JPH01295897A - 静電荷記録カード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は絶縁層上に、情報を電荷、またはその電荷がト
ナー現像されて蓄積された静電荷記録カードに関する。

〔従来の技術〕

現在は、カード時代と言われるように、キャッシュカー
ドやクレジットカード等の様々なカードが流通している
が、その殆どは磁気記録カードであり、携帯に便利な名
刺大のサイズが最もよく利用されている。しかしこのよ
うなサイズの磁気記録カードでは、あまり記憶容量が確
保できないために、その利用は極限られた暗証番号、口
座番号や登録番号等の照合コードの記憶程度であるのが
実情である。−力先学的に情報を記録する所謂光カード
は、従来の磁気記録カードに比較して記録情報量が蟲か
に大きいことは良く知られているが、情報記録材料に問
題があり、経済的で汎用性の高い光カードは実用に到っ
ていない。

光カードにおける記録部は、導通材料の上に反耐性金属
の薄膜を積層して形成されるが、現在の光学ディスク技
術においては、２．３μｍの解像度を有する状況となっ
ており、通常２５〜１００万ビツトをこえる記憶容量を
有している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら光カードにおいては、その情報単位が反射
性金属を基板上に積層することにより形成されているた
め、その製造技術としては高度なものが要求され、デー
タの再生に際しても問題がまだ存在する。

本発明は、このような光カードにおける情報記録手段と
は相違し、電極上に絶縁性物質を積層した静電荷記録体
上面に、情報を電荷として記録させることにより、作製
手段が極めて容易であり、しかも処理工程が簡便で、長
時間の記憶が可能で、記憶した文字、線画、画像、コー
ド、（１，０）情報を目的に応じた画質で、任意に反復
再生することができる、高品質、高解像の静電荷記録カ
ードを提供することを課題とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、電極に絶縁層を積層した静電荷記録体を、カ
ード基材上に、絶縁層を上面にして積層したものであり
、その形態としては、静電荷記録体がその絶縁層表面を
露出させてカード基材に埋めこまれるか、または絶縁層
を上面にしてカード基材上に貼着することにより積層さ
れたものである。またこの静電荷記録体は、情報が記録
されている状態、または記録されていない状態で積層さ
れており、さらにこの静電荷記録体における記録保存形
態としては、電荷であるか、またはこの電荷がトナー現
像された状態で蓄積されており、またカード作製後に情
報を書き込むためにカード基材の適宜箇所で、静電荷記
録体における電極部を一部露出させたことを特徴とする
ものである。

次ぎに本発明における静電荷記録体の構成について説明
する。

第１図（イ）は本発明のＲＯＭ型静電荷記録カードの斜
視図、また第１図（ロ）は同図（イ）Ａ−Ａ線での断面
図で保護膜を被覆するときの状態を示す図、第３図（イ
）は本発明のＤＲＡＷＲＯＭ型静電荷記録カード図、ま
た同図（口’）　Ｂ−Ｂ線での断面図、また第２図は本
発明で使用する静電荷記録体の断面図であり、■は静電
荷記録カード、４はカード基材、１１は絶縁層、１３は
静電荷記録体電極、１４は露出電極部、１５は静電荷記
録体支持体、１６は保護膜を示す。

静電荷記録体３は静電荷記録電極１３上に絶縁ｌ１１１
が積層されたものであり、感光体と共に用いられて、絶
縁層１１の表面、もしくはその内部に情報を静電荷の分
布として記録するものである。

静電荷記録体支持体１５は、静電荷記録体３を強度的に
支持することができるある程度の強度を有していれば、
その材質、厚みは特に制限がなく、例えば可撓性のある
プラスチックフィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラ
スチックシート、金属板（電極を兼ねることもできる）
等の剛体が使用される。金属板を静電荷記録体支持体と
して使用する場合以外は、該支持体上に、アルミニウム
を蒸着等の手段により１０００人程度０膜厚に積層して
静電荷記録体電極を形成し、次いで静電荷記録体材料で
ある絶縁層を積層させ、静電荷記録体は作製される。ま
た静電荷記録体支持体１５を省略し、カード基材４上に
直接、静電荷記録体電極１３、絶縁層１１を順次積層す
ることにより作製してもよい。また静電荷記録体支持体
として金属板を使用し、静電荷記録体支持体と電極を兼
用させてもよい。

静電荷記録体３は、情報を記録した後か、または情報を
記録する前に、第１図、また第３図に示すようにカード
基材４に貼着されるか、または埋め込まれる。静電荷記
録体３を載置するカード基材４としては、静電荷記録体
３を支持することができるある程度の強度を有していれ
ば、その材質、厚みは特に制限がなく、例えば可撓性の
ある塩化ビニル樹脂等のプラスチックシート、ガラス、
セラミック、金属板（電極を兼ねることもできる）等の
剛体が使用される。

静電荷記録体電極１３は、静電荷記録体支持体１５と絶
縁層１１との間に全面、或いは絶縁層の形成パターンに
合わせて静電荷記録体支持体１５上に形成され、その材
質は比抵抗が１０６Ω・ｃｍ以下であれば限定されなく
、無機金属扉、電膜、無機金属酸化物’４７４．膜等が
使用される。このような静電荷記録体電極１３は、静電
荷記録体支持体１５上に、蒸着、スパッタリング、ＣＶ
Ｄ、コーティング、メツキ、ディッピング、電解重合等
により形成される。またその厚みは、アルミニウムを使
用する場合は、１００〜３０００人程度である。

静電荷記録体電極１３上に積層される絶縁層１１は、そ
の表面、もしくはその内部に情報を静電荷の分布として
記録するものであるから、電荷の移動を抑えるため高絶
縁性が必要であり、比抵抗で１０１４Ω・ｃｍ以上の絶
縁性を有することが要求される。このような絶縁層１１
は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、コーティング、デ
ィッピングするか、または蒸着、スパッタリング法によ
り層形成させることができ、その膜厚は絶縁性の点から
は少なくても１０００人（０，１μｍ）以上必要であり
、フレキシビル性の点からは１００μｍ以下が好ましい
。

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹
脂、フェノール樹脂。

ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。

可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯ，ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。

