JPH01285037A - 光メモリ素子用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームにより情報の記録、再生、若しくは
、消去を行うようにした光メモリ素子の製造方法に係り
、詳しくは、光メモリ素子のガイドトラックとなる案内
溝およびガイド番地となるピントを所望の深さに形成す
るための光メモリ素子用基板の製造方法に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

光メモリ素子は大容量のメモリ素子として、年々その必
要性が高まっている。光メモリ素子はその使用形態によ
り、再生専用メモリ、追加記録可能メモリ、および書き
換え可能メモリの３種に分類することができる。このう
ち、追加記録可能メモリ、および書き換え可能メモリと
して使用される光メモリ素子には、情報の記録、再生、
および消去を行う光ビームを光メモリ素子上の所定の位
置に案内するために、ガラスや透明樹脂の基板上にガイ
ドトラック、並びに、このガイドトラックが何番目のト
ラックであるかを識別するためのガイド番地などが予め
形成されている。

基板上にガイドトラックを形成する方法としては、例え
ば、第４図に示すように、基板１１上に案内溝１２・・
・を形成し、隣合う案内溝１２・１２に挟まれた部位を
ガイドトラック１３とする方法がある。このようなガイ
ドトラック１３の形成された光メモリ素子用基板におい
ては、上記のガイド番地などは上記ガイドトラック１３
上にピット１４・・・の形で形成される。また、他の例
として、第５図に示すように、基板１１上に形成された
案内溝１２自身をガイドトラック１３とする方法がある
。この場合、上記のガイド番地などは、案内溝１２の途
切れ部位において案内溝１２の延長線上にピット１４・
・・の形で形成されている。

ところで、案内溝１２についてはトラッキングサーボの
誤差信号出力が最大となるように、上記案内溝１２の深
さは通常はぼλ／　８　ｎに、一方、ピット１４につい
ては再生信号出力が最大となるように、ピット１４の深
さは通常はぼλ／　４　ｎにそれぞれ設定することが望
ましい。なお、上記の記号λは使用するレーザ光などの
波長を示し、上記の記号ｎはレーザ光などを透過させる
基板の屈折率を示している。

従来の光メモリ素子用基板の製造方法としては、例えば
、第６図に示すように、案内溝形成用凸部およびピット
形成用凸部が各々所定の高さで予め形成されているＮｉ
スタンバ１５を用い、射出成形法、或いは、キャスティ
ング法により、ポリカーボネイトやアクリルなどの樹脂
基板１６に直接に凹凸を転写してガイドトラックおよび
ガイド番地を形成する方法がある。また、第７図に示す
ように、案内溝形成用凸部およびビ・シト形成用凸部が
各々所定の高さで予め形成されているＮｉスタンバ１５
と、ガラスやアクリル樹脂などの基板１７との間に、紫
外線硬化樹脂１８を充填し、この紫外線硬化樹脂１８に
凹凸を転写してガイドトランクおよびガイド番地を形成
する方法などが提案されている。

しかし、いずれの方法も、酸素や水分の透過し易い樹脂
を使用しているため、外気中の酸素や水分および樹脂中
に含まれている酸素や水分が記録媒体に浸透しがちにな
り、記録媒体の品質劣化を早めるという欠点を有してい
る。

そこで、酸素や水分の透過し難いガラス基板上にフォト
レジストを塗布し、このフォトレジストに対してレニザ
光や紫外線光をフォトマスクを介して選択的に照射して
案内溝やピントに対応するレジストパターンを形成し、
次いで、このレジストパターンの被覆されている状態に
おいて１回のエツチングを施して案内溝およびピットを
一度に形成する方法が提案されている。この方法により
製造された光メモリ素子は、記録媒体とガラス基板との
間に樹脂層が介在されていない構造となるから、光メモ
リ素子の耐久性および信頼性は格段に向上されることに
なる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来の方法では、案内溝およびピットを
、前述のように、各々最適の深さで形成することは困難
である。すなわち、１回のエツチングで案内溝およびピ
ットを同時に形成するから、案内溝の深さとピットの深
さとが同じになってしまうのである。このため、ガイド
トラックおよびガイド番地から得られる各信号の品質が
低下してしまうという問題を招来していた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明にかかる光メモリ素子用基板の製造方法は、上記
の課題を解決するために、ガラス基板上に塗布されたレ
ジスト膜に光を選択的に照射して露光した後にこれを現
像してガイドトラックとなる案内溝およびガイド番地と
なるピットに対応したパターンを有するレジストパター
ンを形成し、次いで、上記案内溝の形成部位に対しては
１回のエツチングを施す一方、前記ピットの形成部位に
対しては２回のエツチングを施して互いに深さの異なる
案内溝およびピットを形成することを特徴としている。

