JPH0479044A - 光情報記録担体の製造方法 - Google Patents
光情報記録担体の製造方法Info
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- JPH0479044A JPH0479044A JP19322290A JP19322290A JPH0479044A JP H0479044 A JPH0479044 A JP H0479044A JP 19322290 A JP19322290 A JP 19322290A JP 19322290 A JP19322290 A JP 19322290A JP H0479044 A JPH0479044 A JP H0479044A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- depth
- grooves
- information recording
- glass substrate
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明はレーザーのような光によって情報の記録・消
去読出しなどを行う事の可能な光記録担体に関するもの
である。
去読出しなどを行う事の可能な光記録担体に関するもの
である。
（ロ）従来の技術と発明が解決しようとする課題従来の
ダイレクトグルーブ方式によってガラス基板に直接ビッ
トやグルーブを形成する方法では、第３図７こ示すよう
にガラス基板２に形成したレノストｌに（第３図（ａ）
）、透明部分４ａ、４ｂと非透明部分５とからなるフォ
トマスク３を用いて、パターンを露光で転写しく第３図
（ｂ））、現像した後（第３図（ｃ））、エツチングに
よりピットやグルーブ等を形成していた（第３図（ｄ）
）。従って、１枚のガラス基板におけるピットやグルー
ブの深さは単一の値を取らざるを得なかった。
ダイレクトグルーブ方式によってガラス基板に直接ビッ
トやグルーブを形成する方法では、第３図７こ示すよう
にガラス基板２に形成したレノストｌに（第３図（ａ）
）、透明部分４ａ、４ｂと非透明部分５とからなるフォ
トマスク３を用いて、パターンを露光で転写しく第３図
（ｂ））、現像した後（第３図（ｃ））、エツチングに
よりピットやグルーブ等を形成していた（第３図（ｄ）
）。従って、１枚のガラス基板におけるピットやグルー
ブの深さは単一の値を取らざるを得なかった。
一方、露光で用いるフォトマスク３は微視的には第４図
に示すように透明部分４ａ、４ｂと、金属膜等で被われ
１こ非透明部分５とで構成されている。また、巨視的に
は、第５図に示す様にグルーブとアドレスマーク等を示
すピット等を含む領域７とグルーブしか存在しない領域
８という構成になっている。
に示すように透明部分４ａ、４ｂと、金属膜等で被われ
１こ非透明部分５とで構成されている。また、巨視的に
は、第５図に示す様にグルーブとアドレスマーク等を示
すピット等を含む領域７とグルーブしか存在しない領域
８という構成になっている。
これらのフォトマスクを用いて作製されたダイレクトグ
ルーブ方式ガラス基板では、ピット及びグルーブ（案内
溝）は、一種類の深さに限られる為に、いわゆるＩデプ
ス（ｄｅｐｔｈ）方式となり、光ピツクアップで読み取
っｆ二時の再生信号特性（Ｒｅａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅ
ｒｉｓｔｉｃｓ）の得られる範囲か非常に狭い。
ルーブ方式ガラス基板では、ピット及びグルーブ（案内
溝）は、一種類の深さに限られる為に、いわゆるＩデプ
ス（ｄｅｐｔｈ）方式となり、光ピツクアップで読み取
っｆ二時の再生信号特性（Ｒｅａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅ
ｒｉｓｔｉｃｓ）の得られる範囲か非常に狭い。
ＩＳＯ／ＩＥＣ規格の７１３０ｍ、ｊｒｅｗｒｉｔａｂ
ｌｅ ｏｐｔｉｃａｌｄｉｓｋ ｃａｒｔｒｉｄｇｅｓ
ｆｏｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｉｎｔｅｒｃｈａ
ｎｇｅ−ＤＩＳ １００ｇ９のＰ、５２１７．１．２７
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆｐｒｅ−ｒｅ
ｃｏｒｄｅｄ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｊによれば、Ｉ
ｔｏｐ／Ｉ。
ｌｅ ｏｐｔｉｃａｌｄｉｓｋ ｃａｒｔｒｉｄｇｅｓ
ｆｏｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｉｎｔｅｒｃｈａ
ｎｇｅ−ＤＩＳ １００ｇ９のＰ、５２１７．１．２７
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆｐｒｅ−ｒｅ
ｃｏｒｄｅｄ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｊによれば、Ｉ
ｔｏｐ／Ｉ。
≧０．７０ １ｓｍ／ｌｏ≧０．５０．１ｖＦｏ／！ｏ
≧０．２５ ０．６５≧Ｉ＋−１２１／ｌｏ≧０．４０
．０．６０≧ｉ ＋、＋ １２１７Ｉｏ≧０．２０とな
っており、これらを満足する為には、グルーブ幅０．４
ａｍ＝ ０．１ｕｍ、グルーブ深さ９２ ｎｍ＝５ ｎ
ｍ（λ／６ｎ±５．５％）の範囲で幅と深さを制御せね
ばならず、プロセス上非常に厳しく、製造上の歩留りを
下げる要因となってい１こ。又、媒体の互換性の観点か
らみても異なるピンクアップで上記特性を全て満足する
事は、非常に困難である。特にピックアップの偏光特性
（溝に対して垂直か平行か）の異なるものの間での互換
性を確保する事は不可能に近い。また、プラスチック（
ポリカーボネート、 ＰＭＭＡ、 ＡＰＯ等）基板又は
、２Ｐ法基板（ガラスエポキン等）では、スタンバの形
状をそのまま転写できる為マスター原盤のカッティング
時レーザーパワーをグルーブとピントとで変える事Ｉこ
より、基板におけるグルーブ深さとビットＮ８を自由に
コントロールできる。その為、前述のＩＳＯ規格のＲｅ
ａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓを満足するグル
ーブ幅及びグルーブ深さビット深さの範囲がかなり広が
る。
≧０．２５ ０．６５≧Ｉ＋−１２１／ｌｏ≧０．４０
．０．６０≧ｉ ＋、＋ １２１７Ｉｏ≧０．２０とな
っており、これらを満足する為には、グルーブ幅０．４
ａｍ＝ ０．１ｕｍ、グルーブ深さ９２ ｎｍ＝５ ｎ
ｍ（λ／６ｎ±５．５％）の範囲で幅と深さを制御せね
ばならず、プロセス上非常に厳しく、製造上の歩留りを
下げる要因となってい１こ。又、媒体の互換性の観点か
らみても異なるピンクアップで上記特性を全て満足する
事は、非常に困難である。特にピックアップの偏光特性
（溝に対して垂直か平行か）の異なるものの間での互換
性を確保する事は不可能に近い。また、プラスチック（
ポリカーボネート、 ＰＭＭＡ、 ＡＰＯ等）基板又は
、２Ｐ法基板（ガラスエポキン等）では、スタンバの形
状をそのまま転写できる為マスター原盤のカッティング
時レーザーパワーをグルーブとピントとで変える事Ｉこ
より、基板におけるグルーブ深さとビットＮ８を自由に
コントロールできる。その為、前述のＩＳＯ規格のＲｅ
ａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓを満足するグル
ーブ幅及びグルーブ深さビット深さの範囲がかなり広が
る。
例えば、グルーブ幅 ０．４μｍ＝０２μｍグルーブ
深：ｇ ７０ｎｍ＝２５ｎｍ（λ／４ｎ＝３６％） ビットｉ ｅ’ １３８ｍｍ＝ ５０ｎｍ（λ／
４ｎ＝３６％） となり、ｌ ｄｅｐｔｈ方式に比べて幅で２倍、深さで
５倍以上の許容範囲を持つ。それと同時に各種ピックア
ップに対する互換性をもたせることも容易であった。
深：ｇ ７０ｎｍ＝２５ｎｍ（λ／４ｎ＝３６％） ビットｉ ｅ’ １３８ｍｍ＝ ５０ｎｍ（λ／
４ｎ＝３６％） となり、ｌ ｄｅｐｔｈ方式に比べて幅で２倍、深さで
５倍以上の許容範囲を持つ。それと同時に各種ピックア
ップに対する互換性をもたせることも容易であった。
しかしこれらの基板は全て樹脂を用いている為、ダイレ
クトグルーブ方式ガラス基板と比べて温度変化に対する
安定性や、長期間信頼性に問題かあっに。
クトグルーブ方式ガラス基板と比べて温度変化に対する
安定性や、長期間信頼性に問題かあっに。
このように、従来の光記録用基板では、信頼性は高いが
、Ｒｅａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓに対する
許容範囲が狭いか又は、Ｒｅａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒ
ｉｓｔｉｃｓに対する許容範囲か広いが、信頼性が劣る
基板しか得られないという問題かあった。
、Ｒｅａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓに対する
許容範囲が狭いか又は、Ｒｅａｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒ
ｉｓｔｉｃｓに対する許容範囲か広いが、信頼性が劣る
基板しか得られないという問題かあった。
この発明はこのような事情を考！してなされｒ二らので
、再生信号特性に対する許容範囲が広く、しかも、信頼
