JPH01286424A - 半導体製造装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体製造装置の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH01286424A JPH01286424A JP11477088A JP11477088A JPH01286424A JP H01286424 A JPH01286424 A JP H01286424A JP 11477088 A JP11477088 A JP 11477088A JP 11477088 A JP11477088 A JP 11477088A JP H01286424 A JPH01286424 A JP H01286424A
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- Japan
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- reaction chamber
- cleaning
- aqueous solution
- ammonia
- hydrofluoric acid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
気相成長装置及び高周波（ＲＦ）クリーニング機構を有
する装置で、ＲＦツクリーニング後反応室内における異
臭を完全に消失させるとともに、反応室内に生じる生成
物を剥離する方法に関し、短時間にＲＦツクリーニング
後反応室内における異臭の完全消失及び生成物を剥離す
る方法を提供することを目的とし、 気相成長装置の反応室内を高周波による洗浄の後に、稀
フッ酸水溶液とアンモニア水溶液を加熱した導入管を介
して、真空状態の前記反応室内へ窒素ガスとともに導入
することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法を含み
構成する。
する装置で、ＲＦツクリーニング後反応室内における異
臭を完全に消失させるとともに、反応室内に生じる生成
物を剥離する方法に関し、短時間にＲＦツクリーニング
後反応室内における異臭の完全消失及び生成物を剥離す
る方法を提供することを目的とし、 気相成長装置の反応室内を高周波による洗浄の後に、稀
フッ酸水溶液とアンモニア水溶液を加熱した導入管を介
して、真空状態の前記反応室内へ窒素ガスとともに導入
することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法を含み
構成する。
本発明は、気相成長装置及び高周波（ＲＦ）クリーニン
グ機構を有する装置で、ＲＦツクリーニング後反応室内
における異臭を完全に消失させるとともに、反応室内に
生じる生成物を剥離する方法に関する。
グ機構を有する装置で、ＲＦツクリーニング後反応室内
における異臭を完全に消失させるとともに、反応室内に
生じる生成物を剥離する方法に関する。
近年、気相成長装置の反応室内における生成物のクリー
ニング方法として、高周波（ＲＦ）発振機が利用されて
いるが、このＲＦツクリーニング後異臭及び生成物が残
存するので、これを消失する必要がある。
ニング方法として、高周波（ＲＦ）発振機が利用されて
いるが、このＲＦツクリーニング後異臭及び生成物が残
存するので、これを消失する必要がある。
従来、気相成長（ＣＶＤ）装置などの半導体製造装置に
おいて、所定の薄膜などの成長を終了した後に、異臭の
消失と反応室内に形成される生成物の剥離のために、ア
ンモニア（ＮＨ３）ガスを用いた高周波発振器によるＲ
Ｆクリーニングの方法が利用されている。通常、このよ
うなアンモニアガスによるＲＦクリーニングは、約１時
間程度行っている。
おいて、所定の薄膜などの成長を終了した後に、異臭の
消失と反応室内に形成される生成物の剥離のために、ア
ンモニア（ＮＨ３）ガスを用いた高周波発振器によるＲ
Ｆクリーニングの方法が利用されている。通常、このよ
うなアンモニアガスによるＲＦクリーニングは、約１時
間程度行っている。
［発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来のアンモニアガスによる１時間程のＲＦク
リーニングでは、異臭が残るため、窒素（Ｎ２）ガスに
よる反応室内のパージも１０分程度行っていた。また、
ＲＦツクリーニング後プラズマが発生しにくい反応室内
の側壁箇所などに生成物が残ったままとなることから、
反応室内をガーゼなどで水拭きをしていた。この水拭き
は２〜３回程度行うため、その清掃作業に時間がかがて
いた。
リーニングでは、異臭が残るため、窒素（Ｎ２）ガスに
よる反応室内のパージも１０分程度行っていた。また、
ＲＦツクリーニング後プラズマが発生しにくい反応室内
の側壁箇所などに生成物が残ったままとなることから、
反応室内をガーゼなどで水拭きをしていた。この水拭き
は２〜３回程度行うため、その清掃作業に時間がかがて
いた。
