JPH05156454A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH05156454A JPH05156454A JP3339490A JP33949091A JPH05156454A JP H05156454 A JPH05156454 A JP H05156454A JP 3339490 A JP3339490 A JP 3339490A JP 33949091 A JP33949091 A JP 33949091A JP H05156454 A JPH05156454 A JP H05156454A
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- film forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】異常放電を抑制すると共に、発生したプラズマ
を効率よく成膜に作用させて反応ガスの利用率を向上さ
せることのできる成膜装置を提供する。 【構成】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー４内
に収容されたＲＦ電極１と、ＲＦ電極１に対峙して設け
た基板電極２と、ＲＦ電極１と基板電極２との間に多数
のシャワー孔３１を穿設した石英等の平板状の絶縁体か
らなるシャワー板３を設けた。 【効果】ガスプラズマを基板表面に近接させて濃縮する
ことができ、反応ガスの利用効率と成膜速度の向上を達
成し、均一な成膜を行うことがができる。
を効率よく成膜に作用させて反応ガスの利用率を向上さ
せることのできる成膜装置を提供する。 【構成】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー４内
に収容されたＲＦ電極１と、ＲＦ電極１に対峙して設け
た基板電極２と、ＲＦ電極１と基板電極２との間に多数
のシャワー孔３１を穿設した石英等の平板状の絶縁体か
らなるシャワー板３を設けた。 【効果】ガスプラズマを基板表面に近接させて濃縮する
ことができ、反応ガスの利用効率と成膜速度の向上を達
成し、均一な成膜を行うことがができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空雰囲気空間中，あ
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁体基板や半導体基板などの被成膜部
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。
【０００３】特に、プラズマＣＶＤは非平衡プラズマ中
で気体状の物質（反応ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で反応ガス（例えば、シランガス）を高
周波（ＲＦ）電力あるいは直流電力エネルギーの印加で
活性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例えばアモル
ファスシリコン膜）を生成堆積させるものである。
で気体状の物質（反応ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で反応ガス（例えば、シランガス）を高
周波（ＲＦ）電力あるいは直流電力エネルギーの印加で
活性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例えばアモル
ファスシリコン膜）を生成堆積させるものである。
【０００４】図４は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する断面図であって、０１は高周波電極（ＲＦ
電極）、０２は基板電極、０４は成膜チャンバー、０５
は基板である。なお、０１１は成膜チャンバー内に反応
ガスを導入するガス導入管、０４１は処理後の反応ガス
を排出するガス排出口である。同図において、被成膜部
材である基板０５はＲＦ電極０１に対して陽極電極を構
成する基板電極０２上に載置される。成膜チャンバー０
４内にはガス導入管０１１から反応ガスを導入し（矢印
Ａ，Ｂ）、この反応ガスを高周波電源からＲＦ電極０１
に印加されるＲＦ電力エネルギーにより活性化（ラジカ
ル化）してプラズマ化し、このプラズマＰを基板０５の
表面に接触させることで、基板構成材との化学反応を生
起させて所要の膜を生成させる。成膜に関与後の反応ガ
スは、矢印Ｄに示したように排出管０４１から成膜チャ
ンバー０４外に排出される。
造を説明する断面図であって、０１は高周波電極（ＲＦ
電極）、０２は基板電極、０４は成膜チャンバー、０５
は基板である。なお、０１１は成膜チャンバー内に反応
ガスを導入するガス導入管、０４１は処理後の反応ガス
を排出するガス排出口である。同図において、被成膜部
材である基板０５はＲＦ電極０１に対して陽極電極を構
成する基板電極０２上に載置される。成膜チャンバー０
４内にはガス導入管０１１から反応ガスを導入し（矢印
Ａ，Ｂ）、この反応ガスを高周波電源からＲＦ電極０１
に印加されるＲＦ電力エネルギーにより活性化（ラジカ
ル化）してプラズマ化し、このプラズマＰを基板０５の
表面に接触させることで、基板構成材との化学反応を生
起させて所要の膜を生成させる。成膜に関与後の反応ガ
スは、矢印Ｄに示したように排出管０４１から成膜チャ
ンバー０４外に排出される。
【０００５】このような成膜室を用いて基板に表面に所
要の膜を形成する従来技術を開示したものとしては、特
開昭５９−１０２２４号公報、あるいは特開平２−２９
４０１８号公報等を挙げることができる。
要の膜を形成する従来技術を開示したものとしては、特
開昭５９−１０２２４号公報、あるいは特開平２−２９
４０１８号公報等を挙げることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなプラズマＣ
ＶＤによる基板表面への成膜は、導入する反応ガス量と
印加する高周波電力エネルギーの大きさに依存する。高
周波電力エネルギーを大きくして少量の反応ガスで成膜
すると成膜速度を大きくすることができるが、高周波電
力エネルギーを増大すると、成膜チャンバー内で異常な
放電が発生し、成膜品質を低下させてしまうという問題
がある。そのため、上記従来の構成では印加する高周波
電力エネルギーの大きさに制限があり、それだけ反応ガ
スの供給量を多くする必要がある。
ＶＤによる基板表面への成膜は、導入する反応ガス量と
印加する高周波電力エネルギーの大きさに依存する。高
周波電力エネルギーを大きくして少量の反応ガスで成膜
すると成膜速度を大きくすることができるが、高周波電
力エネルギーを増大すると、成膜チャンバー内で異常な
放電が発生し、成膜品質を低下させてしまうという問題
がある。そのため、上記従来の構成では印加する高周波
電力エネルギーの大きさに制限があり、それだけ反応ガ
スの供給量を多くする必要がある。
【０００７】なお、上記異常放電の発生を回避するもの
として、上記特開平２−２９４０１８号公報に開示され
ているように、ＲＦ電極と基板電極との間に石英板を設
けるものが知られている。図５は成膜チャンバー内の異
常放電を回避する従来技術による成膜装置の構成を説明
する断面図であり、０１はＲＦ電極、０２は基板電極、
０３は石英板、０４は成膜チャンバー、０５は基板、０
６は成膜装置である。なお、０１３はＲＦ電極を成膜チ
ャンバーから絶縁する絶縁体、０３２は石英板の支持
体、０５１は基板電極を絶縁する絶縁体、０７は基板電
極を加熱するためのヒータである。
として、上記特開平２−２９４０１８号公報に開示され
ているように、ＲＦ電極と基板電極との間に石英板を設
けるものが知られている。図５は成膜チャンバー内の異
常放電を回避する従来技術による成膜装置の構成を説明
する断面図であり、０１はＲＦ電極、０２は基板電極、
０３は石英板、０４は成膜チャンバー、０５は基板、０
６は成膜装置である。なお、０１３はＲＦ電極を成膜チ
ャンバーから絶縁する絶縁体、０３２は石英板の支持
体、０５１は基板電極を絶縁する絶縁体、０７は基板電
極を加熱するためのヒータである。
【０００８】同図に示した成膜装置の基本的な動作は前
記図４で説明したものと同一である。この構成では、反
応ガスは成膜装置０６内に図示しない手段によって導入
されて、この成膜装置の真空雰囲気内に開放した成膜チ
ャンバー０４内を流通し、処理後の反応ガスは図示しな
いガス排出手段を介して成膜室０６の外部に放出され
る。
記図４で説明したものと同一である。この構成では、反
応ガスは成膜装置０６内に図示しない手段によって導入
されて、この成膜装置の真空雰囲気内に開放した成膜チ
ャンバー０４内を流通し、処理後の反応ガスは図示しな
いガス排出手段を介して成膜室０６の外部に放出され
る。
【０００９】ＲＦ電極０１と基板電極０２の間に設置さ
れた石英板０３は、絶縁体であるため、当該ＲＦ電極０
１に印加される高周波電力エネルギーはこの石英板０３
で均一化される。反応ガスは印加される高周波電力エネ
ルギーによってプラズマ化され、基板電極０２上に載置
された基板の表面で化学反応を生起させて外表面上に所
要の薄膜を生成する。
れた石英板０３は、絶縁体であるため、当該ＲＦ電極０
１に印加される高周波電力エネルギーはこの石英板０３
で均一化される。反応ガスは印加される高周波電力エネ
ルギーによってプラズマ化され、基板電極０２上に載置
された基板の表面で化学反応を生起させて外表面上に所
要の薄膜を生成する。
【００１０】反応ガスは発生プラズマの周辺部より導入
されるため、基板に形成される薄膜よりも成膜チャンバ
ー０４の内壁に付着する分量が多くなる。このため、反
応ガスの利用率が低く、成膜効率は良好なものとはいえ
ない。本発明の目的は、上記従来技術の問題を解消し、
高周波電力を増大した場合の異常放電を抑制すると共
に、発生したプラズマを効率よく成膜に作用させて反応
ガスの利用率を向上させることのできる成膜装置を提供
することにある。
されるため、基板に形成される薄膜よりも成膜チャンバ
ー０４の内壁に付着する分量が多くなる。このため、反
応ガスの利用率が低く、成膜効率は良好なものとはいえ
ない。本発明の目的は、上記従来技術の問題を解消し、
高周波電力を増大した場合の異常放電を抑制すると共
に、発生したプラズマを効率よく成膜に作用させて反応
ガスの利用率を向上させることのできる成膜装置を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ＲＦ電極と基板電極との間に絶縁板を設
置すると共に、当該絶縁板に反応ガスを効率よく基板上
に適用するためのガスシャワー孔を穿設したことを特徴
とする。また、本発明は前記の構成に加えてＲＦ電極に
も反応ガスを効率よく導入するためのガス穴を設けたこ
とを特徴とする。
に、本発明は、ＲＦ電極と基板電極との間に絶縁板を設
置すると共に、当該絶縁板に反応ガスを効率よく基板上
に適用するためのガスシャワー孔を穿設したことを特徴
とする。また、本発明は前記の構成に加えてＲＦ電極に
も反応ガスを効率よく導入するためのガス穴を設けたこ
とを特徴とする。
【００１２】すなわち、真空雰囲気空間を保持する成膜
チャンバー内に設置された高周波電極と、この高周波電
極に対峙して平行設置された基板電極とを有し、成膜チ
ャンバーに導入した反応ガスをプラズマ化することで基
板電極上に載置した基板に薄膜を生成させる成膜装置に
おいて、高周波電極と基板電極との間に、多数のシャワ
ー孔を穿設した絶縁体平板を設けたことを特徴とする。
チャンバー内に設置された高周波電極と、この高周波電
極に対峙して平行設置された基板電極とを有し、成膜チ
ャンバーに導入した反応ガスをプラズマ化することで基
板電極上に載置した基板に薄膜を生成させる成膜装置に
おいて、高周波電極と基板電極との間に、多数のシャワ
ー孔を穿設した絶縁体平板を設けたことを特徴とする。
【００１３】また、高周波電極と基板電極との間に、多
数のシャワー孔を穿設した絶縁体平板を設置すると共
に、高周波電極に、絶縁体平板に対して均一な分布で反
応ガスを供給するための複数のガス穴を備えたことを特
徴とする。図１は本発明による成膜装置の構造を説明す
るためのプラズマＣＶＤに係る成膜装置の要部のみを示
す概略断面図であって、同図に示したように、本発明
は、真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー４と、こ
の成膜チャンバー４内に収容された高周波電極（ＲＦ電
極）１と、このＲＦ電極１に対峙して設けた基板電極２
とを備え、ＲＦ電極１と基板電極２との間に多数のシャ
ワー孔３１を穿設した石英等の平板状の絶縁体からなる
シャワー板３を設けたものである。
数のシャワー孔を穿設した絶縁体平板を設置すると共
に、高周波電極に、絶縁体平板に対して均一な分布で反
応ガスを供給するための複数のガス穴を備えたことを特
徴とする。図１は本発明による成膜装置の構造を説明す
るためのプラズマＣＶＤに係る成膜装置の要部のみを示
す概略断面図であって、同図に示したように、本発明
は、真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー４と、こ
の成膜チャンバー４内に収容された高周波電極（ＲＦ電
極）１と、このＲＦ電極１に対峙して設けた基板電極２
とを備え、ＲＦ電極１と基板電極２との間に多数のシャ
ワー孔３１を穿設した石英等の平板状の絶縁体からなる
シャワー板３を設けたものである。
【００１４】また、ＲＦ電極１には、外部から反応ガス
を導入するガス導入管１１と、シャワー板３側の面に設
けた複数のガス穴１２が設けられている。
を導入するガス導入管１１と、シャワー板３側の面に設
けた複数のガス穴１２が設けられている。
【００１５】
【作用】上記の構成において、ガス導入管１１から矢印
Ａに示すように導入された反応ガスは、ＲＦ電極１内に
入り、そのガス穴１２から矢印Ｂに示したようにシャワ
ー板３の上面に均一に放出される。この反応ガスはシャ
ワー板３のシャワー孔３１から基板電極２上に載置され
た基板５に向かって矢印Ｃに示したように均一に放射さ
れる。
Ａに示すように導入された反応ガスは、ＲＦ電極１内に
入り、そのガス穴１２から矢印Ｂに示したようにシャワ
ー板３の上面に均一に放出される。この反応ガスはシャ
ワー板３のシャワー孔３１から基板電極２上に載置され
た基板５に向かって矢印Ｃに示したように均一に放射さ
れる。
【００１６】このとき、ＲＦ電極１に印加されたＲＦ電
力エネルギーは基板電極２との間に高圧電界を形成し、
この電界により反応ガスがプラズマ化される。この結
果、プラズマＰはシャワー板３から放射される反応ガス
のプラズマシャワーとなって基板５の表面に高濃度で到
達し、該基板５の表面で化学反応を生起し、所要の薄膜
を生成する。
力エネルギーは基板電極２との間に高圧電界を形成し、
この電界により反応ガスがプラズマ化される。この結
果、プラズマＰはシャワー板３から放射される反応ガス
のプラズマシャワーとなって基板５の表面に高濃度で到
達し、該基板５の表面で化学反応を生起し、所要の薄膜
を生成する。
【００１７】成膜処理に関与した後の反応ガスは成膜チ
ャンバー４の底部に設けたガス排出口４１から成膜チャ
ンバーの外部に排出される。これにより、基板上に生成
される薄膜は均一となり、その成膜速度が格段に向上す
る。
ャンバー４の底部に設けたガス排出口４１から成膜チャ
ンバーの外部に排出される。これにより、基板上に生成
される薄膜は均一となり、その成膜速度が格段に向上す
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図２は本発明による成膜装置の１実施例を
説明する縦断面図であって、１は高周波電極（ＲＦ電
極）、２は基板電極、３はシャワー板、４は成膜チャン
バー、５は基板、６は成膜室、７はヒータである。そし
て、１１はガス導入管、１２はガス穴、１３は絶縁体、
３１はシャワー孔、３２はシャワー板支持体である絶縁
体、４１はガス排出口、５１は絶縁体、６１はガス放出
管である。
に説明する。図２は本発明による成膜装置の１実施例を
説明する縦断面図であって、１は高周波電極（ＲＦ電
極）、２は基板電極、３はシャワー板、４は成膜チャン
バー、５は基板、６は成膜室、７はヒータである。そし
て、１１はガス導入管、１２はガス穴、１３は絶縁体、
３１はシャワー孔、３２はシャワー板支持体である絶縁
体、４１はガス排出口、５１は絶縁体、６１はガス放出
管である。
【００１９】同図において、成膜チャンバー４は成膜装
置６の真空雰囲気中に収納されて陶画成膜チャンバー５
とは独立した成膜空間を形成する。成膜すべき基板（例
えば、液晶表示素子用のガラス板あるいは半導体ウエ
ハ）は成膜チャンバー４の基板電極２の上に載置され
る。基板電極２はヒータ７によって加熱され、ガスプラ
ズマによる成膜条件の温度に保たれる。
置６の真空雰囲気中に収納されて陶画成膜チャンバー５
とは独立した成膜空間を形成する。成膜すべき基板（例
えば、液晶表示素子用のガラス板あるいは半導体ウエ
ハ）は成膜チャンバー４の基板電極２の上に載置され
る。基板電極２はヒータ７によって加熱され、ガスプラ
ズマによる成膜条件の温度に保たれる。
【００２０】成膜チャンバー４の上方には、ＲＦ電極が
位置しており、このＲＦ電極には反応ガスの導入管１１
が成膜装置６の外部に適宜の手段で連通して取付けられ
ており、反応ガスをＲＦ電極１の内腔に導入する。導入
された反応ガスはＲＦ電極１の下面に設けられた複数の
ガス穴１２からシャワー板３の上面に均一に放散され
る。シャワー板３には多数のシャワー孔３１が穿設され
ており、このシャワー孔から反応ガスが基板５方向に散
布される。シャワー孔３１の大きさは、例えば０．３〜
１．０ｍｍが好適であるが、基板の大きさ，電極間の距
離、あるいは反応ガスの流量に応じてその大きさを任意
に設定できる。
位置しており、このＲＦ電極には反応ガスの導入管１１
が成膜装置６の外部に適宜の手段で連通して取付けられ
ており、反応ガスをＲＦ電極１の内腔に導入する。導入
された反応ガスはＲＦ電極１の下面に設けられた複数の
ガス穴１２からシャワー板３の上面に均一に放散され
る。シャワー板３には多数のシャワー孔３１が穿設され
ており、このシャワー孔から反応ガスが基板５方向に散
布される。シャワー孔３１の大きさは、例えば０．３〜
１．０ｍｍが好適であるが、基板の大きさ，電極間の距
離、あるいは反応ガスの流量に応じてその大きさを任意
に設定できる。
【００２１】反応ガスは、ＲＦ電極１と基板電極２との
間に形成される高電界エネルギーによってプラズマ化さ
れ、シャワー孔３１から噴出する反応ガス圧力で基板５
の上面に均一に到達する。基板５に薄膜を生成した後の
ガスは成膜チャンバー４のガス排出口４１から成膜装置
６の空間を介してガス放出管６１から装置外部に排出さ
れる。
間に形成される高電界エネルギーによってプラズマ化さ
れ、シャワー孔３１から噴出する反応ガス圧力で基板５
の上面に均一に到達する。基板５に薄膜を生成した後の
ガスは成膜チャンバー４のガス排出口４１から成膜装置
６の空間を介してガス放出管６１から装置外部に排出さ
れる。
【００２２】このように、ガスプラズマは基板５の表面
に極めて近接した位置に濃縮され、かつ均一に分布され
るため、基板に生成される薄膜は均一なものとなる。そ
して、プラズマが基板５の表面近傍に濃縮された状態で
存在するために、成膜効率が高くなり、成膜速度も大幅
に向上する。図３は図２に示した成膜装置を一部破断し
て示す図２のＡ−Ａで断面した平面図で、図２と同一符
号は同一部分に対応する。
に極めて近接した位置に濃縮され、かつ均一に分布され
るため、基板に生成される薄膜は均一なものとなる。そ
して、プラズマが基板５の表面近傍に濃縮された状態で
存在するために、成膜効率が高くなり、成膜速度も大幅
に向上する。図３は図２に示した成膜装置を一部破断し
て示す図２のＡ−Ａで断面した平面図で、図２と同一符
号は同一部分に対応する。
【００２３】同図に示したように、成膜チャンバー４は
成膜装置６の真空雰囲気中に収納された独立空間を構成
し、シャワー板３のシャワー孔３１から反応ガスがシャ
ワー状に基板５に散布される。この反応ガスは高周波電
界エネルギーによってプラズマ化されて、基板の表面に
おいて化学反応を生起し、所要の薄膜を生成する。この
ように、シャワー板３を用いることによって、この絶縁
板３にＲＦ電極１５を近接または接触させてＲＦ電力を
印加することにより均一な電界分布を形成することがで
き、かつ成膜室４内に異常放電が発生するのを防止する
と共に、シャワー板に設けたシャワー孔３１から反応ガ
スを散布することにより、ガスプラズマを基板表面に近
接させて濃縮することができ、反応ガスの利用効率と成
膜速度の向上を達成し、均一な成膜を行うことができ
る。
成膜装置６の真空雰囲気中に収納された独立空間を構成
し、シャワー板３のシャワー孔３１から反応ガスがシャ
ワー状に基板５に散布される。この反応ガスは高周波電
界エネルギーによってプラズマ化されて、基板の表面に
おいて化学反応を生起し、所要の薄膜を生成する。この
ように、シャワー板３を用いることによって、この絶縁
板３にＲＦ電極１５を近接または接触させてＲＦ電力を
印加することにより均一な電界分布を形成することがで
き、かつ成膜室４内に異常放電が発生するのを防止する
と共に、シャワー板に設けたシャワー孔３１から反応ガ
スを散布することにより、ガスプラズマを基板表面に近
接させて濃縮することができ、反応ガスの利用効率と成
膜速度の向上を達成し、均一な成膜を行うことができ
る。
【００２４】なお、上記実施例では成膜チャンバーを成
膜装置とは独立した空間を形成するものとしているが、
本発明はこれに限らず、成膜チャンバーと成膜装置の空
間を共通としてもよい。また、ＲＦ電極を介して反応ガ
スを導入するものに替えて、シャワー板の上部に適宜の
手段で反応ガスを導入することでも同様の効果を奏する
ことができるものである。
膜装置とは独立した空間を形成するものとしているが、
本発明はこれに限らず、成膜チャンバーと成膜装置の空
間を共通としてもよい。また、ＲＦ電極を介して反応ガ
スを導入するものに替えて、シャワー板の上部に適宜の
手段で反応ガスを導入することでも同様の効果を奏する
ことができるものである。
【００２５】そして、シャワー板としては、上記した石
英板に限らず、適宜の絶縁板を用いることができる。
英板に限らず、適宜の絶縁板を用いることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＲＦ電極と基板電極との間に多数のガス噴出孔であるシ
ャワー孔を設け、このシャワー孔から反応ガスを基板上
に散布する構成としたことにより、ガスプラズマを基板
表面に近接させて濃縮することができ、反応ガスの利用
効率と成膜速度の向上を達成し、均一な成膜を行うこと
がができる。
ＲＦ電極と基板電極との間に多数のガス噴出孔であるシ
ャワー孔を設け、このシャワー孔から反応ガスを基板上
に散布する構成としたことにより、ガスプラズマを基板
表面に近接させて濃縮することができ、反応ガスの利用
効率と成膜速度の向上を達成し、均一な成膜を行うこと
がができる。
【図１】本発明による成膜装置の構造を説明するための
プラズマＣＶＤに係る成膜装置の要部のみを示す概略断
面図である。
プラズマＣＶＤに係る成膜装置の要部のみを示す概略断
面図である。
【図２】本発明による成膜装置の１実施例を説明する縦
断面図である。
断面図である。
【図３】図２に示した成膜装置を一部破断して示す図２
のＡ−Ａで断面した平面図である。
のＡ−Ａで断面した平面図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構造を説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図５】成膜チャンバー内の異常放電を回避する従来技
術による成膜装置の構成を説明する断面図である。
術による成膜装置の構成を説明する断面図である。
１・・・・ＲＦ電極、１１・・・・ガス導入管、１２・
・・・ガス穴、２・・・・基板電極、３・・・・絶縁体
平板、３１・・・・シャワー孔、４・・・・成膜チャン
バー、４１・・・・ガス排出口、５・・・・基板。
・・・ガス穴、２・・・・基板電極、３・・・・絶縁体
平板、３１・・・・シャワー孔、４・・・・成膜チャン
バー、４１・・・・ガス排出口、５・・・・基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 大也 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内 (72)発明者 村松 文雄 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内 (72)発明者 竹田 智彦 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内
Claims (2)
- 【請求項１】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー
内に設置された高周波電極と、この高周波電極に対峙し
て平行設置された基板電極とを有し、成膜チャンバーに
導入した反応ガスをプラズマ化することで前記基板電極
上に載置した基板に薄膜を生成させる成膜装置におい
て、 前記高周波電極と前記基板電極との間に、多数のシャワ
ー孔を穿設した絶縁体平板を設けたことを特徴とする成
膜装置。 - 【請求項２】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー
内に設置された高周波電極と、この高周波電極に対峙し
て平行設置された基板電極とを有し、成膜チャンバーに
導入した反応ガスをプラズマ化することで前記基板電極
上に載置した基板に薄膜を生成させる成膜装置におい
て、 前記高周波電極と前記基板電極との間に、多数のシャワ
ー孔を穿設した絶縁体平板を設置すると共に、 前記高周波電極は、前記シャワー板に対して均一な分布
で反応ガスを供給するための複数のガス穴を備えたこと
を特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339490A JPH05156454A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339490A JPH05156454A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05156454A true JPH05156454A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18327964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3339490A Pending JPH05156454A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05156454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283452A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-10-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体製造装置及びその方法 |
| JPH10134997A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-22 | Samsung Electron Co Ltd | ２次電位による放電を除去したプラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP3339490A patent/JPH05156454A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283452A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-10-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体製造装置及びその方法 |
| JPH10134997A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-22 | Samsung Electron Co Ltd | ２次電位による放電を除去したプラズマ処理装置 |
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