極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー。

弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物等が使用
される。またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム
、ポリイミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレン
フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フ
ィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィル
ム等を静電荷記録体電極１３上に接着剤等を介して貼着
することにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂
、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂
、ゴム等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティン
グ、ディッピングすることにより層形成される。更にラ
ングミュア−・ブロジヱト法により形成される単分子膜
、または単分子累積膜も使用することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
層ｌｌ上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ／Ｃｍ以上）が印加
された時には電荷が注入するが、低電界（１０’Ｖ／ｃ
ｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう。電荷保
持強化層としては、例えば５ｉ（ｈ、Ａｌ２Ｏ２、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質としては例えばポ
リエチレン蒸着膜９．ポリバラキシレン蒸着膜が使用で
きる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加す
るとよい。ドナー材料としてはスチレン系、とレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（ＴＴ
Ｆ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的には
テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ））リニトロフル
オレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混合し
て使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂
等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用される
。

さらに静電荷を安定に保持させるために、静電荷記録体
中に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体
としては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族
（銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類金属）、同ＩＩＢ
族（亜鉛族）、同ｍＡ族（アルミニウム族）、同［［Ｂ
族（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族（バナ
ジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族（マン
ガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶＡ族（
炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同ＶＡ
族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同ＶＩＡ
族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微細粉状
で使用される。また上記元素単体のうち金属類は金属イ
オン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても
使用することができる。

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の静電荷記録体にごく僅か
添加すればよく、添加量は静電荷記録体に対して０．０
１〜１０重量％程度でよい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、第１図（
ロ）に示すようにその表面に保護膜１６を設けるとよい
。保護膜としては粘着性を有するシリコンゴム等のゴム
類、ポリテルペン樹脂等の樹脂類をフィルム状にし、絶
縁層１１の表面に貼着するか、またプラスチックフィル
ムをシリコンオイル等の密着剤を使用して貼着するとよ
く、比抵抗１０′４Ω・ｃｍ以上のもので、膜厚は０゜
５〜３０μｍ程度である。特に絶縁層１１の情報を高解
像度とする必要がある場合には、保護膜上から情報読み
取りがおこなわれるので、保護膜の膜厚は薄い程よい。

情！！読み取り時にはこの保護膜上から情報を再生する
が、また保護膜を剥離して絶縁層から直接、情報を再生
してもよい。　情報記録カードｌとしては、第１図に示
すような静電荷記録体に情報が既に記録されているもの
を組み込んだもの（以下、ＲＯＭ型という）、また第３
図に示すような情報が記録されていない、または一部記
録可能部を有しているもの（以下、ＤＲＡＷ型という）
とすることができる。ＤＲＡＷ型の場合は、その保護膜
は絶縁層表面に、＠雌可能に、例えば前述した粘着性を
有するプラスチックフィルムを使用するとよく、記録時
にはその保護膜を剥離して未記録部への記録を行い、記
録後は再度絶縁層表面を被覆することができるものがよ
い。

第４図、第５図は本発明の静電荷記録体への静電画像記
録方法を説明するための図であり、図中２は感光体、５
は光導電層支持体、７は感光体電極、９は光導電層を示
す。

上記のようにして作製される静電荷記録体３、または静
電荷記録カード１に情報を記録するには、第４図、また
第５図に示すように、静電荷記録体３における絶縁Ｆｉ
１１面を感光体２における光導電層９面に対向させ、電
圧を印加しつつ、感光体における感光体電極７側から露
光させることにより行われる。

以下、本願発明に用いられる感光体２の構成にについて
説明する。

光導電層支持体５は、感光体電極７、および光導電層９
を強度的に支持するものであり、上記の静電荷記録体支
持体１５と同様な材質で構成される。しかし感光体２側
から光を入射して情報を記録する装置に用いられる場合
には、当然その光を透過させる特性が必要となり、例え
ば自然光を入射光とし、感光体側から入射するカメラに
用いられる場合には、厚み１ｍｍ程度の透明なガラス板
、或いはプラスチックのフィルム、シートが使用される
。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５上に形成され、そ
の材質は比抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等が使
用され、その積層方法としては蒸着、スパッタリング、
ＣＶＤ、コーティング、メツキ、ディッピング、電解重
合等により積層される。またその膜厚は、感光体電極７
を構成する材質の電気特性、および情報の記録の際の印
加電圧により変化させる必要があるが、例えばアルミニ
ウムであれば、１００〜３０００人程度である。この感
光体電極７も情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（
４００〜７００ｎｍ）であれば、Ｔ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｚ０
３−５ｎＯＪ　、Ｓ　ｎ　Ｏ２等をスパッタリング、蒸
着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化
してコーティングしたような透明電極や、Ａ　ｕ　％Ａ
　１　％　Ａ　ｇ　、Ｎ　ｉ　％Ｃｒ等を蒸着、または
スパッタリングで作製する半透明電極、テトラシアノキ
ノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリアセチレン等のコーティ
ングによる有機透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカント
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体） 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン（ａ　−Ｓｉ　：　Ｈ）
■フッ素化アモルファスシリコン（ａ　−５ｉ　：　Ｆ
）・これらに対して不純物をドーピングしないもの、 −Ｂ、、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングにより
Ｐ型（ホール輸送型）にしたもの、・Ｐ％　Ａｇｓ　Ｓ
ｂ、Ｂ　ｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）に
したもの、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−”〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に唯積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

また、感光体電極７から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパンター法等によりａ−５ｉＮ層、ａ−５
ｉＣ層、５ｉＯＪｉ。

Ａｌｔｏｓ層等の絶縁層を設けるとよい。この絶縁層を
余り厚くしすぎると露光したとき電流が流れないので、
少な（とも１０００Å以下とする必要があり、作製し易
さ等を考慮すると４００〜５００人程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Ｓｉにポロンをドープしたａ−３ｔ　
：Ｈ（ｎ”　）は、ホールの輸送特性が上がって整流効
果が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−５ｅ−Ｔｅ）■ア
モルフアスひ素セレン化合物（ａ　−ＡｓｚＳｅｔ）■
アモルファスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳｉＯ□、Ａ　１１０３．５ｉＣ１
ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により電
極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ、
積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚はアモルフ
ァスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　） この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配
向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｄ
Ｓ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。

。 （ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０−”〜Ｉ　Ｔｏｒｒ）で混
合し、加熱した電極基板（１５０〜４００℃）上で化学
反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜
厚方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

く電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。

〈電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか惑ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００　ｎｍ波長近
傍しか惑しないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５０ｎｍ波
長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

