JPH01283905A - Mri装置用均一磁場の偏位方法及びそれを用いた静磁場発生装置 - Google Patents
Mri装置用均一磁場の偏位方法及びそれを用いた静磁場発生装置Info
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- JPH01283905A JPH01283905A JP63112460A JP11246088A JPH01283905A JP H01283905 A JPH01283905 A JP H01283905A JP 63112460 A JP63112460 A JP 63112460A JP 11246088 A JP11246088 A JP 11246088A JP H01283905 A JPH01283905 A JP H01283905A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、核磁気共鳴(Nuclear−Magnet
ic−Re5onance :略してNMR)現象を利
用して、人体の断層像を映像化する核磁気共鳴イメージ
ング装置!(以下、MRI装置と称す)の静磁場発生装
置に係り、特に均一磁場空間を磁場空間内の中央から偏
位させる方法及び装置に関するものである。
ic−Re5onance :略してNMR)現象を利
用して、人体の断層像を映像化する核磁気共鳴イメージ
ング装置!(以下、MRI装置と称す)の静磁場発生装
置に係り、特に均一磁場空間を磁場空間内の中央から偏
位させる方法及び装置に関するものである。
MRI装置は、NMR現象、即ちある原子核が磁場中で
特定波長の電磁波エネルギーを共鳴吸収し、次いでこれ
を電磁波として放出する現象を用いて、被検体の任意断
面を映像化する。したがって、MRI装置には被検体を
磁場内に位置させる静磁場発生装置が必要不可欠である
。そして、静磁場発生装置には、被検体の撮影部位にお
ける対象核種(通常一番多く対象とされるのはIH:プ
ロトン)に共鳴現象を起こさせるため、ある大きさを有
した均一磁場空間を発生させることが要求される。
特定波長の電磁波エネルギーを共鳴吸収し、次いでこれ
を電磁波として放出する現象を用いて、被検体の任意断
面を映像化する。したがって、MRI装置には被検体を
磁場内に位置させる静磁場発生装置が必要不可欠である
。そして、静磁場発生装置には、被検体の撮影部位にお
ける対象核種(通常一番多く対象とされるのはIH:プ
ロトン)に共鳴現象を起こさせるため、ある大きさを有
した均一磁場空間を発生させることが要求される。
ところで、従来のMRI装置における静磁場発生装置に
は、電磁石方式と永久磁石方式とがあるが、いずれにお
いても均一磁場空間は、磁石内の空間の中心部、又は磁
石間の空間の中心部に位置するものであった。したがっ
て、被検体も前記磁石空間の中心部に位置させられるも
のであった。
は、電磁石方式と永久磁石方式とがあるが、いずれにお
いても均一磁場空間は、磁石内の空間の中心部、又は磁
石間の空間の中心部に位置するものであった。したがっ
て、被検体も前記磁石空間の中心部に位置させられるも
のであった。
これを永久磁石方式の静磁場発生装置を例として図によ
り説明する。永久磁石方式の静磁場発生装置は第8図及
び第9図に示すように、一対の鉄製ヨークla、lbで
永久磁石2a、2b及び磁極片3a、3bを各々支持し
、ヨークla、lbを4本のカラム7a〜7dで所定距
離だけ隔てて対向保持して構成されている。この静磁場
発生装置において永久磁石2aと2bとは互いに極性を
異ならせて対向させられており、磁気回路は、永久磁石
2a→磁極片3a→磁極片3b→永久磁石2b→ヨーク
1b→カラム7a〜7d→ヨーク1a→永久磁石2aで
形成される。これらの構成部品のうち磁極片(ポールピ
ース)3a、3bは被検体1が入る磁場空間、即ち磁極
片3a、3b間の中央部に均一度の良い磁場空間を形成
するために設けられている。(磁場均一度=ある空間の
磁場変化量÷中心磁場強度で表わされ、MRI装置では
l0PPIIのオーダが必要とされている。)そして、
前記の如く磁極片3a、3b間に、周辺への磁束漏れを
抑制して均一度の良い磁場空間を形成するため、磁極片
3a及び3bの周縁部には環状突起6a、6bが設けら
れている。
り説明する。永久磁石方式の静磁場発生装置は第8図及
び第9図に示すように、一対の鉄製ヨークla、lbで
永久磁石2a、2b及び磁極片3a、3bを各々支持し
、ヨークla、lbを4本のカラム7a〜7dで所定距
離だけ隔てて対向保持して構成されている。この静磁場
発生装置において永久磁石2aと2bとは互いに極性を
異ならせて対向させられており、磁気回路は、永久磁石
2a→磁極片3a→磁極片3b→永久磁石2b→ヨーク
1b→カラム7a〜7d→ヨーク1a→永久磁石2aで
形成される。これらの構成部品のうち磁極片(ポールピ
ース)3a、3bは被検体1が入る磁場空間、即ち磁極
片3a、3b間の中央部に均一度の良い磁場空間を形成
するために設けられている。(磁場均一度=ある空間の
磁場変化量÷中心磁場強度で表わされ、MRI装置では
l0PPIIのオーダが必要とされている。)そして、
前記の如く磁極片3a、3b間に、周辺への磁束漏れを
抑制して均一度の良い磁場空間を形成するため、磁極片
