JPH01284105A - スタック型マイクロストリップアンテナ - Google Patents
スタック型マイクロストリップアンテナInfo
- Publication number
- JPH01284105A JPH01284105A JP11445288A JP11445288A JPH01284105A JP H01284105 A JPH01284105 A JP H01284105A JP 11445288 A JP11445288 A JP 11445288A JP 11445288 A JP11445288 A JP 11445288A JP H01284105 A JPH01284105 A JP H01284105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip antenna
- driven element
- insulating substrate
- stacked
- earthing pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スタック型マイクロストリップアンテナに間
する。
する。
（従来の技術）
飛行機などに搭載されるアンテナとして、近年、マイク
ロストリップアンテナの開発がさかんに行なわれている
。
ロストリップアンテナの開発がさかんに行なわれている
。
第１０図はこのようなマイクロストリップアンテナの一
例を示す斜視図、第１１図はこのマイクロストリップア
ンテナの一部裁断斜視図である。
例を示す斜視図、第１１図はこのマイクロストリップア
ンテナの一部裁断斜視図である。
これらの図に示すマイクロストリップアンテナは、アン
テナのベースとなる絶縁基板１ｏｏと、この絶縁基板１
００の下面側に形成されるグランド面１０１と、前記絶
縁基板１００の上面側に形成される励振素子（金属板）
１０２と、前記絶縁基板１００を貫通して下面側から前
記励振素子１０２に接続される２本の給電線１０３ａ、
１０３ｂと、前記グランド面１０１に接続される１本の
接地線１０４とを備えている。
テナのベースとなる絶縁基板１ｏｏと、この絶縁基板１
００の下面側に形成されるグランド面１０１と、前記絶
縁基板１００の上面側に形成される励振素子（金属板）
１０２と、前記絶縁基板１００を貫通して下面側から前
記励振素子１０２に接続される２本の給電線１０３ａ、
１０３ｂと、前記グランド面１０１に接続される１本の
接地線１０４とを備えている。
そしてこのマイクロストリップアンテナにおいては、偏
波面が回転する電波（円偏波）を生成するために、励振
素子１０２の中心からの角度（オフセット角度）が“９
０度”となる点（給電点）Ｐｌ、Ｐ２で、各給電線１０
３ａ、１０３ｂど、励振素子１０２とを接続している。
波面が回転する電波（円偏波）を生成するために、励振
素子１０２の中心からの角度（オフセット角度）が“９
０度”となる点（給電点）Ｐｌ、Ｐ２で、各給電線１０
３ａ、１０３ｂど、励振素子１０２とを接続している。
そして、前記接地線１０４を接地させた拭態で、前記給
電線１０３ａに“０度”位相の高周波信号が供給される
とともに、給電線１０３ｂに、゛″９０度″位相の高周
波信号が供給されたとき、このマイクロストリップアン
テナによって円偏波が生成され、これが空中（この図に
おいて、上面側）に放射される。
電線１０３ａに“０度”位相の高周波信号が供給される
とともに、給電線１０３ｂに、゛″９０度″位相の高周
波信号が供給されたとき、このマイクロストリップアン
テナによって円偏波が生成され、これが空中（この図に
おいて、上面側）に放射される。
このようにこのマイクロストリップアンテナにおいては
、アンテナ全体を極めて薄くすることができるとともに
、円偏波を生成できるので、飛行機用のアンテナとして
極めて有望視されている。
、アンテナ全体を極めて薄くすることができるとともに
、円偏波を生成できるので、飛行機用のアンテナとして
極めて有望視されている。
しかしこのような従来のマイクロストリップアンテナは
、構造が簡単で、かつ薄くすることができるものの、実
用化に際してＶＳＷＲに対して使用可能な周波数帯域が
狭いという問題があり、これが実用化のネックになって
いた。
、構造が簡単で、かつ薄くすることができるものの、実
用化に際してＶＳＷＲに対して使用可能な周波数帯域が
狭いという問題があり、これが実用化のネックになって
