JPH01283373A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH01283373A JPH01283373A JP63113111A JP11311188A JPH01283373A JP H01283373 A JPH01283373 A JP H01283373A JP 63113111 A JP63113111 A JP 63113111A JP 11311188 A JP11311188 A JP 11311188A JP H01283373 A JPH01283373 A JP H01283373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polymer film
- thin film
- ion gun
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高分子フィルム上に真空蒸着法により薄膜を
形成するだめの製造方法に関するものである。
形成するだめの製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、高分子フィルム上に金属薄膜や酸化物薄膜を高い
生産性で形成する方法として真空蒸着法がある。第２図
に、一般に生産に使用されている真空蒸着装置内部の一
例の概略を示す。高分子フィルム１は円筒状キャン２の
周面に沿って走行す２、−７ る。この高分子フィルム１上に蒸発源６によって薄膜が
形成される。３，４は高分子フィルム１を巻くボビンで
ある。蒸発源５としては、抵抗加熱蒸発源、誘導加熱蒸
発源、電子ビーム蒸発源等が用いられる。蒸発源５と円
筒状キャン２との間には、蒸発源６から蒸発する蒸気子
が不要な部分に付着するのを防止するために、遮蔽板６
が配置されている。遮蔽板６は、第２図Ｓで示されるよ
う開口しており、この開口部Ｓを通過した蒸気が高分子
フィルム１上に付着する。
生産性で形成する方法として真空蒸着法がある。第２図
に、一般に生産に使用されている真空蒸着装置内部の一
例の概略を示す。高分子フィルム１は円筒状キャン２の
周面に沿って走行す２、−７ る。この高分子フィルム１上に蒸発源６によって薄膜が
形成される。３，４は高分子フィルム１を巻くボビンで
ある。蒸発源５としては、抵抗加熱蒸発源、誘導加熱蒸
発源、電子ビーム蒸発源等が用いられる。蒸発源５と円
筒状キャン２との間には、蒸発源６から蒸発する蒸気子
が不要な部分に付着するのを防止するために、遮蔽板６
が配置されている。遮蔽板６は、第２図Ｓで示されるよ
う開口しており、この開口部Ｓを通過した蒸気が高分子
フィルム１上に付着する。
発明が解決しようとする課題
金属薄膜や酸化物薄膜の形成された高分子フィルムの用
途には、コンデンサーや磁気テープ等がある。これらの
用途においては、膜厚の薄い高分子フィルムを使用する
必要がある。実際にコンデンサーの場合には２μｍ程度
、磁気テープの場合には１０μｍ程度の膜厚の高分子フ
ィルムが使わ′れる。ところが、この様な薄い高分子フ
ィルム上に第２図に示す真空蒸着装置により薄膜を形成
すると、非常にしわが入シ易いという問題が生じる。
途には、コンデンサーや磁気テープ等がある。これらの
用途においては、膜厚の薄い高分子フィルムを使用する
必要がある。実際にコンデンサーの場合には２μｍ程度
、磁気テープの場合には１０μｍ程度の膜厚の高分子フ
ィルムが使わ′れる。ところが、この様な薄い高分子フ
ィルム上に第２図に示す真空蒸着装置により薄膜を形成
すると、非常にしわが入シ易いという問題が生じる。
課題を解決するだめの手段
本発明においては、円筒状キャンの周面に沿って走行し
つつある高分子フィルム上に真空蒸着法により薄膜を形
成する際に、前記高分子フフイルムの巻き出し部近傍に
イオン銃からのイオン及び電子を照射する。
つつある高分子フィルム上に真空蒸着法により薄膜を形
成する際に、前記高分子フフイルムの巻き出し部近傍に
イオン銃からのイオン及び電子を照射する。
作 用
本発明の製造方法によれば、高分子フィルムがボビンか
ら巻き出される際に帯電を除去出来るために、高分子フ
ィルムの走行が安定し、しわのない薄膜を形成するとと
が可能である。
ら巻き出される際に帯電を除去出来るために、高分子フ
ィルムの走行が安定し、しわのない薄膜を形成するとと
が可能である。
実施例
第１図及び第３図を用いて本発明の実施例について説明
する。第１図は、高分子フィルム１の巻き出し部近傍に
イオン銃８が配置されている点を除いては、第２図に示
される従来の真空蒸着装置と同様である。なお第１図に
おいて高分子フィルム１が矢印Ａの方向に走行する場合
の例を示してあシ、３が巻き出しボビン、４が巻き取り
ボビンである。イオン銃８はイオンビームスパッタリン
グ、イオンシリング、基板の前処理等で一般に使用され
ているものと同様のものである。イオン銃８からのイオ
ン及び電子９は、高分子フィルム１の巻き出し部近傍（
巻き出しボビン３の近傍）において、高分子フィルムに
向かって放射される。
する。第１図は、高分子フィルム１の巻き出し部近傍に
イオン銃８が配置されている点を除いては、第２図に示
される従来の真空蒸着装置と同様である。なお第１図に
おいて高分子フィルム１が矢印Ａの方向に走行する場合
の例を示してあシ、３が巻き出しボビン、４が巻き取り
ボビンである。イオン銃８はイオンビームスパッタリン
グ、イオンシリング、基板の前処理等で一般に使用され
ているものと同様のものである。イオン銃８からのイオ
ン及び電子９は、高分子フィルム１の巻き出し部近傍（
巻き出しボビン３の近傍）において、高分子フィルムに
向かって放射される。
ここで、イオン銃はイオンのみではなく電子も放射する
ようにすることが重要である。イオン銃８の概略を第３
図に示す。イオン銃８のグリッド１゜からはアルゴン、
窒素、水素、酸素等の加速されたイオン１２が出てくる
。なお一般にはアルゴンが用いられる。１１はニュート
ラライザ−であシ、これに電流を流すことによυ電子１
３が放出される。第１図における９はイオン１２と電子
１３の混合したものである。
ようにすることが重要である。イオン銃８の概略を第３
図に示す。イオン銃８のグリッド１゜からはアルゴン、
窒素、水素、酸素等の加速されたイオン１２が出てくる
。なお一般にはアルゴンが用いられる。１１はニュート
ラライザ−であシ、これに電流を流すことによυ電子１
３が放出される。第１図における９はイオン１２と電子
１３の混合したものである。
以下に、高分子フィルムとして膜厚８μｍのポリイミド
フィルムを用い、第１図に示す真空蒸着装置によｐ Ｃ
ｏ −Ｃｒ合金膜を形成する場合の具体的カ例について
説明する。なお、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜は高密度磁気記録媒
体として注目されているものである。蒸発源５としては
電子ビーム蒸発源を用５．７ いた。
フィルムを用い、第１図に示す真空蒸着装置によｐ Ｃ
ｏ −Ｃｒ合金膜を形成する場合の具体的カ例について
説明する。なお、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜は高密度磁気記録媒
体として注目されているものである。蒸発源５としては
電子ビーム蒸発源を用５．７ いた。
捷ず従来の方法による成膜を行った。すなわち、イオン
銃８を作動させずに、ポリイミドフィルムを矢印Ａの方
向に２０ ｒｎ ７分の速度で走行させて膜厚０．２μ
ｍのＣｏ−０ｒ膜を形成した。この方法では円筒状キャ
ン２上でポリイミドフィルムにしわが発生してし捷い、
磁気記録媒体として完成させることは困難であった。
銃８を作動させずに、ポリイミドフィルムを矢印Ａの方
向に２０ ｒｎ ７分の速度で走行させて膜厚０．２μ
ｍのＣｏ−０ｒ膜を形成した。この方法では円筒状キャ
ン２上でポリイミドフィルムにしわが発生してし捷い、
磁気記録媒体として完成させることは困難であった。
次に本発明の方法を実施して成膜を行った。この際に、
イオン銃８としてはカウフマン型を使用し、イオン銃の
加速電圧は一３００Ｖ、イオン電流密度はＱ。１ｍＡ／
ＣｙＪ 、イオン銃への導入ガスはアルゴン（流量は１
ｏｃｒ−７分）とした。まだニュートラライザ−１１に
電流を流し、電子を発生させた。電子電流密度はイオン
電流密度とほぼ同様の０．１ｍＡ／ｃＡとしだ。ポリイ
ミドフィルムは矢印Ａの方向に２０ｍ／分の速度で走行
させて、膜厚０．２μｍのＣｏ−Ｃｒ膜を形成した。本
方法によればしわは全く発生しなかった。なお、ニュー
トラライザ−を作動させない場合にはしわが発生した。
イオン銃８としてはカウフマン型を使用し、イオン銃の
加速電圧は一３００Ｖ、イオン電流密度はＱ。１ｍＡ／
ＣｙＪ 、イオン銃への導入ガスはアルゴン（流量は１
ｏｃｒ−７分）とした。まだニュートラライザ−１１に
電流を流し、電子を発生させた。電子電流密度はイオン
電流密度とほぼ同様の０．１ｍＡ／ｃＡとしだ。ポリイ
ミドフィルムは矢印Ａの方向に２０ｍ／分の速度で走行
させて、膜厚０．２μｍのＣｏ−Ｃｒ膜を形成した。本
方法によればしわは全く発生しなかった。なお、ニュー
トラライザ−を作動させない場合にはしわが発生した。
６ 、、−、。
以上の如く本発明の方法が、しわに関して、従来の方法
に比べ顕著な改善効果が見られる原因は、イオン銃によ
る、高分子フィルムの帯電の除去にあるものと考えられ
る。このことを詳しく説明する。高分子フィルムは一般
に非常に帯電し易い。
に比べ顕著な改善効果が見られる原因は、イオン銃によ
る、高分子フィルムの帯電の除去にあるものと考えられ
る。このことを詳しく説明する。高分子フィルムは一般
に非常に帯電し易い。
特に表面が平滑になると帯電が顕著になる。例えボビン
に巻いである状態では帯電していなくても、ボビンから
巻き出される際に摩擦帯電や接触帯電によって帯電して
しまう。この様に帯電した状態で高分子フィルムが円筒
状キャン２に接すると、円筒状キャン周面に不均一には
υ付きしわが発生する。
に巻いである状態では帯電していなくても、ボビンから
