JPH01288948A - メモリのデータ保護方式 - Google Patents
メモリのデータ保護方式Info
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- JPH01288948A JPH01288948A JP63118963A JP11896388A JPH01288948A JP H01288948 A JPH01288948 A JP H01288948A JP 63118963 A JP63118963 A JP 63118963A JP 11896388 A JP11896388 A JP 11896388A JP H01288948 A JPH01288948 A JP H01288948A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段(第1図)
作用
実施例
(a)一実施例の説明(第2図、第3図)(b)他の実
施例の構成の説明 (第4図、第5図、第6図) (C)他の実施例の動作の説明 (第7図、第8図) (d)別の実施例の説明 発明の効果 〔概要〕 スタティックRAM等のメモリのデータを電源断の状態
から保護するためのバフテリを有するメモリのデータ保
護方式に関し、 バッテリの劣化か充電不足かを検出し、メモリを安全に
使用することを目的とし、 メモリと、該メモリの電源供給部と、該電源供給部によ
り充電され、電源断時に該メモリに電力を供給するバッ
テリとを存するメモリのデータ保護方式において、該バ
ッテリの電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー
信号を発生する第1の電圧チェック回路と、該バッテリ
の電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する
第2の電圧チェック回路とを設けた。
施例の構成の説明 (第4図、第5図、第6図) (C)他の実施例の動作の説明 (第7図、第8図) (d)別の実施例の説明 発明の効果 〔概要〕 スタティックRAM等のメモリのデータを電源断の状態
から保護するためのバフテリを有するメモリのデータ保
護方式に関し、 バッテリの劣化か充電不足かを検出し、メモリを安全に
使用することを目的とし、 メモリと、該メモリの電源供給部と、該電源供給部によ
り充電され、電源断時に該メモリに電力を供給するバッ
テリとを存するメモリのデータ保護方式において、該バ
ッテリの電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー
信号を発生する第1の電圧チェック回路と、該バッテリ
の電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する
第2の電圧チェック回路とを設けた。
本発明は、スタティックRAM等のメモリのデータを電
源断の状態から保護するためのバッテリを有するメモリ
のデータ保護方式に関する。
源断の状態から保護するためのバッテリを有するメモリ
のデータ保護方式に関する。
不測の電源遮断時でも、メモリー内容を保持することの
できるバラチリバックアップ式不揮発性メモリ装置が、
広く利用されている。
できるバラチリバックアップ式不揮発性メモリ装置が、
広く利用されている。
このようなメモリ装置では、いついかなる時でも、電源
遮断に対処できるよう、バッテリが充分チャージ(充電
)されていなければならない。
遮断に対処できるよう、バッテリが充分チャージ(充電
)されていなければならない。
通常電源供給時は、バッテリは常にチャージされており
、充分チャージされていれば、電源遮断時のバックアッ
プが可能となる。
、充分チャージされていれば、電源遮断時のバックアッ
プが可能となる。
近年、係るメモリ装置が、ログデータや設定データとい
う比較的重要でないデータの格納のみならず、ユーザデ
ータなどの比較的重要なデータの格納に用いられ、バッ
テリによるバックアップ機能に厳密さが求められている
。
う比較的重要でないデータの格納のみならず、ユーザデ
ータなどの比較的重要なデータの格納に用いられ、バッ
テリによるバックアップ機能に厳密さが求められている
。
このため、バッテリによるバックアップ機能をチェック
し、データを保護する技術が必要となる。
し、データを保護する技術が必要となる。
従来は、バッテリの電圧をチェックするパトロールチェ
ックが行われていた。
ックが行われていた。
パトロールチェックは、例えば、特許出願公開昭58−
146099号公報にみられるように、電源によって充
電中のバッテリをメモリと接続し、且つ電源と切離して
バッテリの電圧を1つの基準電圧と比較してチェックす
るものが知られている。
146099号公報にみられるように、電源によって充
電中のバッテリをメモリと接続し、且つ電源と切離して
バッテリの電圧を1つの基準電圧と比較してチェックす
るものが知られている。
このような従来技術では、バッテリが劣化したか否かを
検出、警報するものであった。
検出、警報するものであった。
ところで、従来技術では、バッテリの電圧を1つの基準
電圧で比較してチェックした。
電圧で比較してチェックした。
しかしながら、従来技術では、基準電圧を低くすれば、
バッテリの劣化、異常を検出することができるが、十分
に充電されていない状態で、電源の遮断があると、デー
タが保護されないことを検出することができないという
問題があり、他方基準電圧を高くすれば、バッテリが劣
化したのか、バッテリの充電が十分でないのか認識でき
ないという問題があった。
バッテリの劣化、異常を検出することができるが、十分
に充電されていない状態で、電源の遮断があると、デー
タが保護されないことを検出することができないという
問題があり、他方基準電圧を高くすれば、バッテリが劣
化したのか、バッテリの充電が十分でないのか認識でき
ないという問題があった。
本発明の目的は、バッテリの劣化か充電不足かを検出し
、メモリを安全に使用することのできるメモリのデータ
保護方式を提供するにある。
、メモリを安全に使用することのできるメモリのデータ
保護方式を提供するにある。
又、零発すの他の目的は、バッテリの劣化か充電不足を
検出し、メモリの使用を決定することのできるメモリの
データ保護方式を提供するにある。
検出し、メモリの使用を決定することのできるメモリの
データ保護方式を提供するにある。
第1図は本発明の原理図である。
本発明は、第1図(A)に示すように、メモリ10と、
メモリ10の電源供給部11と、該電源供給部11によ
り充電され、電源断時に該メモリ10に電力を供給する
バッテリ12とを有するメモリのデータ保護方式におい
て、該バッテリ12の電圧と第1の電圧とを比較し、バ
ッテリエラー信号を発生する第1の電圧チェック回路1
3と、該バッテリ12の電圧と第2の電圧とを比較し、
充電中信号を発生する第2の電圧チェック回路14とを
設けたものである。
メモリ10の電源供給部11と、該電源供給部11によ
り充電され、電源断時に該メモリ10に電力を供給する
バッテリ12とを有するメモリのデータ保護方式におい
て、該バッテリ12の電圧と第1の電圧とを比較し、バ
ッテリエラー信号を発生する第1の電圧チェック回路1
3と、該バッテリ12の電圧と第2の電圧とを比較し、
充電中信号を発生する第2の電圧チェック回路14とを
設けたものである。
又、本発明は、第1図(B)に示すように、システム内
に設けられ、電源供給部11から電力を受けるメモリ1
0と、該電源供給部11により充電され、電源断時に該
メモリ10に電力を供給するバッテリ12とを有するメ
モリのデータ保護方式において、該バッテリ12の電圧
と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー信号を発生す
る第1の電圧チェック回路13と、該バッテリ12の電
圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する第2
の電圧チェック回路14と、該バッテリエラー信号と充
電中信号とに基づいて該メモリ10をシステムから切離
す制御部2とを有し、該制御部2はバッテリエラー信号
に応じて、バッテリエラーを通知するようにしたもので
ある。
に設けられ、電源供給部11から電力を受けるメモリ1
0と、該電源供給部11により充電され、電源断時に該
メモリ10に電力を供給するバッテリ12とを有するメ
モリのデータ保護方式において、該バッテリ12の電圧
と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー信号を発生す
る第1の電圧チェック回路13と、該バッテリ12の電
圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する第2
の電圧チェック回路14と、該バッテリエラー信号と充
電中信号とに基づいて該メモリ10をシステムから切離
す制御部2とを有し、該制御部2はバッテリエラー信号
に応じて、バッテリエラーを通知するようにしたもので
ある。
更に、本発明は、第1図(B)に示すように、電源供給
部11から電力を受け、転送データを格納するメモリI
Oと、該電源供給部11により充電され、電源断時に該
メモリ10に電力を供給するバッテリ12と、該メモリ
IOに転送データを格納後、外部記憶装置6に該メモI
710の転送データを転送するライトバックモードと、
該転送データを該メモリ10を介さず該外部記憶装置6
に転送するライトスルーモードとを選択的に実行する制
御部2とを有するシステムにおいて、該バッテリ12の
電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー信号を発
生する第1の電圧チェック回路13と、該バッテリ12
の電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する
第2の電圧チェック回路14とを設けるとともに、該制
御部2は、該バッテリエラー信号と該充電中信号に基づ
いて、該メモリIOを切離して、ライトスルーモードを
実行するように構成され、且つ該バッテリエラー信号に
応じて、バッテリエラーを通知するようにしたものであ
る。
部11から電力を受け、転送データを格納するメモリI
Oと、該電源供給部11により充電され、電源断時に該
メモリ10に電力を供給するバッテリ12と、該メモリ
IOに転送データを格納後、外部記憶装置6に該メモI
710の転送データを転送するライトバックモードと、
該転送データを該メモリ10を介さず該外部記憶装置6
に転送するライトスルーモードとを選択的に実行する制
御部2とを有するシステムにおいて、該バッテリ12の
電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー信号を発
生する第1の電圧チェック回路13と、該バッテリ12
の電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する
第2の電圧チェック回路14とを設けるとともに、該制
御部2は、該バッテリエラー信号と該充電中信号に基づ
いて、該メモリIOを切離して、ライトスルーモードを
実行するように構成され、且つ該バッテリエラー信号に
応じて、バッテリエラーを通知するようにしたものであ
る。
本発明は、第1、第2の電圧チェック回路13.14を
設けているので、バッテリが劣化したのか、充電不足な
のかを検出でき、劣化なら交換、充電不足なら充電され
るまでメモリの使用を中断する等の処置がとれる。
設けているので、バッテリが劣化したのか、充電不足な
のかを検出でき、劣化なら交換、充電不足なら充電され
るまでメモリの使用を中断する等の処置がとれる。
又、本発明は、第1、第2の電圧チェック回路13、I
4と、電圧チェック結果によってメモリの使用を制御す
る制御部2を設けているので、バッテリの劣化、充電不
足に応じて使用制限を行うことができ、充電不足なら充
電後メモリの使用を再開できる。
4と、電圧チェック結果によってメモリの使用を制御す
る制御部2を設けているので、バッテリの劣化、充電不
足に応じて使用制限を行うことができ、充電不足なら充
電後メモリの使用を再開できる。
更に、本発明は、第1、第2の電圧チェック回路!3.
14と、電圧チェック結果によってメモリを介在するデ
ータ転送を制御する制御部2を設けているので、メモリ
を安全な状態でのみ使用するデータ転送が可能となる。
14と、電圧チェック結果によってメモリを介在するデ
ータ転送を制御する制御部2を設けているので、メモリ
を安全な状態でのみ使用するデータ転送が可能となる。
(a) 一実施例の説明
第2図は本発明の一実施例構成図である。
図中、第1図で示したものと同一のものは同一の記号で
示してあり、15はタイマー回路であり、一定時間毎に
パフテリチェック信号BCKを発生するもの、16は充
電回路であり、電源供給部11及びメモリー回路IOに
対し、リレーRLIと抵抗R及びダイオードD2の並列
回路によってバッテリ12と接続し、バッテリ12を充
電するもの、RL2はリレーであり、バッテリチェック
信号BCKの“ハイ”レベルで閉となり、バッテリ12
と電圧チェック回路13.14とを接続し、バッテリチ
ェック信号BCKの“ロー”レベルで開となるものであ
る。
示してあり、15はタイマー回路であり、一定時間毎に
パフテリチェック信号BCKを発生するもの、16は充
電回路であり、電源供給部11及びメモリー回路IOに
対し、リレーRLIと抵抗R及びダイオードD2の並列
回路によってバッテリ12と接続し、バッテリ12を充
電するもの、RL2はリレーであり、バッテリチェック
信号BCKの“ハイ”レベルで閉となり、バッテリ12
と電圧チェック回路13.14とを接続し、バッテリチ
ェック信号BCKの“ロー”レベルで開となるものであ
る。
尚、リレーRLIは、パフテリチェック信号BCKの“
ロー”レベルで閉じ、バッテリ12と電源供給部11を
抵抗Rを介し接続し、“ハイ”レベルで開くものであり
、電圧チェック回路13.14は電圧比較器で構成され
ている。
ロー”レベルで閉じ、バッテリ12と電源供給部11を
抵抗Rを介し接続し、“ハイ”レベルで開くものであり
、電圧チェック回路13.14は電圧比較器で構成され
ている。
第3図は本発明の一実施例動作説明図である。
バッテリチェック信号BCKが“ロー”レベルの時は、
リレーRLIが閉、リレーRL2が開であり、メモリー
回路10に電源を供給する電源供給部11から充電回路
16のリレーRLI、抵抗Rを介しバッテリ12が充電
される。
リレーRLIが閉、リレーRL2が開であり、メモリー
回路10に電源を供給する電源供給部11から充電回路
16のリレーRLI、抵抗Rを介しバッテリ12が充電
される。
タイマー回、路15は、クロックCLKを計数し、一定
時間間隔Tでバッテリチェック信号BCKを一定時間“
ハイ”レベルとする。
時間間隔Tでバッテリチェック信号BCKを一定時間“
ハイ”レベルとする。
バッテリチェック信号BCKが“ハイ”レベルとなると
、リレーRLIは開放され、リレーRL2は閉となる。
、リレーRLIは開放され、リレーRL2は閉となる。
これによって、電源供給部11からバッテリ12への充
電は一定時間停止され、パフテリ12のチェックが可能
となる。
電は一定時間停止され、パフテリ12のチェックが可能
となる。
この時、バッテリ12は、充電回路16のダイオードD
2を介しメモリー回路IOと接続されているので、電源
供給部11の充電が停止されても、電源断時にメモリー
回路10へ電力を供給できる。
2を介しメモリー回路IOと接続されているので、電源
供給部11の充電が停止されても、電源断時にメモリー
回路10へ電力を供給できる。
このバッテリ12のチェックは、バフテリ12の電圧■
を、第1の電圧チェック回路13では、フル充電時の電
圧の20%の基準電圧■1と、第2の電圧チェック回路
14では、フル充電時の電圧の80%の基準電圧■2と
比較することによって行う。
を、第1の電圧チェック回路13では、フル充電時の電
圧の20%の基準電圧■1と、第2の電圧チェック回路
14では、フル充電時の電圧の80%の基準電圧■2と
比較することによって行う。
即ち、バッテリ12の容量が80%未満かどうかと20
%未満かどうかをチェックする。
%未満かどうかをチェックする。
バッテリ12の容量が20%未満なら、第1の電圧チェ
ック回路13からバッテリエラー信号BERRが発生さ
れる。
ック回路13からバッテリエラー信号BERRが発生さ
れる。
この状態では、バフテリ12又は充電回路I6の劣化、
障害が考えられ、もはやこれ以上充電しても無駄であり
、交換の必要がある。
障害が考えられ、もはやこれ以上充電しても無駄であり
、交換の必要がある。
一方、バッテリ12の容量が80%未満なら、第2の電
圧チェック回路14からバッテリチャージ信号BCRG
が発生される。
圧チェック回路14からバッテリチャージ信号BCRG
が発生される。
この状態では、バッテリ12等の劣化、障害でなく、む
しろ充電不足のため、交換の必要はなく、充電されれば
次のバッテリチェック時解消する。
しろ充電不足のため、交換の必要はなく、充電されれば
次のバッテリチェック時解消する。
このような、バッテリエラー信号BERR、バンチリチ
ャージ信号BCRGO内一方でも有効となると、システ
ムはメモリー回路IOを切り離すよう動作し、それによ
ってシステムの処理能力は低下するが、不意の電源遮断
時のメモリーデータの破壊の危険性はなくなる。
ャージ信号BCRGO内一方でも有効となると、システ
ムはメモリー回路IOを切り離すよう動作し、それによ
ってシステムの処理能力は低下するが、不意の電源遮断
時のメモリーデータの破壊の危険性はなくなる。
又、バッテリチャージ信号BCRGは、バッテリ12が
80%以上充電されれば、次のバッテリチェック時にオ
フとなるため、メモリー回路10はシステムに再接続さ
れる。
80%以上充電されれば、次のバッテリチェック時にオ
フとなるため、メモリー回路10はシステムに再接続さ
れる。
一方、バッテリエラー信号BERRが有効となった場合
には、オペレータにバッテリエラーを通知し、エラ一部
分の交換を行うまで、オフとしないで、メモリー回路1
0はシステムから切離された状態となる。
には、オペレータにバッテリエラーを通知し、エラ一部
分の交換を行うまで、オフとしないで、メモリー回路1
0はシステムから切離された状態となる。
この実施例では、タイマにより周期的にバッテリチェッ
クしているので、プロセッサが空き時間にバッテリチェ
ックするものに比し、確実にバッテリチェックができる
。
クしているので、プロセッサが空き時間にバッテリチェ
ックするものに比し、確実にバッテリチェックができる
。
又、バッテリチェック時も、ダイオードD2を介しメモ
リー回路10は、バッテリ12と接続されているので、
不意の電源断がこの間にあっても、メモリー回路10の
データを保護できる。
リー回路10は、バッテリ12と接続されているので、
不意の電源断がこの間にあっても、メモリー回路10の
データを保護できる。
建)他の実施例の構成の説明
第4図は本発明の他の実施例全体構成図、第5図は第4
図の不揮発性メモリアレーの構成図、第6図は第5図の
不揮発性メモリの構成図であり、モジュール構成のディ
スクキャッシュシステムを示している。
図の不揮発性メモリアレーの構成図、第6図は第5図の
不揮発性メモリの構成図であり、モジュール構成のディ
スクキャッシュシステムを示している。
図中、第2図で示したものと同一のものは同一の記号で
示してあり、2aはサービスアダプタであり、プロセッ
サで構成され、各モジュール(アダプタ)の状態の監視
等のためのもの、3はキャッシュメモリモジュールであ
り、ストレージボー1−3bと、メモリアクセスコント
ローラ30〜32と、不揮発性メモリアレー1と、揮発
性メモリ3c、3dとを含むものであり、3aはキャッ
シュ制御モジエールであり、キャッシュメモリモジュー
ル3のメモリ管理のためのものである。
示してあり、2aはサービスアダプタであり、プロセッ
サで構成され、各モジュール(アダプタ)の状態の監視
等のためのもの、3はキャッシュメモリモジュールであ
り、ストレージボー1−3bと、メモリアクセスコント
ローラ30〜32と、不揮発性メモリアレー1と、揮発
性メモリ3c、3dとを含むものであり、3aはキャッ
シュ制御モジエールであり、キャッシュメモリモジュー
ル3のメモリ管理のためのものである。
2bは資源管理アダプタであり、ディスクキャッシュ装
置の資源の管理のためのものであり、各モジュール、ア
ダプタの接続制御等を行うもの、4a、4bはチャネル
アダプタであり、上位の8MCチャネルと接続され、上
位のチャネルとの間のインターフェイス制御を行うもの
、5a、5bはデバイスアダプタであり、下位のディス
クデバイス(外部記憶装置)6と接続され、下位のディ
スクデバイスとの間のインターフェイス制御を行うもの
である。
置の資源の管理のためのものであり、各モジュール、ア
ダプタの接続制御等を行うもの、4a、4bはチャネル
アダプタであり、上位の8MCチャネルと接続され、上
位のチャネルとの間のインターフェイス制御を行うもの
、5a、5bはデバイスアダプタであり、下位のディス
クデバイス(外部記憶装置)6と接続され、下位のディ
スクデバイスとの間のインターフェイス制御を行うもの
である。
7はメインテナンスモジュールであり、湿作パネル等を
備え、保守のために設けられるものであり、後述する如
く不揮発性メモリアレー1からのバッテリエラー信号B
ERR、バッテリチャージ信号BCRGを中断し、サー
ビスアダプタ2aへ通知する役目も果たすもの、8a、
8bは共通バスであり、各モジュール3a、3、アダプ
タ2a。
備え、保守のために設けられるものであり、後述する如
く不揮発性メモリアレー1からのバッテリエラー信号B
ERR、バッテリチャージ信号BCRGを中断し、サー
ビスアダプタ2aへ通知する役目も果たすもの、8a、
8bは共通バスであり、各モジュール3a、3、アダプ
タ2a。
2b、3a、4a、4b、5a、5bを接続するもので
ある。
ある。
このディスクキャッシュ装置は、チャネルとデバイス6
間のデータ転送をキャッシュ3を用いて又は用いないで
制御するファイルコントローラである。
間のデータ転送をキャッシュ3を用いて又は用いないで
制御するファイルコントローラである。
キャッシュメモリ3は、16メガバイトの不揮発性メモ
リアレー1と、各々256メガバイトのDRAMアレー
30.3dで構成されており、DRAM3c、3dには
、ディスクデバイス6のデータの内、上位の参照頻度の
高いデータが格納される。
リアレー1と、各々256メガバイトのDRAMアレー
30.3dで構成されており、DRAM3c、3dには
、ディスクデバイス6のデータの内、上位の参照頻度の
高いデータが格納される。
不揮発性メモリアレー1は、第5図に示すように、4枚
の不揮発性メモリカードl a−1dと、バッテリ12
と、各不揮発性メモリカード1a〜ldのバッテリエラ
ー信号BERRのオアをとるオアゲートGT2と、各不
揮発性メモリカード1a % 1 dのバッテリチャー
ジ信号BCRGのオアをとるオアゲートGTIと、ライ
トスルーモード信号WTMと各ゲートGTI、GT2の
信号BCRG、BERRとのオアをとって反転し、ライ
トバックイネーブル信号を発生するNORゲートGTs
七を有している。
の不揮発性メモリカードl a−1dと、バッテリ12
と、各不揮発性メモリカード1a〜ldのバッテリエラ
ー信号BERRのオアをとるオアゲートGT2と、各不
揮発性メモリカード1a % 1 dのバッテリチャー
ジ信号BCRGのオアをとるオアゲートGTIと、ライ
トスルーモード信号WTMと各ゲートGTI、GT2の
信号BCRG、BERRとのオアをとって反転し、ライ
トバックイネーブル信号を発生するNORゲートGTs
七を有している。
各不揮発性メモリカード1a〜1dは、第6図に示すよ
うに、SRAMで構成されたメモリ10と、電源供給部
11と、充電回路16と、リレーRL2と、第1、第2
の電圧チェック回路13.14と、信号出力回路17を
有する。
うに、SRAMで構成されたメモリ10と、電源供給部
11と、充電回路16と、リレーRL2と、第1、第2
の電圧チェック回路13.14と、信号出力回路17を
有する。
信号出力回路17は、バッテリチェックタイミング信号
BCKTで電圧チェック回路13.14のバッテリエラ
ー信号BERR、バッテリチャージ信号BCRGをゲー
トする一対のアンドゲート回路G1、G2と、バッテリ
チャージ信号BCRGとバッテリエラー信号BERRが
セットされる一対のフリップフロップ17a、17bと
、タイミング信号BCKTを反転するインバータ[Vと
、インバータIVの出力でフリップフロップ17aの出
力をゲー4・するアントゲ−トG3と、アンドゲートG
3の出力とアンドゲートGlの出力とのオアをとり、フ
リップフロップ17aをセットするオアゲートG4と、
アンドゲートG2とフリップフロップ17bの出力との
オアをとり、フリップフロップ17bをセットするオア
ゲートG5と、リセット信号RESETとライトスルー
モード信号WTMとのオアをとり、フリップフロップ1
7a、17bをリセットするためのオアゲートG6とを
存している。
BCKTで電圧チェック回路13.14のバッテリエラ
ー信号BERR、バッテリチャージ信号BCRGをゲー
トする一対のアンドゲート回路G1、G2と、バッテリ
チャージ信号BCRGとバッテリエラー信号BERRが
セットされる一対のフリップフロップ17a、17bと
、タイミング信号BCKTを反転するインバータ[Vと
、インバータIVの出力でフリップフロップ17aの出
力をゲー4・するアントゲ−トG3と、アンドゲートG
3の出力とアンドゲートGlの出力とのオアをとり、フ
リップフロップ17aをセットするオアゲートG4と、
アンドゲートG2とフリップフロップ17bの出力との
オアをとり、フリップフロップ17bをセットするオア
ゲートG5と、リセット信号RESETとライトスルー
モード信号WTMとのオアをとり、フリップフロップ1
7a、17bをリセットするためのオアゲートG6とを
存している。
尚、INVはインバータであり、バクテリチェック信号
BCKを反転してリレーRL2を駆動するもの、Trは
トランジスタであり、電源電圧■ccが4.2V以下と
なるとオフするものである。
BCKを反転してリレーRL2を駆動するもの、Trは
トランジスタであり、電源電圧■ccが4.2V以下と
なるとオフするものである。
(C) 他の実施例の動作の説明
第7図は本発明の他の実施例処理フロー図、第8図は本
発明の他の実施例動作説明図である。
発明の他の実施例動作説明図である。
第4図のディスクキャンシュシステムでは、不rI+を
発性メモリlをキャッシュメモリ3の一部に用いたもの
であり、キャッシュメモリ3を用いないチャネルとデバ
イスとのデータ転送は次のように行われる。
発性メモリlをキャッシュメモリ3の一部に用いたもの
であり、キャッシュメモリ3を用いないチャネルとデバ
イスとのデータ転送は次のように行われる。
ライト(ライトスルーという)では、BMCチャネルネ
ル中ネルアダプタ4a(4b)→デバイスアダプタ5a
(5b)→ディスクデバイス6となり、リード(REA
D)では、ディスクデバイス6→デバイスアダプタ5a
(5b)→チャネルアダプタ4a(4b)→f3Mcチ
ャネルとなる。
ル中ネルアダプタ4a(4b)→デバイスアダプタ5a
(5b)→ディスクデバイス6となり、リード(REA
D)では、ディスクデバイス6→デバイスアダプタ5a
(5b)→チャネルアダプタ4a(4b)→f3Mcチ
ャネルとなる。
次に、キャッシュメモリ3を用いた場合には、キャッシ
ュメモリ3にディスクデバイス6のデータの内、−ヒ位
の参照頻度の高いデータが格納される。
ュメモリ3にディスクデバイス6のデータの内、−ヒ位
の参照頻度の高いデータが格納される。
従って、キャッシュメモリ3を用いたデータ転送では、
ライトでは、BMCチャネルネル中ネルアダプタ4a(
4b)→デバイスアダプタ5a(5b)→ディスクデバ
イス6のルートでライトされるとともに、キャッシュメ
モリ3にもライトされる。
ライトでは、BMCチャネルネル中ネルアダプタ4a(
4b)→デバイスアダプタ5a(5b)→ディスクデバ
イス6のルートでライトされるとともに、キャッシュメ
モリ3にもライトされる。
又、リードでは、キャッシュメモリ3に要求データがあ
れば、キャッシュメモリ3からデータをリードし、チャ
ネルアダプタ4a(4b)から8MCチャネルへ送られ
る。
れば、キャッシュメモリ3からデータをリードし、チャ
ネルアダプタ4a(4b)から8MCチャネルへ送られ
る。
ここで、ライトバック(WRITE BACK)が指
示された場合には、ライトデータは、先ずキャッシュメ
モリ3の不揮発性メモリ1にライトされ、同時に揮発性
メモリ3c、3dにもライトされる。
示された場合には、ライトデータは、先ずキャッシュメ
モリ3の不揮発性メモリ1にライトされ、同時に揮発性
メモリ3c、3dにもライトされる。
この時点で、チャネルアダプタ’1a(4b)は、8M
Cチャネルに対して’DEVICE END゛を報告
し、転送を終了する。
Cチャネルに対して’DEVICE END゛を報告
し、転送を終了する。
その後、不揮発性メモリlからデバイスアダブ95a
(5b)経由でディスクデバイス6ヘライトする。
(5b)経由でディスクデバイス6ヘライトする。
これによって、ライトに関し、チャネル、デバイス間の
処理効率が上がる。
処理効率が上がる。
この不揮発性メモリ1ヘライトした時点で、チャネルへ
転送終了を報告するということは、その後のデバイス6
へのライトは必ず行わなければならないことである。
転送終了を報告するということは、その後のデバイス6
へのライトは必ず行わなければならないことである。
従って、不揮発性メモリlの内容は、電源故障時でも保
持され、一定期間内で故障が直った場合に、不揮発性メ
モリ1からデバイス6ヘデータが □ライトできる必
要がある。そして、これらの機能が安全に動作しない可
能性がある場合は、“W+’?ITE BACK”を
用いないようにして、データの安全性を保証しなければ
ならない。
持され、一定期間内で故障が直った場合に、不揮発性メ
モリ1からデバイス6ヘデータが □ライトできる必
要がある。そして、これらの機能が安全に動作しない可
能性がある場合は、“W+’?ITE BACK”を
用いないようにして、データの安全性を保証しなければ
ならない。
次に、第7図、第8図を用いて動作を説明する。
先ず、バッテリチェックは、リセット解除後と、1時間
に1回約0.45秒間行う8 その時のバッテリの状況は、メインテナンスモジュール
7を介しサービスアダプタ2aに出力され、サービスア
ダプタ2aに記憶され、キャッシュ制御モジュール3a
に通知される。
に1回約0.45秒間行う8 その時のバッテリの状況は、メインテナンスモジュール
7を介しサービスアダプタ2aに出力され、サービスア
ダプタ2aに記憶され、キャッシュ制御モジュール3a
に通知される。
チャネルアダプタ4a(4b)又はデバイスアダプタ5
a(5b)がキャッシュオペレーションを実行する際、
資源管理アダプタ2bがキャッシュ制御用モジュール3
aよりバッテリの状況等を得ることによりライトバック
モードにするかライトスルーモードとするかを決定する
。
a(5b)がキャッシュオペレーションを実行する際、
資源管理アダプタ2bがキャッシュ制御用モジュール3
aよりバッテリの状況等を得ることによりライトバック
モードにするかライトスルーモードとするかを決定する
。
■ 先ず、オペレーションパネル(メインテナンスモジ
ュール7内)よりリセット指示(ResetO「「)及
びライトスルーモードスイッチのオフがある。
ュール7内)よりリセット指示(ResetO「「)及
びライトスルーモードスイッチのオフがある。
即ち、ライトバック指示とリセット指示があると、サー
ビスアダプタ2aは、不揮発性メモリアレー1のタイマ
16を起動し、0.45秒間バッテリチェック信号BC
Kを“ハイ”レベルとし、第6図の回路により、第2図
で説明した方法でバッテリチェックが行われる。
ビスアダプタ2aは、不揮発性メモリアレー1のタイマ
16を起動し、0.45秒間バッテリチェック信号BC
Kを“ハイ”レベルとし、第6図の回路により、第2図
で説明した方法でバッテリチェックが行われる。
■ バッテリチェックによるバッテリエラー信号BER
R、バンチリチャージ信号BCRGは、サービスアダプ
タ2aからのタイミング信号BCKTに同期して出力回
路17のフリップフロップ17a、17bにセットされ
、オアゲートGTI、GT2 (第5図)を介しメイン
テナンスモジュール7を介し、NORゲートGT3の信
号(ライトバンクイネーブル)とともにサービスアダプ
タ2aに通知される。
R、バンチリチャージ信号BCRGは、サービスアダプ
タ2aからのタイミング信号BCKTに同期して出力回
路17のフリップフロップ17a、17bにセットされ
、オアゲートGTI、GT2 (第5図)を介しメイン
テナンスモジュール7を介し、NORゲートGT3の信
号(ライトバンクイネーブル)とともにサービスアダプ
タ2aに通知される。
サービスアダプタ2aは、これをキャッシュ制御モジュ
ール3aに通知する。
ール3aに通知する。
キャッシュ制御モジュール3aでは、バッテリエラー信
号BEERが存効か否かによって、バッテリ容量が20
%未満かを調べ、20%未満なら、ライトスルー(Wr
ite Through)モードをオンし、システムか
らキャッシュメモリ3を切り離す。
号BEERが存効か否かによって、バッテリ容量が20
%未満かを調べ、20%未満なら、ライトスルー(Wr
ite Through)モードをオンし、システムか
らキャッシュメモリ3を切り離す。
そして、サービスアダプタ2aを介し、メインテナンス
モジュール7の繰作パネルにERROR”を表示せしめ
る。
モジュール7の繰作パネルにERROR”を表示せしめ
る。
又、資源管理アダプタ2bにライトスルーモードを通知
する。
する。
この状態はバッテリが装備されていないか、バッテリ異
常(Es+pLyを含む)である。
常(Es+pLyを含む)である。
この場合、表示又はファームウェアからの通知により、
オペレータが状態を認識できる。オペレータは、異常バ
フテリを正常なものと交換し、ライトモードスイッチを
0「「→on→offとすることにより、バッテリチェ
ック回路(フリップフロップ17a、17b)を、クリ
ヤーし初期状態にもどすことができる。
オペレータが状態を認識できる。オペレータは、異常バ
フテリを正常なものと交換し、ライトモードスイッチを
0「「→on→offとすることにより、バッテリチェ
ック回路(フリップフロップ17a、17b)を、クリ
ヤーし初期状態にもどすことができる。
■ スイッチ■で、バッテリエラー信号BEERが有効
でないなら、バッテリチャージ信号BCRGが有効か否
かによって、バッテリ容量が80%未満かを調べる。
でないなら、バッテリチャージ信号BCRGが有効か否
かによって、バッテリ容量が80%未満かを調べる。
バッテリチャージ信号BCRGが有効でなければ、バッ
テリ容量は80%以上のため、ライトスルーモードフラ
グをオフし、ライトバック可とする。
テリ容量は80%以上のため、ライトスルーモードフラ
グをオフし、ライトバック可とする。
そして、操作パネルの“CHARG I NG″(充電
中)表示をオフとし、タイマ16を起動する。
中)表示をオフとし、タイマ16を起動する。
■ 逆に、バッテリチャージ信号BCRGが有効である
と、ライトスルーモードフラグをオンとし、ライトスル
ーモードとなり、キャッシュメモリ3をシステムから切
離し、操作パネルの“CHARGING”表示をオンと
し、タイマ16を起動する。
と、ライトスルーモードフラグをオンとし、ライトスル
ーモードとなり、キャッシュメモリ3をシステムから切
離し、操作パネルの“CHARGING”表示をオンと
し、タイマ16を起動する。
この時、不揮発性メモリ1にデータがある場合には、緊
2.ライトバック処理を実行して、不揮発性メモリlの
ユーザデータをディスクデバイス6ヘライトする。
2.ライトバック処理を実行して、不揮発性メモリlの
ユーザデータをディスクデバイス6ヘライトする。
■ タイマ16が1時間計時終了すると、ステップ■と
同様バッテリチェックが行われ、ステップ■に戻る。
同様バッテリチェックが行われ、ステップ■に戻る。
このようにして、Write Backモードにより不
揮発性メモリ■上にデータが有る場合、バッテリエラー
、又はパフテリチャージングによるInt、errup
tが発生すると緊急Write BackによりNVT
BA上のユーザ・データをディスク上へ−riteする
。
揮発性メモリ■上にデータが有る場合、バッテリエラー
、又はパフテリチャージングによるInt、errup
tが発生すると緊急Write BackによりNVT
BA上のユーザ・データをディスク上へ−riteする
。
バッテリエラーが発生するとWrite Throug
hモードとなり、エラー修正後は、オペレーショナルパ
ネル上の繰作により、Write Backモードの指
示が可能となる。
hモードとなり、エラー修正後は、オペレーショナルパ
ネル上の繰作により、Write Backモードの指
示が可能となる。
バッテリチャージングが発生するとWrite Thr
。
。
ughモードとなり、バッテリチャージングがoffす
ると自動的にWrite Back可能となる。本機能
により、装置Power On時バッテリの充電量が少
ない状態で後に充分充電される場合、人手を介すること
なく効率的かつ安全にキャッシュを用いられる。
ると自動的にWrite Back可能となる。本機能
により、装置Power On時バッテリの充電量が少
ない状態で後に充分充電される場合、人手を介すること
なく効率的かつ安全にキャッシュを用いられる。
又、バッテリチェックは、イニシャル時と1時間毎に行
われる。
われる。
そして、第5図のメモリカード1a〜1d毎に行ってい
るため、1つの電圧チェック回路が故障しても、確実に
バッテリチェックができる。
るため、1つの電圧チェック回路が故障しても、確実に
バッテリチェックができる。
(dl 別の実施例の説明
第4図の実施例では、システムとしてディスクキャッシ
ュシステムを例に説明したが、他のシステムであっても
よく、この場合、バッテリエラー信号とバッテリチャー
ジ信号の有効でメモリをシステムから切り離し、バッテ
リエラーならエラー通知をして、バッテリの点検を促し
、バッテリチャージなら、チャージ中を通知し、チャー
ジ完了までメモリの使用を待たせるようにすればよい。
ュシステムを例に説明したが、他のシステムであっても
よく、この場合、バッテリエラー信号とバッテリチャー
ジ信号の有効でメモリをシステムから切り離し、バッテ
リエラーならエラー通知をして、バッテリの点検を促し
、バッテリチャージなら、チャージ中を通知し、チャー
ジ完了までメモリの使用を待たせるようにすればよい。
又、メモリをスタティックRAMで説明したが、他の周
知のバッテリバックアップによって不揮発化できるメモ
リを用いることができる。
知のバッテリバックアップによって不揮発化できるメモ
リを用いることができる。
更に、バッテリの電圧チェック回路を2ケのみならず3
ヶ以上設けてもよい。
ヶ以上設けてもよい。
以上本発明を一実施例により説明したが、本発明は本発
明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこ
れらを排除するものではない。
明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこ
れらを排除するものではない。
以上説明した様に、本発明によれば、バッテリの電圧チ
ェック回路を複数設けているので、バッテリの劣化又は
取付はミスか充電不足かを検出することができるという
効果を奏し、それに対する処置を指示でき、メモリの安
全な使用を保証できる。
ェック回路を複数設けているので、バッテリの劣化又は
取付はミスか充電不足かを検出することができるという
効果を奏し、それに対する処置を指示でき、メモリの安
全な使用を保証できる。
又、複数の電圧チェック回路の検出出力で制御部2がメ
モリの使用を制御するので、メモリの使用がバッテリの
状態によって自動決定できるという効果を奏し、人手を
介さずに、メモリの使用制御が可能となり、システムの
動作を中断することがない。
モリの使用を制御するので、メモリの使用がバッテリの
状態によって自動決定できるという効果を奏し、人手を
介さずに、メモリの使用制御が可能となり、システムの
動作を中断することがない。
更に、パフテリチェック結果によって、データ転送をメ
モリを介するものと介さないものに制御しているので、
メモリを安全な状態でのみ使用するデータ転送が可能と
なるという効果も奏する。
モリを介するものと介さないものに制御しているので、
メモリを安全な状態でのみ使用するデータ転送が可能と
なるという効果も奏する。
第1図は本発明の原理図、
第2図は本発明の一実施例構成図、
第3図は本発明の一実施例動作説明図、第4図は本発明
の他の実施例全体構成図、第5図は第4図構成の不揮発
性メモリアレーの構成図、 第6図は第5図構成の不揮発性メモリの構成図、第7図
は本発明の他の実施例処理フロー図、第8図は本発明の
他の実施例動作説明図である。 図中、■−不揮発性メモリアレー、 2−制御部、 10− メモリ、 11−電源供給部、 12− バッテリ、 13.14−電圧チェック回路。
の他の実施例全体構成図、第5図は第4図構成の不揮発
性メモリアレーの構成図、 第6図は第5図構成の不揮発性メモリの構成図、第7図
は本発明の他の実施例処理フロー図、第8図は本発明の
他の実施例動作説明図である。 図中、■−不揮発性メモリアレー、 2−制御部、 10− メモリ、 11−電源供給部、 12− バッテリ、 13.14−電圧チェック回路。
Claims (3)
- (1)メモリ(10)と、 該メモリ(10)の電源供給部(11)と、該電源供給
部(11)により充電され、電源断時に該メモリ(10
)に電力を供給するバッテリ(12)とを有するメモリ
のデータ保護方式において、 該バッテリ(12)の電圧と第1の電圧とを比較し、バ
ッテリエラー信号を発生する第1の電圧チェック回路(
13)と、 該バッテリ(12)の電圧と第2の電圧とを比較し、充
電中信号を発生する第2の電圧チェック回路(14)と
を設けたことを 特徴とするメモリのデータ保護方式。 - (2)システム内に設けられ、電源供給部(11)から
電力を受けるメモリ(10)と、該電源供給部(11)
により充電され、電源断時に該メモリ(10)に電力を
供給するバッテリ(12)とを有するメモリのデータ保
護方式において、 該バッテリ(12)の電圧と第1の電圧とを比較し、バ
ッテリエラー信号を発生する第1の電圧チェック回路(
13)と、 該バッテリ(12)の電圧と第2の電圧とを比較し、充
電中信号を発生する第2の電圧チェック回路(14)と
、 該バッテリエラー信号と充電中信号とに基づいて該メモ
リ(10)をシステムから切離す制御部(2)とを有し
、 該制御部(2)はバッテリエラー信号に応じて、バッテ
リエラーを通知するようにしたことを特徴とするメモリ
のデータ保護方式。 - (3)電源供給部(11)から電力を受け、転送データ
を格納するメモリ(10)と、 該電源供給部(11)により充電され、電源断時に該メ
モリ(10)に電力を供給するバッテリ(12)と、 該メモリ(10)に転送データを格納後、外部記憶装置
(6)に該メモリ(10)の転送データを転送するライ
トバックモードと、該転送データを該メモリ(10)を
介さず該外部記憶装置(6)に転送するライトスルーモ
ードとを選択的に実行する制御部(2)とを有するシス
テムにおいて、 該バッテリ(10)の電圧と第1の電圧とを比較し、バ
ッテリエラー信号を発生する第1の電圧チェック回路(
13)と、 該バッテリ(10)の電圧と第2の電圧とを比較し、充
電中信号を発生する第2の電圧チェック回路(14)と
を設けるとともに、 該制御部(2)は、該バッテリエラー信号と該充電中信
号に基づいて、該メモリ(10)を切離して、ライトス
ルーモードを実行するように構成され、 且つ該バッテリエラー信号に応じて、バッテリエラーを
通知するようにしたことを 特徴とするメモリのデータ保護方式。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118963A JP2533612B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | メモリのデ―タ保護方式 |
| CA000598645A CA1319435C (en) | 1988-05-16 | 1989-05-03 | Data protection system in a data processing system |
| AU34085/89A AU606278B2 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-08 | A data protection system |
| DE68927941T DE68927941T2 (de) | 1988-05-16 | 1989-05-09 | Datenschutzsystem in einem Datenverarbeitungssystem |
| EP89304682A EP0342846B1 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-09 | Data protection system in a data processing system |
| US07/349,310 US5007027A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-09 | Data protection system in a data processing system |
| KR1019890006497A KR920007378B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | 데이타 처리 시스템내의 데이타 보호시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118963A JP2533612B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | メモリのデ―タ保護方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01288948A true JPH01288948A (ja) | 1989-11-21 |
| JP2533612B2 JP2533612B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=14749611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118963A Expired - Fee Related JP2533612B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | メモリのデ―タ保護方式 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5007027A (ja) |
| EP (1) | EP0342846B1 (ja) |
| JP (1) | JP2533612B2 (ja) |
| KR (1) | KR920007378B1 (ja) |
| AU (1) | AU606278B2 (ja) |
| CA (1) | CA1319435C (ja) |
| DE (1) | DE68927941T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03182921A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
| JPH07160373A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電源バックアップ装置 |
| JP2007293440A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置とその制御方法 |
| US8095576B2 (en) | 2006-11-06 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Recording device |
| JP2013198958A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Daihen Corp | ロボット制御装置 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5193162A (en) * | 1989-11-06 | 1993-03-09 | Unisys Corporation | Cache memory with data compaction for use in the audit trail of a data processing system having record locking capabilities |
| US5151907A (en) * | 1990-02-20 | 1992-09-29 | Robbins Walter A | Auxiliary power supply for continuation of computer system operation during commercial AC power failure |
| US5345422A (en) * | 1990-07-31 | 1994-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Power up detection circuit |
| US5341493A (en) * | 1990-09-21 | 1994-08-23 | Emc Corporation | Disk storage system with write preservation during power failure |
| JPH04178114A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Canon Inc | 電子機器 |
| JPH04268990A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカード |
| GB2261753B (en) * | 1991-11-19 | 1995-07-12 | Intel Corp | Multi-mode microprocessor with electrical pin for selective re-initialization of processor state |
