JPH01280340A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01280340A JPH01280340A JP63110994A JP11099488A JPH01280340A JP H01280340 A JPH01280340 A JP H01280340A JP 63110994 A JP63110994 A JP 63110994A JP 11099488 A JP11099488 A JP 11099488A JP H01280340 A JPH01280340 A JP H01280340A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- substrate
- semiconductor device
- resin layer
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にビームリー
ドと有する半導体装置の製造方法に関する。
ドと有する半導体装置の製造方法に関する。
従来のビームリードを一体化して形成した半導体素子い
わゆるビームリード素子は、ＡＴ＆Ｔベル研究所のエム
・ピー・レプセルター（Ｍ、Ｐ。
わゆるビームリード素子は、ＡＴ＆Ｔベル研究所のエム
・ピー・レプセルター（Ｍ、Ｐ。
Ｌｅｐｓｅｌｔ、ｅｒ ）により発明され、代表的な文
献としては、エム・ビー・レプセルター（Ｍ、Ｐ、Ｌｅ
ｐｓｅｌｔ、−ｅｒ）により、ビーム・リード・ジャン
クション・テクノロジー（Ｂｅａｍ Ｌｅａｄ Ｊｕｎ
ｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の題名で、ベル・
システム・レコード（ＢｅｌｌＳｙｓｔｅｍ Ｒｅｃｏ
ｒｄ） 、 １０〜１１月号、１９６６年、２９９〜
３０３真に紹介されている。
献としては、エム・ビー・レプセルター（Ｍ、Ｐ、Ｌｅ
ｐｓｅｌｔ、−ｅｒ）により、ビーム・リード・ジャン
クション・テクノロジー（Ｂｅａｍ Ｌｅａｄ Ｊｕｎ
ｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の題名で、ベル・
システム・レコード（ＢｅｌｌＳｙｓｔｅｍ Ｒｅｃｏ
ｒｄ） 、 １０〜１１月号、１９６６年、２９９〜
３０３真に紹介されている。
上述した従来の半導体装置は、以下の問題点を有してい
た。
た。
（Ａ） シリコンウェーハ上にビームリードを形成す
るスペースが必要で、そのため、１枚のウェーハからと
れる半導体チップ数はビームリ−ドを形成しない場合の
半導体チップにくらべ少なくそのためチップコストが大
きくなる。
るスペースが必要で、そのため、１枚のウェーハからと
れる半導体チップ数はビームリ−ドを形成しない場合の
半導体チップにくらべ少なくそのためチップコストが大
きくなる。
（Ｂ） シリコンウェーハをダイシングした後ラッピ
ング・エッチカットを行なってビームリード素子を分離
する工程が困難で、リードを破損しやすく、歩留りを低
下させるという製造上の問題を有していた。
ング・エッチカットを行なってビームリード素子を分離
する工程が困難で、リードを破損しやすく、歩留りを低
下させるという製造上の問題を有していた。
本発明の半導体装置は、半導体チップを基板に設けた穴
に挿入して前記半導体チップと前記穴の空隙および前記
基板上面に樹脂層を充填し前記半導体チップの上面と前
記基板上の前記樹脂層の上面のそれぞれを同一平面に一
致させて前記半導体チップを埋込む工程と、前記半導体
チップ上に設けた電極を含む表面に選択的に障壁金属層
及び金属層を積層して設けて前記電極と接続するビーム
リードを形成する工程と、前記樹脂層を剥離して前記半
導体チップを分離する工程とを含んで構成される。
に挿入して前記半導体チップと前記穴の空隙および前記
基板上面に樹脂層を充填し前記半導体チップの上面と前
記基板上の前記樹脂層の上面のそれぞれを同一平面に一
致させて前記半導体チップを埋込む工程と、前記半導体
チップ上に設けた電極を含む表面に選択的に障壁金属層
及び金属層を積層して設けて前記電極と接続するビーム
リードを形成する工程と、前記樹脂層を剥離して前記半
導体チップを分離する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した断面図である。
るための工程順に示した断面図である。
まず、第１図＜ａ＞に示すように、シリコンウェーハ１
を加工し、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジス
タ、Ａρ配線等からなる半導体素子をシリコンウェーハ
１の単位チップ領域２毎に形成する。次に、前記半導体
