JPH0128587Y2 - - Google Patents
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- JPH0128587Y2 JPH0128587Y2 JP19596182U JP19596182U JPH0128587Y2 JP H0128587 Y2 JPH0128587 Y2 JP H0128587Y2 JP 19596182 U JP19596182 U JP 19596182U JP 19596182 U JP19596182 U JP 19596182U JP H0128587 Y2 JPH0128587 Y2 JP H0128587Y2
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Landscapes
- Insulated Conductors (AREA)
Description
本考案は、撚線導体の素線間にゴムまたはプラ
スチツクなどの水密コンパウンドを充填した水密
導体を用いてなる水密絶縁電線に関するものであ
る。 水密導体を用いた絶縁電線においては、近年、
作業性などの点で優れていることから、ゴム、プ
ラスチツク系の水密コンパウンドを使用した所謂
ドライタイプの水密絶縁電線が増えてきている。 このドライタイプの水密コンパウンドとして用
いられている材料としては、その水密性を確保す
るにおいて、導体および絶縁体の両者に対して良
好な密着性を有することが必要とされ、この点を
考慮すると、例えば、エチレンビニルアセテート
共重合体(EVA)、エチレンエチルアクリレート
共重合体(EEA)、エチレンプロピレンゴム、ス
チレンブタジエンゴム、ブチルゴム、天然ゴム、
塩素化ポリエチレン、クロルスルホン化ポリエチ
レンあどあるいはこれらのブレンド物が使用され
ている。 そして、このような材料よりなる水密コンパウ
ンドを撚線導体間の空隙部分に充填させる方法と
しては、例えば撚線中にテープ状として水密コン
パウンドを縦添えあるいはテープ巻きにより充填
する方法や、押出機により、仕上つた撚線間に高
圧でコンパウンドを圧入する方法などがとられて
いる。 ところが、従来、上記のような方法によつて
も、コンパウンドの充填条件が適切でないときに
は、導体の金属部分と水密コンパウンドとの密着
が不十分であることが多く、その結果、電線の水
密性が低下することがあつた。 また、耐熱性を向上させるため、絶縁体およ
び/あるいは水密コンパウンドを架橋させること
があるが、コンパウンドの架橋度が上がると、や
はり導体との密着性が低下し、水密性が悪化する
ことがあつた。 本考案は、このような水密コンパウンドと導体
との密着不良に帰因する水密性の低下の改善をな
すべくなされたものである。 すなわち、本考案の特徴は、銅、アルミニウム
などまたはこれらの合金よりなる導体と水密性コ
ンパウンドの両者に対し、良好な密着性を有する
シラン系またはチタン系のカツプリング材によつ
て撚線導体を予め処理しておき、水密コンパウン
ドとの密着性を向上させた点にある。 こゝで、用いるシラン系カツプリング剤は通
常、R−Si−X3で表わされるものであり、Rは
ゴム、プラスチツクなどの有機物と反応する官能
基であるビニル基、アミノ基、クロル基、エポキ
シ基、メルカプト基などを含む炭素鎖であり、X
は金属などの無機質と結合する基であるクロル
基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシエトキシ
基などである。その具体的なものとしては、例え
ばビニルトリ(β−メトキシエトキシ)シラン、
γ−アミノピロピルトリエトキシシラン、N−β
−(アミノエチル)−γ−アミノピロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシピロピルトリメト
キシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γ−クロロピロピルトリメトキシシラ
ンなどを挙げることができる。 また、チタン系カツプリン剤としては、イソプ
ロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホス
フエート)チタネート、テトライソプロピルビス
(ジオクチルホスフエート)チタネート、テトラ
オクチルビス(ジトリデシルホスフエート)チタ
