速
である。不溶性ジルコニア(すなわち結晶化ジルコニア
)及び水の製造を伴うZ ro (OH)2の分解を生
ずる非常に過酷な加熱はどの場合においても回避しなけ
ればならない。
本発明のジルコニウムの反応性誘導体は通常のジルコニ
ウムの反応性誘導体へ容易に転化することができる。転
化は例えばオキシ塩化ジルコニウムを得るためには塩酸
、硝酸ジルコニウムを得るためには硝酸等の酸水溶液中
に本発明のジルコニウムの反応性誘導体を溶解するだけ
で充分である。
ウムの反応性誘導体へ容易に転化することができる。転
化は例えばオキシ塩化ジルコニウムを得るためには塩酸
、硝酸ジルコニウムを得るためには硝酸等の酸水溶液中
に本発明のジルコニウムの反応性誘導体を溶解するだけ
で充分である。
本発明のジルコニウムの反応性誘導体の高溶解度はジル
コニルイオンZr○2+の存在によるものであろう。
コニルイオンZr○2+の存在によるものであろう。
本発明のジルコニウムの反応性誘導体は非常に安定であ
る。80℃で15日後、塩酸溶液中の該誘導体の溶解度
は95%以上であり、一方、塩基性炭酸ジルコニウムの
場合にはたった50%である。
る。80℃で15日後、塩酸溶液中の該誘導体の溶解度
は95%以上であり、一方、塩基性炭酸ジルコニウムの
場合にはたった50%である。
ジルコニウムの反応性誘導体の純度に依存して本発明の
誘導体は種々の工業的用途のZr供給源として使用する
ことができる。1例として、以下のように用途を記載す
ることができる:T i O2を主体とする顔料の処理
剤、本発明の誘導体を現場で塩酸媒体または硫酸媒体中
に溶解する。
誘導体は種々の工業的用途のZr供給源として使用する
ことができる。1例として、以下のように用途を記載す
ることができる:T i O2を主体とする顔料の処理
剤、本発明の誘導体を現場で塩酸媒体または硫酸媒体中
に溶解する。
一石油形成の処理剤、現場で塩酸に溶解した本発明の誘
導体を使用することができる。
導体を使用することができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、実施例は本
発明を何ら限定するものではないことを理解されたい。
発明を何ら限定するものではないことを理解されたい。
実施例1
平均粒子径0.6〜15μmをもつジルコニア(パップ
レイ石として既知の天然産ジルコニウム酸化物またはサ
ーマルジルコニウム酸化物)55重量部を固体ベレット
または濃厚水溶液の形態のNaOH45重量部を混合す
る。混合物を850℃で1時間加熱した後に冷却してジ
ルコン酸すI・リウムと過剰の水酸化ナトリウムの混合
物を得る。
レイ石として既知の天然産ジルコニウム酸化物またはサ
ーマルジルコニウム酸化物)55重量部を固体ベレット
または濃厚水溶液の形態のNaOH45重量部を混合す
る。混合物を850℃で1時間加熱した後に冷却してジ
ルコン酸すI・リウムと過剰の水酸化ナトリウムの混合
物を得る。
この混合物を撹拌しながら60℃で水(水/混合物重量
比2.5/1)と接触させる。得られたサスペンション
を濾過し、次に、濾過残留物を水流(水/生成物重量比
:2O/1)で洗浄する。得られた生成物を0.1規定
塩酸水溶液(溶液/生成物重量比:30/1)で洗浄し
、次に、水(水/生成物重量比:5/1)で洗浄する。
比2.5/1)と接触させる。得られたサスペンション
を濾過し、次に、濾過残留物を水流(水/生成物重量比
:2O/1)で洗浄する。得られた生成物を0.1規定
塩酸水溶液(溶液/生成物重量比:30/1)で洗浄し
、次に、水(水/生成物重量比:5/1)で洗浄する。
次に、得られた湿ったベーストを50〜70%の相対湿
度で40℃で24時間にわたり脱水する。最終的に得ら
れた微粉固体生成物は重量基準で約75%のZrO2,
2O%の82O.5%の(1−及び0.5%以下の種々
の不純物を含有する。
度で40℃で24時間にわたり脱水する。最終的に得ら
れた微粉固体生成物は重量基準で約75%のZrO2,
2O%の82O.5%の(1−及び0.5%以下の種々
の不純物を含有する。
実施例2
水による?濾過残留物の第1洗浄工程までは実施例1の
操作を反復する0次に、得られた生成物を塩化アンモニ
ウムの濃厚溶液(100g、#)(NH,(1!溶液/
生成物重量比3/1)で洗浄し、次に、水(水/生成物
重量比:5/1)で洗浄する。
操作を反復する0次に、得られた生成物を塩化アンモニ
ウムの濃厚溶液(100g、#)(NH,(1!溶液/
生成物重量比3/1)で洗浄し、次に、水(水/生成物
重量比:5/1)で洗浄する。
次に、得られた生成物を相対湿度50〜70%で6時間
にわたり80℃へ加熱することにより脱水する。最終的
に得られた微粉固体生成物は重量基準で84%のZ r
O2,15%の82O.0.5%のC1−及び約0.