く電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−５ｅ　、　ａ−５
ｉ　、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。

〈電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚と
するとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレ−）　（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹
脂、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料名
１部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いように
する。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着
法、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
ＡＳ２０３、Ｂ２Ｏ３、ＢｉｚＯ，、ＣｄＳ　、、Ｃａ
Ｏ、ＣｅＯ，、ＣｒｚＯｚ　、ＣｏＯ、ＧｅＯ２、Ｈｆ
Ｏ，、ＦＩＢＺＯ３、ＬａｚＯｔ　、ＭｇＯ、Ｍｎ０ｚ
、ＮｄｚＯｉ　、Ｎｂ２Ｏ２、ＰｂＯ１Ｓｂ２０３、Ｓ
ｉＯ□、Ｓｅａ□、Ｔａ２０５　、Ｔｉ０ｚ、ＷＯ２、
Ｖ、Ｏ３、Ｙ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ１、Ｚｒ０ｚ、ＢａＴｉＯ
３、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ、ＴｉＯ３、ＣａＯ−５ｒＯ、Ｃ
ａ０−ＹｚＯ＊、Ｃｒ−５ｉＯ１ＬｉＴａ０３、ＰｂＴ
ｉ０：＋、ＰｂＺｒ０ｚ、Ｚｒ０２−Ｃｏ　　、ＺｒＯ
２−３ｉ０２　　、八ｌＮ　　、、ＢＮＸ　ＮｂＮ　　
、ＳｉＪ、　　、ＴａＮ　　、ＴｉＮ　　Ｓ　ＶＮ、Ｚ
ｒＮ　　。

Ｓ＋Ｃ１Ｔ＋Ｃ１ＷＣｓ　Ａ１４Ｃ，１等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この
層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効
果の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次
ぎに整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を
利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する
電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層
は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電
層で形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である
。具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、ＡＩ、Ｇａ
、Ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、
アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾ
リン、ポリビニルカルバゾール、スチルヘン、アントラ
セン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に
分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は
、Ｐ、Ｎ　ＳＡ　Ｓ　ＳＳ　ｂ　％　Ｂ　ｉ等をドープ
したアモルファスシリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等
をグロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーテ
ィング等の方法により形成される。

このようにして作製される感光体と静電荷記録体は、感
光体における光導電層面と、静電荷記録体における絶縁
層面を接触させるか、あるいは、第４図（イ）に示すよ
うに非接触の状態で対向させて配置するものであり、非
接触の場合には感光体と静電荷記録体の対向部端部にス
ペーサーを介して対向させるとよい。またどのような情
報入力手段を使用するかにもよるが、感光体面と静電荷
□記録体面の適宜箇所にスペーサーを配置してもよいこ
とは勿論である。非接触の場合感光体と静電荷記録体の
間隔は１〜５０μｍ７！ｌ（適当であり、またスペーサ
ーは、プラスチックフィルム等の有機材を使用するとよ
い。

また本発明で使用することができる静電荷記録体として
、上記のように静電荷記録体電極上に単に絶縁層を積層
したもののみならず、静電荷記録体電極上に絶縁層、光
導電層を順次積層し、その光導電層を画素単位にエツチ
ングするか、または光導電層支持材料として硫化カドミ
ウム、酸化亜鉛等の積層条件を選択することにより得ら
れる、電極面に垂直な配向性を有する光導電層を使用す
るか、または硫化カドミウム、酸化亜鉛等の光導電性粒
子をバインダー中に分散させ、絶縁層表面に塗布するこ
とにより光導電層を形成し、情報を絶縁層に蓄積しても
光導電層による情報電荷の拡散を防止しうるようにして
、電極を介して像露光し、情報を絶縁層に蓄積する型の
ものも使用することができる。

次ぎに、このようにして作製された静電荷記録体、感光
体を使用した静電画像記録方法について説明する。

第４図は本発明の静電荷記録体を使用した静電画像記録
方法を説明するための図である。１７は電源である。

第４図においては、感光体２側から露光を行う態様であ
り、まずＩＢ厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚の１ＴＯからなる透明な感光体電極７を形
成し、この上に１０μｍ程度の光導電層９を形成して感
光体２を構成している。この感光体２に対して、１０μ
ｍ程度のスペーサーを介して静電荷記録体３が配置され
る。静電荷記録体３は１ｍ厚のガラスからなる静電荷記
録体支持体１５上に１０００人厚の１Ｔ電極を蒸着し、
この電極上に１０μｍ厚の絶縁Ｊｉｌｌを形成したもの
である。

まず、第４図（イ）に示すように感光体１に対して、１
０μｍ程度の空隙を介して静電荷記録体３をセットし、
第４図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
ｌ側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、第４図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第４図（ニ）に示すように静電荷記
録体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。

また第５図は本発明のＲＡＭ型静電荷記録カードへの静
電画像記録方法を説明するための図であるが、カード基
材４の下部に露出させた静電荷記録体電極１３の露出電
極部１４と、感光体電極７間に電圧を印加し、上記ＲＯ
Ｍ型静電荷記録体への静電画像記録方法と同様にして静
電潜像が形成されるものである。尚、このＲＡＭ型静電
荷記録カードへの静電画像記録の場合は、図示はしてい
ないが第１図（ロ）に示すような保護膜を記録前に被覆
しておき、記録時に剥離し、記録が終了した段階で再度
被覆し、絶縁層１１の情報電荷を保護するようにすると
よい。

これらの記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩
写真法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁
ＷＩｌｌ上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は
良好な絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係な
（放電せず長期間保存される。この絶縁層１１上の電荷
保存期間は、絶縁体の性質によって定まり、空気の絶縁
性以外に絶縁体の電荷捕捉特性が影響する。前述の説明
では電荷は表面電荷として説明しているが、注入電荷は
単に表面に蓄積されるか、また微視的には絶縁体表面付
近内部に侵入し、その物質の構造内に電子またはホール
がトラップされる場合もあるので長期間の保存が行われ
る。

静電荷保持の方法としては、上記したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生じさせるニレクレットがある。

第６図は光エレクトレフトを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第４図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。

