JPH01282875A - カラーセンサ - Google Patents
カラーセンサInfo
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- JPH01282875A JPH01282875A JP63112219A JP11221988A JPH01282875A JP H01282875 A JPH01282875 A JP H01282875A JP 63112219 A JP63112219 A JP 63112219A JP 11221988 A JP11221988 A JP 11221988A JP H01282875 A JPH01282875 A JP H01282875A
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- Japan
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- electrode
- type
- color
- light
- organic dye
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はカラーセンサに関し、特に入射光を複数種の
色の領域に分光し、その出力を得ることのできる全可視
光領域のカラーセンサに関するものである。
色の領域に分光し、その出力を得ることのできる全可視
光領域のカラーセンサに関するものである。
従来、入射光を赤(R)、緑(G)、青(B)の3つの
領域に分光した3成分の出力を得ることのできるRGB
方式の全可視光領域のカラーセンサとしては、フォトダ
イオードやCCDなどの光電変換素子と赤、緑、青の3
色のカラーフィルタとを組み合わせたものが実用化され
ている。
領域に分光した3成分の出力を得ることのできるRGB
方式の全可視光領域のカラーセンサとしては、フォトダ
イオードやCCDなどの光電変換素子と赤、緑、青の3
色のカラーフィルタとを組み合わせたものが実用化され
ている。
第5図は従来のプレーナ型カラーセンサ素子の一例であ
る(桑野幸徳;エレクトロニクス、昭和57年9月号P
P、53−56 > 、図において、11はコート樹脂
、12はリードフレーム、13は裏面電極、14はアモ
ルファスシリコン、15は透明電導膜、16はガラス基
板、17はカラーフィルタである。この例ではアモルフ
ァスシリコン14を光電変換素子として用いている。こ
の素子の動作原理は赤(R)、緑(G)、青(B)の3
色のカラーフィルタ17によって入射光の3色それぞれ
の成分を透過し、3個の光電変換素子によって電気信号
に変換して3色に対応する出力を得るものである。
る(桑野幸徳;エレクトロニクス、昭和57年9月号P
P、53−56 > 、図において、11はコート樹脂
、12はリードフレーム、13は裏面電極、14はアモ
ルファスシリコン、15は透明電導膜、16はガラス基
板、17はカラーフィルタである。この例ではアモルフ
ァスシリコン14を光電変換素子として用いている。こ
の素子の動作原理は赤(R)、緑(G)、青(B)の3
色のカラーフィルタ17によって入射光の3色それぞれ
の成分を透過し、3個の光電変換素子によって電気信号
に変換して3色に対応する出力を得るものである。
しかしながら、上記の従来のRGB方式ではフォトダイ
オードなどの光検知素子が全ての色領域にわたって大き
く変化しない感度波長特性を持つていることが必要であ
り、素子1組についても3色のカラーフィルタ17に対
応して3つの独立な素子が必要であることや、カラーフ
ィルタ17と光検知素子を組み合わせるため素子の微細
化においてはその位置調整が重要であり、製造工程も複
雑で高コストになる等の問題点があった。
オードなどの光検知素子が全ての色領域にわたって大き
く変化しない感度波長特性を持つていることが必要であ
り、素子1組についても3色のカラーフィルタ17に対
応して3つの独立な素子が必要であることや、カラーフ
ィルタ17と光検知素子を組み合わせるため素子の微細
化においてはその位置調整が重要であり、製造工程も複
雑で高コストになる等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、カラーフィルタを不用とし、さらに独立な3
個の光電変換素子を必要とせず、積層構造とすることに
よって実効的に1素子分の面積でRGB 3色の成分を
取出し、微細化においても有利となるRGB方式のカラ
ーセンサを得ることを目的とする。
たもので、カラーフィルタを不用とし、さらに独立な3
個の光電変換素子を必要とせず、積層構造とすることに
よって実効的に1素子分の面積でRGB 3色の成分を
取出し、微細化においても有利となるRGB方式のカラ
ーセンサを得ることを目的とする。
この発明に係るカラーセンサは、従来の無機半導体光電
変換素子に、カラーフィルタを兼ねた有機材料を用いた
光電変換素子を1層ないし2層積層したものである。
変換素子に、カラーフィルタを兼ねた有機材料を用いた
光電変換素子を1層ないし2層積層したものである。
本発明においては、光電変換材料に有機色素を用いてい
るので、特定の波長領域の光のみが吸収され、それ以外
の波長領域の光は透過されることとなるため、カラーフ
ィルタ効果によって透過された光だけが最下層の無機半
導体光電変換素子で検知される。また、さらに有機色素
をp型にするかn型にするかと、電極材料の仕事関数の
大小とをうまく組み合わせることによって、各有機色素
層の光が入射する側に光起電力を発生する異方接合を有
するカラーフィルタを構成することができる。
るので、特定の波長領域の光のみが吸収され、それ以外
の波長領域の光は透過されることとなるため、カラーフ
ィルタ効果によって透過された光だけが最下層の無機半
導体光電変換素子で検知される。また、さらに有機色素
をp型にするかn型にするかと、電極材料の仕事関数の
大小とをうまく組み合わせることによって、各有機色素
層の光が入射する側に光起電力を発生する異方接合を有
するカラーフィルタを構成することができる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例によるカラーセンサ素子の断
面図である。図において、1は第1の電極、2は第1の
有機色素層、3は第2の電極、4は第2の有機色素層、
5は第3の電極、6は無機半導体層、7は第4の電極で
ある。
面図である。図において、1は第1の電極、2は第1の
有機色素層、3は第2の電極、4は第2の有機色素層、
5は第3の電極、6は無機半導体層、7は第4の電極で
ある。
第1及び第2の有機色素層2.4はそれぞれp型及びn
型であって、それぞれの光起電カスベクトルは互いに重
畳しない部分を有し、また第1及び第3の電極材料1.
5はそれぞれp型材料と異方接合を、n型材料と等方接
台を形成するような仕事関数の小さい導電材料であり、
第2の電極材料3はp型材料と等方接台を、n型材料と
異方接合を形成するような仕事関数の大きい導電材料で
ある。
型であって、それぞれの光起電カスベクトルは互いに重
畳しない部分を有し、また第1及び第3の電極材料1.
5はそれぞれp型材料と異方接合を、n型材料と等方接
台を形成するような仕事関数の小さい導電材料であり、
第2の電極材料3はp型材料と等方接台を、n型材料と
異方接合を形成するような仕事関数の大きい導電材料で
ある。
あるいは第1及び第2の有機色素層2.4はそれぞれn
型及びp型であって、それぞれの光起電カスベクトルは
互いに重畳しない部分を有し、また第1及び第3の電極