性の高い光情報記録担体を提供するものである。
、再生信号特性に対する許容範囲が広く、しかも、信頼
性の高い光情報記録担体を提供するものである。
（ハ）課題を解決するための手段
この発明は、ガラス基板を直接エツチング処理してビッ
トやグルーブを形成するダイレクトグルーブ方式の光情
報記録担体の製造方法において、ガラス基板上にレノス
ト膜を一様に形成し、光透過部分の光透過率が異なるフ
ォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光した後、現像
処理を行い、次にそのレジスト膜を介してエツチング処
理を行うことによって、前記ガラス基板上に形成される
ビットやグルーブの深さを任意に制御することを特徴と
する光情報記録担体の製造方法である。
トやグルーブを形成するダイレクトグルーブ方式の光情
報記録担体の製造方法において、ガラス基板上にレノス
ト膜を一様に形成し、光透過部分の光透過率が異なるフ
ォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光した後、現像
処理を行い、次にそのレジスト膜を介してエツチング処
理を行うことによって、前記ガラス基板上に形成される
ビットやグルーブの深さを任意に制御することを特徴と
する光情報記録担体の製造方法である。
（ニ）作用
この発明は、ダイレクトグルーブ方式ガラス基板におい
てグルーブ領域とピット領域とで深さか異なるようにす
る事により、高信頼性及びＲｅａｄＣｈａｒａｃｔｅｒ
ｉｓｔｉｃｓに対する許容範囲の広い事を特徴とする光
情報記録担体の製造方法である。
てグルーブ領域とピット領域とで深さか異なるようにす
る事により、高信頼性及びＲｅａｄＣｈａｒａｃｔｅｒ
ｉｓｔｉｃｓに対する許容範囲の広い事を特徴とする光
情報記録担体の製造方法である。
すなわち、本発明の光情報記録担体は、露光に用いるフ
ォトマスクの製造方法において、本来２ｄｅｐｔｈにす
る為には、プラスチック基板のスタンバ作製の如くグル
ーブの深さとビットの深さを変える方法を取るべきであ
るが、スタンバ作製時の様にグルーブとビットのカッテ
ィングレーザーパワーを変えるだけではフォトマスクに
おいては、グルーブ及びビットの幅が変わるたけて深さ
は同一になってしまう。
ォトマスクの製造方法において、本来２ｄｅｐｔｈにす
る為には、プラスチック基板のスタンバ作製の如くグル
ーブの深さとビットの深さを変える方法を取るべきであ
るが、スタンバ作製時の様にグルーブとビットのカッテ
ィングレーザーパワーを変えるだけではフォトマスクに
おいては、グルーブ及びビットの幅が変わるたけて深さ
は同一になってしまう。
よってグルーブをビットより浅くしようとすると、グル
ーブの光線透過率をビットの光線透過率より小さくしな
ければならない。しかし、グルーブとピットで透過率を
変えようとすると、狭いピッチの中で極微細パターン合
わせを行なわねばならず現実的には不可能である。
ーブの光線透過率をビットの光線透過率より小さくしな
ければならない。しかし、グルーブとピットで透過率を
変えようとすると、狭いピッチの中で極微細パターン合
わせを行なわねばならず現実的には不可能である。
従って、グルーブのみの領域の深さを、ピットとグルー
ブの領域の深さより浅くする為にグルーブのみの領域の
みマスクの光線透過率を他の部分より低くする方法をと
れば、微細なパターン合せをする事なく、２ ｄｅｐｔ
ｈ方式のダイレクトグルーブ方式ガラス基板の作製が可
能となる。
ブの領域の深さより浅くする為にグルーブのみの領域の
みマスクの光線透過率を他の部分より低くする方法をと
れば、微細なパターン合せをする事なく、２ ｄｅｐｔ
ｈ方式のダイレクトグルーブ方式ガラス基板の作製が可
能となる。
従って、上記の方法により作製ぎワｆコマスクを用いて
露光され１ニダイレクトグル一プ方式カラス基板では、
グルーブのみの領域はピットとグルーブを含む領域より
深さを浅くてき、それにより高信頼性を持つダイレクト
グルーブ方式ガラス基板に、互換性を含む良好？ｊＲｅ
ａｄ Ｃｈａｒａｔｅｒｉｓｔｉｃｓを持１こせること
がてきる。
露光され１ニダイレクトグル一プ方式カラス基板では、
グルーブのみの領域はピットとグルーブを含む領域より
深さを浅くてき、それにより高信頼性を持つダイレクト
グルーブ方式ガラス基板に、互換性を含む良好？ｊＲｅ
ａｄ Ｃｈａｒａｔｅｒｉｓｔｉｃｓを持１こせること
がてきる。
（ホ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。これによってこの発明か限定されるものではない。
。これによってこの発明か限定されるものではない。
ます、フォトマスクの作製方法を第１図（ａ）〜第１図
