JPH01281786A - アレイレーザ - Google Patents
アレイレーザInfo
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- JPH01281786A JPH01281786A JP11081288A JP11081288A JPH01281786A JP H01281786 A JPH01281786 A JP H01281786A JP 11081288 A JP11081288 A JP 11081288A JP 11081288 A JP11081288 A JP 11081288A JP H01281786 A JPH01281786 A JP H01281786A
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- Japan
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- laser
- substrate
- laser element
- light emitting
- heat
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、アレイ形半導体レーザに関し、特に同一チ
ップ内に存在する複数の発光部が互いに干渉しないよう
にしたアレイレーザに関するものである。
ップ内に存在する複数の発光部が互いに干渉しないよう
にしたアレイレーザに関するものである。
(従来の技術)
第2図(a)、(b)に従来のアレイレーザ装置とアレ
イレーザの構造を示す。第2図(a)は、1つのパッケ
ージ内に3本のレーザビームを出す半導体レーザを収め
たものである。第2図(a)において、1はステム、2
はアレイレーザをパッケージするキャップ、3は前記キ
ャップ2に形成された光学窓、4はヒートシンクで、こ
れに複数のレーザ素子を有するレーザチップ5°が固着
されている。6は前記ステム1の端子を示す。4本の端
子6の内1本はレーザチップ5のヒートシンク4側に接
続され、残りの3本はレーザチップ5の表面電極と接続
されている。
イレーザの構造を示す。第2図(a)は、1つのパッケ
ージ内に3本のレーザビームを出す半導体レーザを収め
たものである。第2図(a)において、1はステム、2
はアレイレーザをパッケージするキャップ、3は前記キ
ャップ2に形成された光学窓、4はヒートシンクで、こ
れに複数のレーザ素子を有するレーザチップ5°が固着
されている。6は前記ステム1の端子を示す。4本の端
子6の内1本はレーザチップ5のヒートシンク4側に接
続され、残りの3本はレーザチップ5の表面電極と接続
されている。
第2図(b)はアレイレーザの構造例を示す断面図であ
る。
る。
この図で、7はレーザ光の発光部、8は基板、9は分離
溝で、各レーザ素子の発光部7に分離している。10.
11は電極であり、12.13゜14はレーザ素子であ
る。
溝で、各レーザ素子の発光部7に分離している。10.
11は電極であり、12.13゜14はレーザ素子であ
る。
第2図(b)は、モノリシック形で1チツプ内に3個の
レーザ光の発光部7を備えている。各レーザ素子12.
13.14の発光部7は基板8に達する分離溝9で電気
的に分離されており、各レーザ素子12.13.14に
独立した駆動電流を流すことができる。このようなアレ
イレーザは、レーザビームプリンタ、光ディスク等に使
用されるもので、1つの光学系で複数の光ビームを高精
度に位置決め制御する必要がある。このためには各発光
部7の位置精度、各発光部7の間隔精度、各放射ビーム
の光軸精度がそろっていることが重要である。第2図(
b)のモノリシックアレイでは、レーザ結晶をチップに
加工する工程(ウェハプロセス)において、各レーザ素
子12〜14を同時に加工するので、発光部7の位置間
隔、放射ビームの光軸もそろっており、組立上は特に問
題がない。
レーザ光の発光部7を備えている。各レーザ素子12.