第６図（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板上にＺｎＳ、ＣｄＳ、ＺｎＯ
を、蒸着スパッター、ＣＶＤ、　コーティング法等で１
層１〜５μｍ形成する。そしてこの感光層表面に透明電
極１９を接触あるいは非接触で重ね、電圧印加状態で露
光すると（第６図（ロ））、露光部で光によって電荷が
発生し、電場によって分極し、電荷は電場を取り去って
もその位置にトラップされる（第６図（ハ））。こうし
て、露光量に応じたエレクトレフトが得られる。なおこ
の場合の静電荷記録体の場合は、単に絶縁層からなる静
電荷記録体に比較して、別体の感光体を必要としない利
点がある。

第７図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第４図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ビニリ
デン（ＰＶＤＦ）、ポリ　（ＶＤＦ／三フフ化エチレン
）、ポリ　（ＶＤＦ／四フッ化エチレン）、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。

ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ　（アクリロニトリル／塩化ビニル）、ポリ
アミド１１．ポリアミド３．ポリ−ｍ−フェニレンイソ
フタルアミド、ポリカーボネート、ポリ　（ビニリデン
シアナイド酢酸ビニル）。

ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これを電極基板１
３上に１〜５０μｍ単層で設けるかあるいは２種類以上
のものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う（第７図（ロ））。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる（第７図（ハ））。

本発明における静電荷記録体、静電荷記録カードへの情
報入力方法としては、高解像度静電カメラによる方法、
またレーザーによる記録方法がある。まず本願発明で使
用される高解像度静電カメラは、通常のカメラに使用さ
れている写真フィルムの代わりに、前面に感光体電極７
を設けた光導電層９からなる感光体１と、感光体１に対
向し、後面に静電荷記録体電極１３を設けた絶縁層１１
からなる静電荷記録体とにより記録部材を構成し、画電
極へ電圧を印加し、入射光に応じて光導電層を導電性と
して入射光量に応じて絶縁層上に電荷を蓄積させること
により入射光学像の静電潜像を電荷蓄積媒体上に形成す
るもので、機械的なシャッタも使用しうるし、また電気
的なシャフタも使用しうるものである。また静電潜像は
明所、暗所に関係なく長期間保持することが可能である
。またプリズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分
離し、平行光として取り出すカラーフィルターを使用し
、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した静電荷記録体３セントで１コマを
形成するか、または１平面上にＲｌＧ、Ｂ像を並べて１
セツトで１コマとすることにより、カラー撮影すること
もできる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｒｘｍ）、ヘリウム−
ネオンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８
０ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と静電荷記
録体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔を
おいて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャ
リアの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい
。この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信
号に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うも
のである。画像のようなアナログ的な記録は、レーザー
の光強度を変調して行い、文字、コード、線画のような
デジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御に
より行う。また画像において網点形成されるものには、
レーザー光にピントジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御を
かけて形成するものである。尚、感光体における光導電
層の分光特性は、パンクロマティックである必要はなく
、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。

次ぎに記録された静電画像の再生方法について説明する
。

第８図は本発明の静電画像記録再生方法における電位読
み取り方法の例を示す図で、第４図と同一番号は同一内
容を示している。なお、図中、２１は電位読み取り部、
２３は検出電極、２５はガード電極、２７はコンデンサ
、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１を静電荷記録体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極２３に静電荷記録体３の絶縁Ｎ１
１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に静電荷記録体上の電荷と等量の誘導電荷が
生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデン
サ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電
荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読むこ
とによって電荷保持体の電位を求めることができる。そ
して、電位読み取り部２１で静電荷記録体面上を走査す
ることにより静電潜像を電気信号として出力することが
できる。なお、検出電極２３だけでは静電荷記録体の検
出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電気
力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲
に接地したガード電極２５を配置するようにしてもよい
。

これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極２３に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び
静電荷記録体との間隔によって大きく変わるため、要求
される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要が
ある。

第９図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出電
極、ガード電極を絶縁性保護膜３１上に設け、絶縁性保
護膜を介して電位を検出する点以外は第８図の場合と同
様である。

この方法によれば、静電荷記録体に接触させて検出でき
るため検出電極との間隔を一定にすることができる。

第１０図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状
電極３３を直接静電荷記録体に接触させ、その部分の電
位を検出するもので、検出面積を小さくすることができ
るので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極
を複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上
させることが可能となる。

以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増幅
型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。

第１１図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、２
２は検出電極、２４は増幅器、２６はメータである。

検出電極２２は振動し、静電荷記録体３の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極２２における電位は、帯電面の静電電位
に応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変
化をインピーダンスＺの両端の電圧変化として取り出し
、コンデンサＣを通して交流骨を増幅器２４で増幅し、
メータ２６により読み取ることにより帯電面の静電電位
を測定することができる。

第１２図は回転型検出器の例を示し、図中２８は回転羽
根である。

電極２２と静電荷記録体３の帯電面の間には導電性の回
転羽根２８が設けられて図示しない駆動手段により回転
駆動されている。その結果、検出電極２２と静電荷記録
体３との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのため、
検出電極２２には帯電面の静電電位に応じた振幅の周期
的に変化する電位信号が検出され、この交流成分を増幅
器２４で増幅して読み取ることになる。

第１３図は振動容量型検出器の例を示し、２８は駆動回
路、３０は振動片である。

駆動回路２８によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片３０を振動させて、コンデンサ容量を変化さ
せる。その結果、検出電極２２により検出される直流電
位信号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する
。この検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良
く電位測定することができる。

第１４図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、ＣＴ千手法コンピュータ断層映像法
）を用いて電位検出を行うものである。

検出電極３５を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した値
、即ちＣＴにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第１４図（ロ）の矢印の
ように全面に行き渡るように走査し、さらに角度θを変
えて同様に走査していくことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにＣＴアルゴリズムを用いて演算処
理を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求
めることができる。

なお、第１５図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。

第１６図は集電型検出器の例を示し、図中、３２は接地
型金属円筒、３４は絶縁体、３６は集電器である。

集電器３６には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気が電離し
て正負のイオン対が形成されている。これらのイオンは
自然の状態では再結合および拡散によって消滅し、平衡
状態を保っているが、電界があると、熱運動による空気
分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の方向に
進み、電荷を運ぶ役割を果たす。

即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器３６も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。

従って、静電荷記録体３の帯電面と接地金属円筒３２、
帯電体と集電器３６、および集電器３６と接地金属円筒
３２の間の抵抗をそれぞれＲｏ、Ｒ１、ＲＺとすると、
帯電体の電位をＶｌとすると、集電器３Ｇの電位Ｖ２は
、定常状態では、Ｖｚ　＝Ｒｚ　Ｖ＋　／　（Ｒ＋　＋
Ｒｚ　）となる。その結果、集電器３６の電位を読み取
ることによって静電荷記録体３の電位を求めることがで
きる。