素子の電極に接続してＣｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／
Ｃｕ／Ｃｒ等の障壁金属とＡｕ／Ｃｕ、Ａｕ等を積層し
て形成したバンブ電極３を選択的に設ける。
を加工し、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジス
タ、Ａρ配線等からなる半導体素子をシリコンウェーハ
１の単位チップ領域２毎に形成する。次に、前記半導体
素子の電極に接続してＣｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／
Ｃｕ／Ｃｒ等の障壁金属とＡｕ／Ｃｕ、Ａｕ等を積層し
て形成したバンブ電極３を選択的に設ける。
次に、第１図（ｂ）に示すように、シリコンウェーハ１
をダイシング装置を用いてダイシングした後、樹脂膜に
貼付けて半導体チップ４を分割する。次に、シリコン、
アルミニウム、アルミナ。
をダイシング装置を用いてダイシングした後、樹脂膜に
貼付けて半導体チップ４を分割する。次に、シリコン、
アルミニウム、アルミナ。
樹脂等の基板５にエツチング、機械的加工、レーザー加
工等により設けた貫通口を形成し、その中に半導体チッ
プ４を挿入して半導体チップ４と基板５の隙間及び基板
５の上面に光硬化性のエポキシ樹脂を滴下して樹脂層６
を形成し、半導体チップ４と基板５を整合しながら紫外
線を照射して樹脂層６を硬化させ半導体チップ４と基板
５を接着し、且つ、半導体チップ４と樹脂層６の上面を
同一平面に固定する。さらに、この後、熱処理により樹
脂Ｍ６を十分に硬化させる。
工等により設けた貫通口を形成し、その中に半導体チッ
プ４を挿入して半導体チップ４と基板５の隙間及び基板
５の上面に光硬化性のエポキシ樹脂を滴下して樹脂層６
を形成し、半導体チップ４と基板５を整合しながら紫外
線を照射して樹脂層６を硬化させ半導体チップ４と基板
５を接着し、且つ、半導体チップ４と樹脂層６の上面を
同一平面に固定する。さらに、この後、熱処理により樹
脂Ｍ６を十分に硬化させる。
次に、第１図（ｃ）に示すように、バンブ電極３を含む
表面にＴｉ及びＣｕをスパッタあるいはイオンブレーテ
ィングにより順次積層して堆積し、障壁金属層７を形成
する。次に、ホトレジスト層８を塗布してパターニング
し、ホトレジスト層８をマスクとして硫酸銅の水溶液中
でＣｕの電気めっきを行ない、さらに金めつき液中でＡ
ｕの電気めっきを行ない、Ａ ｕ ／ Ｃｕ層の金属Ｎ
９を形成する。
表面にＴｉ及びＣｕをスパッタあるいはイオンブレーテ
ィングにより順次積層して堆積し、障壁金属層７を形成
する。次に、ホトレジスト層８を塗布してパターニング
し、ホトレジスト層８をマスクとして硫酸銅の水溶液中
でＣｕの電気めっきを行ない、さらに金めつき液中でＡ
ｕの電気めっきを行ない、Ａ ｕ ／ Ｃｕ層の金属Ｎ
９を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ホトレジスト層８を
剥離し、希硫酸、フッ化水素水溶液中で金属層９をマス
クとして障壁金属層７をエツチングして除去し、障壁金
属７及び金属層９の積層がらなり且つバンブｔｉ３と接
続するビームリード１０を形成する０次に、メチルエチ
ルケトン、アセトン、ジメチルエタン、キシレン等の有
機溶媒の高温液中に浸して樹脂Ｒ６を剥離して半導体チ
ップ４を基板５より分離し、半導体チップ４にビームリ
ード１０を一体形成した半導体装置を得る。
剥離し、希硫酸、フッ化水素水溶液中で金属層９をマス
クとして障壁金属層７をエツチングして除去し、障壁金
属７及び金属層９の積層がらなり且つバンブｔｉ３と接
続するビームリード１０を形成する０次に、メチルエチ
ルケトン、アセトン、ジメチルエタン、キシレン等の有
機溶媒の高温液中に浸して樹脂Ｒ６を剥離して半導体チ
ップ４を基板５より分離し、半導体チップ４にビームリ
ード１０を一体形成した半導体装置を得る。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための断面図
である。
である。
図に示すように、第１の実施例と同様にして形成したバ
ンブ電極３を有する半導体チップ４をポリカーボネート
、塩化ビニール等の熱可塑性樹脂体１１に形成した穴の
中にはめ込み加熱プレスして熱可塑性樹脂体１１を塑性
変形させて半導体チップ４を埋め込み固定する。以下、
第１の実施例の同じ工程により、ビームリードを有する
半導体装置を形成する。
ンブ電極３を有する半導体チップ４をポリカーボネート
、塩化ビニール等の熱可塑性樹脂体１１に形成した穴の
中にはめ込み加熱プレスして熱可塑性樹脂体１１を塑性
変形させて半導体チップ４を埋め込み固定する。以下、
第１の実施例の同じ工程により、ビームリードを有する