13.14の発光部7は基板8に達する分離溝9で電気
的に分離されており、各レーザ素子12.13.14に
独立した駆動電流を流すことができる。このようなアレ
イレーザは、レーザビームプリンタ、光ディスク等に使
用されるもので、1つの光学系で複数の光ビームを高精
度に位置決め制御する必要がある。このためには各発光
部7の位置精度、各発光部7の間隔精度、各放射ビーム
の光軸精度がそろっていることが重要である。第2図(
b)のモノリシックアレイでは、レーザ結晶をチップに
加工する工程(ウェハプロセス)において、各レーザ素
子12〜14を同時に加工するので、発光部7の位置間
隔、放射ビームの光軸もそろっており、組立上は特に問
題がない。
しかし、モノリシック形では基板8が共通であるため、
各発光部7を独立動作させると、他のレーザ素子の電気
的・光学的特性に影響を与える。
各発光部7を独立動作させると、他のレーザ素子の電気
的・光学的特性に影響を与える。
第3図にモノリシック形アレイレーザの動作例を示す。
なお、ここではレーザ素子12,13゜14を便宜的に
それぞれ第1.第2.第3のレーザ素子という。この図
は、第1のレーザ素子12に一定の駆動電流1.を流し
ておき、隣接する第2のレーザ素子13の駆動電流I2
をON、OFFした場合の第1のレーザ素子12の光出
力P1と時間tとの関係を示す特性図である。第2のレ
ーザ素子13の駆動状態によって第1のレーザ素子12
の光出力P、が一定にならず、変動している。これは第
2のレーザ素子13内の発熱が発光部7から周辺に広が
り、基板8を通して隣の第1のレーザ素子12にまで影
響を及ぼした結果である。
それぞれ第1.第2.第3のレーザ素子という。この図
は、第1のレーザ素子12に一定の駆動電流1.を流し
ておき、隣接する第2のレーザ素子13の駆動電流I2
をON、OFFした場合の第1のレーザ素子12の光出
力P1と時間tとの関係を示す特性図である。第2のレ
ーザ素子13の駆動状態によって第1のレーザ素子12
の光出力P、が一定にならず、変動している。これは第
2のレーザ素子13内の発熱が発光部7から周辺に広が
り、基板8を通して隣の第1のレーザ素子12にまで影
響を及ぼした結果である。
このようなアレイレーザをプリンタに使用した場合、1
本のレーザビームが1ドツト行に対応し、3行同時にプ
リントすることになるが、あるレーザ素子が動作中に他
のレーザ素子が動作すると、熱的干渉によって光出力が
低下し、プリント濃度が低下する。3本のビームで高速
にプリントしてもプリント結果に濃度むらが生じ、不都
合であった。
本のレーザビームが1ドツト行に対応し、3行同時にプ
リントすることになるが、あるレーザ素子が動作中に他
のレーザ素子が動作すると、熱的干渉によって光出力が
低下し、プリント濃度が低下する。3本のビームで高速
にプリントしてもプリント結果に濃度むらが生じ、不都
合であった。
他の従来例として、分離されたレーザチップを1つのパ
ッケージ内に収めたものもある。この個別形アレイレー
ザは、各チップが独立しているので熱の相互干渉はない
が、個別チップを別々に組立てるので、発光部の位置・
間隔・光軸等を必要な精度にそろえることができない不
都合がある。
ッケージ内に収めたものもある。この個別形アレイレー
ザは、各チップが独立しているので熱の相互干渉はない
が、個別チップを別々に組立てるので、発光部の位置・
間隔・光軸等を必要な精度にそろえることができない不
都合がある。
上記のような従来のアレイ形半導体レーザは、モノリシ
ック形では基板8が共通であるため、熱の相互干渉で各
レーザ素子12〜14を独立に駆動することができない
問題点があった。また、個別形では、必要な位置・間隔
・光軸精度の高いものが得られない問題点があった。
ック形では基板8が共通であるため、熱の相互干渉で各
レーザ素子12〜14を独立に駆動することができない
問題点があった。また、個別形では、必要な位置・間隔
・光軸精度の高いものが得られない問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、発光部の位置・間隔・光軸精度が高く、シかも熱
的相互干渉の少ないアレイレーザを得ることを目的とす
る。
ので、発光部の位置・間隔・光軸精度が高く、シかも熱
的相互干渉の少ないアレイレーザを得ることを目的とす
る。
この発明に係るアレイレーザは、同一基板上に備えた複
数の発光部の各発光部間の前記基板内に前記基板より熱
伝導率の低い材料を埋め込み、それぞれ基板が分離され
た複数のレーザ素子を構成したものである。
数の発光部の各発光部間の前記基板内に前記基板より熱
伝導率の低い材料を埋め込み、それぞれ基板が分離され
た複数のレーザ素子を構成したものである。
この発明においては、基板よりも熱伝導率の小さい埋込
み材料で各レーザ素子を分離したことから、各レーザ素
子で発生した熱は隣接するレーザ素子に伝われにくくな
る。
み材料で各レーザ素子を分離したことから、各レーザ素
子で発生した熱は隣接するレーザ素子に伝われにくくな
る。
以下、この発明の一実施例を第1図(a)〜(d)につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図はこの発明のアレイレーザを得るための製造方法
を示す図である。まず、第1図(a)は、各レーザ素子
間を分離する前のチップ断面である。チップの厚さは、
例えば350μmであるが、基板8が大部分を占めてお
り、レーザ動作に直接関係する部分は高々20μm程度
である。次に、第1図(b)に示すように、発光部7間