ネート、テトラ(2・2−ジアリルオキシメチル
−1−ブチル)ビス(ジ−トリデシル)ホスフエ
ートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフ
エート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジ
オクチルパイロホスフエート)エチレンチタネー
トなどを挙げることができ、この場合も上述のシ
ラン系カプリング剤の場合と同様、有機物と反応
する官能基および無機質と結合する基を有するも
のである。 上記カツプリング剤による撚線導体の処理は、
特に限財定されないが、例えばカツプリング剤が
溶解するような適当な有機溶剤で希釈して使用し
てもよいし、または撚線導を防錆処理する際に、
防錆液中に混入するなどして同時に処理するよう
にしてもよい。このとき、カツプリング剤の添加
量としては、0.1〜5重量%がよく、より好まし
くは、0.2〜2重量%がよい。すなわち、0.1重量
%未満では、導体の金属表面が水密コンパウンド
に対して、十分な密着性を有するまでには至ら
ず、逆にまた、5重量%を越えると、密着性向上
効果が飽和点に達し、それ以上の向上はあまり望
めない反面、カツプリング剤の材料コストが著し
く上昇するからである。 また、本考案で用いられる水密コンパウンドと
しては、上述した従来と同様のものでよいが特
に、エチレンビニルアセテート共重合体
(EVA)、エチレンエチルアクリレート共重合体
(EEA)、エチレンプロピレンゴム、スチレンブ
タジエンゴム、ブチルゴムなどが挙げられる。 次に、かゝる本考案の具体例の一例を図面によ
り詳説すると、第1図の如くである。図中、1は
撚線導体で、本例の場合、中心の素線1aに、6
本の2層目の素線1b…、12本の3層目の素線1
c…を順次撚つており、各素線1a,1b…,1
c…間には水密コンパウンド2が充填してある。
そして、この水密導体1上には絶縁体層3を設け
てある。尚、電線の種類にもよるが、必要によ
り、内部半導電層(水密コンパウンド2の最外層
側を半導電性として兼用することも可)、絶縁体
上に被覆される外部半導電層、シースなどを適宜
設けることも可能である。 上記各素線1a,1b…,1c…は、上述のよ
うにカツプリング剤により処理してあるため、そ
の後、充填された水密コンパウンド2と良好に密
着し、十分な水密性を得ることができる。このよ
うにして得られた水密絶縁電線の要求特性として
は、水密性の他に、電線使用時の口出作業の際、
作業性の面から絶縁体層3の皮剥ぎ性が重視され
ることがあるわけであるが、水密コンパウンド2
と導体1との密着力があまりにも強固である場合
には、絶縁体の皮剥ぎ時、導体最外層の水密コン
パウンド2は導体に付着したまゝとなり、口出作
業などの障害となることがある。このような場合
には、上図の撚線導体1において、中心の素線1
aと2層目の6本の素線1b…のみをカツプリン
グ剤処理するか、あるいは最外層の12本の素線1
c…の処理程度を内層側の各素線1a,1b…よ
り軽くするなどの方法を採用するとよく、これに
より、スムーズな口出作業が可能となる。 以下、本考案の実施例について述べる。 上記第1図のように19本撚りの導体の撚線工程
において、シラン系カツプリング剤処理を施した
導体断面積125mm2の撚線導体を製造した。この際、
カツプリング剤としては、H2N−CH2CH2CH2−
Si−(OC2H5)3を用い、これをトリクロルエタン
で希釈液中に撚線導体を浸漬させて処理した。希
釈液中のカツプリング剤の濃度は、導体内層側の
各素線については1.5重量%であり、導体最外層
側の各素線については0.5重量%であつた。次に、
この導体間の空隙部分に、架橋剤としてジキユミ
ルパーオキサイド(DCP)2phrを含むEVA(VA
%=30%)の水密コンパウンド(0.2〜0.5phrの
老化防止剤およびカーボンブラツクを含む)を、
押出機によつて、120℃の温度で圧入し、水密導
体を得た。この後、この水密導体上に、架橋剤
(DCS)を含むポリエチレン(PE)を120℃の温
度で、絶縁体厚3mmとして押出し被覆し、引き続
き、加圧蒸気中で架橋を行なつた。架橋条件とし
ては、180℃×5分と200℃×5分の2通りで行な
つた。 尚、比較用として、カツプリング剤処理を施し
ていない導体で上記と同様の水密絶縁電線を製造
した。 これらの各電線について、水密性および皮剥ぎ
