JPH01290526A - 高温超電導材料 - Google Patents
高温超電導材料Info
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- JPH01290526A JPH01290526A JP63120888A JP12088888A JPH01290526A JP H01290526 A JPH01290526 A JP H01290526A JP 63120888 A JP63120888 A JP 63120888A JP 12088888 A JP12088888 A JP 12088888A JP H01290526 A JPH01290526 A JP H01290526A
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- JP
- Japan
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- superconducting material
- temperature superconducting
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- ceramic
- temperature
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はセラミック系高温超電導材料の組成に関する。
［従来の技術］
従来、高温超電導材料として最も一般的には、臨界温度
９０°に級のセラミック系高温超電導材料としては、Ｙ
、Ｂａ、ＣｕｘＯｔがあった。
９０°に級のセラミック系高温超電導材料としては、Ｙ
、Ｂａ、ＣｕｘＯｔがあった。
［発明が解決しようとする課題１
しかし、上記従来技術によると、臨界温度が低いと云う
課題と、３１半導体集積回路の配線に高温超電導体を用
いようとすると、接触抵抗が高くなる等の課題もあった
。
課題と、３１半導体集積回路の配線に高温超電導体を用
いようとすると、接触抵抗が高くなる等の課題もあった
。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、臨界温度が
９０°に以上の高温超電導材料を提供すると共に、３１
半導体集積回路装置の配線材料として用いる事ができる
高温超電導材料を提供する事を目的とする。
９０°に以上の高温超電導材料を提供すると共に、３１
半導体集積回路装置の配線材料として用いる事ができる
高温超電導材料を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、高温超電導材料
に係り、Ｙ １ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０ ？等から成
るセラミック系高温超電導材料にＢを添加する手段を取
る。
に係り、Ｙ １ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０ ？等から成
るセラミック系高温超電導材料にＢを添加する手段を取
る。
（イ乍 用）
例へばＹ ＋ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ｓ Ｏ？ ヘのＢの
添加は、丁度ＳｉへのＢの添加がＳｉ結晶格子の短縮作
用をする様に、ペロブスカイト結晶構造における、結晶
格子の短縮作用を起こし、Ｃｕ−０結合格子の短縮は臨
界温度の上昇をもたらす作用がある。
添加は、丁度ＳｉへのＢの添加がＳｉ結晶格子の短縮作
用をする様に、ペロブスカイト結晶構造における、結晶
格子の短縮作用を起こし、Ｃｕ−０結合格子の短縮は臨
界温度の上昇をもたらす作用がある。
更に、Ｂは、３１半導体等に於ては、旦型不純物として
作用し、Ｐ型Ｓ１半導体との接続では。
作用し、Ｐ型Ｓ１半導体との接続では。
接触抵抗を低下させる作用もある。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、Ｙ ＋ Ｂ ａ ｚ Ｃｕ ｓ Ｏｔから成るセ
ラミック系高温超電導材料に拡散法、イオン打込み法に
より表面からＢを添加する事ができ、前記高温超電導材
料の表面の臨界温度を９０°に以上とする事ができる。
ラミック系高温超電導材料に拡散法、イオン打込み法に
より表面からＢを添加する事ができ、前記高温超電導材
料の表面の臨界温度を９０°に以上とする事ができる。
更に、Ｙ ＩＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７系高温超電導材
料を製造する場合に、Ｂ２Ｏ３粉末を混合する事により
Ｙを已に代えてＢ ＋ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０ ｔに
したり、又はＹの一部をＢに代えてＹ ０． ＠ Ｂ
Ｏ，ＩＢａ、Ｃｕ、Ｏ−等とした、セラミック系高温超
電導材料となす事ができ、該セラミック系高温超電導材
料をターゲットにしてスパック法にて、３１半導体ウェ
ーハ上に薄膜形成する事もできる。
料を製造する場合に、Ｂ２Ｏ３粉末を混合する事により
Ｙを已に代えてＢ ＋ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０ ｔに
したり、又はＹの一部をＢに代えてＹ ０． ＠ Ｂ
Ｏ，ＩＢａ、Ｃｕ、Ｏ−等とした、セラミック系高温超
電導材料となす事ができ、該セラミック系高温超電導材
料をターゲットにしてスパック法にて、３１半導体ウェ
ーハ上に薄膜形成する事もできる。
尚、Ｂに代え、ＢｅあるいはＬｌを用いても臨界温度の
上昇を計る事ができる。しかし、Ｂｅは、毒性があり、
Ｌｉは、アルカリ金属である為に半導体表面特性を劣化
させるので、半導体集積回路の配線としては用いられる
事は無い。
上昇を計る事ができる。しかし、Ｂｅは、毒性があり、
Ｌｉは、アルカリ金属である為に半導体表面特性を劣化
させるので、半導体集積回路の配線としては用いられる
事は無い。
本発明により、９０°に以上の臨界温度を持つセラミッ
ク系高温超電導材料が容易に得られると共に、Ｓｉ半導
体集積回路の電極配線に用いる事ができる高温超電導材
料が提供できる効果もある。
ク系高温超電導材料が容易に得られると共に、Ｓｉ半導
体集積回路の電極配線に用いる事ができる高温超電導材
料が提供できる効果もある。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- Ｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７等から成るセラミック
系高温超電導体材料にはＢが添加されて成る事を特徴と
する高温超電導材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63120888A JPH01290526A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 高温超電導材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63120888A JPH01290526A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 高温超電導材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290526A true JPH01290526A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14797462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63120888A Pending JPH01290526A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 高温超電導材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098884A (en) * | 1987-04-15 | 1992-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing a superconducting pattern by doping impurities |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57156637U (ja) * | 1981-03-30 | 1982-10-01 | ||
| JPS5824537U (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-16 | 三菱農機株式会社 | 伝動装置の駆動輪 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63120888A patent/JPH01290526A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57156637U (ja) * | 1981-03-30 | 1982-10-01 | ||
| JPS5824537U (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-16 | 三菱農機株式会社 | 伝動装置の駆動輪 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098884A (en) * | 1987-04-15 | 1992-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing a superconducting pattern by doping impurities |
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