材料1.5はそれぞれp型材料と等方接台を、n型材料
と異方接合を形成するような仕事関数の大きい導電材料
であり、第2の電極材料3はp型材料と異方接合を、n
型材料と等方接台を形成するような仕事関数の小さい導
電材料である。
型及びp型であって、それぞれの光起電カスベクトルは
互いに重畳しない部分を有し、また第1及び第3の電極
材料1.5はそれぞれp型材料と等方接台を、n型材料
と異方接合を形成するような仕事関数の大きい導電材料
であり、第2の電極材料3はp型材料と異方接合を、n
型材料と等方接台を形成するような仕事関数の小さい導
電材料である。
より詳細に説明すれば、本発明のカラーフィルタは、無
機半導体光電変換素子上にカラーフィルタと光電変換素
子を兼ねた電極と有機色素層とを交互に積層した構成に
なっており、光は第1の電極側から入射し、第1及び第
2の有機色素層2゜4はそれぞれの光が入射する側の電
極、即ち第1及び第2の電極1,3と光起電力を発生す
るような異方接合を形成し、かつ、その反対側の電極、
即ち、第2.第3の電極3.5と等方接台を形成してい
る。さらに第1及び第2の有機色素層2゜4の光起電力
を発生する感光波長域を赤(R)。
機半導体光電変換素子上にカラーフィルタと光電変換素
子を兼ねた電極と有機色素層とを交互に積層した構成に
なっており、光は第1の電極側から入射し、第1及び第
2の有機色素層2゜4はそれぞれの光が入射する側の電
極、即ち第1及び第2の電極1,3と光起電力を発生す
るような異方接合を形成し、かつ、その反対側の電極、
即ち、第2.第3の電極3.5と等方接台を形成してい
る。さらに第1及び第2の有機色素層2゜4の光起電力
を発生する感光波長域を赤(R)。
緑(G)、青(B)のうち2色の領域に選ぶと各有機色
素層からはRGB方式のうち2つの出力が得られる。こ
の時、第1及び第2の有機色素WJ2゜4とRGB 3
色との組み合わせは、各色素が感光波長域以外の光は透
過するので、どのような組み合わせでも何等問題はない
。この例で言えば、第1の有機色素層2でλ、の領域の
光が吸収され、第2の有機色素114でλ2の領域の光
が吸収され、残った光としてλ、の領域の光が無機半導
体層6に入射することになる。このようにして光を3色
のRGBの成分に分離することができる。最下層の無機
半導体層6は大抵の場合全可視光領域に感度があるので
、有機色素N2,4が赤、緑、青のどの2色の領域であ
っても問題はない。また、無機半導体層6での出力を取
り出すためには無機半導体層6は光の入射側の電極、即
ち第3の電極5と異方接合を形成していることが必要で
ある。従って、第3の電極材料5が仕事関数の大きい材
料であれば無機半導体層6はn型であることが必要であ
り、第3の電極材料5が仕事関数の小さい材料であれば
無機半導体層6はp型であることが必要である。
素層からはRGB方式のうち2つの出力が得られる。こ
の時、第1及び第2の有機色素WJ2゜4とRGB 3
色との組み合わせは、各色素が感光波長域以外の光は透
過するので、どのような組み合わせでも何等問題はない
。この例で言えば、第1の有機色素層2でλ、の領域の
光が吸収され、第2の有機色素114でλ2の領域の光
が吸収され、残った光としてλ、の領域の光が無機半導
体層6に入射することになる。このようにして光を3色
のRGBの成分に分離することができる。最下層の無機
半導体層6は大抵の場合全可視光領域に感度があるので
、有機色素N2,4が赤、緑、青のどの2色の領域であ
っても問題はない。また、無機半導体層6での出力を取
り出すためには無機半導体層6は光の入射側の電極、即
ち第3の電極5と異方接合を形成していることが必要で
ある。従って、第3の電極材料5が仕事関数の大きい材
料であれば無機半導体層6はn型であることが必要であ
り、第3の電極材料5が仕事関数の小さい材料であれば
無機半導体層6はp型であることが必要である。
上記のような構成をとるためには、有機色素層は第1の
有機色素層2がp型であれば第2の有機色素層4がn型
、あるいは第1の有機色素層2がn型であれば第2の有
機色素層4がp型であることが必要である。光電変換機
能を持つp型の有機色素としては例えば、メロシアニン
、フタロシアニン、サフラニン、メチレンブルー、クロ
ロフィル等があげられる。n型の有機色素としてはポル
フィリン、ローダミンB1マラカイトグリーン、クリス
タルバイオレットなどがあげられる。これら有機色素の
中でも特に光起電力が大きく2種の有機色素で可視光全
域を分けてカバーできるものがよ(、中でも赤色の領域
に感度を持つメタルフリーのフタロシアニンやフタロシ
アニンのFe。
有機色素層2がp型であれば第2の有機色素層4がn型
、あるいは第1の有機色素層2がn型であれば第2の有
機色素層4がp型であることが必要である。光電変換機
能を持つp型の有機色素としては例えば、メロシアニン
、フタロシアニン、サフラニン、メチレンブルー、クロ
ロフィル等があげられる。n型の有機色素としてはポル
フィリン、ローダミンB1マラカイトグリーン、クリス
タルバイオレットなどがあげられる。これら有機色素の
中でも特に光起電力が大きく2種の有機色素で可視光全
域を分けてカバーできるものがよ(、中でも赤色の領域
に感度を持つメタルフリーのフタロシアニンやフタロシ
アニンのFe。
Co、Ni、Cu、Pb、Mg、Mn、Agなどの金属
錯体(550〜700nm)と、緑色の領域に感度を持
つメロシアニン色素(450〜560nm)と、青色の
右頁域に感度をもつテトラ(4−ピリジル)ポルフィリ
ン(400〜440nm)との組み合わせが最も優れて
いる。これら有機色素は薄膜状に形成されるが、その形
成方法は通常の溶媒キャスト法(スピンコード法、スプ
レーコート法等も含む)や真空蒸着法などであり、また
は、単独あるいは混合して高分子マトリックス中に化学
的あるいは物理的手法でトラップして用いてもよい。
錯体(550〜700nm)と、緑色の領域に感度を持
つメロシアニン色素(450〜560nm)と、青色の
右頁域に感度をもつテトラ(4−ピリジル)ポルフィリ
ン(400〜440nm)との組み合わせが最も優れて
いる。これら有機色素は薄膜状に形成されるが、その形
成方法は通常の溶媒キャスト法(スピンコード法、スプ
レーコート法等も含む)や真空蒸着法などであり、また
は、単独あるいは混合して高分子マトリックス中に化学
的あるいは物理的手法でトラップして用いてもよい。
また、電極材料では、p現有機色素と異方接合を形成し
、n型有機色素と等方接台を形成するような仕事関数の
小さい導電材料として、/l!、 Inなどの金属や
、Snow 、ITO,ZnOなどの金属酸化物が用い
られる。一方、n型有機色素と異方接合を形成し、p現
有機色素と等方接台を形成するような仕事関数の大きい
導電材料としてはAu、Cr、Pt、Ni、Tlなどの
金属や、アクセプターをドープした導電性高分子、例え
ばポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェンなど
の中から単独あるいは組み合わせて用いられる。また、
無機半導体層6と電極5.7からなる光電変換素子部は
従来からの方法で作製すればよい。
、n型有機色素と等方接台を形成するような仕事関数の
小さい導電材料として、/l!、 Inなどの金属や
、Snow 、ITO,ZnOなどの金属酸化物が用い
られる。一方、n型有機色素と異方接合を形成し、p現
有機色素と等方接台を形成するような仕事関数の大きい
導電材料としてはAu、Cr、Pt、Ni、Tlなどの
金属や、アクセプターをドープした導電性高分子、例え
ばポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェンなど
の中から単独あるいは組み合わせて用いられる。また、
無機半導体層6と電極5.7からなる光電変換素子部は
従来からの方法で作製すればよい。
次に本発明のカラーセンサの動作原理を第1図を用いて
説明する。
説明する。
第1及び第2の有機色素2,4がそれぞれn型。
p型である場合は第1及び第2の有機色素がそれぞれp
型及びn型である場合の極性を逆にした場合であり動作
原理は同じであるから、ここでは第1及び第2の有機素
子2,4がそれぞれp型及びn型である場合について述
べる。
型及びn型である場合の極性を逆にした場合であり動作
原理は同じであるから、ここでは第1及び第2の有機素
子2,4がそれぞれp型及びn型である場合について述
べる。
今、第1及び第2の有機色素2.4はそれぞれp型及び
n型であり、その光起電カスベクトルはそれぞれ波長λ
5.λ2に極大を持ち、それぞれ赤。
n型であり、その光起電カスベクトルはそれぞれ波長λ
5.λ2に極大を持ち、それぞれ赤。
緑、青のいずれかの波長右頁域に対応しているものとす
る。−例としてλ、は600〜680nn+の領域に、
λ2は500〜600nmの領域にあるものとする。こ
のときの様子を第3図に示す。図中、λ3は400〜5
00nmの青色の領域を示している。また、第3の電極
材料5は第2のn型の有機色素層4と等方接台を形成す
るように選ばれているから仕事関数の小さい材料である
。従って、無機半導体7はp型に選ぶ必要がある。
る。−例としてλ、は600〜680nn+の領域に、
λ2は500〜600nmの領域にあるものとする。こ
のときの様子を第3図に示す。図中、λ3は400〜5
00nmの青色の領域を示している。また、第3の電極
材料5は第2のn型の有機色素層4と等方接台を形成す
るように選ばれているから仕事関数の小さい材料である
。従って、無機半導体7はp型に選ぶ必要がある。
なお、このときのλ1.λ2とその光起電力発生波長領
域の組み合わせはどのような組み合わせでもよく、本発
明は上記動作説明の例に限定されるものではない。
域の組み合わせはどのような組み合わせでもよく、本発
明は上記動作説明の例に限定されるものではない。
このように本素子を構成したとき、本素子は従来より提
案されている有機光電変換素子を直列に配置したもので
あることがわかる。即ち、第1及び第2の電極1.3と
第1の有機色素112からなる部分は波長λ1 (赤色
)の光に対して第1の電極1側に負の光起電力を生ずる
。また、第2及び第3の電極3.5と第2の有機色素層
4からなる部分は波長λ2 (緑色)の光に対して第2
の電極3側に正の光起電力を生ずる。また、電極5.7
と無機半導体N6からなる部分は全可視光に対して第3
の電極5側に負の光起電力を生ずる。この様子を各光電
変換素子をダイオードで置き換えた模式図で第3図に示
す。
案されている有機光電変換素子を直列に配置したもので
あることがわかる。即ち、第1及び第2の電極1.3と
第1の有機色素112からなる部分は波長λ1 (赤色
)の光に対して第1の電極1側に負の光起電力を生ずる
。また、第2及び第3の電極3.5と第2の有機色素層
4からなる部分は波長λ2 (緑色)の光に対して第2
の電極3側に正の光起電力を生ずる。また、電極5.7
と無機半導体N6からなる部分は全可視光に対して第3
の電極5側に負の光起電力を生ずる。この様子を各光電
変換素子をダイオードで置き換えた模式図で第3図に示
す。
次に、この素子に第1の電極1側から種々の波長を含ん
だ光が入射する場合について説明する。
だ光が入射する場合について説明する。
入射光のうち波長A1近くの領域の光(赤色)は第1の
有機色素層2によって吸収され、第1の電極1側に負の
起電力Vl (Vl >Qとする)が発生する。この
とき、A1の領域以外の光は第1の有機色素層2を透過
してほとんど減光することなく第2の有機色素N4に到
達する。第2の有機色素層4に到達した光のうち波長A
2近くの領域の光(緑色)は第2の有機色素層4で吸収
され、第2の電極3と第3の電極5の間に第2の電極3
側に正の光起電力Vt (Vt >Qとする)を発生
する。このとき、A3の領域以外の光は第2の有機色素
層4を透過してほとんど減光することな(無機半導体I
w6に到達する。無機半導体層6に到達した光は紫外光
や赤外光を除けばほとんど波長A3近くの領域の光(青
色)であり、無機半導体層6で吸収されて第3の電極5
と第4の電極7の間に第3の電極5側に負の光起電力V
3(VS>Oとする)を発生する。このようにして入射
光を赤(R)、緑(G)、青(B)の3つのRGB成分
に分解してそれぞれの出力V、、V、、V3を得ること
が可能となる。
有機色素層2によって吸収され、第1の電極1側に負の
起電力Vl (Vl >Qとする)が発生する。この
とき、A1の領域以外の光は第1の有機色素層2を透過
してほとんど減光することなく第2の有機色素N4に到
達する。第2の有機色素層4に到達した光のうち波長A
2近くの領域の光(緑色)は第2の有機色素層4で吸収
され、第2の電極3と第3の電極5の間に第2の電極3
側に正の光起電力Vt (Vt >Qとする)を発生
する。このとき、A3の領域以外の光は第2の有機色素
層4を透過してほとんど減光することな(無機半導体I
w6に到達する。無機半導体層6に到達した光は紫外光
や赤外光を除けばほとんど波長A3近くの領域の光(青
色)であり、無機半導体層6で吸収されて第3の電極5
と第4の電極7の間に第3の電極5側に負の光起電力V
3(VS>Oとする)を発生する。このようにして入射
光を赤(R)、緑(G)、青(B)の3つのRGB成分
に分解してそれぞれの出力V、、V、、V3を得ること
が可能となる。
なお、上記実施例では有機色素層を2層用いてRGBa
色に対応する出力が得られるようにしたが、有機色素層
をINだけ用いる構造にすると、1色と他の色を区別し
て出力が取り出すことができ、赤黒や青黒対応のセンサ
ーが可能となる。また、その動作原理は上記実施例と全
く同じである。
色に対応する出力が得られるようにしたが、有機色素層
をINだけ用いる構造にすると、1色と他の色を区別し
て出力が取り出すことができ、赤黒や青黒対応のセンサ
ーが可能となる。また、その動作原理は上記実施例と全
く同じである。
次に上記実施例のRGB成分に対応する出力■1゜V2
.V、を外部に取り出す回路について述べる。
.V、を外部に取り出す回路について述べる。
第4図は出力を取り出す回路の一例を示す図であり、図
において、第1図と同一符号は同一部分を示し、8,9
.及び10はそれぞれオペアンプI。
において、第1図と同一符号は同一部分を示し、8,9
.及び10はそれぞれオペアンプI。
オペアンプ■、及びオペアンプ■である。
第4の電極7は接地し、共通電極とする。第1゜第2及
び第3の電極1,3.5はそれぞれオペアンプI8.オ
ペアンプ■9及びオペアンプ■10に入力し、第4の電
極7との間の出力電圧を増幅して出力とする。今、オペ
アンプの増幅率を省略して考えれば、オペアンプ18.
オペアンプ■9及びオペアンプI[[10の出力はそれ
ぞれ(−■1+Vt −VS )、(Vt −VS )
及び(VS)となり、これから演算により簡単にV、、
Vt。
び第3の電極1,3.5はそれぞれオペアンプI8.オ
ペアンプ■9及びオペアンプ■10に入力し、第4の電
極7との間の出力電圧を増幅して出力とする。今、オペ
アンプの増幅率を省略して考えれば、オペアンプ18.
オペアンプ■9及びオペアンプI[[10の出力はそれ
ぞれ(−■1+Vt −VS )、(Vt −VS )
及び(VS)となり、これから演算により簡単にV、、
Vt。
■3を出力して取り出すことができる。
なお、出力を取り出す回路については種々の方式が考え
られ、上記第4図の回路例はなんら本発明を制限するも
のではない。
られ、上記第4図の回路例はなんら本発明を制限するも
のではない。
以下、実験例にてさらに詳細に説明する。
〈実験例1〉
下部にオーミック電極を持つp型シリコン基板上にスパ
ッタリング法でSnO□膜(面抵抗約200Ω/口)を
形成し、さらにその上に5.10.15゜20−テトラ
(4−ピリジル)ポルフィリンのZn錯体を約700人
の厚さで真空蒸着し、さらにその上にAuを透過率約7
0%(at550nm)になるように真空蒸着して、つ
いでフタロシアニンのNi錯体を約1000人の厚さで
真空蒸着し、最後にAlを半透明になるようにして真空
蒸着してカラーセンサ1を得た。
ッタリング法でSnO□膜(面抵抗約200Ω/口)を
形成し、さらにその上に5.10.15゜20−テトラ
(4−ピリジル)ポルフィリンのZn錯体を約700人
の厚さで真空蒸着し、さらにその上にAuを透過率約7
0%(at550nm)になるように真空蒸着して、つ
いでフタロシアニンのNi錯体を約1000人の厚さで
真空蒸着し、最後にAlを半透明になるようにして真空
蒸着してカラーセンサ1を得た。
〈実験例2〉
実験例1で用いた基板上にA1を透過率約60%(at
550 nm)になるように真空蒸着し、次いで5,
10.15.20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリ
ンのクロロホルム溶液をスピンコード法により膜厚約1
000人で形成し、さらにその上にAuを透過率約70
%(at550nm)になるように真空蒸着し、その上
にメロシアニン色素(日本感光色素社製、NK−204
5)を真空蒸着によって800人の厚さに設け、最後に
Alを半透明になるようにして真空蒸着してカラーセン
サ2を得た。
550 nm)になるように真空蒸着し、次いで5,
10.15.20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリ
ンのクロロホルム溶液をスピンコード法により膜厚約1
000人で形成し、さらにその上にAuを透過率約70
%(at550nm)になるように真空蒸着し、その上
にメロシアニン色素(日本感光色素社製、NK−204
5)を真空蒸着によって800人の厚さに設け、最後に
Alを半透明になるようにして真空蒸着してカラーセン
サ2を得た。
〈実験例3〉
下部にオーミック電極をもつn型シリコン基板上にAu
を透過率約70%(at 550 nm)になるように
真空蒸着し、次いでメタルフリーのフタロシアニンを約
1000人の厚さで真空蒸着し、さらにAIを透過率約
60%(at550nm)になるように真空蒸着して、
さらにその上にローダミンBのクロロホルム溶液をスピ
ンコード法により膜厚約1000人で形成し、さらにそ
の上にAuを透過率約70%(at550nm)になる
ように真空蒸着してカラーセンサ3を得た。
を透過率約70%(at 550 nm)になるように
真空蒸着し、次いでメタルフリーのフタロシアニンを約
1000人の厚さで真空蒸着し、さらにAIを透過率約
60%(at550nm)になるように真空蒸着して、
さらにその上にローダミンBのクロロホルム溶液をスピ
ンコード法により膜厚約1000人で形成し、さらにそ
の上にAuを透過率約70%(at550nm)になる
ように真空蒸着してカラーセンサ3を得た。
く物性測定例〉
実験例工ないし実験例3で得たカラーセンサ1゜2.3
を第4図のように接続し、センサーの上方からそれぞれ
光照射を行った。光照射は標準色票(J I S Z
8721−1964準1廼)にタングステンランプを
照射し、その反射光を用いて行った。各センサーについ
て第4図のオペアンプのゲインを調節したところいずれ
のセンサーも再現性のよい3出力V、、V、、V、が得
られた。
を第4図のように接続し、センサーの上方からそれぞれ
光照射を行った。光照射は標準色票(J I S Z
8721−1964準1廼)にタングステンランプを
照射し、その反射光を用いて行った。各センサーについ
て第4図のオペアンプのゲインを調節したところいずれ
のセンサーも再現性のよい3出力V、、V、、V、が得
られた。
さらにカラーセンサ1〜3をそれぞれシリコン系樹脂で
モールドし、上記特性の経時変化を測定した。何れのカ
ラーセンサも少なくとも4ケ月間はほとんど経時変化は
認められていない。
モールドし、上記特性の経時変化を測定した。何れのカ
ラーセンサも少なくとも4ケ月間はほとんど経時変化は
認められていない。
以上のように、上記実施例によれば#tim型で208
3色の成分の出力を得ることのできるフルカラーセンサ
が可能となる。また、Mi層化しているため、従来のプ
レーナ型RGBカラーセンサに比べて素子面積は単純に
はその1/3で済み、カラーフィルタも必要としないた
め製造工程が簡単となり、さらに材料も安価な有機材料
であるので低コストとなる。
3色の成分の出力を得ることのできるフルカラーセンサ
が可能となる。また、Mi層化しているため、従来のプ
レーナ型RGBカラーセンサに比べて素子面積は単純に
はその1/3で済み、カラーフィルタも必要としないた
め製造工程が簡単となり、さらに材料も安価な有機材料
であるので低コストとなる。
以上のようにこの発明によれば、従来の無機半導体光変
換素子にカラーフィルタを兼ねた有機材料を用いた光変
換素子をINないし2層積層してカラーセンサを構成し
たので、カラーフィルタが不用で製造工程が簡単になり
、装置が低コストで構成できる。さらに、素子を積層型
に構成したので、装置の微細化、及び高集積化が図れる
という効果がある。
換素子にカラーフィルタを兼ねた有機材料を用いた光変
換素子をINないし2層積層してカラーセンサを構成し
たので、カラーフィルタが不用で製造工程が簡単になり
、装置が低コストで構成できる。さらに、素子を積層型
に構成したので、装置の微細化、及び高集積化が図れる
という効果がある。
第1図は本発明の一実施例によるカラーセンサ素子の断
面図、第2図は本発明の3種の有機色素の光起電カスベ
クトルを示す図、第3図は本発明のカラーセンサ素子の
等価回路を示す図、第4図は本発明のカラーセンサ素子
のRGB出力を取り出すための回路の一例を示す図、第
5図は従来のプレーナ型カラーセンサの断面図である。 図において、1は第1の電極、2は第1の有機色素層、
3は第2の電極、4は第2の有機色素層、5は第3の電
極、6は無機半導体層、7は第4の電極、8はオペアン
プI、9はオペアンプ■、10はオペアンプ■、11は
コート樹脂、12はリードフレーム、13は裏面電極、
14はアモルファスシリコン、15は透明電導膜、16
はガラス基板、17はカラーフィルタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第2図は本発明の3種の有機色素の光起電カスベ
クトルを示す図、第3図は本発明のカラーセンサ素子の
等価回路を示す図、第4図は本発明のカラーセンサ素子
のRGB出力を取り出すための回路の一例を示す図、第
5図は従来のプレーナ型カラーセンサの断面図である。 図において、1は第1の電極、2は第1の有機色素層、
3は第2の電極、4は第2の有機色素層、5は第3の電
極、6は無機半導体層、7は第4の電極、8はオペアン
プI、9はオペアンプ■、10はオペアンプ■、11は
コート樹脂、12はリードフレーム、13は裏面電極、
14はアモルファスシリコン、15は透明電導膜、16
はガラス基板、17はカラーフィルタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)入射光を複数種の色の領域に分光し、各色に対応
する出力を取り出すカラーセンサにおいて、光電変換素
子である無機半導体層上に、平板状で透光性の電極を介
して光電変換能力を有する有機色素層を1層ないし2層
積層してなることを特徴とするカラーセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112219A JPH01282875A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | カラーセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112219A JPH01282875A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | カラーセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282875A true JPH01282875A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14581235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112219A Pending JPH01282875A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | カラーセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01282875A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332551A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Canon Inc | カラー撮像素子及びカラー受光素子 |
| WO2005091381A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photodetector |
| US7888759B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-02-15 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device, imaging device, and process for producing the photoelectric conversion device |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP63112219A patent/JPH01282875A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332551A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Canon Inc | カラー撮像素子及びカラー受光素子 |
| WO2005091381A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photodetector |
| US7888759B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-02-15 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device, imaging device, and process for producing the photoelectric conversion device |
| US8298855B2 (en) | 2005-08-23 | 2012-10-30 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device, imaging device, and process for producing the photoelectric conversion device |
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