いた。
そこでこのような問題を解決するため、第１２図、第１
３図に示す如く前記励振素子１０２から所定距離りだけ
離して絶縁基板１０７を配置するとともに、この絶縁基
板１０７上に形成された無給電素子（金属板）１０８の
中心点と、前記グランド而１０１とをアースピン１０９
で接続したマイクロストリップアンテナ（以下、このよ
うなアンテナをスタック型マイクロストリップアンテナ
という）■！２がｔＭ案されている。
３図に示す如く前記励振素子１０２から所定距離りだけ
離して絶縁基板１０７を配置するとともに、この絶縁基
板１０７上に形成された無給電素子（金属板）１０８の
中心点と、前記グランド而１０１とをアースピン１０９
で接続したマイクロストリップアンテナ（以下、このよ
うなアンテナをスタック型マイクロストリップアンテナ
という）■！２がｔＭ案されている。
このアンテナのアースピン１０９の目的は、素子１０８
．１０２上に励振される電流分布の対称性を保つことに
よる電気的性能のみの改善に限られていた。したがって
、アースピン１０９の太さについては、まったく考慮さ
れていなかった。
．１０２上に励振される電流分布の対称性を保つことに
よる電気的性能のみの改善に限られていた。したがって
、アースピン１０９の太さについては、まったく考慮さ
れていなかった。
この場合、スタック型マイク［ｌストリップアンテナの
理論的動作は、定かてはないが、この無給電素子１０Ｂ
を設けることによって次に述べるような特性が得られる
ことが実験的に確認されている。
理論的動作は、定かてはないが、この無給電素子１０Ｂ
を設けることによって次に述べるような特性が得られる
ことが実験的に確認されている。
まず、絶縁基板１００．１０７として、厚さ“１．６ｎ
＋ａ＋”のテフロングラス基板を用いたスタック型マイ
クロストリップアンテナ１１２では、２゜６Ｃｔ！ｚ”
帯で共厖するように励振素子１０２の半径ａを決めたと
き、励振素子１０２の半径ａと、無給電素子１０８の半
径すとの比をパラメータとして、各絶縁基板ｉｏｏ、１
０７ｒＷ１の距離りを変えれば、第１４１ｆｆｌに示す
ようなＶＳＷＲが“１．５”以下になる帯域幅／素子間
隔特性が得られる。
＋ａ＋”のテフロングラス基板を用いたスタック型マイ
クロストリップアンテナ１１２では、２゜６Ｃｔ！ｚ”
帯で共厖するように励振素子１０２の半径ａを決めたと
き、励振素子１０２の半径ａと、無給電素子１０８の半
径すとの比をパラメータとして、各絶縁基板ｉｏｏ、１
０７ｒＷ１の距離りを変えれば、第１４１ｆｆｌに示す
ようなＶＳＷＲが“１．５”以下になる帯域幅／素子間
隔特性が得られる。
この図から明らかなように、励振素子１０２の半径ａと
、無給電素子１０日の半径すとの比を“１．０５″にし
、かつ各絶縁基板１００．１０７閑の距ａｈを“ＩＯ＋
＋ｕｓ″にしたときが、最も都合の良い特性になる。そ
してこの条件のとき、第１５図の特性曲線１１０に示す
ようなＶＳＷＲ特性になる。
、無給電素子１０日の半径すとの比を“１．０５″にし
、かつ各絶縁基板１００．１０７閑の距ａｈを“ＩＯ＋
＋ｕｓ″にしたときが、最も都合の良い特性になる。そ
してこの条件のとき、第１５図の特性曲線１１０に示す
ようなＶＳＷＲ特性になる。
この特性曲線１１０から明らかなように、この例では、
”２．６Ｇ Ｈ２”を中心として“±＋ｃｕｚ”範囲、
すなわち周波数“２．５Ｇ Ｈｚ〜２−ＴＧ Ｈｚ”
テ、ＶＳＷＲ（直が“１．５″以下になる。
”２．６Ｇ Ｈ２”を中心として“±＋ｃｕｚ”範囲、
すなわち周波数“２．５Ｇ Ｈｚ〜２−ＴＧ Ｈｚ”
テ、ＶＳＷＲ（直が“１．５″以下になる。
このときの特性曲線１１０と、無給電素子１０８がない
ときの特性曲線１１１とを比較すれば明らかなように、
無給７ｆｉ Ｚ子１０Ｂが設けられたことによって、“
２．５ＧＨ，！〜２．７ＣＩ＋□′の範囲において実用
上、差し支えない程度までＶＳＷＲ特性を改善すること
ができる。
ときの特性曲線１１１とを比較すれば明らかなように、
無給７ｆｉ Ｚ子１０Ｂが設けられたことによって、“
２．５ＧＨ，！〜２．７ＣＩ＋□′の範囲において実用
上、差し支えない程度までＶＳＷＲ特性を改善すること
ができる。
ところでこのような従来のスタック型マイクロストリッ
プアンテナ１１２においては、第１６図に示す如く励振
素子１０２の中心と、無給電素子１０８の中心とがずれ