第１７図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図で
、３７は電子銃、３８は電子ビーム、３９は第１ダイノ
ード、４０は２次電子増倍部である。

電子銃３７から出た電子を図示しない静電偏向あるいは
電磁偏向装置により偏向して帯電面を走査する。走査電
子ビームのうちの一部は、帯電面の電荷と結合して充電
電流が流れ、その分帯電面の電位は平衡電位に下がる。

残りの変調された電子ビームは電子銃３７の方向に戻り
、第１ダイノード３９に衝突し、その２次電子が２次電
子増倍部４０で増幅されその陽極から信号出力とじて取
り出される。この戻りの電子ビームとして反射電子ある
いは２次電子を使用する。

電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な電
荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検出
される。潜像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部分
（露光部）ではエレクトロンによる蓄積電荷が少なく、
充電電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分では
最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの逆で
ネガ型となる。

第１８図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、静電
潜像が形成された静電荷記録体３をトナー現像し、着色
した面を光ビームにより照射してスキャニングし、その
反射光を光電変換器４１で電気信号に変換するものであ
り、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を達成
することができ、また光学的に筒便に静電電位の検出を
行うことができる。

第１９図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したＲ
、　　Ｇ、　　８分解像をトナー現像し、着色した面を
光ビームにより照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信
号を得る場合の例を示している。図中、４３は走査信号
発生器、４５はレーザー、４７は反射鏡、４９はハーフ
ミラ−１５１は光電変換器、５３．５５．５７はゲート
回路である。

走査信号発生器４３からの走査信号でレーザー４５から
のレーザー光を、反射鏡４７、ハーフミラ−４９を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−４９を介して光電変換器５１に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器４３からの信号に同期
してゲート回路５３．５５．５７を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路５３．５５
．５７が開閉制御されるので、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色してお
かなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができる。なお
、カラー像が後述するように３面分割したものの場合も
、全く同様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、この
場合もＹ、、Ｍ、Ｃに着色しておかな（でもよいことは
同様である。

第１８図、第１９図に示した静電電位検出法においては
、トナー像が静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有し
ていることが必要で、そのため帯電量のアナログ的変化
に対してしきい値を持たないようにする必要がある。対
応さえとれていればγ特性が一致していなくても電気的
な処理によってＴの補正を行うようにすればよい。

第２０図は本発明の静電画像再生方法の概略構成を示す
図で、図中、６１は電位読み取り装置、６３は増幅器、
６５はＣＲＴ、６７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置６１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器６３で増幅してＣＲＴ６５で表示し
、またプリンタ６７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。

第２１図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、７１．７３．７５はプリズムブロック、７７．７９
．８１はフィルタ、８３．８５は反射鏡である。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１のａ面から入射した光情報は、ｂ面に
おいて一部が分離反射され、さらにａ面で反射されてフ
ィルタ７７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック７３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ７９
．８１からＧ色光成分、Ｒ色光成分が取り出される。そ
して、Ｇ、　Ｂ色光成分を、反射鏡８３．８５で反射さ
せることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出す
ことができる。

このようなフィルタ９１を、第２２図に示すように感光
体１の前面に配置して撮影することにより、第２２図（
ロ）のようにＲ，Ｇ、Ｂ分解した静電荷記録体３セツト
で１コマを形成するか、また第２２図（ハ）に示すよう
に１平面上にＲ，Ｇ。

Ｂ像として並べて１セツトで１コマとすることもできる
。

第２３図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してＲ，Ｇ、Ｂストライブパターンを形成し、
それぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、
または第２１図のような方法で色分解した光を、それぞ
れ細いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干
渉縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成
する方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し
、静電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライプパターンを形成
し、これをトナー現像して３回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライブを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，
Ｇ、Ｂ１組で１画素を形成し、１画素を１０μｍ程度の
微細なものにする。このフィルタを第２２図のフィルタ
９１として使用することによりカラー静電潜像を形成す
ることができる。この場合、フィルタは感光体と離して
配置しても、あるいは感光体と一体に形成するようにし
てもよい。

第２４図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。

第２５図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィル夕とＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３及
び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。

〔作用〕

本発明における静電荷記録体は、絶縁層を電極基板上に
積層することにより形成され、電極基板上の光導電層面
に対向させ、両電極間に電圧を印加した状態で感光体側
より情報光を入射させると、情報光の照射された光導電
層部位においては、静電荷記録体側の電極方向への電荷
の移動が生じる。

その移動電荷は放電、または電荷注入により静電荷記録
体表面に情報電荷として蓄積され、もしくは絶縁層内部
に浸透して永続性のある静電荷記録体となるものである
。絶縁層に一旦蓄積された電荷は、絶縁層表面をプラス
チックフィルム等の保護膜で被覆することにより、極め
て長期間の電荷保持特性を有するものとなり、この静電
荷記録体をカード基材中に埋め込み、または貼着するこ
とにより、カード類への利用を可能とするものである。

また単に情報が記録されたものをカード化する場合のみ
でなく、未記録状態の静電荷記録体をカード化し、保護
膜として粘着性を有するプラスチックフィルムを使用し
、剥離可能にしておくことにより、利用者が保護膜を剥
離し、情報を随時記録することも可能となる。特に静電
荷記録カードとして、（０・１）情報のようなデジタル
情報をビーム照射によるスキャニング操作で記録させる
ことにより、記録された電荷をそのままの状態、または
トナー現像して保存することができるので、電位読み取
り手段、再生手段を使用して容易にＣＲＴ、プリンター
出力することが可能であり、また光カードにおいて使用
されている読み取り手段も読み取り手段として利用する
ことができるものである。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕・・・静電荷記録体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂１０ｇ１キシレン−ブタノール１：［
溶媒Ｌｏｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒
）　：商品名　ＣＲ−１５を１重量％（０，２ｇ）加え
てよく撹拌し、Ａｌを１０００人蒸着レム０．４ｍｍの
塩化ビニルフィルム上にドクターブレード４ミルを用い
てコーティングを行った。その後１５０℃、ｌｈｒの乾
燥を行ない、膜厚１０μｍの静電荷記録体（ａ）を得た
。

