JPH01280760A - パターン膜修正における処理方法 - Google Patents
パターン膜修正における処理方法Info
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- JPH01280760A JPH01280760A JP63110687A JP11068788A JPH01280760A JP H01280760 A JPH01280760 A JP H01280760A JP 63110687 A JP63110687 A JP 63110687A JP 11068788 A JP11068788 A JP 11068788A JP H01280760 A JPH01280760 A JP H01280760A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路製造行程で使用するマスクま
たはレチクルのパターン膜修正における処理方法に関す
るものである。
たはレチクルのパターン膜修正における処理方法に関す
るものである。
液体金属イオン源をもつイオンビーム装置によって、パ
ターン膜の所定箇所が除去された試料に対して、前記除
却箇所のイオンビームの注入層に対して化学的にエツチ
ング作用のあるエツチング液を加熱しながらウェット処
理することにより、前記イオンビームの注入層を除去し
て、パターン膜の除去部をきれいにする方法に関するも
のである。
ターン膜の所定箇所が除去された試料に対して、前記除
却箇所のイオンビームの注入層に対して化学的にエツチ
ング作用のあるエツチング液を加熱しながらウェット処
理することにより、前記イオンビームの注入層を除去し
て、パターン膜の除去部をきれいにする方法に関するも
のである。
従来、集束イオンビームを試料表面の所定箇所上に繰り
返し走査し、パターン膜の余剰部をイオンビームによる
スパッタリングで取り除き、その後の２次処理として、
試料をプラズマ雰囲気中に置いて、パターン膜除却部に
残るイオンビーム注入層をプラズマエツチングによって
除去していた。
返し走査し、パターン膜の余剰部をイオンビームによる
スパッタリングで取り除き、その後の２次処理として、
試料をプラズマ雰囲気中に置いて、パターン膜除却部に
残るイオンビーム注入層をプラズマエツチングによって
除去していた。
従来のプラズマエツチングによる２次処理方法では、プ
ラズマによる試料基板およびパターン材へのダメージが
大きく、また試料基板とパターン材の熱膨張率の違いか
らパターン膜が変形してしまうなどの欠点があった。
ラズマによる試料基板およびパターン材へのダメージが
大きく、また試料基板とパターン材の熱膨張率の違いか
らパターン膜が変形してしまうなどの欠点があった。
（課題を解、決するだめの手段〕
本発明は、上記の欠点をなくすためになされたもので、
２次処理方法としてプラズマのかわりに、前記イオンビ
ーム注入層に列して化学的にエツチング作用のあるエツ
チング液を加熱しながらウェット処理することにより、
前記イオンビーム注入層を除去することを特徴とするパ
ターン膜修正における処理方法である。
２次処理方法としてプラズマのかわりに、前記イオンビ
ーム注入層に列して化学的にエツチング作用のあるエツ
チング液を加熱しながらウェット処理することにより、
前記イオンビーム注入層を除去することを特徴とするパ
ターン膜修正における処理方法である。
」１記方法の作用は、イオンビーＪ、によるスバ。
クリングを利用して、パターン膜所定箇所を除去したあ
とに残る、前記イオンビーム注入層に対して、化学的に
エツチング作用のあるエツチング液を力１１熱しながら
ウェット処理することにより、プラズマによるダメージ
をなくして、前記イオンビーム注入層を除去し、パター
ン膜の除去部を精度よくきれいにする。
とに残る、前記イオンビーム注入層に対して、化学的に
エツチング作用のあるエツチング液を力１１熱しながら
ウェット処理することにより、プラズマによるダメージ
をなくして、前記イオンビーム注入層を除去し、パター
ン膜の除去部を精度よくきれいにする。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は、本発明に係わるパターン膜修正における２次処理
を示す図である。
図は、本発明に係わるパターン膜修正における２次処理
を示す図である。
ガリウムイオンビームによって、基板上に形成されたク
ロム膜、または酸化クロム膜のパターン膜６の欠陥箇所
が除去されたフォトマスク２を、濃度約５％の水酸化す
トリウム水溶液１に浸す。
ロム膜、または酸化クロム膜のパターン膜６の欠陥箇所
が除去されたフォトマスク２を、濃度約５％の水酸化す
トリウム水溶液１に浸す。
水酸化ナトリウム水溶液］は、ステンレス容器３に入れ
てあり、あらかしめ加熱攪拌機能を備えた装置５によっ
て加熱あるいは加熱攪拌されており、棒温度計４によっ
て液温を約４０°Ｃに保つように調整されている。この
ようにして、１０分から１５分間処理した後、フォＩ・
マスク２をステンレス容器３に入れたまま蒸留水にて希
釈し、フォトマスク２の表面を外気にさらさないように
、ステンレス容器３の中の溶液を捨て、また蒸留水を希
釈しては捨て、数回繰り返してフォトマスク２を化学ハ
サミで取り上げ、蒸留水で洗浄し、最後にアセトンで流
してランプなどで乾燥させる。