ると、ＶＳＷＲ特性が急激に悪化するという性質がある
と考えられる。
プアンテナ１１２においては、第１６図に示す如く励振
素子１０２の中心と、無給電素子１０８の中心とがずれ
ると、ＶＳＷＲ特性が急激に悪化するという性質がある
と考えられる。
このため、スタック型マイクロストリップアンテナ１．
１２を製造するとき、これらがずれないように、加工精
度や、組立て精度を高くしなければならないが、このた
め製造工数が多く必・堤となり、コスト高となっていた
。
１２を製造するとき、これらがずれないように、加工精
度や、組立て精度を高くしなければならないが、このた
め製造工数が多く必・堤となり、コスト高となっていた
。
また、第１７図に示す如くこのスタック型マイクロスト
リップアンテナ１１２を飛行０１１３に搭載した場合、
落雷などによってアースピン１０９が溶けてしまう虞れ
があった。
リップアンテナ１１２を飛行０１１３に搭載した場合、
落雷などによってアースピン１０９が溶けてしまう虞れ
があった。
（発明の目的）
本発明は上記の事情に鑑み、励振素子と、７！！給電素
子とがずれた場合においても、Ｖ Ｓ Ｗ Ｒ特性が低
下しないようにすることができるとともに、落雷などの
事故が起こった場合においても、アースピンが溶断しに
＜＜シたスタック型マイクロストリップアンテナを提供
することを目的としている。
子とがずれた場合においても、Ｖ Ｓ Ｗ Ｒ特性が低
下しないようにすることができるとともに、落雷などの
事故が起こった場合においても、アースピンが溶断しに
＜＜シたスタック型マイクロストリップアンテナを提供
することを目的としている。
（発明の概要）
上記の問題点を解決するために本発明によるスタック型
マイクロストリップアンテナにおいては、無給電素子と
、励Ｗｉ素子とを接続するアースピンの径を太くして柱
状、またはパイプ状にしたことを特徴とする。
マイクロストリップアンテナにおいては、無給電素子と
、励Ｗｉ素子とを接続するアースピンの径を太くして柱
状、またはパイプ状にしたことを特徴とする。
（実施例）
第１図は本発明によるスタック型マイクロストリップア
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図である。
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図である。
これらの図に示すスタック型マイクロストリップアンテ
ナ２０は、励振素子板ｌと、無給電素子板２と、アース
ピン３と、２本の給電線４ａ、４ｂと、接地線５とを備
えており、接地線５が接地された状態で、各給電線４ａ
、４ｂを介して位相差９０度の高周波信号Ｓ１、Ｓ２が
供給されたとき、時間の経過に従って偏波面が回転する
電波（円偏波）を発生し、これを空中に放射する。
ナ２０は、励振素子板ｌと、無給電素子板２と、アース
ピン３と、２本の給電線４ａ、４ｂと、接地線５とを備
えており、接地線５が接地された状態で、各給電線４ａ
、４ｂを介して位相差９０度の高周波信号Ｓ１、Ｓ２が
供給されたとき、時間の経過に従って偏波面が回転する
電波（円偏波）を発生し、これを空中に放射する。
励振素子板ｌは、テフロングラスなどによって構成され
る絶縁基板６と、この絶縁基板６の１鉗（この図におい
て上部側の面）に形成される目形の励振素子７と、前記
絶縁基板６の下面に形成されるグランド面８とをイーえ
ており、このグランド面８には、接地線５が接続される
とともに、前記励振素子７には、前記絶縁基板６に形成
された貫通孔９ａ、９ｂを介して給電線４ａ、４ ｂが
接続されている。
る絶縁基板６と、この絶縁基板６の１鉗（この図におい
て上部側の面）に形成される目形の励振素子７と、前記
絶縁基板６の下面に形成されるグランド面８とをイーえ
ており、このグランド面８には、接地線５が接続される
とともに、前記励振素子７には、前記絶縁基板６に形成
された貫通孔９ａ、９ｂを介して給電線４ａ、４ ｂが
接続されている。
この場合、励振素子７と、各給電線４ａ、４ｂとの接続
点く給電点Ｐ７、Ｐ２）は、第３ＵｉＪに示す如く中心
点Ｔからの角度θが１０５度となり、かつインピーダン
スが“５０Ω”となる点に設けられている。
点く給電点Ｐ７、Ｐ２）は、第３ＵｉＪに示す如く中心
点Ｔからの角度θが１０５度となり、かつインピーダン
スが“５０Ω”となる点に設けられている。
また、無給電素子板２は、テフロングラスなどによって