また上記混合液を、Ａ１を１０００人蒸着レム１００μ
ｍポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の静電荷記録体（ｂ）を
得た。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０゜１ｇ添
加し、Ａ１を１０００人蒸着レム１００μｍＨ’ＡＫの
ポリエステルフィルム上に同様コーティングし、乾燥を
行い、１０μｍの膜厚を有する静電荷記録体（ｃ）を得
た。

〔実施例２〕 ポリイミド樹脂Ｌｏｇ、Ｎ−メチルピロリドン１０ｇの
組成を有する混合液を、Ａｌｌを１０００人蒸着レムガ
ラス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐｍ
、２０秒）した、溶媒を乾燥させるため１５０℃で３０
分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０℃、２
時間加熱した。

膜厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。

〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮ
Ｆ　’）作製方法 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（亜南香料（株）
製）、２．４．７−）リニトロフルオレノン１０ｇ、ポ
リエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東洋
紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇ
の組成を有する混合液を暗所で作製し、ＩｎｚＯｓ−５
ｎＯｚを約１０００人の膜厚でスパッターしたガラス基
板（１龍厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し、６
０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍの光導電層
を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために、更
に１日自然乾燥を行って用いた。

〔実施例４〕・・・アモルファスシリコンａ　Ｓ　ｉ　
：　Ｈ無機感光体の作製方法 ■基板洗浄 ５ｎＯｚの薄膜感光体電極層を一方の表面に設けたコー
ニング社７０５９ガラス（２３ＸＩ６ＸＯ，９ｔ、光学
研磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各
液中、この順番に各々１０分ずつ超音波洗浄する。

■装置の＄備 洗浄の済んだ基板を第２６図の反応室１０４内のアノー
ド１０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を１０−’Ｔｏｒｒ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０’Ｃ〜３５０’Ｃで約１時間行い、焼出し後装置
を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ・）の堆積 ガラス基板が３５０’Ｃになるようにヒーターを１０８
１１整、加熱し、予めタンク１０１内で混合しておいた
Ｐ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　１０００ｐｐｍのガスを
ニードルバルブとＰＭＢの回転数を制御することによっ
て反応室１０４の内圧が２００ｍＴ。

ｒｒになるように流し内圧が一定になった後、Ｍａ　ｔ
ｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ　１０３を通じて、４０ＷのＲｆ　
Ｐｏｗｅｒ　　１０２　（１３，５６ＫＨｚ）を投入し
、力’／−）”・アノード間にプラズマを形成する。堆
積は４分間行い、Ｒｆの投入を止め、ニードルバルブを
閉じる。

その結果、ブロッキング層を構成する約０．　２μｍの
ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ“）膜が基板上に堆積された。

■ａ−５ｔ：Ｈの堆積 ５ｆＨ４１００％ガスを■と同じ方法で内圧が２００　
ｍＴｏｒｒになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ　１０３を通じて、４
０ＷのＲｆＰｏｗｅｒ　１０２　（１３，５６ＫＨｚ）
を投入し、プラズマを形成して７０分間維持する。

堆積終了はＲｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる
。、Ｈｅａｔｅｒ　１０８０ｆｆ後、基板が冷えている
から取り出す。

この結果、約１８．８μｍの膜がａ−３ｉ：Ｈ（ｎ゛）
膜上に堆積された。

こうしてＳｎＯ２／ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ’）ブロッキング
層／ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２０μｍの感
光体を作製することができた。

ＣＸ施例５）・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 実施例４と同様の装置を使用して、セレン（Ｓｅ）に対
しテルル（Ｔｅ）が１３重量％の割合で混合された金属
粒を用い、蒸着法によりａ−５ｅ−Ｔｅ薄膜を真空度１
０−’Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法でＩＴＯガラス基板上に蒸
着した。膜厚は１μｍとした。さらに真空度を維持した
状態で、同じく抵抗加熱法でＳｅのみの蒸着を行いａ−
５ｅ−Ｔｅ層上に１０μｍａ−Ｓｅ層を積層した。

〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法） クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍ／容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズＮＯ３，１８０ｍｊ！を加え
、振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により、約
４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加え
約４時間撹拌する。この溶液をＩｎｚＯｓ−Ｓｎｏｗを
約１０００人スパンターしたガラス基板（Ｉｎ厚）にド
クターブレードを用いて塗布し、膜厚約１μｍの電荷発
生層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１′−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ、ポリカーボ
ネート（ニーピロンＥ−２０００）　０　、　１　ｇ、
ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０μ
ｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０℃で２時間行った。

〔実施例７〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチルＬｏｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
ｆ１０４塩、 ０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間攪拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は１μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＩ
　９１） ０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚
１０μｍ以下であった。

〔実施例８〕 （電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフクロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ上に
塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜
は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＩ９１）０．ｓｇを）容
解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、
６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μｍ以上で
あった。

〔実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に、可溶性ポリアミド（
東亜合成化学、Ｆｌ−１７５ＳＶＬＯ）をスピンコータ
ーにより０．５〜１μｍ塗布、６０℃、２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣ１０、塩０．
５ｇ、ガラスピーズＮ０１１３３ｇとを混合し、タッチ
ミキサーで１日間攪拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体く阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚１０μｍ
以下であった。

〔実施例１０〕 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に、可溶性ポリアミド（
東亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコータ
ーにより０．５〜１μｍ塗布、６０℃、２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮＯ６１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚
１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） 溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ｃＴｃ１９１）０．
５ｇを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μ
ｍ以上であった。

〔実施例１１〕 （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ１比抵抗１
００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸着させた
。

また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。

（電荷注入防止層の形成方法） 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。

膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。

（電荷発生層の形成方法） 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
量１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。

（電荷輸送層の形成方法） 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。

〔実施例１２〕・・・静電荷記録方法 第４図はＲＯＭ型静電荷記録カードにおける静電荷記録
方法を説明するための図、第５図はＤＲＡＷＲＯＭ型静
電荷記録カードる静電荷記録方法を説明するための図で
ある。

ｌは静電荷記録カード、２は感光体、３は静電荷記録体
、４はカード基材、５は光導電層支持体、７は感光体電
極、９は光導電層、１１は絶縁層、１３は静電荷記録体
電極、１４は露出電極部、１５は静電荷記録体支持体、
１６は保護膜、１７は電源、１８はスイッチである。

第４図（イ）に示すように、まず実施例１で作製した静
電荷記録体３を、膜厚１０μｍのポリエステルフィルム
スペーサーによる１０μｍの空隙を介して、絶縁Ｎ１１
面を実施例３で作製した感光体の光導電Ｎ９に対向させ
て配置し、次いで同図（ロ）に示すように両電極間７．
１３に、感光体側を負、絶縁層側を正にして、−７００
Ｖの直流電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高
抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。そ
してその状態で感光体裏面より照度１０００ルツクスの
ハロゲンランプを光源とする露光を１秒間行い、露光終
了後、電圧を同図（ハ）に示すようにＯＦＦとした。光
が入射した部分の光導電層９は導電性を示し、絶縁層１
１との間に放電が生じ、絶縁層１１に電荷が蓄積される
。次いで、同図（ニ）に示すように静電荷記録体３を取
り出すことにより静電潜像の形成が終了する。この結果
静電荷記録体上に一１００■の表面電位が表面電位計に
より測定され、一方未露光部では表面電位はＯｖであっ
た。その後、絶縁性フィルムでラミネートを行い、ラミ
ネートフィルム上からの電位読み取りで、同様の一１０
０ｖの表面電位が表面電位計により測定された。

また、露光時に解像度パターンフィルムを感光体裏面に
密着させて同様の露光を行った後、静電荷記録体を５０
Ｘ５０μｍの微小面積表面電位測定プローブ面でＸＹ軸
スキャニングを行い、５０μｍ車位の電位データを処理
し、ＣＲＴ上に電位−輝度変換により拡大表示した結果
、１００μｍまでの解像度パターンをＣＲＴ上に確認で
きた。

露光後、静電荷記録体を室温２５℃、３５℃の状態で３
ケ月放置後、同様の電位スキャニング読み取りを行った
結果、露光直後と全く変化のない解像度パターン表示が
得られた。解像度パターン露光後、保護膜としてポリエ
ステルフィルムを使用して被覆し、そのフィルム上から
の電位読み取りで１０（ｌｕｍの解像度をＣＲＴ上で得
た。

また露光方法として、通常のカメラを使用し、−７００
Ｖの電圧印加状態で、露出ｆ＝１．４、シャッタ−スピ
ード１／６０秒で、屋外昼間の複写体（最影を行った。

露光後、静電荷記録体を５０×５０μｍの微小面積表面
電位測定プローブ面でＸＹ軸ススキャニング行い、５０
μｍ単位の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝度
変換により拡大表示した結果、諧調性を有する画像形成
が行われた。上記同様この静電荷記録体をラミネートし
、ラミネート上から測定したところ、ラミネート無しの
場合と変わらぬ諧調性を有する画像形成が行われた。

次ぎに第４図における露光手段として、レーザー照射手
段を使用して静電潜像を形成し、トナーにより顕在化さ
せ、光カード読み取り装置を使用してカード表面を走査
し、電位電荷の有無、或いは電位差をｒＯＪ、「１」信
号として読み取ることができた。

また面露光によりアナログ情報電荷を絶縁層に蓄積し、
レーザー光によるスキャニングすることにより、アナロ
グ（階５ＩＩ）、デジタル（０，１）信号として読み取
ることができた。

〔実施例１３〕 カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第２１図に示すようにプリズムの３面上にＲｌＧ、Ｂフ
ィルターを配置し、それぞれの面に上記実施例１２で使
用したと同じ媒体をセットし、ｆ＝１．４、シャッタ−
スピード１／３０秒で被写体撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像各々を実施例１２と同様の方法でスキャ
ニングして読み取り、Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像に対応した螢光発
色をＣＲＴ上で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成
することによりカラー画像を得た。

〔実施例１４） 第２７図は、実施例１　（ａ）の静電荷記録体の電荷保
持特性を示す図で、その表面電位を時間経過で測定した
結果を示すものである。

Ａ線は、温度２５℃、湿度３０％の状態で放置して測定
したものであるが、３ケ月経過しても静電荷記録体上の
表面電荷は減衰しなかった。Ｂ線は、温度４０℃、湿度
７５％の状態で放置して測定したものであるが、１週間
経過した状態で約２５％しか減衰しなかった。

〔実施例１５〕・・・熱エレクトレフトによる静電荷記
録体の作製方法 ポリ弗化ビニリデンフィルム２０μｍ上に真空蒸着（１
０−６Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法）によりＡ２を１０００人
蒸着レムものを静電荷記録体とし、機能分離型感光体の
光導電性感光体と共に静電潜像を形成する。

まず静電荷記録体のＡｄ基板側からホットプレート（３
ｘ３ｃｍ）を接触させ、１８０℃に媒体を加熱する。加
熱直後に感光体を静電荷記録体に１０μｍの空気ギャッ
プで表面同志を対向させ、置型極間に一５５０Ｖの電圧
を印加（感光体電極を負とする）し、露光させた。露光
はハロゲンランプを光源として、１０ルツクスで、文字
パターン原稿を介して感光体裏面から１秒間行った。

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字部）
には、−１５０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一１５０ｖの電位が
測定された。

一方間様の静電荷記録体に強制的にコロナ放電で表面に
一１５０ｖの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−１５０■を示した露光部がＯＶと全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレフト化して
いることがわかった。

このようにして形成された熱エレクトレ・ノドは、静電
荷記録体として上記同様の電位読み取りが可能であった
。

〔実施例１６〕・・・光エレクトレットの作製方法１、
　１ｍｍ厚のガラス支持体上にＡ１を、約１０００人ス
パッタリング法により積層して基板とし、そのＡＰ、層
上に硫化亜鉛を約１．５μｍの膜厚に蒸着（１０−’Ｔ
ｏｒｒ、抵抗加熱）させた。この硫化亜鉛層面に、ガラ
ス上に積層したＩＴＯ面を空気ギャップ１０μｍ設けて
対向させ、両電極間に＋７００Ｖの電圧を印加（Ａ７！
電極側を負にする）した状態で、ＩＴＯ基板側から露光
を行った。

露光は実施例１１と同様にして行った。その結果露光部
には＋８０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例１１と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。