〔作　用〕

上記の構成によれば、ガイド番地となるピットの深さを
ガイドトラックとなる案内溝の深さよりも深く形成する
ことができる。すなわち、上記案内溝の形成部位に対し
ては１回のエツチングを施す一方、前記ピントの形成部
位に対しては２回のエツチングを施すので、上記の案内
溝についてはトラッキングサーボの誤差信号出力が最大
となるようにその深さをほぼλ／　８　ｎに、一方、ピ
ットについては再生信号出力が最大となるようにその深
さをほぼλ／４ｎにそれぞれ設定することができる。勿
論、酸素や水分の透過し難いガラス基板を用いるので、
光メモリ素子の耐久性および信頼性の向上も図ることが
できる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。

光メモリ素子用基板を製造するには、第１図（ａ）に示
すように、酸素や水分の透過し難い洗浄済みのガラス基
板１上にフォトレジスト膜２を塗布する。次に、同図（
ｂ）に示すように、Ａｒレーザ光などの光ビームを対物
レンズ３を介して上記のフォトレジスト膜２上に選択的
に、すなわち、ガイドトラックとなる案内溝およびガイ
ド番地となるピットに対応したパターンをなすように照
射して露光を行う。そして、このフォトレジスト膜２を
現像し、同図（ｃ）に示すように、ガイドトラックとな
る案内溝およびガイド番地となるピットに対応したパタ
ーンを有するレジストパターン２′を形成する。次に、
同図（ｄ）に示すように、ガイド番地となるピットの形
成部位４以外をマスク５で覆った状態で、ＣＦ、やＣＨ
Ｆｆｆなどのエツチングガス中において、リアクティブ
イオンエツチング（Ｒ，１，Ｅ）を一定時間だけ行い、
上記ガラス基板１上であって上記のビット形成部位４に
、最終的に必要な深さには達していない一定深さの未完
成状態のピット６′・・・を形成する。

次いで、上記のマスク５を取り外し、且つ、同図（ｅ）
に示すように、前記のレジストパターン２′の被覆され
ている状態で、リアクティブイオンエツチングを更に一
定時間だけ行う。これにより、未完成状態のピット６′
・・・は更にエツチングされて必要深さを有する完成し
たピット６・・・になるとともに、ガイドトラックとな
る案内溝の形成部位には、必要深さを有する案内溝７・
・・が形成されることになる。次に、上記のレジストパ
ターン２′を、アセトンなどの？８媒、若しくは、０□
中でのスパッタリング（灰化）などで除去することによ
り、同図（ｆ）に示すように、光メモリ素子用基板８が
得られる。

以上のように、本発明の光メモリ素子用基板の製造方法
によれば、ガイド番地となるピット６・・・の深さをガ
イドトラックとなる案内溝７・・・の深さよりも深く形
成することができる。すなわち、上記案内溝の形成部位
に対しては１回のエツチングを施す一方、前記ピットの
形成部位４に対しては２回のエツチングを施すので、上
記の案内溝７・・・についてはトラッキングサーボの誤
差信号出力が最大となるようにその深さをほぼλ／　８
　ｎに、−方、ピット６・・・については再生信号出力
が最大となるようにその深さをほぼλ／　４　ｎにそれ
ぞれ設定することができる。案内溝７の深さをλ／８ｎ
に、ピット６・・・の深さをλ／　４　ｎに設定するに
は、１回目および２回目のエツチングにおいて、それぞ
れλ／　８　ｎの深さだけエツチングを行えば良いこと
になる。

