JPH01280341A - 高周波半導体装置の組立方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は内部にインピーダンス整合回路を有する高周
波用半導体装置の組立方法に関するものである。

〔従来の技術〕

一般的に、バイポーラ・トランジスタ、電界効果トラン
ジスタなどの超高周波高出方半導体装置にあっては、そ
の素子構成でのインピーダンスが非常に低いことから、
素子自体のもつ広帯域高出力特性を効果的に発揮させて
、良好な広帯域整合を実現させるのには、浮遊容量とか
インダクタンスなどの不要な要素の介在を避けるために
、素子自体に可能な限り近接させた状態で、インピーダ
ンス整合回路を設ける必要がある。

このために、超高周波高出力トランジスタにおいては、
従来から装置容器の内部にインピーダンス整合回路を内
蔵させた、いわゆる内部整合型の半導体装置が提案され
ているう 第３図は従来の内部整合型半導体装置の一例を示し、ｆ
ａｔは断面図、（ｂ）は上面図である。図中、（１）は
トランジスタチップ、（２）は容器、（２１）は金属基
体、（２２）は容器絶縁板、（２３）はリード、（２４
）はキャップ、（２５）はキャップ（２４）を取り付け
るための容器外周部、（３１）　、　（３２）は絶縁板
、（４１）　、　（４２）は絶縁板（３１）　、　（３
２）上にそれぞれ設けられた金属膜電極、（５）は金属
細線、（６１）　、　（６２）は絶縁板（３１）　。

（３２）上にそれぞれ設けられた微小金属膜電極、（７
１）、　（７２）は金属膜電極（４１）　、　（４２）
と微小金属膜電極（６１）　、　（６２）をそれぞれ接
続する微調用金属細線である。（３１）　、　（３２）
の絶縁板、（１）のトランジスタチップは金属基体Ｃ１
ｌにろう材等で固着され、また金属細線（５）、微調用
金属細線（７１）　、　（７２）は金属膜電極（４１）
　、　（４２）上に熱圧着等で固着されている。

（８）は容器絶縁板メタライズ部である。

金属細線（６）、微調用金属細線（７１）　、　（７２
）及び金属膜電極（４１）　、　（４２）　、微小金属
膜電極（６１）　、　（６２）はインピーダンス整合回
路を構成している。微小金属膜電極（６１）　、　（６
２）はトランジスタチップ（１）のインピーダンスや整
合回路構成材料の物理的／くラッキなどによる影響を補
正するための整合回路微調整用電極である。

第４図は従来の半導体装置用キャップの上面図及び断面
図である。金属、あるいは絶縁物の板（９）にシール用
メタライズ部０Ｄを一部あるいは全面に施したものであ
る。

次に従来の半導体装置の組立方法について説明する。高
周波領域においては、インピーダンス整合回路は前述し
たように金属膜電極（４１）　、　（４２）、微小金属
膜電極（６１）　、　（６２）及び金属細線（５）、微
調用金属細線（７１）　、　（７２）で構成されており
波長に比べ容器外周部Ｇの高さが同程度以下なのでキャ
ップｃ！４１を容器外周部器に固着した場合としない場
合とでインピーダンス特性が異なったものになる。

少しでも間隙があると特性が異なってしまう。

そのため整合回路の調整時にはキャップ（２ｄ）を容器
外周部−に密着させ、素子の特性を所望のものにする必
要がある。

特性が不良の場合には、キャップ（２ｄ）をはずし微小
金属膜電極（６１）　、　（６２）にワイヤ（７１）　
、　（７２）を追加ボンディング等により微調整を行っ
ている。

この作業（ボンディング、特性モニタ）を所望の特性が
得られるまで繰り返し行う。調整が完了したら内部目視
検査を行い、キャップ（２４１をろう材で封止する。

回路調整良否判定においてはキャップ翻と容器外周部器
が完全に密着されろう材での封止状態と変わらない状態
でなければならないっ しかし、容器外周部器のキャップｃ！ａと接触する部分
の平坦度やキャップ−の平坦度が完全に均一であること
はまれであるため、一部空隙を残すことが多く、キャッ
プ翻ろう付は後、整合不良となる場合が多い。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置の整合回路調整時においては、キャッ
プと容器外周部と密着性がよくないため、整合回路の調
整が良好と判定された場合でも、キャップろう付は後に
は特性不良（整合不良）となる問題があり、この対策が
課題であった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、整合調整が確実にでき、特性の良好な半導体装
置が安定して得られることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の組立方法は、金属′〜板ま
たは絶縁板に軟かい金属のシールリングを設けたキャッ
プを使用するようにしたものである。

〔作用〕

この発明における軟かい金属シールリング例えば金リボ
ンを付加したキャップは容器外周部との密着性がよくな
ることにより、インピーダンス整合回路調整時の調整不
良を低減する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ｆａｔは高周波半導体装置のキャップの平面図、第１
図（ｂｌは第１図（ａｌのＸ−Ｘ断面図である。

図において、（２ｄ）はキャップ、（９）は金属又は絶
縁物の板、α＠は板（９）上に固着された軟金属（例え
ば金）シーリングである。第２図は半導体装置の容器外
周部（２ｅ）に軟金属シーリング翰付き板（９）を乗せ
た状態を示す断面図である。

次に動作について説明する。この発明においてはインピ
ーダンス整合回路調整時、キャップ例と容器外周部器の
上端面はキャップｃ！不上に設けた軟金属シーリングα
Ｑにより完全に密着された状態にできみ。したがって、
インピーダンス整合回路を構成するワイヤの長さや金属
膜電極寸法、トランジスタチップのインピーダンスなど
の避けられないバラツキを吸収するために行う整合回路
調整時において、実際にキャップ四をろう材等で固着し
た状態と同一の結果を得ることができる。

なお上記実施例では板の一部に軟金属シーリングを付加
したものを示したが、板金面に軟金属シーリングを設け
てもよい。

また入出力各々に整合回路を設けたものを示したが、片
側のみであってもよく、更にチップ、回路が複数個ある
いわゆるモジュールであってもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば半導体装置のキャップ
に軟金属シーリングを固着させたので、半導体装置の高
周波特性調整を容易に確実に行うことができ、歩留りが
向上する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る高周波半導体装置の組立方法の
一実施例を示すキャップの平面図及び断面図、第２図は
この発明の実施例による半導体装置外周容器部にキャッ
プを乗せた状態を示す断面図、第３図は従来の内部整合
型半導体装置の一実施例を示す断面図及び上面図、第４
図は従来の半導体装置用キャップの上面図及び断面図で
ある。 図においてＱ、１）はキャップ、（９）は板、０＠は軟
金属シーリングである。 なお、図中、同一符号は同一ζ又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　入出力端子を有する外囲器と、この外囲器内に設けら
   れる高周波トランジスタと、これら高周波トランジスタ
   と上記入出力端子間に設けられた整合回路部を備えた半
   導体装置において、軟金属シールリングを設けた金属板
   あるいは絶縁板を用いて整合回路部の調整を行うことを
   特徴とする半導体装置の組立方法。