3a及び3bの周縁部には環状突起6a、6bが設けら
れている。
従来、上記静磁場発生装置では磁石2a、2bの強度が
等しく形成され、また前記環状突起6a。
等しく形成され、また前記環状突起6a。
6bも同一形状に形成されていた。したがって、均一磁
場空間は磁極片3aと3bとの中央部に形成されるもの
であった。それゆえに、被検体1も磁極片3aと3bと
の中央部に位置させられるものであった。
場空間は磁極片3aと3bとの中央部に形成されるもの
であった。それゆえに、被検体1も磁極片3aと3bと
の中央部に位置させられるものであった。
上記従来の静磁場発生装置では、被検体40入り得る有
効ギャップは、磁極片3aと3bとの各々の環状突起6
a、6bの突端部間距離Lgとなるのであるが、Lgの
間には、被検体4の他にイメージングに必要な傾斜磁場
コイル5a、5bの他に、RF照射コイル、RF受信コ
イル、被検体支持のための寝台の天板等の図示を省略し
たものが挿入されるため、実際には被検体4の入り得る
ギャップはLg以下となることが避けられないものであ
った。
効ギャップは、磁極片3aと3bとの各々の環状突起6
a、6bの突端部間距離Lgとなるのであるが、Lgの
間には、被検体4の他にイメージングに必要な傾斜磁場
コイル5a、5bの他に、RF照射コイル、RF受信コ
イル、被検体支持のための寝台の天板等の図示を省略し
たものが挿入されるため、実際には被検体4の入り得る
ギャップはLg以下となることが避けられないものであ
った。
上記従来の静磁場発生装置では、次のような問題点が生
ずるものであった。
ずるものであった。
(1)磁場均一空間10が第10図に示すように磁極片
間の中央部に形成されるために、被検体1もその位置に
合わせて位置させられる。したがって、第10図のよう
に被検体1が天板2上にあお向けに横たわると、被検者
にとって非常に圧迫感を感じる。
間の中央部に形成されるために、被検体1もその位置に
合わせて位置させられる。したがって、第10図のよう
に被検体1が天板2上にあお向けに横たわると、被検者
にとって非常に圧迫感を感じる。
(2)上記被検体の感する圧迫感を減らすため及び腹部
の厚みの厚い被検体が入らないことがないように上記ギ
ャップを拡げると、第11図に示すように、第10図の
LglをLgzに拡げることとなり、第10図と比較し
、2X(Lgz−Lgx)のギャップ拡大となり、静磁
場強度の低下を招く。そのため同一静磁場強度を保つた
めには磁石の強度を上げなければならなくなり、静磁場
発生装置が非常に高価になる。さらに、被検体の背後に
は大きな無駄な空間寸法E1が生ずる。
の厚みの厚い被検体が入らないことがないように上記ギ
ャップを拡げると、第11図に示すように、第10図の
LglをLgzに拡げることとなり、第10図と比較し
、2X(Lgz−Lgx)のギャップ拡大となり、静磁
場強度の低下を招く。そのため同一静磁場強度を保つた
めには磁石の強度を上げなければならなくなり、静磁場
発生装置が非常に高価になる。さらに、被検体の背後に
は大きな無駄な空間寸法E1が生ずる。
そこで、本発明は、上記問題点を解決することを課題と
し、より詳しくは、静磁場発生装置における均一磁場空
間を磁極片間の幾何学的中心から一方の磁極片側に偏位
させ、被検体に圧迫感を与えず、さらに安価なMRI装
置用静磁場発生装置を提供することを目的としている。
し、より詳しくは、静磁場発生装置における均一磁場空
間を磁極片間の幾何学的中心から一方の磁極片側に偏位
させ、被検体に圧迫感を与えず、さらに安価なMRI装
置用静磁場発生装置を提供することを目的としている。
上記課題は、空間を挟んで極性を異ならせて対向して配
置する一対の静磁場発生手段の各静磁場発生強度を所定
値異ならせてその値に応じた前記空間位置に磁場中心を
設定し、前記各静磁場発生手段の対向面の形状を前記空
間内における磁力線分布を前記磁場中心を中心とする所
定空間領域に略均一な磁場空間を生成する如く非対称の
形状とし、前記一対の静磁場発生手段同志を磁性体によ
り磁気結合し、前記略均一な磁場空間を前記一対の静磁
場発生手段間の中央部より所定値偏位させる方法によっ
て解決される。
置する一対の静磁場発生手段の各静磁場発生強度を所定
値異ならせてその値に応じた前記空間位置に磁場中心を
設定し、前記各静磁場発生手段の対向面の形状を前記空
間内における磁力線分布を前記磁場中心を中心とする所
定空間領域に略均一な磁場空間を生成する如く非対称の
形状とし、前記一対の静磁場発生手段同志を磁性体によ
り磁気結合し、前記略均一な磁場空間を前記一対の静磁
場発生手段間の中央部より所定値偏位させる方法によっ
て解決される。
そしてまた、上記課題は、上記方法を具現化した装置、
即ち、静磁場発生強度を所定値異ならせかつ極性を異な
らせて対向させた一対の静磁場発生手段と、前記一対の
静磁場発生手段を被検体を挿入可能に所定空間距離を隔
てて支持する磁性体より成る支持手段と、前記各静磁場
発生手段の対向面に設けられ、対向面の周縁部に形状の
異なる突起が形成された一対の均一磁場生成手段とを備
え、前記空間の前記一対の静磁場発生手段の磁場強度に
対応した点の近傍に略均一磁場空間を生成することを特
徴とするMRI装置用静磁場発生装置によって解決され
る。
即ち、静磁場発生強度を所定値異ならせかつ極性を異な
らせて対向させた一対の静磁場発生手段と、前記一対の
静磁場発生手段を被検体を挿入可能に所定空間距離を隔
てて支持する磁性体より成る支持手段と、前記各静磁場
発生手段の対向面に設けられ、対向面の周縁部に形状の
異なる突起が形成された一対の均一磁場生成手段とを備
え、前記空間の前記一対の静磁場発生手段の磁場強度に
対応した点の近傍に略均一磁場空間を生成することを特
徴とするMRI装置用静磁場発生装置によって解決され
る。
更に、静磁場発生装置をブロック状の永久磁石を組み合
せて構成することにより上記課題は解決される。
せて構成することにより上記課題は解決される。
各々の静磁場発生強度が異なるように構成された一対の
静磁場発生手段を所定距離の空隙を有して対向させると
、静磁場発生手段に挟まれた空間内には静磁場発生手段
の静磁場発生強度の比率に応じた所に磁場中心(各静磁
場発生手段に対して磁場強度の絶対値が等しい点又はこ
の点の集合)が設定される。そして、各静磁場発生手段
の対向面の形状によって、各静磁場発生手段の対向面の
磁力線が前記′8i場中心の中心部へ向けられ、磁場中
心点の近傍に均一度の良い磁場空間を形成する。
静磁場発生手段を所定距離の空隙を有して対向させると
、静磁場発生手段に挟まれた空間内には静磁場発生手段
の静磁場発生強度の比率に応じた所に磁場中心(各静磁
場発生手段に対して磁場強度の絶対値が等しい点又はこ
の点の集合)が設定される。そして、各静磁場発生手段
の対向面の形状によって、各静磁場発生手段の対向面の
磁力線が前記′8i場中心の中心部へ向けられ、磁場中
心点の近傍に均一度の良い磁場空間を形成する。
上記均一磁場空間は、静磁場発生手段間の中央部からは
偏位して生ずるため、撮影に際して被検体はその均一磁
場空間の中央に位置させられるため、被検体の前面側に
より多くの空間ができるため圧迫感はなくなる。
偏位して生ずるため、撮影に際して被検体はその均一磁
場空間の中央に位置させられるため、被検体の前面側に
より多くの空間ができるため圧迫感はなくなる。
そして、静磁場発生手段はブロック状の永久磁石の組合
せ体であるので、ブロック状永久磁石の総数を保ったま
までも前記圧迫感をなくせ、静磁場発生装置の価格上昇
を抑えることができる。
せ体であるので、ブロック状永久磁石の総数を保ったま
までも前記圧迫感をなくせ、静磁場発生装置の価格上昇
を抑えることができる。
以下、図面によって本発明の一実施例を説明する。
第1図は、静磁場発生装置において均一磁場を偏位させ
る方法を、静磁場発生手段(静磁場発生源)に永久磁石
を用いた場合を例として説明する原理図である。第1図
において、201及び202は永久磁石を主構成要素と
する第1及び第2の静磁場発生源である。この第1及び
第2の静磁場発生源201及び202は、距離Lgを隔
てて図示を省略した支持手段、望ましくは透磁率の高い
材料、例えば低炭素鋼材より成る支持部材によって結合
保持されている。第1図において、静磁場Hoの方向は
、静磁場発生源201より静磁場発生源202へ向いて
いるものとする。この場合、磁気回路は、静磁場発生源
201→静磁場発生源202→支持部材102→支持部
材103→支持部材101→静磁場発生源201となる
。そして、各静磁場発生源201,202の対向面は凹
面状に形成されている。
る方法を、静磁場発生手段(静磁場発生源)に永久磁石
を用いた場合を例として説明する原理図である。第1図
において、201及び202は永久磁石を主構成要素と
する第1及び第2の静磁場発生源である。この第1及び
第2の静磁場発生源201及び202は、距離Lgを隔
てて図示を省略した支持手段、望ましくは透磁率の高い
材料、例えば低炭素鋼材より成る支持部材によって結合
保持されている。第1図において、静磁場Hoの方向は
、静磁場発生源201より静磁場発生源202へ向いて
いるものとする。この場合、磁気回路は、静磁場発生源
201→静磁場発生源202→支持部材102→支持部
材103→支持部材101→静磁場発生源201となる
。そして、各静磁場発生源201,202の対向面は凹
面状に形成されている。
従来の静磁場発生装置では、静磁場発生源201゜20
2の磁場発生強度は等しくされ、かつその対向面の凹面
形状も同一形状とされていたので、磁場中心点は各静磁
場発生源から等距離の所、即ち1/2Lgの所の点O′
になるものであった。これに対し、本発明では、静磁場
発生源201と202との静磁場発生強度に次に述べる
ようにして差を設けている。
2の磁場発生強度は等しくされ、かつその対向面の凹面
形状も同一形状とされていたので、磁場中心点は各静磁
場発生源から等距離の所、即ち1/2Lgの所の点O′
になるものであった。これに対し、本発明では、静磁場
発生源201と202との静磁場発生強度に次に述べる
ようにして差を設けている。
MRI装置においては、静磁場強度HOは原子核スピン
のラーモア歳差運動の角速度ω0(ω0=γ・Ho ;
ここにγは磁気回転比と呼ばれ、核種固有の定数である
。)を決定する重要なものである。この静磁場強度Ho
は、静磁場発生[201゜202が持つ磁気的エネルギ
と、静磁場発生源201.202の間の空間体積(対向
する面の面積X間隙距1iFl)とによって決定される
。したがって、静磁場発生装置の仕様、即ち静磁場強度
H。
のラーモア歳差運動の角速度ω0(ω0=γ・Ho ;
ここにγは磁気回転比と呼ばれ、核種固有の定数である
。)を決定する重要なものである。この静磁場強度Ho
は、静磁場発生[201゜202が持つ磁気的エネルギ
と、静磁場発生源201.202の間の空間体積(対向
する面の面積X間隙距1iFl)とによって決定される
。したがって、静磁場発生装置の仕様、即ち静磁場強度
H。
と磁石面間距離とを決定すると、磁石に要求される磁気
的エネルギが決まる。
的エネルギが決まる。
磁石に要求される磁気的エネルギが決まれば、磁石材の
単位体積当りの磁気エネルギから磁石の体積は計算によ
って求めることができる。
単位体積当りの磁気エネルギから磁石の体積は計算によ
って求めることができる。
従来の装置では、この求められた磁石の量を均等に分割
し、極性を違えて配置していた。本発明では、磁石を均
等に分割するのではなく、対向する磁石間の空間の中央
から所定値だけずらした位置に磁場中心がくるように磁
石を分割するのである。
し、極性を違えて配置していた。本発明では、磁石を均
等に分割するのではなく、対向する磁石間の空間の中央
から所定値だけずらした位置に磁場中心がくるように磁
石を分割するのである。
磁場中心という概念は、2つの磁石を所定空間距離だけ
隔てて対向したときに、この空間内に磁気双極子を存在
させたと仮定すると、磁気双極子に作用する2つの磁石
の吸引力又は反溌力が等しい点と定義付けられる。した
がって、磁石の磁気量をm、磁石から磁場中心までの距
離をγとした場合、磁気双極子に作用する力Fは ここにλは比例定数 で表わされる。
隔てて対向したときに、この空間内に磁気双極子を存在
させたと仮定すると、磁気双極子に作用する2つの磁石
の吸引力又は反溌力が等しい点と定義付けられる。した
がって、磁石の磁気量をm、磁石から磁場中心までの距
離をγとした場合、磁気双極子に作用する力Fは ここにλは比例定数 で表わされる。
この(1)式の関係を本発明に適用するには、静磁場発
生源201の磁気エネルギをml、静磁場発生源202
の磁気エネルギをm2とし、このmlとm2との合計エ
ネルギで静磁場強度Hoを発生させる。そして静磁場発
生!201と202との間隔をLgとし、磁場中心は静
磁場発生源201からLgl、静磁場発生源202から
Lg2の点に生じさせるとする。すると上記説明及び(
1)式なる関係が導かれ、磁石の分割比率を決定するこ
とができる。
生源201の磁気エネルギをml、静磁場発生源202
の磁気エネルギをm2とし、このmlとm2との合計エ
ネルギで静磁場強度Hoを発生させる。そして静磁場発
生!201と202との間隔をLgとし、磁場中心は静
磁場発生源201からLgl、静磁場発生源202から
Lg2の点に生じさせるとする。すると上記説明及び(
1)式なる関係が導かれ、磁石の分割比率を決定するこ
とができる。
次に、静磁場発生源201,202の各対向面の凹面形
状について説明する。この凹面形状は、静磁場発生源2
01,202の周縁部の全周にわたって突起部301,
302を設けて形成される。
状について説明する。この凹面形状は、静磁場発生源2
01,202の周縁部の全周にわたって突起部301,
302を設けて形成される。
突起部の形成は種々の方法で可能であるが、その機能は
、静磁場発生源の周辺部の磁力線の方向を磁場中心部へ
向けるようにして、磁場中心部の磁力線分布密度を高く
し、磁場中心部の所定空間領域の磁場均一度を良くする
ことにある。第2図に静磁場発生源201,20.2か
ら各々Lgt+Lgzの点の近傍に均一磁場空間(撮影
野:約30an球空間)を生成する概略寸法の一例を示
す。
、静磁場発生源の周辺部の磁力線の方向を磁場中心部へ
向けるようにして、磁場中心部の磁力線分布密度を高く
し、磁場中心部の所定空間領域の磁場均一度を良くする
ことにある。第2図に静磁場発生源201,20.2か
ら各々Lgt+Lgzの点の近傍に均一磁場空間(撮影
野:約30an球空間)を生成する概略寸法の一例を示
す。
次に、上記方法を具現化した装置の実施例を第3図乃至
第5図によって説明する。第3図は静磁場発生源に永久
磁石を用いた例である。静磁場発生装置は、環状突起6
1を有する円盤状の磁極片(以下、ポールピースという
)31と、同じく環状突起62を有するポールピース3
2とを被検体が入り得る空間を形成して対向し、これら
のポールピース31,32の各々の背後に永久磁石21
゜22と、ヨーク11.12とを配置し、カラム71〜
74でヨーク11.12を前記ポールピース31,32
間に被検体が入る空間を維持するように支持して構成さ
れている。この場合の磁気回路は、永久磁石21→ポ一
ルピース31→ポールピース32→永久磁石22→ヨー
ク12→カラム71〜74→ヨーク11→永久磁石21
となっている。永久磁石21.22は、静磁場中心点O
から各ポールピース31,32の環状突起61゜62間
の距離をLg1’ 、Lgz’ としたときLg1′<
Lgz’ とするために、前述の原理に従って、永久
磁石21の発生磁場強度〉永久磁石22の発生磁場強度
となるよう磁石自体の強度を異ならせている。
第5図によって説明する。第3図は静磁場発生源に永久
磁石を用いた例である。静磁場発生装置は、環状突起6
1を有する円盤状の磁極片(以下、ポールピースという
)31と、同じく環状突起62を有するポールピース3
2とを被検体が入り得る空間を形成して対向し、これら
のポールピース31,32の各々の背後に永久磁石21
゜22と、ヨーク11.12とを配置し、カラム71〜
74でヨーク11.12を前記ポールピース31,32
間に被検体が入る空間を維持するように支持して構成さ
れている。この場合の磁気回路は、永久磁石21→ポ一
ルピース31→ポールピース32→永久磁石22→ヨー
ク12→カラム71〜74→ヨーク11→永久磁石21
となっている。永久磁石21.22は、静磁場中心点O
から各ポールピース31,32の環状突起61゜62間
の距離をLg1’ 、Lgz’ としたときLg1′<
Lgz’ とするために、前述の原理に従って、永久
磁石21の発生磁場強度〉永久磁石22の発生磁場強度
となるよう磁石自体の強度を異ならせている。
次に、この永久磁石について説明する。永久磁石21及
び22は、第3図では単一の円筒状ブロック体として示
しているが、製造上単体とすることは非常に困難であり
、実際は第4図に示すように、立方体の小さなブロック
磁石25を、層状にかつ近似的に円筒状になるように組
み立てたものである。したがって、永久磁石の発生磁場
強度に差を付けることは、磁石25の組立て方(使用個
数とその分布)によって変更する方法で行われる。
び22は、第3図では単一の円筒状ブロック体として示
しているが、製造上単体とすることは非常に困難であり
、実際は第4図に示すように、立方体の小さなブロック
磁石25を、層状にかつ近似的に円筒状になるように組
み立てたものである。したがって、永久磁石の発生磁場
強度に差を付けることは、磁石25の組立て方(使用個
数とその分布)によって変更する方法で行われる。
すなわち、本実施例では、従来の装置と比較して、永久
磁石21を永久磁石22より磁石25の数を増やし、そ
の分を永久磁石22より減らしている。
磁石21を永久磁石22より磁石25の数を増やし、そ
の分を永久磁石22より減らしている。
これによって、磁石としての最大エネルギー積(静磁場
HOに関係する。)を変えずに、磁場中心を永久磁石2
2側に偏位させることができる。
HOに関係する。)を変えずに、磁場中心を永久磁石2
2側に偏位させることができる。
なお、永久磁石21.22の組立て方には、暦数の変更
とか、磁石25を隙間なく並べるのではなくまばらに磁
石25をヨークの上に配置するなど種々の方法を採用す
ることが可能であるが、均一磁場を得ることが主目的で
あるから、暦数を変更する方法を採用することが望まし
い。
とか、磁石25を隙間なく並べるのではなくまばらに磁
石25をヨークの上に配置するなど種々の方法を採用す
ることが可能であるが、均一磁場を得ることが主目的で
あるから、暦数を変更する方法を採用することが望まし
い。
永久磁石21.22の対向面には、永久磁石21.22
は外径が等しくされ、かつ周縁部に環状突起61.62
が形成されたポールピース31゜32が各々設けられて
いる。永久磁石21.22は前述したようにMRI装置
用の静磁場発生装置に使用する大きさのものを単一ブロ
ックで製作するのは困難であることや、加工が困難であ
ることを考慮すると、前記環状突起61.62を磁石自
体に形成することは得策とは言えない等の理由から、ポ
ールピース31,32を用いる。ポールピース3’l、
32は軟質磁性材料、例えば低炭素鋼を切削加工して1
周縁部に環状突起61.62が形成される。環状突起6
1.62の形状は、第2図に示す寸法比率に則って決め
られている。
は外径が等しくされ、かつ周縁部に環状突起61.62
が形成されたポールピース31゜32が各々設けられて
いる。永久磁石21.22は前述したようにMRI装置
用の静磁場発生装置に使用する大きさのものを単一ブロ
ックで製作するのは困難であることや、加工が困難であ
ることを考慮すると、前記環状突起61.62を磁石自
体に形成することは得策とは言えない等の理由から、ポ
ールピース31,32を用いる。ポールピース3’l、
32は軟質磁性材料、例えば低炭素鋼を切削加工して1
周縁部に環状突起61.62が形成される。環状突起6
1.62の形状は、第2図に示す寸法比率に則って決め
られている。
以上のようにして構成された永久磁石21゜22とポー
ルピース31,32の組合せ体は、ヨーク11,12を
介しカラム71〜74によって、ポールピース31と3
2との間に被検体の入る空隙を有して保持される。ヨー
ク11.12及びカラム71〜74はポールピースと同
様に低炭素鋼を用い磁気回路の一部を構成している。
ルピース31,32の組合せ体は、ヨーク11,12を
介しカラム71〜74によって、ポールピース31と3
2との間に被検体の入る空隙を有して保持される。ヨー
ク11.12及びカラム71〜74はポールピースと同
様に低炭素鋼を用い磁気回路の一部を構成している。
第3図によって、更に詳細な構成を説明する。
ヨーク11に設けられた座ぐり穴にカラム71〜74が
嵌合され、ボルト16によって、ヨーク11とカラム7
1〜74とが締付固定されている。
嵌合され、ボルト16によって、ヨーク11とカラム7
1〜74とが締付固定されている。
カラム71〜74の他端には、カラム71〜74のピッ
チに合わせて加工された貫通孔を有すヨーク12と、ヨ
ーク12の貫通孔にボルト85によって固定されたキャ
ップ81とが挿入され、キャップ81に設けられた止め
ねじ86とカラム71〜74の端面とを当接し、止めね
じ86の位置によってポールピース31,32間の距離
が設定されている。この位置決めがなされた状態でカラ
ム71〜74とキャップ81とがボルト87にて締付固
定されている。
チに合わせて加工された貫通孔を有すヨーク12と、ヨ
ーク12の貫通孔にボルト85によって固定されたキャ
ップ81とが挿入され、キャップ81に設けられた止め
ねじ86とカラム71〜74の端面とを当接し、止めね
じ86の位置によってポールピース31,32間の距離
が設定されている。この位置決めがなされた状態でカラ
ム71〜74とキャップ81とがボルト87にて締付固
定されている。
ヨーク11及び12の中央にはボス41がヨーク11.
12及び磁石21.22の孔に対して出し入れ可能に設
けられている。このボス41を磁石21.22の孔に出
し入れすることにより、磁石21.22の見掛は上の強
さを変えるもので、磁場の均一度調整、温度変化によっ
て生ずる一対の磁石の強度アンバランス補整を行なう等
の目的のために設けられている。
12及び磁石21.22の孔に対して出し入れ可能に設
けられている。このボス41を磁石21.22の孔に出
し入れすることにより、磁石21.22の見掛は上の強
さを変えるもので、磁場の均一度調整、温度変化によっ
て生ずる一対の磁石の強度アンバランス補整を行なう等
の目的のために設けられている。
ここで、第3図に示す磁気回路における磁場均一度の調
整方法について説明する。磁場均一度は磁場中心の磁場
強度Hoに対する撮影空間内の磁場強度ずれΔHの比で
あり、 磁場均一度=ΔH/ H。
整方法について説明する。磁場均一度は磁場中心の磁場
強度Hoに対する撮影空間内の磁場強度ずれΔHの比で
あり、 磁場均一度=ΔH/ H。
で表わされる。一般的には、MRI装置においては、磁
場均一度は撮影空間内でl0PPI11以下であること
が撮影画像に歪や、ボケ等を発生させない条件である。
場均一度は撮影空間内でl0PPI11以下であること
が撮影画像に歪や、ボケ等を発生させない条件である。
第3図に示す磁気回路の磁場均一度は、図示に示すx、
y、zの3軸方向に対し次のように行う。
y、zの3軸方向に対し次のように行う。
(1)Z方向・・・ボス41の上下移動、及びヨーク1
2の均等な上下移動を行う。
2の均等な上下移動を行う。
(2)X方向・・・ヨーク12をθ方向へ傾斜させる。
(3)Y方向・・・ヨーク12をψ方向へ傾斜させる。
また、その他に微調整として磁極片に適宜、鉄片や磁石
片を貼り付けて磁場均一度を調整する。
片を貼り付けて磁場均一度を調整する。
以上の実施例は、静磁場発生装置に永久磁石を用いた場
合について説明したが、本発明は静磁場発生装置を第5
図に示すようなH型電磁石で構成する場合にも適用でき
る。第5図で105は上ヨーク、75はサイドヨーク(
カラム)、106は下ヨークで、これらには透磁率の高
い材料、例えば低炭素鋼を用いる。51.52は鉄芯で
この回りに励磁用コイル55.56を複数回巻く、コイ
ル55.56には図示の如く矢印方向に電流を流す。コ
イルに流す電流は例えば上コイル55の電流く下コイル
56の電流となるように上下のコイルに流す電流量を変
えることで上記実施例と同様に磁場中心を変えることが
できる。なおこの場合に鉄心同志の対向面の形状を上記
実施例の磁極片の形状と同様にすることにより、磁場中
心を中心とするその近傍に均一磁場空間を形成すること
ができる。
合について説明したが、本発明は静磁場発生装置を第5
図に示すようなH型電磁石で構成する場合にも適用でき
る。第5図で105は上ヨーク、75はサイドヨーク(
カラム)、106は下ヨークで、これらには透磁率の高
い材料、例えば低炭素鋼を用いる。51.52は鉄芯で
この回りに励磁用コイル55.56を複数回巻く、コイ
ル55.56には図示の如く矢印方向に電流を流す。コ
イルに流す電流は例えば上コイル55の電流く下コイル
56の電流となるように上下のコイルに流す電流量を変
えることで上記実施例と同様に磁場中心を変えることが
できる。なおこの場合に鉄心同志の対向面の形状を上記
実施例の磁極片の形状と同様にすることにより、磁場中
心を中心とするその近傍に均一磁場空間を形成すること
ができる。
次に、このような磁気回路をMRI装置に適用した場合
の付加的事項について述べる。MRI装置は静磁場発生
装置へRF送信コイル、傾斜磁場コイル、RF受信コイ
ルを取り付ける必要がある。
の付加的事項について述べる。MRI装置は静磁場発生
装置へRF送信コイル、傾斜磁場コイル、RF受信コイ
ルを取り付ける必要がある。
本発明を実施するには、上記コイル群のうち、傾斜磁場
コイルを変更することが望ましい。傾斜磁場コイルには
静磁場方向の傾斜磁場を与えるZ方向傾斜磁場コイル(
第6図参照)と、2方向に直交するX及びY方向傾斜磁
場コイルが必要である。
コイルを変更することが望ましい。傾斜磁場コイルには
静磁場方向の傾斜磁場を与えるZ方向傾斜磁場コイル(
第6図参照)と、2方向に直交するX及びY方向傾斜磁
場コイルが必要である。
これらの傾斜磁場コイルのうちZ方向傾斜磁場コイルは
、スライス面を決めるものであり、磁場中心が磁極片間
の中央からずれると、従来のように磁場中心が磁極片間
の中央に位置するものでは不都合を生ずることがあり得
るからである。傾斜磁場はスライス面の位置決め及びス
ライス厚の決定に係わるためリニアリティが最も重要で
あり、磁場中心に一致して傾斜磁場を発生すると、最も
りニアリテイの良いものが得られる。そのための−例を
して第6図、第7図に示す。互いに巻数は同一で巻方向
が逆で、かつ同径の従来の傾斜磁場コイル71.72を
そのまま用い、コイル71゜72へ流す電流を次のよう
に変える。傾斜磁場コイル71に流す電流をIt、傾斜
磁場コイル72に流す電流を11とすると、その比率は
となる。但し、Dは傾斜磁場コイルの平均直径である。
、スライス面を決めるものであり、磁場中心が磁極片間
の中央からずれると、従来のように磁場中心が磁極片間
の中央に位置するものでは不都合を生ずることがあり得
るからである。傾斜磁場はスライス面の位置決め及びス
ライス厚の決定に係わるためリニアリティが最も重要で
あり、磁場中心に一致して傾斜磁場を発生すると、最も
りニアリテイの良いものが得られる。そのための−例を
して第6図、第7図に示す。互いに巻数は同一で巻方向
が逆で、かつ同径の従来の傾斜磁場コイル71.72を
そのまま用い、コイル71゜72へ流す電流を次のよう
に変える。傾斜磁場コイル71に流す電流をIt、傾斜
磁場コイル72に流す電流を11とすると、その比率は
となる。但し、Dは傾斜磁場コイルの平均直径である。
X、Y方向の傾斜磁場コイルは従来装置と同様のもので
あっても良い。その理由は、本発明の磁気回路の磁極片
から磁場中心までの距離Lg1(又はLgz)と従来装
置のX、Yの傾斜磁場コイルの中心(Lgx+Lgz)
/2との差は30m前後と仮定すれば、X、Y方向傾斜
磁場のリニアリティの悪化はそれほど問題にすることは
ないからである。
あっても良い。その理由は、本発明の磁気回路の磁極片
から磁場中心までの距離Lg1(又はLgz)と従来装
置のX、Yの傾斜磁場コイルの中心(Lgx+Lgz)
/2との差は30m前後と仮定すれば、X、Y方向傾斜
磁場のリニアリティの悪化はそれほど問題にすることは
ないからである。
以上述べたように本発明によれば、磁場中心を磁石間の
中央から偏位させられるためMRI装置用静磁場発生装
置内へ撮影のために挿入された被検体にとって圧迫感を
なくすことができる。
中央から偏位させられるためMRI装置用静磁場発生装
置内へ撮影のために挿入された被検体にとって圧迫感を
なくすことができる。
また、静磁場発生源は永久磁石をブロック構造組立てし
て、ブロックの数により磁場中心を変えるため、ブロッ
クの総数、即ち磁石の体積が同じでも、前記圧迫感をな
くすことができ、磁石のコストが大部分を占める静磁場
発生装置の価格上昇を抑えることができる。
て、ブロックの数により磁場中心を変えるため、ブロッ
クの総数、即ち磁石の体積が同じでも、前記圧迫感をな
くすことができ、磁石のコストが大部分を占める静磁場
発生装置の価格上昇を抑えることができる。
第1図は本発明の方法原理を説明するための静磁場発生
装置の概略構成を示し、(A)は平面図、(B)は一部
所面による正面図、(C)は右側面図、第2図は静磁場
発生源の均一磁場生成のための端面形状図、第3図は本
発明の一実施例による静磁場発生装置の縦断面図、第4
図は磁石の構造図、第5図は本発明を電磁石方式の静磁
場発生装置に適用した例を示す概念図、第6図はZ方向
傾斜磁場コイルの配置図、第7図は本発明を実施する場
合のZ方向傾斜磁場コイルの概念図、第8図は従来装置
の静磁場発生装置と被検体との配置を示す図、第9図は
一部を切欠きして示した静磁場発生装置の斜視図、第1
0図及び第11図は従来技術の問題点を説明する図面で
ある。 10・・・均一磁場空間、11.12・・・ヨーク、2
1゜22・・・永久磁石、31.32・・・ポールピー
ス、61.62・・・環状突起、71〜74・・・カラ
ム、101〜103−・・支持部材−201,202・
・・静磁場発生源、301〜302・・・突起部、O・
・・磁場第70 第2図 第4虐 第5図 51.52−6いし 55、 El、・・コイル 75−・77−74 105− ヱヨー7 106 下ヨー7 第6図 \ 第7図 第80 第9Z 第1O図 第1I図 /n
装置の概略構成を示し、(A)は平面図、(B)は一部
所面による正面図、(C)は右側面図、第2図は静磁場
発生源の均一磁場生成のための端面形状図、第3図は本
発明の一実施例による静磁場発生装置の縦断面図、第4
図は磁石の構造図、第5図は本発明を電磁石方式の静磁
場発生装置に適用した例を示す概念図、第6図はZ方向
傾斜磁場コイルの配置図、第7図は本発明を実施する場
合のZ方向傾斜磁場コイルの概念図、第8図は従来装置
の静磁場発生装置と被検体との配置を示す図、第9図は
一部を切欠きして示した静磁場発生装置の斜視図、第1
0図及び第11図は従来技術の問題点を説明する図面で
ある。 10・・・均一磁場空間、11.12・・・ヨーク、2
1゜22・・・永久磁石、31.32・・・ポールピー
ス、61.62・・・環状突起、71〜74・・・カラ
ム、101〜103−・・支持部材−201,202・
・・静磁場発生源、301〜302・・・突起部、O・
・・磁場第70 第2図 第4虐 第5図 51.52−6いし 55、 El、・・コイル 75−・77−74 105− ヱヨー7 106 下ヨー7 第6図 \ 第7図 第80 第9Z 第1O図 第1I図 /n
Claims (4)
- 1.空間を挟んで極性を異ならせて対向して配置する一
対の静磁場発生手段の各静磁場発生強度を所定値異なら
せてその値に応じた前記空間位置に磁場中心を設定し、
前記各静磁場発生手段の対向面の形状を前記空間内にお
ける磁力線分布を前記磁場中心を中心とする所定空間領
域に略均一な磁場空間を生成する如く非対称の形状とし
、前記一対の静磁場発生装置を磁性体により磁気結合し
、前記略均一な磁場空間を前記一対の静磁場発生装置間
の中央部より所定値偏位させるMRI装置用均一磁場の
偏位方法。 - 2.静磁場発生強度を所定値異ならせ、かつ、極性を異
ならせて対向させた一対の静磁場発生手段と、前記一対
の静磁場発生手段を被検体を挿入可能に所定空間距離を
隔てて支持する磁性体より成る支持手段と、前記各静磁
場発生手段の対向面に設けられ、対向面の周縁部に形状
の異なる突起が形成された一対の均一磁場生成手段とを
備え、前記空間の前記一対の静磁場発生手段の磁場強度
に対応した点の近傍に略均一磁場空間を生成することを
特徴としたMRI装置用静磁場発生装置。 - 3.一対の静磁場発生手段は、ブロック状の永久磁石の
組合せで構成され、ブロック状永久磁石の数を異ならせ
ることにより磁場強度に差を設けられていることを特徴
とする請求項2に記載のMRI装置用静磁場発生装置。 - 4.一対の静磁場発生手段同志はブロック状永久磁石を
相等しい体積にして形成され、ブロック状永久磁石の磁
気エネルギに差を設けられていることを特徴とする請求
項2に記載のMRI装置用静磁場発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112460A JPH01283905A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Mri装置用均一磁場の偏位方法及びそれを用いた静磁場発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112460A JPH01283905A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Mri装置用均一磁場の偏位方法及びそれを用いた静磁場発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283905A true JPH01283905A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14587188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112460A Pending JPH01283905A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Mri装置用均一磁場の偏位方法及びそれを用いた静磁場発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100423775B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-03-30 | (주)에스시엠아이 | 평등 자계 형성용 전자석의 자극 |
| JP2004305744A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Mri用磁場生成器の中心磁場を調節するための方法及び装置 |
| JP2006006952A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | General Electric Co <Ge> | 開放型mriのための支持構造並びにその方法及びシステム |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63112460A patent/JPH01283905A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100423775B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-03-30 | (주)에스시엠아이 | 평등 자계 형성용 전자석의 자극 |
| JP2004305744A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Mri用磁場生成器の中心磁場を調節するための方法及び装置 |
| JP2006006952A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | General Electric Co <Ge> | 開放型mriのための支持構造並びにその方法及びシステム |
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