なお、本実施例では、ピットの形成部位４に対するエツ
チング〔第１図（ｄ）参照〕を行った後で、このピット
の形成部位４および案内溝の形成部位の双方に対するエ
ツチング〔第１図（ｅ）参照〕を行ったが、これとは逆
に、ピットの形成部位４および案内溝の形成部位の双方
に対するエツチングを行った後で、上記のピットの形成
部位４に対してエツチングを更にもう１回行うようにし
ても良いものである。

また、ガラス基板１上に形成された案内溝７・・・自身
をガイドトラックとし、ガイド番地などは、案内溝７の
途切れ部位において案内溝７の延長線上にピット６・・
・の形で形成するタイプの光メモリ素子基板を製造する
場合には、前記のマスク５として、第２図に示すように
、ピット形成部位に対応した箇所にエツチング液通過窓
５ａの形成されているものを用い、このマスク５をレジ
ストパターン２′上に重ね置いてピット形成部位のみを
露出させた状態でエツチングを行えば良い。

また、前記のレジストパターン２′の形成方法は、前記
の第１図（ｂ）に示した方法に限定されないことは勿論
である。例えば、第３図に示すように、ガイドトランク
となる案内溝およびガイド番地となるピットのそれぞれ
に対応した光透過パターンを有するマスク９をフォトレ
ジスト膜２上に重ね置き、上記マスク９を介して紫外線
などの光をフォトレジスト膜２上に照射して露光した後
にこれを現像することによってレジストパターン２′を
形成しても良いものである。

〔発明の効果〕

本発明にかかる光メモリ素子用基板の製造方法は、以上
のように、ガラス基板上に塗布されたレジスト膜に光を
選択的に照射して露光した後にこれを現像してガイドト
ランクとなる案内溝およびガイド番地となるピットに対
応したパターンを有するレジストパターンを形成し、次
いで、上記案内溝の形成部位に対しては１回のエツチン
グを施す一方、前記ピットの形成部位に対しては２回の
エツチングを施して互いに深さの異なる案内溝およびピ
ットを形成する構成である。

これにより、上記の案内溝についてはトラッキングサー
ボの誤差信号出力が最大となるようにその深さをほぼλ
／　８　ｎに、一方、ピットについては再生信号出力が
最大となるようにその深さをほぼλ／　４　ｎにそれぞ
れ設定でき、上記の案内溝およびピットにて得られる各
信号の品質の向上を図ることができる。その上、酸素や
水分の透過し難いガラス基板を用いるので、光メモリ素
子の耐久性および信頼性の向上が図れるという効果も併
せて奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図（ａ）ないしくｆ）はそれぞれ光メモリ素
子用基板の製造の各段階を示す断面図、第２図はマスク
の一例を示す斜視図、第３図はレジストパターン形成の
変形例を示す断面図、第４図および第５図はそれぞれ基
板上に形成された案内溝およびピットを示す説明図、第
６図および第７図はそれぞれ従来の光メモリ素子用基板
の製造方法を示す断面図である。 １はガラス基板、２はフォトレジスト膜、２′はレジス
トパターン、４はピット形成部位、５はマスク、６はピ
ント、６′は未完成状態のピット、７は案内溝、８は光
メモリ素子用基板である。 特許出願人　　　　　シャープ　株式会社１１　　図（
ａ　） 邦　１　　ｆ：ｍ（ｂ） 第１　図（Ｃ） Ｉｌｌ　　図（ｄ） 第１図（ｅ） 第　１　図（ｆ） 第５図 第　６　ズ 第　７２！

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ガラス基板上に塗布されたレジスト膜に光を選択的
   に照射して露光した後にこれを現像してガイドトラック
   となる案内溝およびガイド番地となるピットに対応した
   パターンを有するレジストパターンを形成し、次いで、
   上記案内溝の形成部位に対しては１回のエッチングを施
   す一方、前記ピットの形成部位に対しては２回のエッチ
   ングを施して互いに深さの異なる案内溝およびピットを
   形成することを特徴とする光メモリ素子用基板の製造方
   法。