巻き出される際に摩擦帯電や接触帯電によって帯電して
しまう。この様に帯電した状態で高分子フィルムが円筒
状キャン２に接すると、円筒状キャン周面に不均一には
υ付きしわが発生する。
これに対し本発明の方法では、高分子フィルム１が巻き
出しボビン３から巻き出される際に、イオン銃から放射
されるイオン及び電子によって除電される。その結果、
高分子フィルムが円筒状キャンの周面に均一に接するた
めに、しわの発生を防止出来るものと考えられる。
出しボビン３から巻き出される際に、イオン銃から放射
されるイオン及び電子によって除電される。その結果、
高分子フィルムが円筒状キャンの周面に均一に接するた
めに、しわの発生を防止出来るものと考えられる。
なお、実際の量産装置においては、高分子フィルムの走
行の安定化や張力制御のだめに、巻き出７７、−７ しボビン３と円筒状キャン２との間に種々のローラが配
置されることが多い。この様な装置においては、従来の
方法ではこれらのローラ上でも高分子フィルムにしわが
発生し易かった。これに対し本発明の方法では、高分子
フィルムが巻き出し部で除電されるために、ローラ上で
のしわも発生しない。
行の安定化や張力制御のだめに、巻き出７７、−７ しボビン３と円筒状キャン２との間に種々のローラが配
置されることが多い。この様な装置においては、従来の
方法ではこれらのローラ上でも高分子フィルムにしわが
発生し易かった。これに対し本発明の方法では、高分子
フィルムが巻き出し部で除電されるために、ローラ上で
のしわも発生しない。
以上の実施例ではポリイミドフィルム上にＣｏ−０ｒ膜
を蒸着する例について説明しだが、高分子フィルムとし
てポリイミドフィルムではなく、ポリアミドフィルム、
ポリエーテルイミドフィルム。
を蒸着する例について説明しだが、高分子フィルムとし
てポリイミドフィルムではなく、ポリアミドフィルム、
ポリエーテルイミドフィルム。
ホリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム等を用いても上記と同様である。ま
だ薄膜としてＣｏ −Ｏｒ膜以外の金属薄膜、あるいは
酸化物薄膜を形成する場合も上記と同様である。イオン
銃の動作条件についても特に限定はない。ただし、ニュ
ートラライザ−を作動させることは必要条件でありイオ
ンと電子をほぼ等しい電流密度にして、高分子フィルム
に照射しなければ、本発明の効果は得られない。
フタレートフィルム等を用いても上記と同様である。ま
だ薄膜としてＣｏ −Ｏｒ膜以外の金属薄膜、あるいは
酸化物薄膜を形成する場合も上記と同様である。イオン
銃の動作条件についても特に限定はない。ただし、ニュ
ートラライザ−を作動させることは必要条件でありイオ
ンと電子をほぼ等しい電流密度にして、高分子フィルム
に照射しなければ、本発明の効果は得られない。
また以上では高分子フィルム上に直接薄膜を蒸着する例
について述べたが、既に金属薄膜等の下地層が形成され
ている高分子フィルムを基板として用いる場合も、上記
と全く同様に本発明は有効である。
について述べたが、既に金属薄膜等の下地層が形成され
ている高分子フィルムを基板として用いる場合も、上記
と全く同様に本発明は有効である。
発明の効果
本発明によれば、膜厚の薄い高分子フィルム上にしわの
発生なしに安定に薄膜を蒸着出来る。
発生なしに安定に薄膜を蒸着出来る。
第１図は本発明を実施するだめの真空蒸着装置内部の一
例を示す図、第２図は従来の真空蒸着装置内部の概略を
示す図、第３図はイオン銃の概略を示す図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・−・円筒
状キャン、３．４・・・・・・ボビン、５・・・・・・
蒸発源、６・・・・・・遮蔽板、７・・・・・・蒸気、
８・・・・・・イオン銃、９・・・・・・イオン及び電
子。
例を示す図、第２図は従来の真空蒸着装置内部の概略を
示す図、第３図はイオン銃の概略を示す図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・−・円筒
状キャン、３．４・・・・・・ボビン、５・・・・・・
蒸発源、６・・・・・・遮蔽板、７・・・・・・蒸気、
８・・・・・・イオン銃、９・・・・・・イオン及び電
子。
Claims (1)
- 円筒状キャンの周面に沿って走行しつつある高分子フィ
ルム上に真空蒸着法により薄膜を形成する際に、前記高
分子フィルムの巻き出し部近傍にイオン銃からのイオン
及び電子を照射することを特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11311188A JPH0742586B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11311188A JPH0742586B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283373A true JPH01283373A (ja) | 1989-11-14 |
| JPH0742586B2 JPH0742586B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=14603784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11311188A Expired - Fee Related JPH0742586B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742586B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047535A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Vladimir Yakovlevich Shiripov | 誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11311188A patent/JPH0742586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047535A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Vladimir Yakovlevich Shiripov | 誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置 |
| TWI419193B (zh) * | 2006-08-16 | 2013-12-11 | Vladimir Shiripov | 離子束處理電介質表面的方法及實施該方法的裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0742586B2 (ja) | 1995-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4354909A (en) | Process for production of magnetic recording medium | |
| US5087476A (en) | Method of producing thin film | |
| JPH0318254B2 (ja) | ||
| JPH01283373A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| EP0035894A1 (en) | Process for producing a magnetic recording medium | |
| JPH089782B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPH0334616B2 (ja) | ||
| JPS5817543A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| EP0190854A2 (en) | Method for producing a perpendicular magnetic recording medium | |
| JPS5837844A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5948450B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0223528A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS59172163A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2735836B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS61926A (ja) | 鉄系薄膜型磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07113162A (ja) | 薄膜の製造方法及び製造装置 | |
| JPH0198123A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0221051B2 (ja) | ||
| JPH04346664A (ja) | 電子ビーム加熱式蒸着装置 | |
| JPS63247358A (ja) | 金属薄膜の製造装置 | |
| JPH11296854A (ja) | 磁気記録媒体の製造装置 | |
| JPS63152026A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0121538B2 (ja) | ||
| JPS58115633A (ja) | 磁気記録媒体の製造装置 | |
| JPS5897135A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |