JPH01286514A - 垂直発振回路 - Google Patents
垂直発振回路Info
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- JPH01286514A JPH01286514A JP11667688A JP11667688A JPH01286514A JP H01286514 A JPH01286514 A JP H01286514A JP 11667688 A JP11667688 A JP 11667688A JP 11667688 A JP11667688 A JP 11667688A JP H01286514 A JPH01286514 A JP H01286514A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は垂直発振回路に係り、詳細には集積回路化され
た場合であっても、集積回路内の定数による引込み範囲
の制限を受けることがない垂直発振回路に関する。
た場合であっても、集積回路内の定数による引込み範囲
の制限を受けることがない垂直発振回路に関する。
(従来の技術)
垂直偏向回路に使用されるIc(集積回路)の発振回路
においては、一般に、抵抗及びコンデンサによるCR発
振方式が採用されている。
においては、一般に、抵抗及びコンデンサによるCR発
振方式が採用されている。
第6図はこのようなICを使用した従来の垂直発振回路
を示す回路図である。第6図において破線工にて囲った
部分がICにより構成される。
を示す回路図である。第6図において破線工にて囲った
部分がICにより構成される。
差動増幅器を構成するNPNトランジスタQ1゜Q2の
エミッタは共通接続され、定゛社流源1を介して基準電
位点に接続されている。トランジスタQ1のコレクタに
は電圧源端子2から電圧VCCが供給されており、トラ
ンジスタQ2のコレクタはPNPトランジスタQ3のコ
レクタに接続され、トランジスタQ3を介して電圧が供
給される。このトランジスタQ3のエミッタはPNPト
ランジスタQ5のエミッタと共通接続されて電圧源端子
2から電圧Vccが供給されている。また、トランジス
タQ3 、Q5のベースは共通接続され、PNPトラン
ジスタQ4のエミッタに接続される。このトランジスタ
Q3 、Q4 、Q5によりカレントミラー回路が構成
され、発振出力はトランジスタQ5のコレクタに接続さ
れた出力端子(因示せず)から取り出される。トランジ
スタQ4のコレクタは基準電位点に接続され、ベースは
トランジスタQ2のコレクタに接続される。これにより
、トランジスタQ2がオンの場合にはトランジスタQ3
乃至Q5はいずれもオンとなり、トランジスタQ2がオ
フの場合にはオフとなる。
エミッタは共通接続され、定゛社流源1を介して基準電
位点に接続されている。トランジスタQ1のコレクタに
は電圧源端子2から電圧VCCが供給されており、トラ
ンジスタQ2のコレクタはPNPトランジスタQ3のコ
レクタに接続され、トランジスタQ3を介して電圧が供
給される。このトランジスタQ3のエミッタはPNPト
ランジスタQ5のエミッタと共通接続されて電圧源端子
2から電圧Vccが供給されている。また、トランジス
タQ3 、Q5のベースは共通接続され、PNPトラン
ジスタQ4のエミッタに接続される。このトランジスタ
Q3 、Q4 、Q5によりカレントミラー回路が構成
され、発振出力はトランジスタQ5のコレクタに接続さ
れた出力端子(因示せず)から取り出される。トランジ
スタQ4のコレクタは基準電位点に接続され、ベースは
トランジスタQ2のコレクタに接続される。これにより
、トランジスタQ2がオンの場合にはトランジスタQ3
乃至Q5はいずれもオンとなり、トランジスタQ2がオ
フの場合にはオフとなる。
電圧源端子2とM準電位点との間には抵抗R1゜R2、
R3、R4の直列回路が接続されており、トランジスタ
Q1のベースはこの抵抗R1、R2の接続点に接続され
てベースバイアスが与えられる。トランジスタQ5のコ
レクタは抵抗R5゜R6を介してトランジスタQ60ベ
ースに接続されると共に、抵抗R5、R7を介してトラ
ンジスタQ7のベースに接続される。トランジスタQ6
゜Q7はトランジスタQ−5のオン、オフによりオン。
R3、R4の直列回路が接続されており、トランジスタ
Q1のベースはこの抵抗R1、R2の接続点に接続され
てベースバイアスが与えられる。トランジスタQ5のコ
レクタは抵抗R5゜R6を介してトランジスタQ60ベ
ースに接続されると共に、抵抗R5、R7を介してトラ
ンジスタQ7のベースに接続される。トランジスタQ6
゜Q7はトランジスタQ−5のオン、オフによりオン。
オフする。従って、トランジスタQ2乃至Q7は同時に
オン又はオフとなる。
オン又はオフとなる。
トランジスタQ6のコレクタは抵抗R2、R3の接続点
に接続され、エミッタは基準電位点に接続されており、
トランジスタQ6のオン、オフによりトランジスタQ1
のベースバイアスが変化する。トランジスタQ6がオフ
の場合のトランジスタQ1のベースバイアスVHは下記
(1)式にて表される。
に接続され、エミッタは基準電位点に接続されており、
トランジスタQ6のオン、オフによりトランジスタQ1
のベースバイアスが変化する。トランジスタQ6がオフ
の場合のトランジスタQ1のベースバイアスVHは下記
(1)式にて表される。
R2+R3+R4
V H−v cc + + + 4 ・
・・< 1)また、トランジスタQ6がオンの場合にお
けるトランジスタQ1のベースバイアスVLは下記(2
)式にて表される。
・・< 1)また、トランジスタQ6がオンの場合にお
けるトランジスタQ1のベースバイアスVLは下記(2
)式にて表される。
V L −V CCエエエ、7− (2>トランジスタ
Q2のベースは発振コンデンサ3を介して基準電位点に
接続されており、発振コンデンサ3は電圧源端子2から
可変抵抗Rv及び抵抗R8を介して充電される。コンデ
ンサ3とトランジスタQ2のベースとの接続点は抵抗R
9を介してトランジスタQ1のコレクタに接続されてお
り、コンデンサ3はトランジスタQ7がオンの場合に抵
抗R9及びトランジスタQ7を介して基準電位点に放電
する。
Q2のベースは発振コンデンサ3を介して基準電位点に
接続されており、発振コンデンサ3は電圧源端子2から
可変抵抗Rv及び抵抗R8を介して充電される。コンデ
ンサ3とトランジスタQ2のベースとの接続点は抵抗R
9を介してトランジスタQ1のコレクタに接続されてお
り、コンデンサ3はトランジスタQ7がオンの場合に抵
抗R9及びトランジスタQ7を介して基準電位点に放電
する。
トランジスタQ8のコレクタは抵抗R3、R4の接続点
に接続され、エミッタは基準電位点に接続される。この
トランジスタQ8のベースには、入力端子4から導入さ
れた垂直同期信号が抵抗R10を介して入力される。な
お、トランジスタQ8のベースと基準電位点との間には
抵抗R11とコンデンサC1とが接続されている。トラ
ンジスタQ8がオンの場合におけるトランジスタQ1の
ベースバイアスVH’ は下記(3)式にて表される(
但し、トランジスタQ6はオフとする)。
に接続され、エミッタは基準電位点に接続される。この
トランジスタQ8のベースには、入力端子4から導入さ
れた垂直同期信号が抵抗R10を介して入力される。な
お、トランジスタQ8のベースと基準電位点との間には
抵抗R11とコンデンサC1とが接続されている。トラ
ンジスタQ8がオンの場合におけるトランジスタQ1の
ベースバイアスVH’ は下記(3)式にて表される(
但し、トランジスタQ6はオフとする)。
なお、トランジスタQ1 、Q2はベース電位がVLで
はオフし、VH又は■H′ではオンするものとする。
はオフし、VH又は■H′ではオンするものとする。
次に、このように構成された回路の動作について第7図
及び第8図(a)、(b)を参照して説明する。第7図
及び第8図(a)は第6図のへ貞の電位の変化を示し、
第8図(b)は垂直同期信号を示すタイミングチャート
である。
及び第8図(a)、(b)を参照して説明する。第7図
及び第8図(a)は第6図のへ貞の電位の変化を示し、
第8図(b)は垂直同期信号を示すタイミングチャート
である。
いま、入力端子4に垂直同期信号が尋人されないフリー
ラン状態であるとする。電圧Vccを投入すると、第6
図のB点の電位はV)Iとなり、Aaの電位は、発振コ
ンデンサ3の電圧Vccによる充電に伴い上昇する(第
7図の期間T1参照)。この状態では、トランジスタQ
1はオンであり、トランジスタQ2乃至Q7はオフであ
る。
ラン状態であるとする。電圧Vccを投入すると、第6
図のB点の電位はV)Iとなり、Aaの電位は、発振コ
ンデンサ3の電圧Vccによる充電に伴い上昇する(第
7図の期間T1参照)。この状態では、トランジスタQ
1はオンであり、トランジスタQ2乃至Q7はオフであ
る。
発振コンデンサ3の端子電圧が上昇してVHに達すると
、トランジスタQ2乃至Q7がオンとなリ、トランジス
タQ1はベースバイアスがVLとなってオフとなる。ト
ランジスタQ7がオンとなるので、コンデンサ3の充W
ffi圧は抵抗R9及びトランジスタQ7を介して放電
する(第7図の期間T2)。
、トランジスタQ2乃至Q7がオンとなリ、トランジス
タQ1はベースバイアスがVLとなってオフとなる。ト
ランジスタQ7がオンとなるので、コンデンサ3の充W
ffi圧は抵抗R9及びトランジスタQ7を介して放電
する(第7図の期間T2)。
この放電によりコンデンサ3の端子電圧がVLまで低下
すると、トランジスタロ1乃至Q7はオフとなり、トラ
ンジスタQ1はオンとなる。トランジスタQ7がオフで
あるから、コンデンサ3は充電されて端子電圧が上界す
る(第7図の期間T1)。以後、この動作が繰り返され
、(Tl +T2 )の周期で発振する。なお、可変抵
抗Rvを調整することにより、コンデンサ3の充電電流
を変化させて、発振周波数を調整することができる 第8図(b)に示す垂直同期信号が入力端子4に導入さ
れる場合には、同期信号期間においてトランジスタQ8
が導通する。そうすると、この期間にはトランジスタQ
1のベースバイアスはvl(′ となる。トランジスタ
Q1のベースにVH’が印加されている場合には、第8
図(a)にて示すように、トランジスタQ2はベースバ
イアス(コンデンサ3の端子電圧)がVH’ まで上昇
するとオンとなり、コンデンサ3の放電が開始される。
すると、トランジスタロ1乃至Q7はオフとなり、トラ
ンジスタQ1はオンとなる。トランジスタQ7がオフで
あるから、コンデンサ3は充電されて端子電圧が上界す
る(第7図の期間T1)。以後、この動作が繰り返され
、(Tl +T2 )の周期で発振する。なお、可変抵
抗Rvを調整することにより、コンデンサ3の充電電流
を変化させて、発振周波数を調整することができる 第8図(b)に示す垂直同期信号が入力端子4に導入さ
れる場合には、同期信号期間においてトランジスタQ8
が導通する。そうすると、この期間にはトランジスタQ
1のベースバイアスはvl(′ となる。トランジスタ
Q1のベースにVH’が印加されている場合には、第8
図(a)にて示すように、トランジスタQ2はベースバ
イアス(コンデンサ3の端子電圧)がVH’ まで上昇
するとオンとなり、コンデンサ3の放電が開始される。
つまり、コンデンサ3の端子電圧が上昇してVH’ に
到達した。後に垂直同期信号が導入されると、トランジ
スタQ2はオンとなり、トランジスタQ1はオフとなる
。このように、垂直同期信号を導入してトランジスタQ
1 、Q2を強制的に反転動作させることにより、発振
周波数を垂直周波数に一致させることができる。
到達した。後に垂直同期信号が導入されると、トランジ
スタQ2はオンとなり、トランジスタQ1はオフとなる
。このように、垂直同期信号を導入してトランジスタQ
1 、Q2を強制的に反転動作させることにより、発振
周波数を垂直周波数に一致させることができる。
ところで、このようなトランジスタQl 、 Q2の強
制的な反転動作を可能とする同期引込み範囲は、コンデ
ンサ3の充電電圧がVH′に到達してからVHとなるま
での期間である。このため、同期信号を導入することに
より変化させることができる発振周波数の上限は、自由
発振周波数のVH’ −VL (3)式から下記(4)式が導かれる。
制的な反転動作を可能とする同期引込み範囲は、コンデ
ンサ3の充電電圧がVH′に到達してからVHとなるま
での期間である。このため、同期信号を導入することに
より変化させることができる発振周波数の上限は、自由
発振周波数のVH’ −VL (3)式から下記(4)式が導かれる。
V+ −VL =(R3+R4)(R1+R2+R
3)VH’−VL R3(R1+R2+R3+R4
)・・・ (4) これは、破線IのIC内の抵抗R1、R2、R3。
3)VH’−VL R3(R1+R2+R3+R4
)・・・ (4) これは、破線IのIC内の抵抗R1、R2、R3。
R4により、発振周波数の上限が決定されることを示し
ている。このように、ICを使用して垂直周波数の発振
を行わせる場合には引込み可能の周波数範囲が固定であ
るので、可変抵抗2による自由発振周波数の調整だけで
は所要の発振周波数を得ることができないことがあると
いう問題があった。
ている。このように、ICを使用して垂直周波数の発振
を行わせる場合には引込み可能の周波数範囲が固定であ
るので、可変抵抗2による自由発振周波数の調整だけで
は所要の発振周波数を得ることができないことがあると
いう問題があった。
(発明が解決しようとする課題)
このように、上述した従来の垂直発振回路においては、
同期引込み範囲が固定であるので、必要な発振周波数を
得ることができないことがあるという問題点があった。
同期引込み範囲が固定であるので、必要な発振周波数を
得ることができないことがあるという問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、引
込み範囲の制限を解消して、導入される垂直同期信号と
同一の周波数で発振することができる垂直発振回路を提
供することを目的とする。
込み範囲の制限を解消して、導入される垂直同期信号と
同一の周波数で発振することができる垂直発振回路を提
供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、電圧源により第1の抵抗を介して充電される
発振コンデンサと、この発振コンデンサの端子電圧が所
定のハ、イレベルに到達するとオンとなってその充Ti
電荷を基準電位点に放電させ、前記端子電圧が所定のロ
ーレベルに到達するとオフとなるトランジスタと、この
トランジスタのオン、オフ動作を強制的に反転させるた
めの垂直同期信号を導入する入力端子と、前記トランジ
スタのオン、オフ動作に基づいて垂直周期のパルスを出
力する出力手段とを具備した垂直発振回路において、前
記電圧源と前記発振コンデンサとの間に接続され前記第
1の抵抗よりも小さい抵抗値を有する第2の抵抗及びス
イッチング素子により構成される直列回路と、前記入力
端子に導入される垂直同期信号により前記スイッチング
素子のオン。
発振コンデンサと、この発振コンデンサの端子電圧が所
定のハ、イレベルに到達するとオンとなってその充Ti
電荷を基準電位点に放電させ、前記端子電圧が所定のロ
ーレベルに到達するとオフとなるトランジスタと、この
トランジスタのオン、オフ動作を強制的に反転させるた
めの垂直同期信号を導入する入力端子と、前記トランジ
スタのオン、オフ動作に基づいて垂直周期のパルスを出
力する出力手段とを具備した垂直発振回路において、前
記電圧源と前記発振コンデンサとの間に接続され前記第
1の抵抗よりも小さい抵抗値を有する第2の抵抗及びス
イッチング素子により構成される直列回路と、前記入力
端子に導入される垂直同期信号により前記スイッチング
素子のオン。
オフ動作を制御する11111手段とを具備したもので
ある。
ある。
(作用)
本発明においては、同期信号が入力端子に導入されると
、制御手段はスイッチング素子のオン。
、制御手段はスイッチング素子のオン。
オフ動作を制御して発振コンデンサの充電時間を極めて
短縮する。このため、同期信号が導入されると、発振コ
ンデンサは短時間で充電されて短時間でトランジスタが
反転動作することとなり、結局、同期信号の周期で発振
コンデンサの充放電が繰返されて発振が行われる。従っ
て、自由発振周波数に拘らず、垂直同期信号による強制
同期が可能である。
短縮する。このため、同期信号が導入されると、発振コ
ンデンサは短時間で充電されて短時間でトランジスタが
反転動作することとなり、結局、同期信号の周期で発振
コンデンサの充放電が繰返されて発振が行われる。従っ
て、自由発振周波数に拘らず、垂直同期信号による強制
同期が可能である。
(実施例)
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。第1図
は本発明の第1の実施例に係る垂直発振回路を示す回路
図である。第1図において第6図と同一の構成要素には
同一の符号を付しである。
は本発明の第1の実施例に係る垂直発振回路を示す回路
図である。第1図において第6図と同一の構成要素には
同一の符号を付しである。
本実施例は、従来と同様に、引込み範囲が抵抗R1、R
2、R3、R4により決定されるIC(破線工にて囲っ
た部分)を使用している(但し、トランジスタQ8は使
用しない)。即ち、抵抗R1乃至R9、トランジスタQ
1乃至Q7及び定電流源1の構成は従来と同様である。
2、R3、R4により決定されるIC(破線工にて囲っ
た部分)を使用している(但し、トランジスタQ8は使
用しない)。即ち、抵抗R1乃至R9、トランジスタQ
1乃至Q7及び定電流源1の構成は従来と同様である。
更に、発振コンデンサ3が電圧源端子2からの電圧VC
Cにより、可変抵抗RV %抵抗R8を介して充電され
、発振コンデンサ3の端子電圧がトランジスタQ2のベ
ースに印加される点も従来と同様である。
Cにより、可変抵抗RV %抵抗R8を介して充電され
、発振コンデンサ3の端子電圧がトランジスタQ2のベ
ースに印加される点も従来と同様である。
本実施例においては、入力端子4に導入される垂直同期
信号は抵抗R12を介してNPNトランジスタQIOの
ベースに入力される。トランジスタQ10のベースは抵
抗R13を介して基準電位点にも接続され、エミッタは
基準電位点に接続され、コレクタは抵抗R14を介して
PNPトランジスタQ11のベースに接続されている。
信号は抵抗R12を介してNPNトランジスタQIOの
ベースに入力される。トランジスタQ10のベースは抵
抗R13を介して基準電位点にも接続され、エミッタは
基準電位点に接続され、コレクタは抵抗R14を介して
PNPトランジスタQ11のベースに接続されている。
トランジスタQ11のエミッタは電圧′iA端子2に接
続され、ベースは抵抗R15を介して電圧源端子2に接
続され、コレクタは抵抗R16を介して抵抗R8及び発
振コンデンサ3の接続点に接続される。なお、抵抗R1
6の抵抗値は抵抗R8の抵抗値よりも十分に小さい。
続され、ベースは抵抗R15を介して電圧源端子2に接
続され、コレクタは抵抗R16を介して抵抗R8及び発
振コンデンサ3の接続点に接続される。なお、抵抗R1
6の抵抗値は抵抗R8の抵抗値よりも十分に小さい。
次に、このように構成された実施例の動作について第2
図(a)、(b)、(c)のタイミングチャートを参照
して説明する。
図(a)、(b)、(c)のタイミングチャートを参照
して説明する。
第2図(a)、(b)は夫々第1図のA点の電圧(コン
デンサ3の端子電圧)波形及び0点の電圧(トランジス
タQ7のコレクタ電圧)波形を示し、第2図(C)は垂
直同期信号の波形を示している。
デンサ3の端子電圧)波形及び0点の電圧(トランジス
タQ7のコレクタ電圧)波形を示し、第2図(C)は垂
直同期信号の波形を示している。
いま、同期信号が導入されないフリーラン状態であると
する。この場合には、従来と同様に、発振コンデンサ3
の充放電により、トランジスタQ2のベース電位がVL
とVHとの間で変化して、自由発振周波数で発振が行わ
れる。
する。この場合には、従来と同様に、発振コンデンサ3
の充放電により、トランジスタQ2のベース電位がVL
とVHとの間で変化して、自由発振周波数で発振が行わ
れる。
次に、第2図(C)に示す垂直同期信号が入力端子4に
導入されるものとする。この場合には、同期化@期間に
おいて、トランジスタQ10がオンとなる。そうすると
、トランジスタQ11もオンとなり、発振コンデンサ3
はトランジスタQ11及び抵抗R1Bを介して急速に充
電される。これにより、第2図(a)に示すように、同
期信号の立上がりから短III I’1fflT 3の
後にコンデンサ3の端子電圧はVHに達し、トランジス
タQ2はオンとなる。トランジスタQ2がオンとなると
、トランジスタQ7もオンとなり、コンデンサ3の端子
電圧は、抵RR9及びトランジスタQ7を介した放電に
より減少する。同期信号期間において、トランジスタQ
11がオンであるので、コンデンサ3の端子電圧の変化
は小さく(第2図(a)の期間T4 )、同期信号期間
が終了すると、端子電圧は急速にVLに達する(期間T
5)。そうすると、トランジスタQ2乃至Q7はオフと
なり、トランジスタQ1はオンとなって、コンデンサ3
の端子電圧は上昇を開始する。
導入されるものとする。この場合には、同期化@期間に
おいて、トランジスタQ10がオンとなる。そうすると
、トランジスタQ11もオンとなり、発振コンデンサ3
はトランジスタQ11及び抵抗R1Bを介して急速に充
電される。これにより、第2図(a)に示すように、同
期信号の立上がりから短III I’1fflT 3の
後にコンデンサ3の端子電圧はVHに達し、トランジス
タQ2はオンとなる。トランジスタQ2がオンとなると
、トランジスタQ7もオンとなり、コンデンサ3の端子
電圧は、抵RR9及びトランジスタQ7を介した放電に
より減少する。同期信号期間において、トランジスタQ
11がオンであるので、コンデンサ3の端子電圧の変化
は小さく(第2図(a)の期間T4 )、同期信号期間
が終了すると、端子電圧は急速にVLに達する(期間T
5)。そうすると、トランジスタQ2乃至Q7はオフと
なり、トランジスタQ1はオンとなって、コンデンサ3
の端子電圧は上昇を開始する。
このように、垂直同期信号による強制同期により、発振
周波数を垂直周波数に一致させており、この強制同期は
同期信号によりトランジスタQ11をオンにして、コン
デンサ3を急速にVHに到達させることにより行われる
。このため、同期信号が導入されるタイミングに拘らず
、トランジスタQl 、Q2の状態を反転させることが
できる。従って、本実施例においては、自由発振周波数
と垂直置波数との差が大きく、IC内部で決定される引
込み可能の周波数よりも、垂直周波数が高い場合であっ
ても、同期が可能となり垂a周波数で発振させることが
できる。
周波数を垂直周波数に一致させており、この強制同期は
同期信号によりトランジスタQ11をオンにして、コン
デンサ3を急速にVHに到達させることにより行われる
。このため、同期信号が導入されるタイミングに拘らず
、トランジスタQl 、Q2の状態を反転させることが
できる。従って、本実施例においては、自由発振周波数
と垂直置波数との差が大きく、IC内部で決定される引
込み可能の周波数よりも、垂直周波数が高い場合であっ
ても、同期が可能となり垂a周波数で発振させることが
できる。
第3図は本発明の第2の実施例に係る垂直発振回路を示
す回路図である。第3図において第1図と同一の構成要
素には同一の符qを付して説明を省略する。
す回路図である。第3図において第1図と同一の構成要
素には同一の符qを付して説明を省略する。
第2の実施例はダイオードDI 、 D2 、抵抗R1
7,R18及びトランジスタQ12を設けた点が第1の
実施例と異なる。即ち、第1の実施例において基準電位
点に接続されていたトランジスタQIOのエミッタ及び
抵抗R13はトランジスタQ12のコレクタに接続され
、トランジスタQ12のエミッタが基準電位点に接続さ
れる。トランジスタQ12のベースはダイオードD1の
カソードに接続されると共に、抵抗R17を介して基準
電位点に接続される。ダイオードD1の7ノードは抵抗
R1Bを介して電圧源端子2に接続され、ダイオードD
1はトランジスタQ12のベースに電圧を供給する。ま
たダイオードD1のアノードはダイオードD2の7ノー
ドにも接続されており、ダイオードD2のカソードはト
ランジスタQ7のコレクタ(0点)に接続されている。
7,R18及びトランジスタQ12を設けた点が第1の
実施例と異なる。即ち、第1の実施例において基準電位
点に接続されていたトランジスタQIOのエミッタ及び
抵抗R13はトランジスタQ12のコレクタに接続され
、トランジスタQ12のエミッタが基準電位点に接続さ
れる。トランジスタQ12のベースはダイオードD1の
カソードに接続されると共に、抵抗R17を介して基準
電位点に接続される。ダイオードD1の7ノードは抵抗
R1Bを介して電圧源端子2に接続され、ダイオードD
1はトランジスタQ12のベースに電圧を供給する。ま
たダイオードD1のアノードはダイオードD2の7ノー
ドにも接続されており、ダイオードD2のカソードはト
ランジスタQ7のコレクタ(0点)に接続されている。
これにより、ダイオードD1のカソードには0点の電位
が現れることになる。
が現れることになる。
次に、このように構成された実施例回路の動作について
第4図(a)、(b)、(c)のタイミングチャートを
参照して説明する。第4図(a)。
第4図(a)、(b)、(c)のタイミングチャートを
参照して説明する。第4図(a)。
(b)は夫々第3図のA点及び0点の電圧波形を示し、
第4図(C)は垂直同期信号波形を示す。
第4図(C)は垂直同期信号波形を示す。
いま、第4(C)に示す垂直同期信号が導入されると、
同期信号の立上がりにおいて、トランジスタQIO及び
トランジスタQ11がオンとなり、発振コンデンサ3は
急速に充電される。コンデンサ3の端子電圧がVHに到
達すると、トランジスタQ7はオンとなり、コンデンサ
3は抵抗R9及びトランジスタQ7を介して放電を開始
する。この場合には、第4図(b)に示すように、トラ
ンジスタQ1のコレクタ電圧(0点電圧)は略Oボルト
となり、0点電圧が印加されていたトランジスタQ12
はオンからオフに変化する。
同期信号の立上がりにおいて、トランジスタQIO及び
トランジスタQ11がオンとなり、発振コンデンサ3は
急速に充電される。コンデンサ3の端子電圧がVHに到
達すると、トランジスタQ7はオンとなり、コンデンサ
3は抵抗R9及びトランジスタQ7を介して放電を開始
する。この場合には、第4図(b)に示すように、トラ
ンジスタQ1のコレクタ電圧(0点電圧)は略Oボルト
となり、0点電圧が印加されていたトランジスタQ12
はオンからオフに変化する。
そうすると、抵抗R15,R14及びトランジスタQ1
0.Q12を介して電流は流れず、トランジスタQ11
はオフとなる。これにより、第4図(a)にて示すよう
に、この期間にはコンデンサ3は急速に放電する。従っ
て、第2の実施例においては、第1の実施例よりもコン
デンサの放電時間を短くすることができるという効果が
あり、更に、−m発振周波数を高くすることが可能であ
る。
0.Q12を介して電流は流れず、トランジスタQ11
はオフとなる。これにより、第4図(a)にて示すよう
に、この期間にはコンデンサ3は急速に放電する。従っ
て、第2の実施例においては、第1の実施例よりもコン
デンサの放電時間を短くすることができるという効果が
あり、更に、−m発振周波数を高くすることが可能であ
る。
第5図は本発明の第3の実施例に係る垂直発振回路を示
づ回路図である。第5図において第1図と同一の構成要
素には同一のけ号を付して説明を省略する。
づ回路図である。第5図において第1図と同一の構成要
素には同一のけ号を付して説明を省略する。
第3の実施例は、トランジスタQ1Gのコレクタと抵抗
R14との間にコンデンサC1及び抵抗R19による並
列回路を設けた点が第1の実施例とは異なる。
R14との間にコンデンサC1及び抵抗R19による並
列回路を設けた点が第1の実施例とは異なる。
本実施例においては、同期信号期間においてトランジス
タQ10はオンとなる。これにより、抵抗R15,R1
4、コンデンサC1及びトランジスタQ10を介して電
流が流れ、トランジスタQ11がオンとなる。しかし、
コンデンサC1の端子電圧が充電により所定値まで上背
すると、トランジスタQ11は同期信号期間においても
オフとなる。次いで、トランジスタQ10がオフになる
と、コンデンサC1の端子電圧は抵抗R1’Jを介して
放電する。
タQ10はオンとなる。これにより、抵抗R15,R1
4、コンデンサC1及びトランジスタQ10を介して電
流が流れ、トランジスタQ11がオンとなる。しかし、
コンデンサC1の端子電圧が充電により所定値まで上背
すると、トランジスタQ11は同期信号期間においても
オフとなる。次いで、トランジスタQ10がオフになる
と、コンデンサC1の端子電圧は抵抗R1’Jを介して
放電する。
次の同期信号期間においても同様の動作を繰返し、第2
の実施例と同様に、トランジスタQ11のオンm間を短
くして発揚コンデンサ3の放電時間を短縮づることがで
きる。
の実施例と同様に、トランジスタQ11のオンm間を短
くして発揚コンデンサ3の放電時間を短縮づることがで
きる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、自由発振周波数と
垂直周波数との差が大きい場合であっても、垂直同期信
号による強制同期が可能であり、極めて高い周波数の発