構成される絶縁基板ｌｏと、この絶縁基板ＩＯの上面に
形成される円形の無給電窒子１１とを備えており、この
無給電素子１１の中心ど、前記励振素子７の中心は、絶
縁基板１０に形成された貫通孔１２と、前記励振素子７
、絶縁基板６に形成された貫通孔１３とに挿通されたア
ースピン（直径、４ｍｍ） ３によってグランド面８に
接続されている。
構成される絶縁基板ｌｏと、この絶縁基板ＩＯの上面に
形成される円形の無給電窒子１１とを備えており、この
無給電素子１１の中心ど、前記励振素子７の中心は、絶
縁基板１０に形成された貫通孔１２と、前記励振素子７
、絶縁基板６に形成された貫通孔１３とに挿通されたア
ースピン（直径、４ｍｍ） ３によってグランド面８に
接続されている。
この場合、第４図に示す如く各絶縁基板６、ｌＯの厚さ
ｄｏ、ｄ２は各々“４ｍｍ” 、”１．６ｍｏ＋”に設
定されるとともに、これら各絶縁基板６．１０の間隔り
は“４ｍｍ”に設定されている。
ｄｏ、ｄ２は各々“４ｍｍ” 、”１．６ｍｏ＋”に設
定されるとともに、これら各絶縁基板６．１０の間隔り
は“４ｍｍ”に設定されている。
次に、第５図〜第９図に示す各特性図を参照しながらこ
の実施例の特性について説明する。
の実施例の特性について説明する。
まず、従来のスタック型マイクロストリップアンテナに
おいては、各絶縁基板間隔を“１０ｍ網″より狭くする
と、各給電点間のアイソレーションが低下してしまうが
、この実施例においては、各絶縁基板６．１０の間隔１
１を“４１”にしたとき、各給電点Ｐ１．Ｐ２のオフセ
ット角度θを“１０５度”にだところで、第５図に示す
如く設計周波数Ｆ。を“１５９５．２５ＭＨｚ”として
、送信周波数Ｆ、を“１６６０．５ＭＨｚ”にし、さら
に受信周波数Ｆ２を“１５３０ＭＨ７，”としたときに
おける各給電点Ｐ１、Ｐ２のアイソレージ：１ンを“−
１４ｄＢ″゛以下にすることができた。
おいては、各絶縁基板間隔を“１０ｍ網″より狭くする
と、各給電点間のアイソレーションが低下してしまうが
、この実施例においては、各絶縁基板６．１０の間隔１
１を“４１”にしたとき、各給電点Ｐ１．Ｐ２のオフセ
ット角度θを“１０５度”にだところで、第５図に示す
如く設計周波数Ｆ。を“１５９５．２５ＭＨｚ”として
、送信周波数Ｆ、を“１６６０．５ＭＨｚ”にし、さら
に受信周波数Ｆ２を“１５３０ＭＨ７，”としたときに
おける各給電点Ｐ１、Ｐ２のアイソレージ：１ンを“−
１４ｄＢ″゛以下にすることができた。
これによって、送受信電波をほぼ完全な円偏波にするこ
とができる。
とができる。
またこの実施例においては、アースピン３の直径を太く
しているので、励振素子７の中心と、無給電素子１１の
中心とが多少ずれた場合においても、スタック型マイク
ロストリップアンテナ２゜のＶＳＷＲ特性が低下しない
ようにすることができる。また、このようにアースピン
３の直径を太くすることによって、第６図に示す如く設
計周波数Ｆ０を“１５９５．２５Ｍ１＋□′として、送
信周波数を“１６６０−５ＭＨｚ” ニＬ／、さらに受
信周波数を“１５３０Ｍ１１２”としたときにおける各
給電点ＰＩ、Ｐ２のアイソレーション値を下げることが
できる。
しているので、励振素子７の中心と、無給電素子１１の
中心とが多少ずれた場合においても、スタック型マイク
ロストリップアンテナ２゜のＶＳＷＲ特性が低下しない
ようにすることができる。また、このようにアースピン
３の直径を太くすることによって、第６図に示す如く設
計周波数Ｆ０を“１５９５．２５Ｍ１＋□′として、送
信周波数を“１６６０−５ＭＨｚ” ニＬ／、さらに受
信周波数を“１５３０Ｍ１１２”としたときにおける各
給電点ＰＩ、Ｐ２のアイソレーション値を下げることが
できる。
また、アースピン３を太くしているので、無給電素子１
１に落雷があったときにも、このアースピン３が溶解し
ないようにすることができる。
１に落雷があったときにも、このアースピン３が溶解し
ないようにすることができる。
またこの実施例においては、励振素子７の半径ａを“６
４．８２ｍｍ”にし、さらにこの励振素子の半径ａと、
無給電素子１１のｔｑ径すの比を“１．１４”にしてい
るので、第７図に示す如く送信周波数を“ｌＧ６０．５
ＭＨ□”にし、さらに受信周波数を“１５３０ＭＨ２”
としたときにおけるＶＳＷＲ特性を向上させることがで
きる。
４．８２ｍｍ”にし、さらにこの励振素子の半径ａと、
無給電素子１１のｔｑ径すの比を“１．１４”にしてい
るので、第７図に示す如く送信周波数を“ｌＧ６０．５
ＭＨ□”にし、さらに受信周波数を“１５３０ＭＨ２”
としたときにおけるＶＳＷＲ特性を向上させることがで
きる。
また上述した実施例においては、各絶縁基板６．１０間
を空間にしているが、第８図に示す如く各絶縁基板６．
１０間に誘電率εが“ｌＯ”程度の誘電板２１を挿入す
るようにして、第９図の特性曲線２４．２５に示す如＜
ＶＳＷＲ特性を向上させるようにしても良い。
を空間にしているが、第８図に示す如く各絶縁基板６．
１０間に誘電率εが“ｌＯ”程度の誘電板２１を挿入す
るようにして、第９図の特性曲線２４．２５に示す如＜
ＶＳＷＲ特性を向上させるようにしても良い。
そしてこのときの特性曲線２４．２５と、誘電板２１が
挿入されていないときの特性曲線２２．２３とを比較す
れば明らかなように、ｊ電板２１を挿入することによっ
てＶＳＷＲ特性を改善することができる。
挿入されていないときの特性曲線２２．２３とを比較す
れば明らかなように、ｊ電板２１を挿入することによっ
てＶＳＷＲ特性を改善することができる。
また上述した各実施例においては、給電点ＰいＰ２のオ
フセット角度θを“１０５度”にしているが、各給電点
Ｐ１．２２間のアイソレーションが所定値以下の点であ
れば、このオフセット角度θを他の値にするようにして
も良い。
フセット角度θを“１０５度”にしているが、各給電点
Ｐ１．２２間のアイソレーションが所定値以下の点であ
れば、このオフセット角度θを他の値にするようにして
も良い。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、アースピンの径を
太くしているので、励振素子と、無給電素子とがずれた
場合においても、ＶＳＷＲ特性が低下しないようにする
ことができるとともに、落雷などの事故が起こった場合
においても、アースピンが溶断しないようにすることが
できる。
太くしているので、励振素子と、無給電素子とがずれた
場合においても、ＶＳＷＲ特性が低下しないようにする
ことができるとともに、落雷などの事故が起こった場合
においても、アースピンが溶断しないようにすることが
できる。
第１図は本発明によるスタック型マイクロストリップア
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図、第３図は第１図に示す励振素子板の平面
図、第４図は同実施例の正面図、第５図は同実施例のア
イソレーション／オフセット角特性図、第６図は同実施
例のアイソレーション／アースビン径特性図、第７図は
同実施例のＶＳＷＲ／素子径比特性図、第８図は本発明
によるスタック型マイクロストリップアンテナの他の実
施例を示す正面図、第９図は第８図に示す実施例のＶＳ
ＷＲ／素子径比特性図、第１０図は従来からあるマイク
ロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第１１［Ｊ
は第１０１ｍに示すマイクロストリップアンテナの一部
裁断斜視図、第１２図は従来、提案されているスタック
型マイクロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第
１３図は第１２図に示すスタック型マイクロストリップ
アンテナの一部裁断斜視図、第１４図は第１２図および
第１３図に示すスタック型マイクロストリップアンテナ
の帯域幅／素子ｒｒ：１隔特性図、第１５図は第１２図
および第１３図に示すスタック型マイクロストリップア
ンテナのＶＳＷＲ／周波数特性図、第１６図は第１２図
および第１３図に示すスタック型マイクロストリップア
ンテナの問題点を説明するための正面図、第１７図は第
１２図および第１３図に示すスタック型マイクロストリ
ップアンテナの他の問題点を説明するための＃炭量であ
る。 ３・・・導体柱、又は導体パイプ（アースピン）、７・
・・励振素子、１１・・・無給電素子、２０・・・スタ
ック型マイクロストリップアンテナ、Ｐｏ、Ｐ２・・・
給電点。 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 ＼ Ｑ 帖 ９ 鴇 Ｎ
ヘｔ−１ 第８図 第９図 ■−一 ″“° １゜Ｓ １．ｉ４ 竪九第１０図 第１２図 第１３図 第１５図 第１ａ図
ンテナの一実施例を示す斜視図、第２図は同実施例の一
部裁断斜視図、第３図は第１図に示す励振素子板の平面
図、第４図は同実施例の正面図、第５図は同実施例のア
イソレーション／オフセット角特性図、第６図は同実施
例のアイソレーション／アースビン径特性図、第７図は
同実施例のＶＳＷＲ／素子径比特性図、第８図は本発明
によるスタック型マイクロストリップアンテナの他の実
施例を示す正面図、第９図は第８図に示す実施例のＶＳ
ＷＲ／素子径比特性図、第１０図は従来からあるマイク
ロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第１１［Ｊ
は第１０１ｍに示すマイクロストリップアンテナの一部
裁断斜視図、第１２図は従来、提案されているスタック
型マイクロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第
１３図は第１２図に示すスタック型マイクロストリップ
アンテナの一部裁断斜視図、第１４図は第１２図および
第１３図に示すスタック型マイクロストリップアンテナ
の帯域幅／素子ｒｒ：１隔特性図、第１５図は第１２図
および第１３図に示すスタック型マイクロストリップア
ンテナのＶＳＷＲ／周波数特性図、第１６図は第１２図
および第１３図に示すスタック型マイクロストリップア
ンテナの問題点を説明するための正面図、第１７図は第
１２図および第１３図に示すスタック型マイクロストリ
ップアンテナの他の問題点を説明するための＃炭量であ
る。 ３・・・導体柱、又は導体パイプ（アースピン）、７・
・・励振素子、１１・・・無給電素子、２０・・・スタ
ック型マイクロストリップアンテナ、Ｐｏ、Ｐ２・・・
給電点。 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 ＼ Ｑ 帖 ９ 鴇 Ｎ
ヘｔ−１ 第８図 第９図 ■−一 ″“° １゜Ｓ １．ｉ４ 竪九第１０図 第１２図 第１３図 第１５図 第１ａ図
Claims (2)
- （１）円形の無給電素子と、円形の励振素子と、グラン
ド面とが所定間隔で順次積層されたスタック型マイクロ
ストリップアンテナにおいて、前記無給電素子と、励振
素子との夫々の中心部を導体柱又は導体パイプによって
接続したことを特徴とするスタック型マイクロストリッ
プアンテナ。 - （２）前記導体柱又は導体パイプを電気的に接地したこ
とを特徴とする（１）項記載のスタック型マイクロスト
リップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114452A JP3012241B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114452A JP3012241B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01284105A true JPH01284105A (ja) | 1989-11-15 |
| JP3012241B2 JP3012241B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=14638083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63114452A Expired - Fee Related JP3012241B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012241B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1051227A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Nec Corp | 平面アンテナ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285502A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-12-11 | ボ−ル、コ−パレイシヤン | 広帯域マイクロストリツプ・アンテナ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2939558B2 (ja) | 1988-05-11 | 1999-08-25 | 東洋通信機株式会社 | スタック型マイクロストリップアンテナ |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63114452A patent/JP3012241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285502A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-12-11 | ボ−ル、コ−パレイシヤン | 広帯域マイクロストリツプ・アンテナ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1051227A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Nec Corp | 平面アンテナ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3012241B2 (ja) | 2000-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0323664B1 (en) | Coplanar patch antenna | |
| US5703601A (en) | Double layer circularly polarized antenna with single feed | |
| KR100207600B1 (ko) | 공진기 부착형 마이크로스트립 다이폴 안테나 어레이 | |
| US5945959A (en) | Surface mounting antenna having a dielectric base and a radiating conductor film | |
| US6211840B1 (en) | Crossed-drooping bent dipole antenna | |
| EP0105103B1 (en) | Microstrip antenna system having nonconductively coupled feedline | |
| US6310584B1 (en) | Low profile high polarization purity dual-polarized antennas | |
| EP0449492B1 (en) | Patch antenna with polarization uniformity control | |
| US6329950B1 (en) | Planar antenna comprising two joined conducting regions with coax | |
| KR20010085728A (ko) | 안테나 및 그 제조 방법 | |
| JP4364439B2 (ja) | アンテナ | |
| EP1608038B1 (en) | Quadrifilar helix antenna | |
| US20040201525A1 (en) | Antenna arrays and methods of making the same | |
| JP4073130B2 (ja) | クロスダイポールアンテナ | |
| EP0740362B1 (en) | High gain broadband planar antenna | |
| US5969687A (en) | Double-delta turnstile antenna | |
| CN114144939A (zh) | 圆极化天线阵列 | |
| JPH07303005A (ja) | 車両用アンテナ装置 | |
| JP2793413B2 (ja) | スロットアンテナ | |
| US5777584A (en) | Planar antenna | |
| JP3804878B2 (ja) | 偏波共用アンテナ | |
| JP2000031732A (ja) | 偏波共用アンテナ | |
| JPH01284105A (ja) | スタック型マイクロストリップアンテナ | |
| TWI836991B (zh) | 天線結構及天線陣列 | |
| JP3189809B2 (ja) | パッチアンテナおよびその特性調整方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |