JPH01290366A - 静電画像記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像を静電的に記録し、任意時点で画像再生を
行うことができる静電画像記録再生方法に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面ＩＦＷさせ、次いで強い光で露光し
て光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位
の電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を
光導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と
逆極性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを
付着させて現像する電子写真技術があるが、これは主と
して複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影
用としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために
静電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である
。

また、ＴＶ撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
ＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いて、ビデオ記
録し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法があ
る。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化７的処理
が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。

ＴＶ撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。ｖ
Ａ順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録で
は磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するた
め、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく
劣化する。

また、近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＣＤ等）を
利用したＴＶ撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が簡便で、長時間の記憶
が可能で、記憶した文字、線画、画像、コード、（１，
０）情報を目的に応じた画質で、任意に反復再生するこ
とができる静電画像記録再生方法を提供することを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、１は感光体、３は電荷
保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９は
光導電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１
５は絶縁層支持体、１７は電源である。

第１図においては、感光体１側から露光を行うａ様であ
り、まず１ｆｆＩＩＩｒｇ、のガラスからなる光導電層
支持体５上に１０００人厚の１ＴＯからなる透明な感光
体電極７を形成し、この上に１０ｐｍ程度の光導電７１
９を形成して感光体１を構成している。この感光体１に
対して、１１０１Ｉ程度の空隙を介して電荷保持媒体３
が配置される。電荷保持媒体３は１■厚のガラスからな
る絶縁層支持体１５上に１０００人厚の１Ｔ！、電極を
蒸着し、この電極上に１０μｍ厚９絶縁層１１を形成し
たものである。

先ず、第１図（イ）に示すように感光体１に対して、１
０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない、感光体
１側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁Ｎ１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。

なお、感光体１と電荷保持媒体３とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体３側の電極１３に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁７１１１面に達した所で
電荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。

そして、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、絶
縁層１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁Ｎ１
１上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。

この絶縁層１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁性フィルム等で覆って保存するようにしてもよい。

以下、本願発明蝉用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０６Ω・Ｃ−以下であれば限定され
なく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜、有機導
電膜等である。このような感光体電極７は、光導電層支
持体５上に、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティ
ング、メツキ、ディッピング、電解重合等により形成さ
れる。またその厚みは、感光体電極７を構成する材質の
電気特性、および情報の記録の際の印加電圧により変化
させる必要があるが、例えばアルミニウムであれば、１
００〜３０００人程度である。

この感光体電極７も光導電層支持体５と同様に、情報光
を入射させる必要がある場合には、上述した光学特性が
要求され、例えば情報光が可視光（４００〜７００　ｎ
ｍ）であれば、Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｔ。

５−３ｎＯ２）　、Ｓ　ｎ　Ｏｚ等をスパッタリング、
蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ
化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ。

ＡＩ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリン
グで作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（
ＴＣＮＱ）　、ポリアセチレン等のコーティングによる
有機透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成され以下、これら光導電材料、および光導電層
の形成方法について説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体） 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）■フッ
素化アモルファスシリコン（ａ−３ｔ：Ｆ） ・これらに対して不純物をドーピングしないもの、。

・Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングによりＰ
型（ホール輸送型）にしたも　　　の、・ＰＳＡｇ、Ｓ
ｂ、、Ｂｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）に
したもの、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−ｔ〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する０Ｍ厚は１１−５０ｔＩである。

また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりａ−３ｉＮ層、ａ−５ｉ
Ｃ層、Ｓｉ０１層、Ａｌ２Ｏ２層等の絶縁層を設けると
よい、この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したとき電
流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とする必
要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５００人
程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよ（、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける０例えば、Ｓｌにボロンをドープしたａ　−３ｉ
　：　Ｈ（ｎ’　）は、ホールの輸送特性が上がって整
流効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−３ｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−３ｅ−Ｔｅ）■ア
モルフアスひ素セレン化合物（ａ　−ＡｓｚＳｅ３）■
アモルファスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳｉｎｇ、Ａ　ｊｚｏｓ　、、５ｉ
Ｃ２ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等によ
り電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わ
せ、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚はアモ
ルファスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　） この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向Ｐ！（膜厚方向に
配向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃ
ｄＳ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分散
させ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい
。

（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０−”〜ＩＴｏｒｒ）で混合
し、加熱した電極基板（１５０〜４００°Ｃ）上で化学
反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜
厚方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

〈電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。

く電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有尤るが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（Ｔ　Ｎ　Ｆ　）は４００ｎｍ波
長近傍しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５０ｎ
ｍ波長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

く電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−３ｅ　、　ａ−５
ｔ　、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。

く電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚と
するとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料名１
部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は先導Ｔｉ層で発生した電荷の一方（電子、またはホー
ル）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起
こして、電荷注入防止層を通過して電流が流れるもので
ある。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機
絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこ
れらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例え
ばＡＳｚ０３　、ｔｈｉｓ、Ｂｉｔｅ、　、ＣｄＳ　％
　ＣａＯ、Ｃｅｎｔｓ　Ｃｒｙ’ｓ　、Ｃｏｏ　、、Ｇ
ｅ０ｔｓ１（ｆｏｘ、Ｆｅ！ｇｓ　、ＬａｚＯｓ　、Ｍ
ｇＯ、Ｍｎ０１、ＮｄｔＯｓ　、ＮｂｚＯｓ　、、　Ｐ
ｂＯ，５ｂｚＯｓ　、５ｉｆｔ、５ｅＯ１、Ｔａｘｅｓ
　５Ｔｉｏｎ、ＷＯｓ　、ＶｚＯｓ、　ＹＪｓ、Ｙ２Ｏ
１、Ｚｒ（ｈ、ＢａＴｉＯｓ、Ａｌｔｏｓ、ＢｉｚＴｔ
Ｏｓ　ｓ　ＣａＯ−３ｒＯ、Ｃａ０−ＹｔＯｓ、Ｃｒ−
３ｉｎＳＬＩＴａ０１、ＰｂＴｉ０．、ＰｂＺｒＯｓ、
Ｚｒ０ｌ−Ｃｏ　　、Ｚｒ０ｌ−５ｉＯ１、ＡＩＮ　　
、ＢＮ、ＮｂＮ　　、５ｈｙ４　、ＴａＮ　　ｓ　　Ｔ
ｉＮ　　、ＶＮ、ＺｒＮ　　。

ＳｉＣ、ＴｉＣ、肛、＾１４Ｃ１等をグロー放電、蒸着
、スパッタリング等により形成される。尚、この層の膜
厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の点
を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに整
流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用し
て電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷輸
送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無機
光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層で形
成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である。具体
的には、電極がマイナスの場合はＢ、Ａｌ５Ｇａ、Ｉｎ
等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、アモル
ファスセレン、またはオキサシアソール、ヒラゾリン、
ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン、
ナフタレン、トリフェニルメタン、トリフェニルメタン
、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散して
形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、Ｐ、Ｎ
、Ａｓ、５ｂＳＢｉ等をドープしたアモルファスシリコ
ン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグロー放電、蒸着、ス
パッタリング、ＣＶＤ、コーティング等の方法により形
成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。

電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ（同一出願人による同日出＠）に
用いられる場合には、一般のフィルム（単コマ、連続コ
マ用）形状、あるいはディスク状となりレーザー等によ
りデジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合に
は、テープ形状、ディスク形状、あるいはカード形状と
なる。

絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には両性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。

絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で１０１４
Ω・Ｃ１１以上の絶縁性を有することが要求される。こ
のような絶縁１’ｉｌｌは、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解
させ、コーティング、ディッピングするか、または蒸着
、スパッタリング法により層形成させることができる。

ユニで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
トアセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹脂
、フェノール樹脂。

ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。

可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯ，ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。

極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー。

弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁層１１として、ラングミュア−・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
層１１上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ　／　ｃ　ｍ以上）
が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１０’
Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう、
電荷保持強化層としては、例えばＳｉＯ□、Ａｈ（ｈ　
、ＳｉＣ、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質としては例
えばポリエチレン蒸着膜、ポリバラキシレン蒸着膜が使
用できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加す
るとよい。ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（ＴＴ
Ｆ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的には
テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）トリニトロフル
オレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混合し
て使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂
等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用される
。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族（
銅族）、同Ｉ［Ａ族（アルカリ土類金属）、同ＩＩＢ族
（亜鉛族）、同ｍＡ族（アルミニウム族）、同１１Ｂ族
（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族（バナジ
ウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族（マンガ
ン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶＡ族（炭
素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同ＶＡ族
（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同ＶＩＡ族
（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微細粉状で
使用される。また上記元素単体のうち金属類は金属、イ
オン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても
使用することができる。

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜１０重景％程度でよい。　また絶縁層１１は、絶縁
性の点からは少なくても１０００人（０，１μｍ）以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１００
μｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保ｆｆ１ｌｆｆとして
は粘着性を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペ
ン樹脂等の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層１１の表面
に貼着するか、またプラスチックフィルムをシリコンオ
イル等の密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０
１４Ω・ｃｍ以上のものであればよく、膜厚は０．５〜
３０μｍ程度であり、絶縁１１１の情報を高解像度とす
る必要がある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層
は、情報再生時には保護膜上から情報を再生してもよく
、また保１！膜を剥離して絶縁層の情報を再生すること
もできる。

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生じさせるニレクレットがある。

第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。

第２図（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板上にＺｎＳ。

ＣｄＳ、ＺｎＯを、蒸着スパッター、ＣＶＤ、　コーテ
ィング法等で１層１〜５μｍ形成する。そしてこの感光
層表面に透明電極１９を接触あるいは非接触で重ね、電
圧印加露光で露光すると（第２図（ロ））、露光部で光
によって電荷が発生し、電場によって分極し、電荷は電
場を取り去ってもその位置にトランプされる（第２図（
ハ））＃　こうして、露光量に応じたエレクトレットが
得られる。なお、第２図の電荷保持媒体の場合は別体の
感光体を必要としない利点がある。

第３図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ビニリ
デン（ＰＶＤＦ）、ポリ（ＶＤＦ／三フッ化エチレン）
、ポリ（ＶＤＦ／四フッ化エチレン）、ポリフッ化ビニ
ル５ポリ塩化ビニリデン２ポリアクリロニトリル、ポリ
−α−クロロアクリロニトリル、ポリ（アクリロニトリ
ル／塩化ビニル）、ポリアミド１１．ポリアミド３．ポ
リ−ｍ−フェニレンイソフタルアミド、ポリカーボネー
ト、ポリ（ビニリデンシアナイド酢酸ビニル）。

ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これを電極ＭｔＨ
，ｘｓ上に１〜５０ｕｍ単層で設けるかあるいは２種類
以上のものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う（第３図（ロ））。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる（第３図（ハ））。

次ぎに、絶縁層１１に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に感光体電極７を設けた光導′ｒ４層９か
らなる感光体１と、感光体１に対向し、後面に電荷保持
媒体電極１３を設けた絶縁層ＩＩからなる電荷保持媒体
とにより記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入
射光に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて
絶縁層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静
電潜像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシ
ャッタも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用し
うるちのであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく
長期間保持することが可能である。またプリズムにより
光情報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取
り出すカラーフィルターを使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した
電荷保持媒体３セントで１コマを形成するか、または】
平面上にＲ，Ｇ、、Ｂ像を並べて１セツトで１コマとす
ることにより、カラー撮影することもできる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい、
この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である。画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御によ
り行う。また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をか
けて形成するものである。尚、感光体における光導電層
の分光特性は、パンクロマティックである必要はなく、
レーザー光源の波長に感度を有していればよい。

第４図は本発明の静電画像記録再生方法における電位読
み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番号は同一内
容を示している。なお、図中、２１は電位読み取り部、
２３は検出電極、２５はガード電極、２７はコンデンサ
、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１．を電荷保持媒体３の電荷蓄積面に
対向させると、検出電極２３に電荷保持媒体３の絶縁層
１１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、
検出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電荷
が生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデ
ンサ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積
電荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読む
ことによって電荷保持体の電位を求めることができる。

そして、電位読み取り部２１で電荷保持媒体面上を走査
することにより静電潜像を電気信号として出力すること
ができる。なお、検出電極２３だけでは電荷保持媒体の
検出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電
気力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極の周
囲に接地したガード電極２５を配置するようにしてもよ
い。

これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極２３に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極１、ガード電極の形状、大きさ、及
び電荷保持媒体との間隔によって大きく変わるため、要
求される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要
がある。

第５図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出電
極、ガード電極を絶縁性保護膜３１上に設け、絶縁性保
護膜を介して電位を検出する点以外は第４図の場合と同
様である。

この方法によれば、電荷保持媒体に接触させて検出でき
るため検出１を極との間隔を一定にすることができる。

第６図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状電
極３３を直接電荷保持媒体に接触させ、その部分の電位
を検出するもので、検出面積を小さくすることができる
ので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極を
複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上さ
せることが可能となる。

以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増幅
型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。

第７図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、２２
は検出電極、２４は増幅器、２６はメータである。

検出電極２２は振動し、電荷保持媒体３の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極２２における電位は、帯電面の静電電位
に応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変
化をインピーダンスＺの両端の電圧変化として取り出し
、コンデンサＣを通して交流分を増幅器２４で増幅し、
メータ２６により読み取ることにより帯電面の静電電位
を測定することができる。

第８図は回転型検出器の例を示し、図中２８は回転羽根
である。

電極２２と電荷保持媒体３の帯電面の間には導電性の回
転羽１２Ｂが設けられて図示しない駆動手段により回転
駆動されている。その結果、検出Ｎ極２２と電荷保持媒
体３との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのため、
検出電極２２には帯電面の静電電位に応じた振幅の周期
的に変化する電位信号が検出され、この交流成分を増幅
器２４で増幅して読み取ることになる。

第９図は振動容量型検出器の例を示し、２８は駆動回路
、３０は振動片である。

駆動回路２８によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片３０を振動させて、コンデンサ容量を変化さ
せる。その結果、検出電極２２により検出される直流電
位信号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する
。この検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良
く電位測定することができる。

第１０図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、Ｃ７手法（コンピュータ断層映像法
）を用いて電位検出を行うものである。

検出電極３５を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した値
、即ちＣＴにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第１０図（ロ）の矢印の
ように全面に行き渡るように走査し、さらに角度θを変
えて同様に走査していくことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにＣＴアルゴリズムを用いて演算処
理を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求
めることができる。

なお、第１１図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。

第１２回は集電型検出器の例を示し、図中、３２は接地
型金属円筒、３４は絶縁体、３６は集電器である。

集電器３６には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気が電離し
て正負のイオン対が形成されている。これらのイオンは
自然の状態では再結合および拡散によって消滅し、平衡
状態を保っているが、電界があると、熱運動による空気
分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の方向に
進み、電荷を運ぶ役割を果たす。

即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器３６も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。

従って、電荷保持媒体３の帯電面と接地金属円筒３２、
帯電体と集電器３６、および集電器３６と接地金属円筒
３２の間の抵抗をそれぞれＲｏ、Ｒ，、Ｒ，とすると、
帯電体の電位をｖｌとすると、集電器３６の電位ｖ２は
、定常状態では、Ｖｉ　−Ｒｚ　Ｖ＋　／　（Ｒ１＋Ｒ
１）となる。その結果、集電器３６の電位を読み取るこ
とによって電荷保持媒体３の電位を求めることができる
。

第１３図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図で
、３７は電子銃、３８は電子ビーム、３９は第１ダイノ
ード、４０は２次電子増倍部である。

電子銃３７から出た電子を図示しない静電偏向あるいは
は電磁偏向装置により偏向して帯電面を走査する。走査
電子ビ〒ムのうちの一部は、帯電面の電荷と結合して充
電電流が流れ、その分帯電面の電位は平衡電位に下がる
。残りの変調された電子ビームは電子鳩３７の方向に戻
り、第１ダイノード３９に衝突し、その２次電子が２次
電子増倍部４０で増幅されその陽極から信号出力として
取り出される。この戻りの電子ビームとして反射電子あ
るいは２次電子を使用する。

電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な電
荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検出
される。潜像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部分
（露光部）ではエレクトロンによる蓄積電荷が少なく、
充電電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分では
最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの逆で
ネガ型となる。

第１４図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
静電潜像が形成された電荷保持媒体３をトナー現像し、
着色した面を光ビームにより照射してスキャニングし、
その反射光を光電変換器４１で電気信号に変換するもの
であり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を
達成することができ、また光学的に簡便に静電電位の検
出を行うことができる。

第１５図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したＲ
、　Ｇ、　Ｂ分解像をトナー現像し、着色した面を光ビ
ームにより照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信号を
得る場合の例を示している。図中、４３は走査信号発生
器、４５はレーザー、４７は反射鏡、４９はハーフミラ
−１５１は光Ｔ１変換器、５３．５５．５７はゲート回
路である。

走査信号発生器４３からの走査信号でレーザー４５から
のレーザー光を、反射鏡４７、ハーフミラ−４９を介し
て着色面に当てて走査する０着色面からの反射光をハー
フミラ−４９を介して光電変換器５１に入射させて電気
信号に変換するや走査信号発生器４３からの信号に同期
してゲート回路５３．５５．５７を開閉制御Ｂすれば、
微細フィルタのパターンに同期してゲート回路５３．５
５．５７が開閉制御されるので、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色して
おかなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができる。

なお、カラー像が後述するように３面分割したものの場
合も、全く同様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、
この場合もＹ、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもよいこと
は同様である。

第１４図、第１５図に示した静電電位検出法においては
、トナー像が静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有し
ていることが必要で、そのため帯ｔ［のアナログ的変化
に対してしきい値を持たないようにする必要がある。対
応さえとれていればγ特性が一致していなくても電気的
な処理によってγの補正を行うようにすればよい。

第１６図は本発明の静電画像再生方法の概略構成を示す
図で、図中、６１は電位読み取り装置、６３は増幅器、
６５はＣＲＴ、６７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置６１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器６３で増幅してＣＲＴ６５で表示し
、またプリンタ６７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。

第１７図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、７１．７３．７５はプリズムブロック、７７．７９
．８１はフィルタ、８３．８５は反射鏡である。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１のａ面から入射した光情報は、５面に
おいて一部が分離反射され、さらにａ面で反射されてフ
ィルタ７７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック７３に入射し、Ｃ面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ７９
．８１からＧ色光成分、Ｒ色光成分が取り出される。そ
して、Ｇ、Ｂ色光成分を、反射鏡８３．８５で反射させ
ることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すこ
とができる。

このようなフィルタ９１を、第１８図に示すように感光
体１の前面に配置して撮影することにより、第１８図（
ロ）のようにＲ，Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツト
で１コマを形成するか、また第１８図（ハ）に示すよう
に１平面上にＲ，Ｇ。

Ｂ像として並べて１セントで１コマとすることもできる
。

第１９図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してＲ，Ｇ、Ｂストライブパターンを形成し、
それぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、
または第１７図のような方法で色分解した光を、それぞ
れ細いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干
渉縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成
する方法、または光導電体にマスクを密着させて露晃し
、静電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライブパターンを形成
し、これをトナー現像して３回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライブを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，
Ｇ、Ｂｌ＆Ｉｌで１画素を形成し、１画素を１０μｍ程
度の微細なものにする。このフィルタを第１８図のフィ
ルタ９１として使用することによりカラー静電潜像を形
成することができる。この場合、フィルタは感光体と離
して配置しても、あるいは感光体と一体に形成するよう
にしてもよい。

第２０図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す回で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。

第２１図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　ＤｅｎｓＩｔｙ
）フィルタとＲ，Ｃ，、Ｂフィルターを併用した３面分
割の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３
及び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター
８７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すこと
により、Ｒ，、Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すこりが
できる。

〔作用〕

本発明の静電画像記録再生方法は、電荷保持媒体上に面
状にアナログ量又はディジタル量として静電潜像を形成
し、その電荷電位を読み取ることにより静電潜像に対応
した電気信号を出力させ、ＣＲＴ表示、或いはプリンタ
によりプリントアウトすることにより、高品質、高解像
であると共に、処理工程が簡便で、長時間の記憶が可能
であり、記憶した像情報を目的に応じた画質で、任意に
反復再生することができる。

〔実施例〕

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂１０ｇ、キシレン−ブタノールｌ：１
溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒
）：商品名　ＣＲ−１５をＩＭ量％（０，２ｇ）加えて
よく攪拌し、Ａｌを１０００人蒸着１たガラス基板上に
ドクターブレード４ミルを用いてコーティングを行った
。

その後１５０°Ｃ１１ｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０μ
ｍの電荷保持媒体（ａ）を得た。

また上記混合液を、Ａｆｆｉを１０００人蒸着１た１０
０μｍポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディ
ングし、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ
）を得た。

また上記混合液を、Ａｆを１０００人蒸着１た４インチ
ディスク形状アクリル（１■Ｗ、）１１上にスピンナー
２０００ｒｐｍでコーディングし、５０°Ｃ，３ｈｒ乾
燥させ、膜厚７μｍのディスク状電荷保持媒体（Ｃ）を
得た。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０１１ｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０μｍの膜
厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。

〔実施例２〕 ポリイミド樹脂Ｌｏｇ、Ｎ−メチルピロリドンＬｏｇの
組成を有する混合液を、Ａ２を１０００人蒸着１たガラ
ス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐｍ、
２０秒）した、溶媒を乾燥させるため１５０°Ｃで３０
分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０°Ｃ１
２時間加熱した。

膜厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。

〈実施例Ａ〉 ロジンエステル樹脂（ステベライトエステル１０）１０
ｇをｎ−ブチルアルコール９０ｇに溶解した溶液を用い
て、Ａ１．を１０００人蒸着１たガラス基板上にスピン
ナーコーティング（１０００ｒｐｍ、、３０秒）した。

溶媒を乾燥させるため、６０℃でｌｈｒ放置した結果、
膜厚２μｍを有する均一な皮膜が形成された。

この媒体に、蒸着法でアモルファスセレンを以下の条件
で積層した。

まず、真空チャンバー内の基板ホルダーにガラス面をホ
ルダーに接触する形で媒体を固定する。

この、基板ホルダーは加熱（ヒーター）ができ、蒸着時
に基板媒体を１００°Ｃに加熱する。蒸着は通常の抵抗
加熱法であるが、真空度を０　、　　Ｉ　Ｔｏｒｒの低
真空状態でセレンを蒸着した。この結果、セレンが微粒
子の形で、ロジンエステル…脂層中に形成され、その粒
子径は平均で０．５μｍ程度のものである、電荷保持媒
体が得られた。

〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶに−ＴＮＦ
　）作製方法 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０　ｇ　（亜南香料（
株）製Ｌ２，４．７−）リニトロフルオレノン１０ｇ、
ポリエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東
洋紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０
ｇの組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉｎ□（ｈ−
ＳｎＯｌを約１０００人の膜厚でスパッターしたガラス
基板（１ｍｓ厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し
、６０°Ｃで約１時間通風乾燥し、！１約１０μｍの光
導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うため
に、更に１日自然乾燥を行って用いた。

（Ｘ施例４）・・・アモルファスシリコンａＳｉ：Ｈ無
機感光体の作製方法 ■基板洗浄 Ｓ　ｎ　Ｏｚの薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコ
ーニング社７０５９ガラス（２３ｘ、１６ｘ０゜９ｔ、
光学研磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノー
ル各液中、この１順番に各々１０分ずつ超音波洗浄する
。

■装置の準備 洗浄の済んだ基板を第２２図の反応室１０４内のアノー
ド１０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を１０−’Ｔｏｒｒ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０６Ｃ〜３５０°Ｃで約１時間行い、焼出し後装置
を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）の堆積 ガラス基板が３５０”Ｃになるようにヒーターを１０８
調整、加熱し、予めタンク１０１内で混合しておいたＰ
　Ｈｓ　／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　”＝１０００ｐｐｍのガス
をニードルバルブとＰＭＢの回転数を制御することによ
って反応室１０４の内圧が２００−Ｔｏｒｒになるよう
に流し内圧が一定になった後、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏ
ｘ　１０３を通じて、４０ＷのＲｆ　Ｐｏｗｅｒ　１０
２　（１３，５６ＫＨｚ）を投入し、カソード・アノー
ド間にプラズマを形成する。堆積は４分間行い、Ｒｆの
投入を止め、ニードルバルブを閉じる。

その結果、ブロッキング層を構成する約０．　２μｍの
ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ’）膜が基板上に堆積された。

■ａ−３ｔ：Ｈの堆積 ５ｊＨｓｌＯＯ％ガスを■と同じ方法で内圧が２００Ｉ
ＩＴｏｒｒになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ　１０３を通じて４０
ＷのＲｆＰｏｗｅｒ　１０２　Ｃ１３，５６ＫＨｚ＞を
投入し、プラズマを形成して７０分間維持する。堆積終
了はＲｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。Ｈｅ
ａｔｅｒ　１０８０４ｆ後、基板が冷えているがら取り
出す。

この結果、約１８．８μｍの膜がａ−ｓｉ：Ｈ（ｎｏ）
膜上に堆積された。

こうして５ｎＯｔ　／ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎ”　）ブロッ
キングｆｆｊ／ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎｏｒ＋−ｄｏｐｅ）
２０μｍの感光体を作製することができた。

〔実施例５〕・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法。

セレン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が１３重量％の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−Ｓｅ−
Ｔｅ　ＦＪＩ膜を真空度１０−’Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法
で■ＴＯガラス基板上に蒸着した。Ｗ！、厚はＩｐｍと
した。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱
法でＳｅのみの蒸着を行いａ　−３ｅ−Ｔｅ層上に１０
μｍ　ａ−５ｅ層を積層した。

〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法） クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍｌ！容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍｊｌ！を
加え、振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により
、約４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブ
ルーを得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート
、ニーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ
加え約４時間攪拌する。この溶液をＩｎ、Ｏ，−Ｓｎ島
を約１０００人スパッターしたガラス基板（１ｍｍ厚）
にドクターブレードを用いて塗布し、膜厚約１μｍの電
荷発生層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１′−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ。

ポリカーボネート（ニーピロンＢ−２０００）　０　、
　１　ｇ　。

ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０μ
ｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０℃で２時間行った。

〔実施例７〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチルｌｏｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
ＺＯ，塩、 ０．５ｇ、ガラ、スビーズＮ０１１３３ｇとを混合し、
タッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをド
クターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に
積層したＩＴＯ上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。乾燥後の膜厚は１μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１） ０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０°Ｃ，２時間以上乾燥させた。膜厚
１０μｍ以下であった。

〔実施例８〕 （電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮ０９１を３３ｇ１タツチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ上に
塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜
は、膜厚１ａｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＩ９１）０．５ｇを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、６
０’Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μｍ以上で
あった。

〔実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣ２０、塩０．
５ｇ、ガラスピーズＮ０１１３３ｇとを混合し、タッチ
ミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを熔解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０°Ｃ，２時間以上乾燥させた。膜厚１０μ
ｍ以下であった。

〔実施例１０］ （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ２２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮ００１を３３ｇ１タツチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し１
．６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、
膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） 溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９Ｌ）０．
５ｇを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚は１０
μｍ以上であった。

〔実施例１１〕 （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ。

比抵抗１００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸
着させた。

また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。

（電荷注入防止層の形成方法） 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。

膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。

（電荷発生層の形成方法） 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
Ｍ１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。

（電荷輸送層の形成方法） 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。

〔実施例１２〕・・・熱エレクトレットの作製方法ポリ
弗化ビニリデンフィルム２０μｍ上に真空蒸着（１０−
”Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法）によりＡｊ！を１０００人蒸
着したものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光
導電性感光体と共に静電潜像を形成する。

まず電荷保持媒体のＡｉ、基板側からホットブレート（
３Ｘ３ｃｍ）を接触させ、１８０°Ｃに媒体を加熱する
。加熱直後に感光体を電荷保持媒体に１０ｔＩｍの空気
ギャップで表面同志を対向させ、貴重極間に一５５０ｖ
の電圧を印加（感光体電極を負とする）し、露光させた
。露光はハロゲンランプを光源として、１．０ルツクス
で、文字パターン原稿を介して感光体裏面から１秒間行
った。

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字部）
には、−１５０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一１５０■の電位が
測定された。

一方間様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電で表面に
一１５０ｖの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−１５０■を示した露光部がＯＶと全←
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化して
いることがわかった。

〔実施例１３〕・・・光エレクトレットの作製方法１．
１ｍｍ１ｌのガラス支持体上にＡｌを、約１０００人ス
パッタリング法により積層して基板とし、その１層上に
硫化亜鉛を約１．５μｍの膜厚に蒸着（１０−’Ｔｏｒ
ｒ、抵抗加熱）させた、この硫化亜鉛層面に、ガラス上
に積層したＩＴＯ面を空気ギャップ１０μｍ設けて対向
させ、両電極間に＋７００ｖの電圧を印加（Ａ／４１に
極側を負にする）した状態で、ＩＴＯ基板側から露光を
行った。

露光は実施例１１と同様にして行った。その結果露光部
には＋８０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例１１と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。

〔実施例１４） 実施例３の単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮＦ　）、
実施例１（ａ）の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用
し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセットす
る。その際に感光体ｌと電荷保持媒体３間に空隙を設け
るため、第２３図に示すように１０μｍのポリエステル
フィルムをスペーサー２として露光面以外の周囲に配置
する。

感光体電極側を負、電荷保持媒体側を正にして電圧を７
００ｖ印加し、その状態で露出ｆ−１゜４、シャッタ−
スピード１／６０秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出ｆ−１，４、シャッター開放状態で１７６０秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。

露光ＯＦＦ、電圧印加ＯＦＦ後、電荷保持媒体を明るい
所、あるいは暗いで所で取り出し、■微小面積電位読取
り法によるＣＲＴ画像形成、■トナー現像による画像形
成を行った。

■では、１００Ｘ１００μｍの微小面積表面電位測定プ
ローブをＸ−Ｙ軸スキャニングを行い、１００μｍ単位
の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位２００Ｖから未露光部Ｏｖまでのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をＣＲＴ上で１００μｍの解
像度で顕像化することができた。

■では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式ト
ナー（黒）に１０秒浸漬することによりポジ像が得られ
た。得られたトナー像の解像度は１μｍの高解像度であ
った。

カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第１７図に示すようにプリズムの３面上にＲ２Ｏ，Ｂフ
ィルターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセットし
、ｆ−１，４、シャッタ−スピード１／３０秒で被写体
撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、Ｂｍ像各々を同様の方法でスキャニングして読
み取り、Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像に対応した螢光発色をＣＲＴ上
で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成することによ
りカラー画像を得た。

■トナー現像法 分解露光した電荷保持媒体をＲ，Ｇ、Ｂ潜像に対して負
に帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イエロ
ー）トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い、その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。

（発明の効果〕 以上のように本１発明によれば、アナログ的に面状に記
録材に静電潜像として記録しておき、任意の時点で静電
潜像の局部電位を任意の走査密度で読み出し出力するこ
とができるので、恰も銀塩写真を撮影し、適当なときに
その写真を光学走査して再出力する如く、高画質の原画
と任意時点での出力を行うことができる記録再生方法が
得られる。

また、直接電位検出する場合には現像手段のような物理
的、または化学的手段を必要としないので、安価で簡便
な記録再生システムをつくることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の静電画像記録再生方法の原理を説明す
るための図、第２図は光エレクトレットを用いた本発明
の静電画像記録再生方法の原理を説明するための図、第
３図は熱エレクトレットを用いた本発明の静電画像記録
再生方法の原理を説明するための図、第４図、第５図、
第６図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を示す図、
第７図、第８図、第９図は交流増幅型の電位読み取り方
法の例を示す図、第１０＠、第１１図はＣＴススキャン
法よる電位読み取り方法の例を示す図、第１２図は集電
型の電位読み取り方法の例を示す図、第１３図は電子ビ
ーム型の電位読み取り方法の例を示す図、第１４図、第
１５図はトナー着色を利用した電位読み取り方法を説明
するための図、第１６図は本発明の静電画像再生の概略
構成を示す図、第１７図は色分解光学系の構成を示す図
、第１８図はカラー静電潜像を形成する場合の説明図、
第１９図は微細カラーフィルタの例を示す図、第２０図
は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み合わせた
例を示す図、第２１図はＮＤフィルタとＲｌＧ、、、Ｂ
フィルタの併用による３面分割を示す図、第２２図はａ
−３ｔ：Ｈ感光体の作製方法を説明するための図、第２
３図は本発明を適用した静電カメラによる盪影の実施例
を説明するための図である。 １・・・感光体、３・・・電荷保持媒体、５・・・透明
支持体、７・・・透明電極、９・・・光導電層、１１・
・・絶縁層、１３・・・電極、１５・・・支持体、１７
・・・電源、２１・−・電位読ろ取り部、２３・・・検
出電極、２５・・・ガードを極、２７・・・コンデンサ
。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　蛭　川　昌　信（外４名）第１図 （ハ） （ニ） 第４図 第５図　　　　　　第６図 ： トド 第８図 ２ム 第１ｏ図 第１１図 第１２図 第１３図 第１６図 第−１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 第２３区

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
   と、感光体に対向し、後面に電極が設けられた絶縁層か
   らなる電荷保持媒体を配置し、両電極間への電圧印加し
   た状態で感光体側あるいは電荷保持媒体側から像露光し
   た後、電荷保持媒体を分離し、電荷保持媒体に像情報と
   して蓄積されている電荷電位を増幅して像再生出力する
   ことを特徴とする静電画像記録再生方法。
2. （２）前記感光体と電荷保持媒体とは接触、または非接
   触である請求項１記載の静電画像記録再生方法。
3. （３）電荷電位の読取りは、電荷保持媒体に検出電極を
   対向させ、検出電極に誘起した電荷により生じた電位を
   検出する請求項１記載の静電画像記録再生方法。
4. （４）検出電極の周囲にガード電極を設けた請求項１記
   載の静電画像記録再生方法。
5. （５）検出電極とガード電極の表面に絶縁膜を設けた請
   求項１記載の静電画像記録再生方法。
6. （６）検出電極が細長い棒状電極からなり、電荷保持媒
   体面上を操作してＣＴ法により電位分布を求める請求項
   １記載の静電画像記録再生方法。
7. （７）検出電極を電荷保持媒体に接触あるいは非接触で
   走査し、蓄積電荷を取り出しながら電位または電流値で
   検出する請求項１記載の静電画像記録再生方法。
8. （８）電荷電位の読み取りは、電荷保持媒体をトナー現
   像し、光ビームを照射してその反射光を光電変換して行
   う請求項１記載の静電画像記録再生方法。