| US5428769A (en) * | 1992-03-31 | 1995-06-27 | The Dow Chemical Company | Process control interface system having triply redundant remote field units |
| US6052789A (en) * | 1994-03-02 | 2000-04-18 | Packard Bell Nec, Inc. | Power management architecture for a reconfigurable write-back cache |
| US5532676A (en) * | 1994-04-29 | 1996-07-02 | Mitel, Inc. | Battery switch for ram backup |
| JP3231561B2 (ja) * | 1994-09-22 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | バックアップメモリ制御方式 |
| US5604708A (en) * | 1995-01-25 | 1997-02-18 | Dell Usa L.P. | Fail-safe system for preserving a backup battery |
| JP3477689B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2003-12-10 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク制御装置 |
| US5734814A (en) * | 1996-04-15 | 1998-03-31 | Sun Microsystems, Inc. | Host-based RAID-5 and NV-RAM integration |
| US5768208A (en) * | 1996-06-18 | 1998-06-16 | Microchip Technology Incorporated | Fail safe non-volatile memory programming system and method therefor |
| US5784629A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Apple Computer, Inc. | System and method for conserving power within a backup battery device |
| US5973734A (en) | 1997-07-09 | 1999-10-26 | Flashpoint Technology, Inc. | Method and apparatus for correcting aspect ratio in a camera graphical user interface |
| JP4231572B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2009-03-04 | 沖電気工業株式会社 | 電圧監視回路及びそれを内蔵したメモリカード |
| FR2785693B1 (fr) * | 1998-11-06 | 2000-12-15 | Bull Sa | Dispositif et procede de cache disque securise en ecriture pour disques durs de sous-systeme a memoire de masse |
| US6317141B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-11-13 | Flashpoint Technology, Inc. | Method and apparatus for editing heterogeneous media objects in a digital imaging device |
| CN100343786C (zh) * | 2000-12-26 | 2007-10-17 | 神基科技股份有限公司 | 电源监控保护方法 |
| US6580650B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | DRAM word line voltage control to insure full cell writeback level |
| KR20020062262A (ko) * | 2002-07-02 | 2002-07-25 | (주)한창트랜스 | 무정전전원공급장치 |
| JP2005115771A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Hitachi Ltd | ディスクアレイ装置 |
| US7436151B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-10-14 | Dell Products L.P. | Systems and methods for detecting charge switching element failure in a battery system |
| US7518341B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-04-14 | Dell Product L.P. | Method for verifying smart battery failures by measuring input charging voltage and associated systems |
| US9224145B1 (en) | 2006-08-30 | 2015-12-29 | Qurio Holdings, Inc. | Venue based digital rights using capture device with digital watermarking capability |
| JP2009152703A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像処理装置 |
| CN101620878A (zh) * | 2008-07-03 | 2010-01-06 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 存储系统 |
| JP5514364B2 (ja) | 2010-08-27 | 2014-06-04 | 株式会社日立製作所 | 記憶制御装置及び記憶制御装置の動作モード制御方法 |
| DE102011052533B4 (de) * | 2011-08-09 | 2015-02-26 | Esw Gmbh | Schaltungsanordnung zum Schutz von Speicherinhalten |
| US8707096B2 (en) * | 2011-10-12 | 2014-04-22 | Hitachi, Ltd. | Storage system, data backup method, and system restarting method of a storage system incorporating volatile and nonvolatile memory devices |
| US10025711B2 (en) * | 2012-01-16 | 2018-07-17 | Qualcomm Incorporated | Hybrid write-through/write-back cache policy managers, and related systems and methods |
| IL236627A0 (en) * | 2015-01-11 | 2015-04-30 | Storone Ltd | Method and system for controlling volatile memory |
| JP6536160B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-07-03 | 富士通株式会社 | ストレージシステム、制御装置および制御プログラム |
| JP6348099B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2018-06-27 | ファナック株式会社 | 同期運転教示データ作成時の確認手段を備える制御装置 |
| CN108711440B (zh) * | 2018-08-02 | 2024-04-30 | 珠海格力电器股份有限公司 | 写保护电路和写保护方法、写保护装置及电器设备 |
| US11659058B2 (en) | 2019-06-28 | 2023-05-23 | Amazon Technologies, Inc. | Provider network connectivity management for provider network substrate extensions |
| US11044118B1 (en) * | 2019-06-28 | 2021-06-22 | Amazon Technologies, Inc. | Data caching in provider network substrate extensions |
| CN120493317A (zh) * | 2025-05-06 | 2025-08-15 | 深圳市龙勤信息技术有限公司 | 一种掉电保护模块及实现方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610871U (ja) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | ||
| JPS58146099A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Hitachi Ltd | メモリ保護装置 |
| JPS635539U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-14 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103722A (en) * | 1980-01-19 | 1981-08-19 | Tokico Ltd | Failure detector of battery for memory in console device |
| US4506323A (en) * | 1982-03-03 | 1985-03-19 | Sperry Corporation | Cache/disk file status indicator with data protection feature |
| US4547629A (en) * | 1984-02-06 | 1985-10-15 | Comdial Technology Corporation | Energy management circuit |
| US4654778A (en) * | 1984-06-27 | 1987-03-31 | International Business Machines Corporation | Direct parallel path for storage accesses unloading common system path |
| JPS61147357A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Casio Comput Co Ltd | デ−タ処理装置 |
| US4777626A (en) * | 1984-12-22 | 1988-10-11 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Memory device having backup power supply |
| JPS628212A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Nec Corp | バツテリ−電圧検出回路 |
| US4707618A (en) * | 1986-06-02 | 1987-11-17 | Haas Richard M | Switch protection mechanism |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63118963A patent/JP2533612B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-03 CA CA000598645A patent/CA1319435C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-08 AU AU34085/89A patent/AU606278B2/en not_active Ceased
- 1989-05-09 EP EP89304682A patent/EP0342846B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-09 US US07/349,310 patent/US5007027A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-09 DE DE68927941T patent/DE68927941T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-16 KR KR1019890006497A patent/KR920007378B1/ko not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610871U (ja) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | ||
| JPS58146099A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Hitachi Ltd | メモリ保護装置 |
| JPS635539U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-14 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03182921A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
| JPH07160373A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電源バックアップ装置 |
| JP2007293440A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置とその制御方法 |
| US8095576B2 (en) | 2006-11-06 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Recording device |
| JP5296548B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2013-09-25 | パナソニック株式会社 | 記録装置 |
| JP2013198958A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Daihen Corp | ロボット制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU606278B2 (en) | 1991-01-31 |
| EP0342846B1 (en) | 1997-04-09 |
| AU3408589A (en) | 1989-12-14 |
| JP2533612B2 (ja) | 1996-09-11 |
| EP0342846A2 (en) | 1989-11-23 |
| EP0342846A3 (en) | 1990-08-22 |
| DE68927941T2 (de) | 1997-08-14 |
| US5007027A (en) | 1991-04-09 |
| DE68927941D1 (de) | 1997-05-15 |
| KR920007378B1 (ko) | 1992-08-31 |
| KR900019306A (ko) | 1990-12-24 |
| CA1319435C (en) | 1993-06-22 |
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