掘が可能である。
垂直周波数との差が大きい場合であっても、垂直同期信
号による強制同期が可能であり、極めて高い周波数の発
掘が可能である。
第1図は本発明に係る垂直発振回路の一実施例を示す回
路図、第2図 、 は第1図の実施例
を説明するためのタイミングチャート、第3図は本発明
の他の実施例を示す回路図、第4図
は第3図の実施例を説明するためのタイミングチャ
ート、第5図は本発明の他の実施例を示す回路図、第6
図は従来の垂直発振回路を示す回路図、第7図は第6図
の回路を説明するための波形図、第8図臼ヒニハ吐は同
じく第6図の回路を説明するためのタイミングチャート
である。 1・・・定電流源、2・・・電圧源端子、3発振コンデ
ンサ、Q1〜Q7 、 QIO−Qll・・・トランジ
スタ、R8、R9、R16・・・抵抗、Rv・・・可変
抵抗。 (C) 第3図 第4図 0 ^ 、O
路図、第2図 、 は第1図の実施例
を説明するためのタイミングチャート、第3図は本発明
の他の実施例を示す回路図、第4図
は第3図の実施例を説明するためのタイミングチャ
ート、第5図は本発明の他の実施例を示す回路図、第6
図は従来の垂直発振回路を示す回路図、第7図は第6図
の回路を説明するための波形図、第8図臼ヒニハ吐は同
じく第6図の回路を説明するためのタイミングチャート
である。 1・・・定電流源、2・・・電圧源端子、3発振コンデ
ンサ、Q1〜Q7 、 QIO−Qll・・・トランジ
スタ、R8、R9、R16・・・抵抗、Rv・・・可変
抵抗。 (C) 第3図 第4図 0 ^ 、O
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電圧源により第1の抵抗を介して充電される発振コンデ
ンサと、この発振コンデンサの端子電圧が所定のハイレ
ベルに到達するとオンとなってその充電電荷を基準電位
点に放電させ、前記端子電圧が所定のローレベルに到達
するとオフとなるトランジスタと、このトランジスタの
オン、オフ動作を強制的に反転させるための垂直同期信
号を導入する入力端子と、前記トランジスタのオン、オ
フ動作に基づいて垂直周期のパルスを出力する出力手段
とを具備した垂直発振回路において、前記電圧源と前記
発振コンデンサとの間に接続され前記第1の抵抗よりも
小さい抵抗値を有する第2の抵抗及びスイッチング素子
により構成される直列回路と、 前記入力端子に導入される垂直同期信号により前記スイ
ッチング素子のオン、オフ動作を制御する制御手段とを
具備したことを特徴とする垂直発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11667688A JPH01286514A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 垂直発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11667688A JPH01286514A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 垂直発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286514A true JPH01286514A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14693124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11667688A Pending JPH01286514A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 垂直発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286514A (ja) |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP11667688A patent/JPH01286514A/ja active Pending
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