5%の不純物(主としてNa2O)を含む。
にわたり80℃へ加熱することにより脱水する。最終的
に得られた微粉固体生成物は重量基準で84%のZ r
O2,15%の82O.0.5%のC1−及び約0.
5%の不純物(主としてNa2O)を含む。
実施例3
水による濾過残留物の第1洗浄工程までは実施例1の操
作を反復する0次に、生成物を相対湿度50〜70%で
12時間にわたり80℃で脱水する。最終的に得られる
微粉固体生成物は重量基準で82%のZrO,,13%
の82O.5%のC1−及び0.5%以下の不純物(主
としてN a 2O )を含む。
作を反復する0次に、生成物を相対湿度50〜70%で
12時間にわたり80℃で脱水する。最終的に得られる
微粉固体生成物は重量基準で82%のZrO,,13%
の82O.5%のC1−及び0.5%以下の不純物(主
としてN a 2O )を含む。
実施例4
エフ・ファーンワース(F、 Farnworth)、
ニス・エル・ジョーンズ(S、 L、 Jones)、
アイ・マツクアルビン(1,Me^1pine)の「ザ
・プロダクション・プロパティース・エンド・ユーズ・
オブ・ジルコニウム・ケミカルズ(The Produ
ction。
ニス・エル・ジョーンズ(S、 L、 Jones)、
アイ・マツクアルビン(1,Me^1pine)の「ザ
・プロダクション・プロパティース・エンド・ユーズ・
オブ・ジルコニウム・ケミカルズ(The Produ
ction。
properties and use of zir
conium chemicals)」ロイヤル・ソサ
エティー・オブ・ケミストリーの特別版第40巻(19
81)、第259頁に記載されているようにして得られ
た塩基性硫酸ジルコニウム1kgを0.1規定アンモニ
ア水溶液912にサスペンドする。得られた混合物のp
Hは約7である。
conium chemicals)」ロイヤル・ソサ
エティー・オブ・ケミストリーの特別版第40巻(19
81)、第259頁に記載されているようにして得られ
た塩基性硫酸ジルコニウム1kgを0.1規定アンモニ
ア水溶液912にサスペンドする。得られた混合物のp
Hは約7である。
25℃で撹拌した後、生成物を濾過し、濾過ケーキを水
5Nで洗浄する0次に、得られた生成物を相対湿度50
〜70%で12時間にわたり80°Cで乾燥する。最終
的にえれらな固体生成物は重量基準で82%のZ r
O2,13%の82O及び5%の不純物(主として硫酸
イオン)を含む、アンモニア水溶液は他の塩基と置換で
きることを記憶されたい。
5Nで洗浄する0次に、得られた生成物を相対湿度50
〜70%で12時間にわたり80°Cで乾燥する。最終
的にえれらな固体生成物は重量基準で82%のZ r
O2,13%の82O及び5%の不純物(主として硫酸
イオン)を含む、アンモニア水溶液は他の塩基と置換で
きることを記憶されたい。
実施例5
水による一過残留物の第1洗浄工程までは実施例1の操
作を反復する。得られた生成物を0.1規定硝酸水溶液
(酸溶液/生成物重量比:30/1)で洗浄する0次に
、生成物を相対湿度50〜70%で12時間にわたり8
0℃で脱水する。最終的に得られた微粉固体生成物は重
量基準で82%のZ r O2,13%の82O及び5
%の不純物(主として硝酸イオン)を含む。
作を反復する。得られた生成物を0.1規定硝酸水溶液
(酸溶液/生成物重量比:30/1)で洗浄する0次に
、生成物を相対湿度50〜70%で12時間にわたり8
0℃で脱水する。最終的に得られた微粉固体生成物は重
量基準で82%のZ r O2,13%の82O及び5
%の不純物(主として硝酸イオン)を含む。
実施例6
塩酸による洗浄までは実施例1の操作を反復する0次に
、生成物を相対湿度50〜70%で12時間にわたり1
2O℃で脱水する。最終的に得られた微粉固体生成物は
重量基準で約92%のZ r O2,3%のH2O,5
%のCZ−及び0.5%以下の不純物を含む。
、生成物を相対湿度50〜70%で12時間にわたり1
2O℃で脱水する。最終的に得られた微粉固体生成物は
重量基準で約92%のZ r O2,3%のH2O,5
%のCZ−及び0.5%以下の不純物を含む。
実施例7
Z r O22咀に冶有オキシtW(UυLL;IA木
」−?〔z町艷 実施例2の生成物を37%濃度の塩酸水溶液へ添加して
Cf/ZrO□モル比を約2とする。全てを100℃で
30分間にわたり加熱し、次に、水を添加して得られる
溶液の相対密度を1.37に調節し、次に、得られた溶
液を環境温度へ冷却する。
」−?〔z町艷 実施例2の生成物を37%濃度の塩酸水溶液へ添加して
Cf/ZrO□モル比を約2とする。全てを100℃で
30分間にわたり加熱し、次に、水を添加して得られる
溶液の相対密度を1.37に調節し、次に、得られた溶
液を環境温度へ冷却する。
実施例8
ZrOz2O% 石゛ ジルコニウムン゛の調1実施
例2の生成物を65%濃度の硝酸水溶液へ添加してN
O3/ Z r Otモル比を約2とし、Z r O2
の割合を約2O重量%とする。全てを1時間にわたり8
0℃へ加熱し、次に、環境温度へ冷却する。
例2の生成物を65%濃度の硝酸水溶液へ添加してN
O3/ Z r Otモル比を約2とし、Z r O2
の割合を約2O重量%とする。全てを1時間にわたり8
0℃へ加熱し、次に、環境温度へ冷却する。
上述の実施態様は1例にすぎず、本発明の範囲を逸脱し
ない限り同等の技術により変成することができることは
自明である。
ない限り同等の技術により変成することができることは