従って、ＲＦツクリーニング後反応室内の異臭消失及び
側壁箇所に残る生成物を剥離するには長時間が必要とな
るため、装置稼働率が低下するといった問題があった。
側壁箇所に残る生成物を剥離するには長時間が必要とな
るため、装置稼働率が低下するといった問題があった。
そこで、本発明は、短時間にＲＦツクリーニング後反応
室内における異臭の完全消失及び生成物を剥離する半導
体製造装置の洗浄方法を提供することを目的とする。
室内における異臭の完全消失及び生成物を剥離する半導
体製造装置の洗浄方法を提供することを目的とする。
上記の目的は、気相成長装置の反応室内を高周波による
洗浄の後に、稀フン酸水溶液とアンモニア水溶液を加熱
した導入管を介して、真空状態の前記反応室内へ窒素ガ
スとともに導入することを特徴とする半導体製造装置の
洗浄方法によって達成される。
洗浄の後に、稀フン酸水溶液とアンモニア水溶液を加熱
した導入管を介して、真空状態の前記反応室内へ窒素ガ
スとともに導入することを特徴とする半導体製造装置の
洗浄方法によって達成される。
気相成長装置の反応室内へ、直接、稀フン酸水溶液と、
アンモニア水溶液を加熱した導入管を介して、窒素ガス
とともに導入することにより、反応室内の異臭を消失さ
せるのに短時間ですむ。また、側壁、床などに残ってい
る生成物なども剥離しやすくなり、ガーゼなどで軽く拭
き取ることにより、その除去が容易になり短時間でクリ
ンーニングができる。
アンモニア水溶液を加熱した導入管を介して、窒素ガス
とともに導入することにより、反応室内の異臭を消失さ
せるのに短時間ですむ。また、側壁、床などに残ってい
る生成物なども剥離しやすくなり、ガーゼなどで軽く拭
き取ることにより、その除去が容易になり短時間でクリ
ンーニングができる。
〔実施例］
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図は本発明実施例の気相成長装置の構成を示す図で
ある。同図において、気相成長装置の反応室１１内の下
側中央部には、加熱板１２上に半導体基板１３が配置さ
れ、この半導体基板１３上の反応室１１内にはガス吹出
盤１４が配設されている。ガス吹出盤１４には、外部か
ら反応ガスを供給する反応ガス導入管１５が接続されて
いる。また反応室１１の下部には、ガス排気管１６が設
けられている。上記反応ガス導入管１５には、例えば、
膜成長用のガスとして、シラン（ＳｉＨ４）、ホスフィ
ン（ＰＨ４） 、窒素（Ｎ２）、酸素（０２）などがそ
れぞれバルブ１７ａ 〜１７ｄを介して、またＲＦツク
リーニングガスとして３フツ化窒素（ＮＦ３）などがバ
ルブ１７ｅを介して導入される。また、反応室１１の上
部側には、洗浄用の窒素（Ｎ２）ガス、フン酸（ＨＦ）
水溶液、アンモニア（Ｎ１１３）水溶液がそれぞれバル
ブ１７ｆ〜１７ｈを介して反応室ｌｌ内に導入する２本
の導入管１８．１９が設けられている。この２本の導入
管１８．１９の入口側は、加熱用のヒーターチー１２０
が巻からでいる。
ある。同図において、気相成長装置の反応室１１内の下
側中央部には、加熱板１２上に半導体基板１３が配置さ
れ、この半導体基板１３上の反応室１１内にはガス吹出
盤１４が配設されている。ガス吹出盤１４には、外部か
ら反応ガスを供給する反応ガス導入管１５が接続されて
いる。また反応室１１の下部には、ガス排気管１６が設
けられている。上記反応ガス導入管１５には、例えば、
膜成長用のガスとして、シラン（ＳｉＨ４）、ホスフィ
ン（ＰＨ４） 、窒素（Ｎ２）、酸素（０２）などがそ
れぞれバルブ１７ａ 〜１７ｄを介して、またＲＦツク
リーニングガスとして３フツ化窒素（ＮＦ３）などがバ
ルブ１７ｅを介して導入される。また、反応室１１の上
部側には、洗浄用の窒素（Ｎ２）ガス、フン酸（ＨＦ）
水溶液、アンモニア（Ｎ１１３）水溶液がそれぞれバル
ブ１７ｆ〜１７ｈを介して反応室ｌｌ内に導入する２本
の導入管１８．１９が設けられている。この２本の導入
管１８．１９の入口側は、加熱用のヒーターチー１２０
が巻からでいる。
ナして、上記一方の導入管１８は、反応室１１内の下部
側壁に設けられた補強板２１の近傍に配置されたシャワ
ー管２２に接続されて、また他方の導入管１９は、反応
室１１内の上部のガス吹出盤１４近傍においてノズル２
３に接続されている。上記シャワー管２２は、第２図及
び第３図に示す如（、円管状の周囲に大きさが０８１１
Φ〜１．５ｍｍΦ程度の多数の放出孔２２ａ、・・・が
形成されており、その放出孔２２ａ、・・・は斜め上方
、横及び下方向の放出されるよう形成されている。また
、上記ノズル２３は、第４図に示す如（、圧力によりフ
ッ酸（ＨＦ）水溶液、アンモニア（Ｎ）１３）水溶液が
比較的小さい粒径の噴霧にするものである。なお、上記
気相成長装置は、図示しないＲＦクリーニング用の高周
波の供給電源などを備えている。
側壁に設けられた補強板２１の近傍に配置されたシャワ
ー管２２に接続されて、また他方の導入管１９は、反応
室１１内の上部のガス吹出盤１４近傍においてノズル２
３に接続されている。上記シャワー管２２は、第２図及
び第３図に示す如（、円管状の周囲に大きさが０８１１
Φ〜１．５ｍｍΦ程度の多数の放出孔２２ａ、・・・が
形成されており、その放出孔２２ａ、・・・は斜め上方
、横及び下方向の放出されるよう形成されている。また
、上記ノズル２３は、第４図に示す如（、圧力によりフ
ッ酸（ＨＦ）水溶液、アンモニア（Ｎ）１３）水溶液が
比較的小さい粒径の噴霧にするものである。なお、上記
気相成長装置は、図示しないＲＦクリーニング用の高周
波の供給電源などを備えている。
この気相成長装置において、成長を行うには、まず、バ
ルブ１７ａ 〜１７ｄを開き、シラン（Ｓｉｎ４）、ホ
スフィン（Ｐｌ＋４） 、窒素（Ｎ２）、酸素（０□）
などのガスを、反応ガス導入管１５からガス吹出盤１４
を通して、反応室１１内に導入し、所定の厚さに膜を成
長させる。
ルブ１７ａ 〜１７ｄを開き、シラン（Ｓｉｎ４）、ホ
スフィン（Ｐｌ＋４） 、窒素（Ｎ２）、酸素（０□）
などのガスを、反応ガス導入管１５からガス吹出盤１４
を通して、反応室１１内に導入し、所定の厚さに膜を成
長させる。
次に、バルブ１７ｅを開き、３フツ化窒素（ＮＦ：ｌ）
を反応室１１内に導入し、ＲＦクリーニングを行う。
を反応室１１内に導入し、ＲＦクリーニングを行う。
上記ＲＦクリーニングの後に、バルブ１７ｇ、 １７ｈ
を開き、０．１〜３χ程度のフン酸（ＩＩＦ）水溶液、
アンモニア（Ｎ１１３）水溶液をヒーターチー１２０で
、５０〜１００°Ｃ程度に加熱した導入管１８．１９を
通して、シャワー管２２の放出孔２２ａ、・・・から、
またノズル２３から 比較的小さい粒径の噴霧になるよ
う、０．０１〜１０Ｔｏｒｒ程度の真空状態にした反応
室１１内に放出する。また、同時にバルブ１７ｆを開き
、１〜ｂ／ｍｉｎ程度の流量の窒素（Ｎ２）ガスを反応
室１１内に流す。
を開き、０．１〜３χ程度のフン酸（ＩＩＦ）水溶液、
アンモニア（Ｎ１１３）水溶液をヒーターチー１２０で
、５０〜１００°Ｃ程度に加熱した導入管１８．１９を
通して、シャワー管２２の放出孔２２ａ、・・・から、
またノズル２３から 比較的小さい粒径の噴霧になるよ
う、０．０１〜１０Ｔｏｒｒ程度の真空状態にした反応
室１１内に放出する。また、同時にバルブ１７ｆを開き
、１〜ｂ／ｍｉｎ程度の流量の窒素（Ｎ２）ガスを反応
室１１内に流す。
上記の洗浄方法により、５分程度で異臭も完全に消失し
、また反応室１１内の側壁、床に残存する生成物は容易
に剥離するようになった。従って、洗浄作業が容易にな
るとともに短時間ですみ、装置の稼働効率が向上した。
、また反応室１１内の側壁、床に残存する生成物は容易
に剥離するようになった。従って、洗浄作業が容易にな
るとともに短時間ですみ、装置の稼働効率が向上した。
なお、上記実施例においては、シャワー管２２とノズル
２３を両方とも使用しているが、何方か一方だけ使用し
てもよい。
２３を両方とも使用しているが、何方か一方だけ使用し
てもよい。
また、稀フッ酸水溶液とアンモニア水溶液は、窒素ガス
によるバブリングを行い蒸気ガスとして反応室１１内に
導入してもよく、さらに異臭消失と生成物の剥離に有効
である。
によるバブリングを行い蒸気ガスとして反応室１１内に
導入してもよく、さらに異臭消失と生成物の剥離に有効
である。
［発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、ＲＦクリーニング
後、アンモニアガスによるクリーニングが約１時間、窒
素ガスパージが約１０分間程必要としていた従来の技術
を、改善後５分程度にでき大幅な作業工程減と、装置稼
働率向上になった。また、シャワー管より稀フッ酸水溶
液と、アンモニア水溶液及び蒸気ガスを流入することに
より、従来ＲＦクリーニングで剥離しなかった生成物も
剥離するようになり、反応室内の掃除も短時間で済むよ
うになった。
後、アンモニアガスによるクリーニングが約１時間、窒
素ガスパージが約１０分間程必要としていた従来の技術
を、改善後５分程度にでき大幅な作業工程減と、装置稼
働率向上になった。また、シャワー管より稀フッ酸水溶
液と、アンモニア水溶液及び蒸気ガスを流入することに
より、従来ＲＦクリーニングで剥離しなかった生成物も
剥離するようになり、反応室内の掃除も短時間で済むよ
うになった。
第１図は本発明実施例の気相成長装置の構成図、第２図
は第１図のシャワー管の平面図、第３図は第２図のシャ
ワー管の側面図、第４図は第１図のノズルの側面図であ
る。 図中、 １１は反応室、 １２は加熱板、 １３は半導体基板、 １４はガス吹出盤、 １５は導入管、 １６はガス排気管、 １７ａ 〜１７ｈはバルブ、 １８．１９は導入管、 ２０はヒーターテープ、 ２１は補強板、 ２２はシャワー管、 ２３はノズル を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大管 義之
は第１図のシャワー管の平面図、第３図は第２図のシャ
ワー管の側面図、第４図は第１図のノズルの側面図であ
る。 図中、 １１は反応室、 １２は加熱板、 １３は半導体基板、 １４はガス吹出盤、 １５は導入管、 １６はガス排気管、 １７ａ 〜１７ｈはバルブ、 １８．１９は導入管、 ２０はヒーターテープ、 ２１は補強板、 ２２はシャワー管、 ２３はノズル を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大管 義之
Claims (1)
- 気相成長装置の反応室（１１）内を高周波による洗浄
の後に、稀フッ酸水溶液とアンモニア水溶液を加熱した
導入管（１８、１９）を介して、真空状態の前記反応室
（１１）内へ窒素ガスとともに導入することを特徴とす
る半導体製造装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11477088A JP2589140B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11477088A JP2589140B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286424A true JPH01286424A (ja) | 1989-11-17 |
| JP2589140B2 JP2589140B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=14646254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11477088A Expired - Lifetime JP2589140B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589140B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5927305A (en) * | 1996-02-20 | 1999-07-27 | Pre-Tech Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
| US6092539A (en) * | 1997-03-20 | 2000-07-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | In-situ cleaning apparatuses for wafers used in integrated circuit devices and methods of cleaning using the same |
| US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
| WO2004095555A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置のクリーニング方法 |
| JP2010529643A (ja) * | 2007-04-25 | 2010-08-26 | エドワーズ・バキューム・インコーポレーテッド | 乾式ポンプ表面からの半導体工程残渣のその場除去 |
| JP2012028737A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11477088A patent/JP2589140B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5927305A (en) * | 1996-02-20 | 1999-07-27 | Pre-Tech Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
| US6092539A (en) * | 1997-03-20 | 2000-07-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | In-situ cleaning apparatuses for wafers used in integrated circuit devices and methods of cleaning using the same |
| US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
| WO2004095555A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置のクリーニング方法 |
| JP2010529643A (ja) * | 2007-04-25 | 2010-08-26 | エドワーズ・バキューム・インコーポレーテッド | 乾式ポンプ表面からの半導体工程残渣のその場除去 |
| JP2012028737A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589140B2 (ja) | 1997-03-12 |
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