半導体装置を形成する。
この実施例は低コストで製造できる利点を有する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、以下の効果を有する。
（Ａ） 従来技術ではシリコンウェーハ上にビームリ
ードを形成するスペースが必要であったが、本発明では
ビームリードを別の基板上に形成できるためチップコス
トが大巾に低減できる。
ードを形成するスペースが必要であったが、本発明では
ビームリードを別の基板上に形成できるためチップコス
トが大巾に低減できる。
（Ｂ） ビームリードを樹脂層上に形成するため、樹
脂を剥離するのみで容易にビームリードを分離すること
ができるため、製造が容易となる。
脂を剥離するのみで容易にビームリードを分離すること
ができるため、製造が容易となる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した断面図、第２図は本発明の第２
の実施例を説明するための断面図である。
るための工程順に示した断面図、第２図は本発明の第２
の実施例を説明するための断面図である。
１・・・シリコンウェーハ、２・・・単位チップ領域、
３・・・バンプ電極、４・・・半導体チップ、５・・・
基板、６・・・樹脂層、７・・・障壁金属層、８・・・
ホトレジスト層、９・・・金属層、１０・・・ビームリ
ード、１１・・・熱可塑性樹脂体。
３・・・バンプ電極、４・・・半導体チップ、５・・・
基板、６・・・樹脂層、７・・・障壁金属層、８・・・
ホトレジスト層、９・・・金属層、１０・・・ビームリ
ード、１１・・・熱可塑性樹脂体。
Claims (1)
- 半導体チップを基板に設けた穴に挿入して前記半導体
チップと前記穴の空隙および前記基板上面に樹脂層を充
填し前記半導体チップの上面と前記基板上の前記樹脂層
の上面のそれぞれを同一平面に一致させて前記半導体チ
ップを埋込む工程と、前記半導体チップ上に設けた電極
を含む表面に選択的に障壁金属層及び金属層を積層して
設けて前記電極と接続するビームリードを形成する工程
と、前記樹脂層を剥離して前記半導体チップを分離する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110994A JPH01280340A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110994A JPH01280340A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280340A true JPH01280340A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14549705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63110994A Pending JPH01280340A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7687318B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-03-30 | Stats Chippac, Ltd. | Extended redistribution layers bumped wafer |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63110994A patent/JPH01280340A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7687318B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-03-30 | Stats Chippac, Ltd. | Extended redistribution layers bumped wafer |
| US8716853B2 (en) | 2007-05-04 | 2014-05-06 | Stats Chippac, Ltd. | Extended redistribution layers bumped wafer |
| US9406647B2 (en) | 2007-05-04 | 2016-08-02 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Extended redistribution layers bumped wafer |
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