自明である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ジルコニウムの反応性誘導体において、ジルコニウ
ムの反応性誘導体は、結晶化されておらず且つ外見は乾
燥しており、酸水溶液に可溶性であり、且つ遊離の水ま
たは弱く結合した水を付随し、OH^−イオンの若干を
ハロゲンイオンにより置換することができるメタジルコ
ン酸 ZrO(OH)_2よりなる微粉白色固体の形態であり
、前記誘導体のZrO_2含量が60〜92重量%であ
り、前記誘導体の水含量が3〜40%の範囲内であり、
前記誘導体のハロゲンイオン含量が約5%までの範囲内
であることができることを特徴とするジルコニウムの反
応性誘導体。 2、重量基準で、75〜86.5%のZrO_2、13
〜25%の水及び約0.5%以下のハロゲンイオンを含
有する請求項1記載のジルコニウムの反応性誘導体。 3、0.5重量%以上のハロゲンイオンを含み、水の割
合が13重量%以下である請求項1記載のジルコニウム
の反応性誘導体。 4、ハロゲンがCl^−イオンである請求項1記載のジ
ルコニウムの反応性誘導体。 5、ジルコニウムの反応性誘導体の製造方法において、 (a)水に富んだジルコニア水和物ZrO_2・2H_
2Oすなわち水酸化ジルコニウムZr(OH)_4を調
製し、(b)工程(a)の生成物中のOH^−イオンの
若干をハロゲンイオンで適宜置換し、且つ (c)工程(a)または(b)の生成物を130℃以下
の温度へ、結晶化せず、外見が乾燥し且つ酸水溶液中に
可溶性である微粉白色固体が得られるまで加熱すること
により制御された方法で部分的に脱水することを特徴と
するジルコニウムの反応性誘導体の製造方法。 6、工程(a)が状況に応じて水溶液中の反応剤または
水により固体塩基性Zr塩からのイオンを置換し、次に
、ろ過し、ろ過ケーキを洗浄することにより行なわれる
請求項5記載の方法。 7、工程(a)がジルコニウム塩の酸性水溶液を塩基に
より中和し、次に、ろ過し、濾過ケーキを洗浄すること
により行なわれる請求項1記載の方法。 8、適宜工程(b)が工程(a)の生成物をハロゲン化
水素酸またはハロゲン化アンモニウムの水溶液により洗
浄することにより行なわれる請求項5記載の方法。 9、加熱が超音波により行なわれる請求項5記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8803679A FR2629070B1 (fr) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | Nouveau derive reactif du zirconium et sa preparation |
| FR8803679 | 1988-03-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278417A true JPH01278417A (ja) | 1989-11-08 |
| JPH0459250B2 JPH0459250B2 (ja) | 1992-09-21 |
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ID=9364484
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0334732B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01278417A (ja) |
| CN (1) | CN1015439B (ja) |
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| CA (1) | CA1340043C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR0142920B1 (ko) * | 1995-06-21 | 1998-07-15 | 강박광 | 고순도 옥시염화지르코늄 결정의 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
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1988
- 1988-03-22 FR FR8803679A patent/FR2629070B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-17 DE DE8989400755T patent/DE68903017T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1989-03-17 CA CA000594043A patent/CA1340043C/en not_active Expired - Fee Related
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- 1989-03-21 BR BR898901329A patent/BR8901329A/pt not_active IP Right Cessation
- 1989-03-21 CN CN89102514A patent/CN1015439B/zh not_active Expired
- 1989-03-22 JP JP1067781A patent/JPH01278417A/ja active Granted
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