性の確認のため、次の各試験を行なつたところ、
第1表の如き結果であつた。 水密性試験:各電線2mを切り取り、0.5
Kg/cm2の水圧で24時間保持後、導体内への水の
侵入距離を測つた。 皮剥ぎ性試験:各電線の端面において、絶縁
体層を長さ方向に縦割して絶縁体を剥ぎ取り、
その後、導体上の水密コンパウンドの付着の有
無を調べた。
スチツクなどの水密コンパウンドを充填した水密
導体を用いてなる水密絶縁電線に関するものであ
る。 水密導体を用いた絶縁電線においては、近年、
作業性などの点で優れていることから、ゴム、プ
ラスチツク系の水密コンパウンドを使用した所謂
ドライタイプの水密絶縁電線が増えてきている。 このドライタイプの水密コンパウンドとして用
いられている材料としては、その水密性を確保す
るにおいて、導体および絶縁体の両者に対して良
好な密着性を有することが必要とされ、この点を
考慮すると、例えば、エチレンビニルアセテート
共重合体(EVA)、エチレンエチルアクリレート
共重合体(EEA)、エチレンプロピレンゴム、ス
チレンブタジエンゴム、ブチルゴム、天然ゴム、
塩素化ポリエチレン、クロルスルホン化ポリエチ
レンあどあるいはこれらのブレンド物が使用され
ている。 そして、このような材料よりなる水密コンパウ
ンドを撚線導体間の空隙部分に充填させる方法と
しては、例えば撚線中にテープ状として水密コン
パウンドを縦添えあるいはテープ巻きにより充填
する方法や、押出機により、仕上つた撚線間に高
圧でコンパウンドを圧入する方法などがとられて
いる。 ところが、従来、上記のような方法によつて
も、コンパウンドの充填条件が適切でないときに
は、導体の金属部分と水密コンパウンドとの密着
が不十分であることが多く、その結果、電線の水
密性が低下することがあつた。 また、耐熱性を向上させるため、絶縁体およ
び/あるいは水密コンパウンドを架橋させること
があるが、コンパウンドの架橋度が上がると、や
はり導体との密着性が低下し、水密性が悪化する
ことがあつた。 本考案は、このような水密コンパウンドと導体
との密着不良に帰因する水密性の低下の改善をな
すべくなされたものである。 すなわち、本考案の特徴は、銅、アルミニウム
などまたはこれらの合金よりなる導体と水密性コ
ンパウンドの両者に対し、良好な密着性を有する
シラン系またはチタン系のカツプリング材によつ
て撚線導体を予め処理しておき、水密コンパウン
ドとの密着性を向上させた点にある。 こゝで、用いるシラン系カツプリング剤は通
常、R−Si−X3で表わされるものであり、Rは
ゴム、プラスチツクなどの有機物と反応する官能
基であるビニル基、アミノ基、クロル基、エポキ
シ基、メルカプト基などを含む炭素鎖であり、X
は金属などの無機質と結合する基であるクロル
基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシエトキシ
基などである。その具体的なものとしては、例え
ばビニルトリ(β−メトキシエトキシ)シラン、
γ−アミノピロピルトリエトキシシラン、N−β
−(アミノエチル)−γ−アミノピロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシピロピルトリメト
キシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γ−クロロピロピルトリメトキシシラ
ンなどを挙げることができる。 また、チタン系カツプリン剤としては、イソプ
ロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホス
フエート)チタネート、テトライソプロピルビス
(ジオクチルホスフエート)チタネート、テトラ
オクチルビス(ジトリデシルホスフエート)チタ
ネート、テトラ(2・2−ジアリルオキシメチル
−1−ブチル)ビス(ジ−トリデシル)ホスフエ
ートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフ
エート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジ
オクチルパイロホスフエート)エチレンチタネー
トなどを挙げることができ、この場合も上述のシ
ラン系カプリング剤の場合と同様、有機物と反応
する官能基および無機質と結合する基を有するも
のである。 上記カツプリング剤による撚線導体の処理は、
特に限財定されないが、例えばカツプリング剤が
溶解するような適当な有機溶剤で希釈して使用し
てもよいし、または撚線導を防錆処理する際に、
防錆液中に混入するなどして同時に処理するよう
にしてもよい。このとき、カツプリング剤の添加
量としては、0.1〜5重量%がよく、より好まし
くは、0.2〜2重量%がよい。すなわち、0.1重量
%未満では、導体の金属表面が水密コンパウンド
に対して、十分な密着性を有するまでには至ら
ず、逆にまた、5重量%を越えると、密着性向上
効果が飽和点に達し、それ以上の向上はあまり望
めない反面、カツプリング剤の材料コストが著し
く上昇するからである。 また、本考案で用いられる水密コンパウンドと
しては、上述した従来と同様のものでよいが特
に、エチレンビニルアセテート共重合体
(EVA)、エチレンエチルアクリレート共重合体
(EEA)、エチレンプロピレンゴム、スチレンブ
タジエンゴム、ブチルゴムなどが挙げられる。 次に、かゝる本考案の具体例の一例を図面によ
り詳説すると、第1図の如くである。図中、1は
撚線導体で、本例の場合、中心の素線1aに、6
本の2層目の素線1b…、12本の3層目の素線1
c…を順次撚つており、各素線1a,1b…,1
c…間には水密コンパウンド2が充填してある。
そして、この水密導体1上には絶縁体層3を設け
てある。尚、電線の種類にもよるが、必要によ
り、内部半導電層(水密コンパウンド2の最外層
側を半導電性として兼用することも可)、絶縁体
上に被覆される外部半導電層、シースなどを適宜
設けることも可能である。 上記各素線1a,1b…,1c…は、上述のよ
うにカツプリング剤により処理してあるため、そ
の後、充填された水密コンパウンド2と良好に密
着し、十分な水密性を得ることができる。このよ
うにして得られた水密絶縁電線の要求特性として
は、水密性の他に、電線使用時の口出作業の際、
作業性の面から絶縁体層3の皮剥ぎ性が重視され
ることがあるわけであるが、水密コンパウンド2
と導体1との密着力があまりにも強固である場合
には、絶縁体の皮剥ぎ時、導体最外層の水密コン
パウンド2は導体に付着したまゝとなり、口出作
業などの障害となることがある。このような場合
には、上図の撚線導体1において、中心の素線1
aと2層目の6本の素線1b…のみをカツプリン
グ剤処理するか、あるいは最外層の12本の素線1
c…の処理程度を内層側の各素線1a,1b…よ
り軽くするなどの方法を採用するとよく、これに
より、スムーズな口出作業が可能となる。 以下、本考案の実施例について述べる。 上記第1図のように19本撚りの導体の撚線工程
において、シラン系カツプリング剤処理を施した
導体断面積125mm2の撚線導体を製造した。この際、
カツプリング剤としては、H2N−CH2CH2CH2−
Si−(OC2H5)3を用い、これをトリクロルエタン
で希釈液中に撚線導体を浸漬させて処理した。希
釈液中のカツプリング剤の濃度は、導体内層側の
各素線については1.5重量%であり、導体最外層
側の各素線については0.5重量%であつた。次に、
この導体間の空隙部分に、架橋剤としてジキユミ
ルパーオキサイド(DCP)2phrを含むEVA(VA
%=30%)の水密コンパウンド(0.2〜0.5phrの
老化防止剤およびカーボンブラツクを含む)を、
押出機によつて、120℃の温度で圧入し、水密導
体を得た。この後、この水密導体上に、架橋剤
(DCS)を含むポリエチレン(PE)を120℃の温
度で、絶縁体厚3mmとして押出し被覆し、引き続
き、加圧蒸気中で架橋を行なつた。架橋条件とし
ては、180℃×5分と200℃×5分の2通りで行な
つた。 尚、比較用として、カツプリング剤処理を施し
ていない導体で上記と同様の水密絶縁電線を製造
した。 これらの各電線について、水密性および皮剥ぎ
性の確認のため、次の各試験を行なつたところ、
第1表の如き結果であつた。 水密性試験:各電線2mを切り取り、0.5
Kg/cm2の水圧で24時間保持後、導体内への水の
侵入距離を測つた。 皮剥ぎ性試験:各電線の端面において、絶縁
体層を長さ方向に縦割して絶縁体を剥ぎ取り、
その後、導体上の水密コンパウンドの付着の有
無を調べた。
【表】
この第1表から、本考案の電線によると、従来
のもの(比較例)に比べて、水密性が著しく改善
され、また皮剥ぎの際、水密コンパウンドが導体
側に付着したまゝとならないことがよくわかる。 以上の説明から明らかなように本考案によれ
ば、導体を予めシラン系またはチタン系のカツプ
リング剤によつて処理するものであるため、水密
コンパウンドと導体との密着性が著しく良好とな
り、この密着性はコンパウンドの末架橋の場合は
勿論のこと、その後の工程で、耐熱性向上などの
ためコンパウンドを高架橋度で架橋させる場合に
おいても低下することなく、優れた水密性を得る
ことができると共に、カツプリング剤による処理
において、導体側最外層部分については無処理と
するかあるいは内層側に対して軽くすることによ
つて、絶縁体の皮剥ぎ性に何等支障を及ぼすこと
のない、取扱性の良好な水密絶縁電線を提供する
ことができる。
のもの(比較例)に比べて、水密性が著しく改善
され、また皮剥ぎの際、水密コンパウンドが導体
側に付着したまゝとならないことがよくわかる。 以上の説明から明らかなように本考案によれ
ば、導体を予めシラン系またはチタン系のカツプ
リング剤によつて処理するものであるため、水密
コンパウンドと導体との密着性が著しく良好とな
り、この密着性はコンパウンドの末架橋の場合は
勿論のこと、その後の工程で、耐熱性向上などの
ためコンパウンドを高架橋度で架橋させる場合に
おいても低下することなく、優れた水密性を得る
ことができると共に、カツプリング剤による処理
において、導体側最外層部分については無処理と
するかあるいは内層側に対して軽くすることによ
つて、絶縁体の皮剥ぎ性に何等支障を及ぼすこと
のない、取扱性の良好な水密絶縁電線を提供する
ことができる。
第1図は本考案にる水密絶縁電線の一例を示す
縦断端面図である。 1…撚線導体、1a,1b,1c…各素線、2
…水密コンパウンド。
縦断端面図である。 1…撚線導体、1a,1b,1c…各素線、2
…水密コンパウンド。
Claims (1)
- シラン系またはチタン系のカツプリング剤によ
つて、最外層以外の内層側の各素線が予め処理さ
れた撚線導体間に、あるいは前記最外層の素線が
他の内層側の各素線より予め軽く処理された撚線
導体間にゴムまたはプラスチツク系の水密コンパ
ウンドを充填した水密導体を用いたことを特徴と
する水密絶縁電線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19596182U JPS59103316U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 水密絶縁電線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19596182U JPS59103316U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 水密絶縁電線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103316U JPS59103316U (ja) | 1984-07-11 |
| JPH0128587Y2 true JPH0128587Y2 (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=30420652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19596182U Granted JPS59103316U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 水密絶縁電線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103316U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5360859B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2013-12-04 | 中部電力株式会社 | 水密型ポリエチレン絶縁電線 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP19596182U patent/JPS59103316U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59103316U (ja) | 1984-07-11 |
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