をそれぞれエツチング等で所要深さまで除去して分離溝
9を掘り込む。従来例では各レーザ素子を電気的に分離
するために基板8に達する程度の深さ(約20〜30μ
m)までエツチングしたが、この発明ではさらに深く、
例えば100μm程度まで掘り込む。そして、この分離
溝9内を基板8よりも熱伝導率の低い材料15で埋め込
む。次に、第1図(C)に示すように、ウェハを研磨・
エツチング等で基板8側から研削し、分離溝9内に埋め
込んだ材料に達するまで研削する。研削後のウェハ厚は
100μm程度になる。その後、ウェハの両面に電極1
0.11を付け、パターニングを行い、第1図(d)に
示すように、この発明のアレイレーザが得られる。
を示す図である。まず、第1図(a)は、各レーザ素子
間を分離する前のチップ断面である。チップの厚さは、
例えば350μmであるが、基板8が大部分を占めてお
り、レーザ動作に直接関係する部分は高々20μm程度
である。次に、第1図(b)に示すように、発光部7間
をそれぞれエツチング等で所要深さまで除去して分離溝
9を掘り込む。従来例では各レーザ素子を電気的に分離
するために基板8に達する程度の深さ(約20〜30μ
m)までエツチングしたが、この発明ではさらに深く、
例えば100μm程度まで掘り込む。そして、この分離
溝9内を基板8よりも熱伝導率の低い材料15で埋め込
む。次に、第1図(C)に示すように、ウェハを研磨・
エツチング等で基板8側から研削し、分離溝9内に埋め
込んだ材料に達するまで研削する。研削後のウェハ厚は
100μm程度になる。その後、ウェハの両面に電極1
0.11を付け、パターニングを行い、第1図(d)に
示すように、この発明のアレイレーザが得られる。
次に動作について説明する。
第1図において、従来例の説明と同様に、この発明の実
施例のアレイレーザの一レーザ素子に一定電流を流して
おき、光出力をモニタしながら隣接するレーザ素子の駆
動電流をON、OFFしてみる。隣接するレーザ素子に
注入された電力は、その一部が発光に寄与し、大半の残
りは主に発光部7で熱となる。この発熱は周囲に拡散し
ながら基板8側に伝わる。従来例ではレーザ素子間が熱
伝導の良い基板8でつながっていたために基板8を通し
て熱はさらに隣のレーザ素子にまで伝導した。しかし、
この実施例では隣のレーザ素子との間に熱伝導率の低い
材料が埋め込んであるので熱は横方向に伝導するよりも
、パッケージ方向に伝わる。したがって、隣接するレー
ザ素子の駆動電流をON、OFFしてもその発熱の影響
が他のレーザ素子に伝わらないことになる。また、この
実施例の埋込み層は、レーザ素子がクエへの状態で同時
に形成されるので、各レーザ素子の位置・間隔・光軸精
度はモノリシックそのものであり、非常に高精度に形成
できる。
施例のアレイレーザの一レーザ素子に一定電流を流して
おき、光出力をモニタしながら隣接するレーザ素子の駆
動電流をON、OFFしてみる。隣接するレーザ素子に
注入された電力は、その一部が発光に寄与し、大半の残
りは主に発光部7で熱となる。この発熱は周囲に拡散し
ながら基板8側に伝わる。従来例ではレーザ素子間が熱
伝導の良い基板8でつながっていたために基板8を通し
て熱はさらに隣のレーザ素子にまで伝導した。しかし、
この実施例では隣のレーザ素子との間に熱伝導率の低い
材料が埋め込んであるので熱は横方向に伝導するよりも
、パッケージ方向に伝わる。したがって、隣接するレー
ザ素子の駆動電流をON、OFFしてもその発熱の影響
が他のレーザ素子に伝わらないことになる。また、この
実施例の埋込み層は、レーザ素子がクエへの状態で同時
に形成されるので、各レーザ素子の位置・間隔・光軸精
度はモノリシックそのものであり、非常に高精度に形成
できる。
なお、上記実施例では発光部7を3個有する3点アレイ
レーザについて説明したが、2点以上のアレイレーザに
ついても同様の効果がある。
レーザについて説明したが、2点以上のアレイレーザに
ついても同様の効果がある。
また、上記実施例では基板8側の電極11を分離せず共
通にした場合について説明したが、逆に基板8側の電極
11を分離しても同様の効果がある。
通にした場合について説明したが、逆に基板8側の電極
11を分離しても同様の効果がある。
以上説明したようにこの発明は、各発光部間の基板内に
前記基板より熱伝導率の低い材料を埋め込み、それぞれ
前記基板が分離された複数のレーザ素子を構成したので
、各レーザ素子間の熱干渉を低減できる。また、基板よ
り熱伝導率の低い材料の埋め込み後のアレイレーザはモ
ノリシック状態であり、発光部の位置・間隔・光軸の各
精度の極めて高いものが得られる。さらに、特別に電極
パターニングした組立用マウントを必要とせずに、ジャ
ンクションアップ/ダウンどちらでも容易に組立てが可
能である等の効果がある。
前記基板より熱伝導率の低い材料を埋め込み、それぞれ
前記基板が分離された複数のレーザ素子を構成したので
、各レーザ素子間の熱干渉を低減できる。また、基板よ
り熱伝導率の低い材料の埋め込み後のアレイレーザはモ
ノリシック状態であり、発光部の位置・間隔・光軸の各
精度の極めて高いものが得られる。さらに、特別に電極
パターニングした組立用マウントを必要とせずに、ジャ
ンクションアップ/ダウンどちらでも容易に組立てが可
能である等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(d)はこの発明の一実施例のアレイレ
ーザの製造工程を示す断面図、第2図(a)、(b)は
従来のアレイレーザの外形およびチップ断面を示す図、
第3図は従来のアレイレーザを動作させた場合の光出力