このようにして形成された光エレクトレフトは、静電荷
記録体として上記同様の電位読み取りが可能であった。

〔実施例１７〕・・・ＲＯＭ型静電荷記録カードの作製
方法 第１図に示すように、カード基材として０．８ｍｍの膜
厚を有する塩化ビニルシート（８５Ｘ５５ｍｍ）を使用
し、その上面に長方形状の静電荷記録体３の収納孔を有
する形状に成型し、次いで上記静電荷記録方法で情報を
記録した静電荷記録体３の裏面に接着剤を塗布して、カ
ード基材４の収納孔に絶縁層１１表面を露出させて埋め
込み、圧着して一体化させた。次いで静電荷記録カード
表面を、ポリエステルフィルムを保護膜１６として被膜
した。

〔実施例１８〕・・・ＤＲＡＷ型静電荷記録カードの作
製方法 第３図に示すようにカード基材４として塩化ビニルシー
ト（８５Ｘ５５ｍｍ）を使用し、その上面に長方形状の
静電荷記録体３の収納孔、および収納孔底部の一部に裏
面への導通孔を穿設する。

一方、静電荷記録体３における静電荷記録体電極１３の
裏面に露出電極部１４を一体成型し、静電荷記録体電極
１３上に絶縁層１１を積層し、情報を記録しないで絶縁
層１１を上面にし、導出電極部１４をカード基材４の露
出孔より露出させて収納孔に収納し、圧着させ一体化さ
せる。静電荷記録体表面に保護膜として、実施例１７同
様にシリコンゴムフィルムを粘着させた（図示せず）。

このＤＲＡＷ型静電荷記録カードへの記録方法は、まず
保護膜を剥離し、第５図（イ）に示すように画電極７．
１３の間に７００■の電圧を印加しつつ、１０００ルツ
クスのハロゲンランプにより１秒間露光して絶縁層表面
上に情報を記録し、再度保護膜を静電荷記録体表面上に
粘着させた。

このフィルム上より表面電位読み取りを行ったところ、
情報電荷は好適に保持されており、３ケ月後にもこの像
情報電荷は全く減衰しなかった。

〔発明の効果〕

本発明における静電荷記録体は、文字、線画、画像、（
０，１）情報等のアナログ情報、またデジタル情報を静
電荷の形で蓄積するものであるので、高品質、高解像度
の情報を蓄積でき、また静電潜像として長期間保存する
ことを可能としたものである。また蓄積された情報は、
任意の時点で静電潜像の局部電位を任意の走査密度で読
み出し出力することができ、高画質の原画と任意時点で
の出力を行うことができるものである。またこの静電荷
記録体を使用することにより、直接電位検出すれば現像
手段のような物理的、または化学的手段を必要としない
ので、安価で簡便な記録再生システムを作ることができ
るものである。本発明の静電荷記録カードは、この静電
荷記録体をカード基材上に配置することによりカード化
したものであり、情報の蓄積手段が簡単で、しかも永続
的に記録保持することができ、またカード化した段階で
の再記録も可能とするものである。また情報電荷をトナ
ー現像することより、光カードとして使用することがで
きるものである。更に静電荷状態の情報、またはトナー
現像された情報は、表面電位計、また光カード読み取り
装置により容易に、かつ短時間で再生することができ、
キャッシュカード、クレジットカード等の記録カードと
して適したものとすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）は本発明のＲＯＭ型静電荷記録カード斜視
図、同図（ロ）はＲＯＭ型静電荷記録カードに保護膜を
積層する状態を示す同図（イ）のＡ−Ａ線での断面図、
第２図は本発明における静電荷記録体断面図、第３図（
イ）はＤＲＡＷＲＯＭ型静電荷記録カード斜視図（ロ）
は同図（イ）のＢ−Ｂ線での断面図、第４図はＲＯＭ型
静電荷記録カードにおける静電荷記録方法を説明する図
、第５図はＤＲＡＷＲＯＭ型静電荷記録カードる静電荷
記録方法を説明するための図、第６図は光エレクトレッ
トを用いた静電画像記録再生方法の原理を説明するため
の図、第７図は熱エレクトレフトを用いた静電画像記録
再生方法の原理を説明するための図、第８図、第９図、
第１０図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を示す図
、第１１図、第１２図、第１３図は交流増幅型の電位読
み取り方法の例を示す図、第１４図、第１５図はＣＴス
スキャン法よる電位読み取り方法の例を示す図、第１６
図は集電型の電位読み取り方法の例を示す図、第１７図
は電子ビーム型の電位読み取り方法の例を示す図、第１
８図、第１９図はトナー着色を利用した電位読み取り方
法を説明するための図、第２０図は本発明の静電画像再
生の概略構成を示す図、第２１図は色分解光学系の構成
を示す図、第２２図はカラー静電潜像を形成する場合の
説明図、第２３図は微細カラーフィルタの例を示す図、
第２４図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図、第２５図はＮＤフィルタとＲ，Ｇ
、Ｂフィルタの併用による３面分割を示す図、第２６図
はａ−Ｓｉ：Ｈ感光体の作製方法を説明するための図、
第２７図は静電荷記録体の電荷保持特性を示す図である
。 １は静電荷記録カード、２は感光体、３は静電荷記録体
、４はカード基材、５は光導電層支持体、７は感光体電
極、９は光導電層、１１は絶縁層、１３は静電荷記録体
電極、１４は露出電極部、１５は静電荷記録体支持体、
１６は保護膜、１７は電源、１８はスイッチ、２１・・
・電位読み取り部、２３・・・検出電極、２５・・・ガ
ード電極、２７・・・コンデンサ、 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外４名）第１図 第２図 第３図 ト４ 第５図 第８図 第９図　　　　　　　第１０図 ノ 第１１図　　７，２４ ト　　　　　　　ト ド　　　　　　　　　　　ト 第１２図 ２ム 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第２０図 第２１図 第２２図 第２３図 第２４図 第２５図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極に絶縁層を積層した静電荷記録体を、カード
   基材上に絶縁層を上面にして積層した静電荷記録カード
   。
2. （２）上記静電荷記録体が、絶縁層表面を露出させてカ
   ード基材に埋めこまれるか、または絶縁層を上面にして
   カード基材上に貼着されて積層された請求項１記載の静
   電荷記録カード。
3. （３）上記静電荷記録体が、情報が記録されている状態
   、または記録されていない状態で積層された請求項１、
   または２記載の静電荷記録カード。
4. （４）上記静電荷記録体における記録形態が、電荷であ
   るか、またはトナー現像したトナーである請求項３記載
   の静電荷記録カード。
5. （５）上記カード基材の適宜箇所で、電極を一部露出さ
   せた請求項１、２、３、または４項記載の静電荷記録カ
   ード。