てあり、あらかしめ加熱攪拌機能を備えた装置５によっ
て加熱あるいは加熱攪拌されており、棒温度計４によっ
て液温を約４０°Ｃに保つように調整されている。この
ようにして、１０分から１５分間処理した後、フォＩ・
マスク２をステンレス容器３に入れたまま蒸留水にて希
釈し、フォトマスク２の表面を外気にさらさないように
、ステンレス容器３の中の溶液を捨て、また蒸留水を希
釈しては捨て、数回繰り返してフォトマスク２を化学ハ
サミで取り上げ、蒸留水で洗浄し、最後にアセトンで流
してランプなどで乾燥させる。
第２図は、フォトマスク２上の欠陥を示している。フォ
トマスク２上に形成されたパターン膜６の突起状の欠陥
７をガリウムイオンビーＪ、によって修正すると第３図
のようになり、イオン注入層８が残る。本発明の実施例
によって２次処理を行うと第４図のようになり、第３図
で現れていたイオン注入層８は、２次処理によって完全
に除去され所定形状のパターン膜６が得られる。
トマスク２上に形成されたパターン膜６の突起状の欠陥
７をガリウムイオンビーＪ、によって修正すると第３図
のようになり、イオン注入層８が残る。本発明の実施例
によって２次処理を行うと第４図のようになり、第３図
で現れていたイオン注入層８は、２次処理によって完全
に除去され所定形状のパターン膜６が得られる。
イオンビームによる修正に伴うイオン注入層は、本発明
の２次処理によって完全に除去される。また、２次処理
による試料基板およびパターン材へのダメージは全く無
く、また更にプラズマエツチングよりもかなり簡易的か
つ安価な方法によってパターン膜修正の２次処理を行う
ことができる。
の２次処理によって完全に除去される。また、２次処理
による試料基板およびパターン材へのダメージは全く無
く、また更にプラズマエツチングよりもかなり簡易的か
つ安価な方法によってパターン膜修正の２次処理を行う
ことができる。
第１図は本発明に係わるパターン膜（１８正における２
次処理を示す図、第２図はフォＩ・マスクとの欠陥、第
３図はイオンビームによる修正後の図、第４図は更に本
発明の実施例による２次処理後の図である。 ］・・・エツチング液（水酸化ナトリウム水溶液）２・
・・フォトマスク ３・・・加熱攪拌装置 ６・ ・・パターン膜 ７・・・欠陥部 ８・・・イオン注入層部 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
次処理を示す図、第２図はフォＩ・マスクとの欠陥、第
３図はイオンビームによる修正後の図、第４図は更に本
発明の実施例による２次処理後の図である。 ］・・・エツチング液（水酸化ナトリウム水溶液）２・
・・フォトマスク ３・・・加熱攪拌装置 ６・ ・・パターン膜 ７・・・欠陥部 ８・・・イオン注入層部 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオン源を用いたイオンビーム装置において、前記イ
オンビームのエッチング作用によりパターン膜の所定箇
所を除却する工程と、 前記イオンビームの照射により形成されたイオン注入層
をエッチング作用のあるエッチング液を加熱しながら化
学的に除却処理する工程とよりなるパターン膜修正にお
ける処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110687A JPH01280760A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | パターン膜修正における処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110687A JPH01280760A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | パターン膜修正における処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280760A true JPH01280760A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14541903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63110687A Pending JPH01280760A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | パターン膜修正における処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280760A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553293A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63110687A patent/JPH01280760A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553293A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク基板の製造方法 |
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