特性を示す図である。 図において、7は発光部、8は基板、9は分離溝、10
.11は電極、12.13.14はレーザ素子である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 +2.13,14 レーサ°素子
ーザの製造工程を示す断面図、第2図(a)、(b)は
従来のアレイレーザの外形およびチップ断面を示す図、
第3図は従来のアレイレーザを動作させた場合の光出力
特性を示す図である。 図において、7は発光部、8は基板、9は分離溝、10
.11は電極、12.13.14はレーザ素子である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 +2.13,14 レーサ°素子
Claims (1)
- 同一基板上に複数の発光部を備えたモノリシック形アレ
イレーザにおいて、前記各発光部間の前記基板内に前記
基板より熱伝導率の低い材料を埋め込み、それぞれ前記
基板が分離された複数のレーザ素子を構成したことを特
徴とするアレイレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110812A JPH0828551B2 (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | アレイレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110812A JPH0828551B2 (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | アレイレーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01281786A true JPH01281786A (ja) | 1989-11-13 |
| JPH0828551B2 JPH0828551B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=14545286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63110812A Expired - Lifetime JPH0828551B2 (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | アレイレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828551B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343810A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
| EP0634823A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor laser array with reduced crosstalk and method of making the same |
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| WO2013150715A1 (ja) | 2012-04-05 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS58102590A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63110812A patent/JPH0828551B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| USRE46059E1 (en) | 2007-08-22 | 2016-07-05 | Sony Corporation | Laser diode array, method of manufacturing same, printer, and optical communication device |
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| USRE48880E1 (en) | 2007-08-22 | 2022-01-04 | Sony Group Corporation | Laser diode array, method of manufacturing the same, printer, and optical communication device |
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| WO2013150715A1 (ja) | 2012-04-05 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US8897328B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing same |
| US9853415B2 (en) | 2014-07-14 | 2017-12-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828551B2 (ja) | 1996-03-21 |
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