JPH01283992A - 超電導配線板の製造方法 - Google Patents
超電導配線板の製造方法Info
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- JPH01283992A JPH01283992A JP63115241A JP11524188A JPH01283992A JP H01283992 A JPH01283992 A JP H01283992A JP 63115241 A JP63115241 A JP 63115241A JP 11524188 A JP11524188 A JP 11524188A JP H01283992 A JPH01283992 A JP H01283992A
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- superconducting
- plating
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はめっき方法による超電導配線板の製造方法に関
するものである。
するものである。
雑誌「金属」第５７巻第５号 第２頁〜第７頁（昭和６
２年５月１日発行）には常温に近い温度で超電導が可能
である物質が記載されており、酸素欠損型層状構造ペロ
ブスカイトと呼ばれる構造を有するセラミック例えばバ
リウム−イツトリウム−銅−酸素（Ｂａ −Ｙ −Ｃｕ
−０）系化合物などは９５にで超電導特性を示すよう
になると言われている。
２年５月１日発行）には常温に近い温度で超電導が可能
である物質が記載されており、酸素欠損型層状構造ペロ
ブスカイトと呼ばれる構造を有するセラミック例えばバ
リウム−イツトリウム−銅−酸素（Ｂａ −Ｙ −Ｃｕ
−０）系化合物などは９５にで超電導特性を示すよう
になると言われている。
これらの超電導物質は集積回路材料として用いられれば
超高速処理の可能な素子となりえるため注目されている
。さて、このような材料で回路配線を構成しようとする
場合、基板表面に超電導物質を構成する徴粉末原料で回
路パターンを形成し、これを酸素雰囲気下で焼成するこ
とにより超電導配線基板を作るという方法が考えられて
いる。
超高速処理の可能な素子となりえるため注目されている
。さて、このような材料で回路配線を構成しようとする
場合、基板表面に超電導物質を構成する徴粉末原料で回
路パターンを形成し、これを酸素雰囲気下で焼成するこ
とにより超電導配線基板を作るという方法が考えられて
いる。
上記のような製法では高温下で焼成するという工程が必
要であろｔこめ、高温下でも安定な基板材料例えばセラ
ミック基板などである必要があり、回路を形成できる基
板材料が限定される。さらに回路パターンを構成するた
めには基板上にセラミック粉末をパターン状に形成する
必要があり、現在この方法にはスクリーン印刷等の方法
があるが、セラミック粒子をペースト化するためのバイ
ンダーが必要であり、また回路パターン精度にも限界が
あるという課題があった。
要であろｔこめ、高温下でも安定な基板材料例えばセラ
ミック基板などである必要があり、回路を形成できる基
板材料が限定される。さらに回路パターンを構成するた
めには基板上にセラミック粉末をパターン状に形成する
必要があり、現在この方法にはスクリーン印刷等の方法
があるが、セラミック粒子をペースト化するためのバイ
ンダーが必要であり、また回路パターン精度にも限界が
あるという課題があった。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、
任意の基板材料に対し超電導配線を得るための新しい製
造方法を提供するものである。
任意の基板材料に対し超電導配線を得るための新しい製
造方法を提供するものである。
この発明に係る超電導配線板の製造方法は既に焼成され
超電導化した徴粉末をめっき液中に分散懸濁させためっ
き浴を用いて、基板上に超電導粒子を含有するめっき金
属皮膜を形成した後、エツチング等により不要部分を除
去して配線パターンを形成するものである。
超電導化した徴粉末をめっき液中に分散懸濁させためっ
き浴を用いて、基板上に超電導粒子を含有するめっき金
属皮膜を形成した後、エツチング等により不要部分を除
去して配線パターンを形成するものである。
この発明の製造方法により製造された超電導配線板の配
線パターン部は超電導粒子を含有するめっき金属層で構
成され、この配線基板を冷却すると配線パターン内部の
粒子は超電導現象を発現するので、めっき金属層内にお
ける粒子占有率が高く、粒子間距離が短く、さらに粒子
間接触があれば分散した超電導粒子のために回路配線は
疑似超電導化する。
線パターン部は超電導粒子を含有するめっき金属層で構
成され、この配線基板を冷却すると配線パターン内部の
粒子は超電導現象を発現するので、めっき金属層内にお
ける粒子占有率が高く、粒子間距離が短く、さらに粒子
間接触があれば分散した超電導粒子のために回路配線は
疑似超電導化する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例の配線板の製造工程を示す
図で、第１図（人）は各工程段階を示す図、第１図（Ｂ
）は第１図（Ａ）の各工程に対応する断面図である。
図で、第１図（人）は各工程段階を示す図、第１図（Ｂ
）は第１図（Ａ）の各工程に対応する断面図である。
まず、絶縁基板（１）に穴を明は洗浄後、化学銅めっき
（２）を行い基板全体を導電化する。（工程（、）〜（
ｄ）） 次に、レジスト（３）塗布及びバターニングによって配
線パターン部分を残して、絶縁する（工程（ｅ）。
（２）を行い基板全体を導電化する。（工程（、）〜（
ｄ）） 次に、レジスト（３）塗布及びバターニングによって配
線パターン部分を残して、絶縁する（工程（ｅ）。
（Ｆ））。
つぎに工程（ｇ）において、超電導粒子を分散した銅め
っき浴により上記パターン部分にめっきを行い、超電導
粒子と銅金属を共析（４）させる。
っき浴により上記パターン部分にめっきを行い、超電導
粒子と銅金属を共析（４）させる。
この後、エツチング防止膜としてはんだマスク（５）を
上記パターン部表面に形成し、そしてレジスト（３）の
除去後、パターン部分以外の化学鋼めっき膜（２）をエ
ツチング除去を行い、さらにはんだマスク（５）もはく
離する（工程（ｈ）〜（ｋ））。
上記パターン部表面に形成し、そしてレジスト（３）の
除去後、パターン部分以外の化学鋼めっき膜（２）をエ
ツチング除去を行い、さらにはんだマスク（５）もはく
離する（工程（ｈ）〜（ｋ））。
以上の工程により超電導粒子を含有する銅配線パターン
を基板の両面に形成することができる。
を基板の両面に形成することができる。
第２図（Ａ） 、 （Ｂ）はこの発明の一実施例である
超電導粒子分散めっきの方法を示す説明断面図で、Ｍ２
図（Ａ）は両面基板の場合の分散めっき槽の構成を示す
図で、第２図（Ｂ）は片面基板の場合の分散めっき槽の
構成を示す図である。
超電導粒子分散めっきの方法を示す説明断面図で、Ｍ２
図（Ａ）は両面基板の場合の分散めっき槽の構成を示す
図で、第２図（Ｂ）は片面基板の場合の分散めっき槽の
構成を示す図である。
めっき槽（６）内の超電導粒子分散めっき液（７）はモ
ーター（１０）とプロペラ（１１）によりかくはん懸濁
される。
ーター（１０）とプロペラ（１１）によりかくはん懸濁
される。
配線板（９）は陽極（８）と対峙して設置され、揺動装
置（１２）により左右（第２図（Ａ）の場合）、又は上
下（第２図（Ｂ）の場合）に揺動される。
置（１２）により左右（第２図（Ａ）の場合）、又は上
下（第２図（Ｂ）の場合）に揺動される。
このとき、配線板（９）は電源のマイナスに陽極はプラ
スに接続され、配線板（９）上に超電導粒子およびめっ
き金属が共析される。
スに接続され、配線板（９）上に超電導粒子およびめっ
き金属が共析される。
なお、皮膜内部に含有させる超電導粒子は特に限定する
わけではないが、例えばバリウム、イツトリウム、銅、
酸素からなる超電導セラミック粉末が適している。また
皮膜構成金属は特に限定するわけではないが銅が適して
いる。
わけではないが、例えばバリウム、イツトリウム、銅、
酸素からなる超電導セラミック粉末が適している。また
皮膜構成金属は特に限定するわけではないが銅が適して
いる。
かかる発明におけるめっき方法としては析出速度及び浴
の安定性の面から電解めっき法が適しているが、無電解
めっき法によっても差し支えない。
の安定性の面から電解めっき法が適しているが、無電解
めっき法によっても差し支えない。
以上のようにこの発明によれば、超電導粒子を分散させ
ためっき浴を用いて基板上に超電導粒子を含有するめっ
きを析出させ、不要部分をエツチング除去して配線パタ
ーンを得るようにしたので、基板上に配線パターンを形
成後焼成する必要がなく、さらにパターン精度の高い超
電導配線を容易に形成することができる効果を有する。
ためっき浴を用いて基板上に超電導粒子を含有するめっ
きを析出させ、不要部分をエツチング除去して配線パタ
ーンを得るようにしたので、基板上に配線パターンを形
成後焼成する必要がなく、さらにパターン精度の高い超
電導配線を容易に形成することができる効果を有する。
第１図はこの発明の一実施例の超電導配線板の製造工程
を示す図で、第１図（Ａ）は各工程段階を示す図、第１
図（Ｂ）は第１図（月の各工程に対応する断面図、第２
図はこの発明の実施例の超電導粒子分散めっきの方法を
示す説明図で、第２図（Ａ）は両面基板の場合の分散め
っき槽の構成を示す断面図、第２図（８３は片面基板の
場合の分散めっき槽の構成を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁基板、（２）は化学銅めつき
膜、（３）はレジスト膜、（４）は超電導粒子分散めつ
きＩＲｌ（５１ははんだマスクである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
を示す図で、第１図（Ａ）は各工程段階を示す図、第１
図（Ｂ）は第１図（月の各工程に対応する断面図、第２
図はこの発明の実施例の超電導粒子分散めっきの方法を
示す説明図で、第２図（Ａ）は両面基板の場合の分散め
っき槽の構成を示す断面図、第２図（８３は片面基板の
場合の分散めっき槽の構成を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁基板、（２）は化学銅めつき
膜、（３）はレジスト膜、（４）は超電導粒子分散めつ
きＩＲｌ（５１ははんだマスクである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 既に焼成され超電導化した徴粉末をめっき液中に分散
懸濁させためっき浴を用いて、基板上に超電導粒子を含
有するめっき金属皮膜を形成した後、エッチング等によ
り上記めっき金属皮膜の不要部分を除去して配線パター
ンを形成することを特徴とする超電導配線板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115241A JPH01283992A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 超電導配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115241A JPH01283992A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 超電導配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283992A true JPH01283992A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14657842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63115241A Pending JPH01283992A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 超電導配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283992A (ja) |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63115241A patent/JPH01283992A/ja active Pending
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