（ｆ）を用いて説明する。
（ｆ）を用いて説明する。
第１図（ａ）に示すように、マスク用ガラス基板９上に
厚さ１０００人程度以下ｒ、Ｔａ又はＴｉ等の金属膜１
０をスパッタ法にて形成する。
厚さ１０００人程度以下ｒ、Ｔａ又はＴｉ等の金属膜１
０をスパッタ法にて形成する。
その上に第１図（ｂ）に示すように、レジストを塗布し
てレジスト膜ｔｌを形成する。
てレジスト膜ｔｌを形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、レーザーカッテング
法によりグルーブおよびピットに対応する部分をカッテ
ィング露光する。
法によりグルーブおよびピットに対応する部分をカッテ
ィング露光する。
次に、第１図（ｄ）のように、現像しに後、トライエッ
チ法によりパターン通りに金属膜１０を除去する。
チ法によりパターン通りに金属膜１０を除去する。
次に、第１図（ｅ）のように、再度レジストを塗布し、
ピットとグルーブの存在する部分以外を露光、現像し、
レノスト１１がピットとグルーブの存在する部分のみに
残る様にする。この時、パターン合せは±２００μｍ程
度の精度で良い。その上に厚さ約１００人の金属膜１３
をスパッタ法にて形成する。その金属膜は半透明であり
、露光波長（λ＝３６０〜４４０ｎｍ）での透過率は３
５％程度である。
ピットとグルーブの存在する部分以外を露光、現像し、
レノスト１１がピットとグルーブの存在する部分のみに
残る様にする。この時、パターン合せは±２００μｍ程
度の精度で良い。その上に厚さ約１００人の金属膜１３
をスパッタ法にて形成する。その金属膜は半透明であり
、露光波長（λ＝３６０〜４４０ｎｍ）での透過率は３
５％程度である。
なお、この半透明金属膜には、通常、Ｔａ、Ｎｉ。
Ｃｒ等の金属膜を用いるが、場合によっては、Ｓ ｉＮ
、ＡＩＮ、５１０ｘ、Ａｌ２Ｏ８，ＴｊＮ等の誘電体膜
や、ＰＶＣ（ポリヒニルカルバゾール）等の有機薄膜を
用いてもよい。
、ＡＩＮ、５１０ｘ、Ａｌ２Ｏ８，ＴｊＮ等の誘電体膜
や、ＰＶＣ（ポリヒニルカルバゾール）等の有機薄膜を
用いてもよい。
次に、光デイスク基板の作製方法を第２図（ａ）〜第２
図（ｃ）を用いて説明する。
図（ｃ）を用いて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、光デイスク用ガラス
基板２２上にポルシスト２１を２０００人の厚さに塗布
する。
基板２２上にポルシスト２１を２０００人の厚さに塗布
する。
次に、その上に第１図の工程で作製し１こフォトマスク
を設置し、Ｈｇランプ（４０ｍｌｉ／ ｃ＋ｎ２）にて
２．８秒露光し、現像した時、フォトマスクの透明部分
に対応するレジスト２７は完全に除去され、透過率（λ
＝３６０〜４４０ｎｍ） ３５％の半透明部分に対応す
るレジストは１０００人の厚さたけ残る（第２図（ｂ）
参照）。
を設置し、Ｈｇランプ（４０ｍｌｉ／ ｃ＋ｎ２）にて
２．８秒露光し、現像した時、フォトマスクの透明部分
に対応するレジスト２７は完全に除去され、透過率（λ
＝３６０〜４４０ｎｍ） ３５％の半透明部分に対応す
るレジストは１０００人の厚さたけ残る（第２図（ｂ）
参照）。
次に、これをドライエッチ処理することにより、フォト
マスクの透明部分対応するピットとグルーブの深さを１
３００人に削った時、半透明部分に対応するグルーブの
深さは６５０人の深さとなる。
マスクの透明部分対応するピットとグルーブの深さを１
３００人に削った時、半透明部分に対応するグルーブの
深さは６５０人の深さとなる。
（へ）発明の効果
この発明によれば、グルーブとピットの深さの異なるダ
イレクトグルーブ方式ガラス基板の作製が可能となり、
高信頼性でかつ互換性を持つ光情報記憶担体が実現でき
る。
イレクトグルーブ方式ガラス基板の作製が可能となり、
高信頼性でかつ互換性を持つ光情報記憶担体が実現でき
る。
第１図（ａ）〜第１図（ｆ）はこの発明の一実施例にお
けるフォトマスク製造方法の工程図、第２図（ａ）〜第
２図（ｃ）はこの発明の一実施例における光デイスク基
板製造方法の工程図、第３図（ａ）〜第３図（ｄ）は従
来例の製造方法を示す工程図、第４図はフォトマスクの
要部拡大図、第５図はフォトマスクの上面図である。 ９・・・・・・フォトマスク用ガラス基板、１０・・・
・・・金属膜、１１・・・・・・レジスト膜、１３・・
・・・・半透明金属膜、２１・・・・ポジレノスト、２
２・・・・・・光デイスク用ガラス基板。 代理人 弁理士 野 河 信太部 笥 閃 撃 閏 第 閃 （Ｃ）「ニア＝工］ト２２ 笥 号 竿
けるフォトマスク製造方法の工程図、第２図（ａ）〜第
２図（ｃ）はこの発明の一実施例における光デイスク基
板製造方法の工程図、第３図（ａ）〜第３図（ｄ）は従
来例の製造方法を示す工程図、第４図はフォトマスクの
要部拡大図、第５図はフォトマスクの上面図である。 ９・・・・・・フォトマスク用ガラス基板、１０・・・
・・・金属膜、１１・・・・・・レジスト膜、１３・・
・・・・半透明金属膜、２１・・・・ポジレノスト、２
２・・・・・・光デイスク用ガラス基板。 代理人 弁理士 野 河 信太部 笥 閃 撃 閏 第 閃 （Ｃ）「ニア＝工］ト２２ 笥 号 竿
Claims (1)
- １、ガラス基板を直接エッチング処理してピットやグル
ーブを形成するダイレクトグルーブ方式の光情報記録担
体の製造方法において、ガラス基板上にレジスト膜を一
様に形成し、光透過部分の光透過率が異なるフォトマス
クを用いて前記レジスト膜を露光した後、現像処理を行
い、次にそのレジスト膜を介してエッチング処理を行う
ことによって、前記ガラス基板上に形成されるピットや
グルーブの深さを任意に制御することを特徴とする光情
報記録担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19322290A JPH0479044A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 光情報記録担体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19322290A JPH0479044A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 光情報記録担体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479044A true JPH0479044A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16304348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19322290A Pending JPH0479044A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 光情報記録担体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259813A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-09-16 | Samsung Electron Co Ltd | 再生専用光ディスクの製造方法とその製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01285038A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH01285037A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Sharp Corp | 光メモリ素子用基板の製造方法 |
| JPH01317240A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Hitachi Ltd | 情報媒体用ホトマスクおよびその製造法ならびにそれを用いて作製した基板 |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19322290A patent/JPH0479044A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01285038A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH01285037A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Sharp Corp | 光メモリ素子用基板の製造方法 |
| JPH01317240A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Hitachi Ltd | 情報媒体用ホトマスクおよびその製造法ならびにそれを用いて作製した基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259813A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-09-16 | Samsung Electron Co Ltd | 再生専用光ディスクの製造方法とその製造装置 |
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