JPH02209777A - トンネル接合素子の形成法 - Google Patents
トンネル接合素子の形成法Info
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- JPH02209777A JPH02209777A JP1030462A JP3046289A JPH02209777A JP H02209777 A JPH02209777 A JP H02209777A JP 1030462 A JP1030462 A JP 1030462A JP 3046289 A JP3046289 A JP 3046289A JP H02209777 A JPH02209777 A JP H02209777A
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- tunnel junction
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100008044 Caenorhabditis elegans cut-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はセラミック系高温超電導体を用いたトンネル接
合素子のトンネル接合部及び表面絶縁膜の形成法に関す
る。
合素子のトンネル接合部及び表面絶縁膜の形成法に関す
る。
［従来の技術］
従来、セラミック系高温超電導体を用いたトンネル接合
素子は、２つのセラミック系高温超電導体配線間隔にｓ
ｉ ｏ、膜をはさんで成るのが通例であった。
素子は、２つのセラミック系高温超電導体配線間隔にｓ
ｉ ｏ、膜をはさんで成るのが通例であった。
又、セラミック系高温超電体を用いたトンネル接合素子
の表面絶縁膜形成は、通常５１０２膜等を被覆するのが
通例であった。
の表面絶縁膜形成は、通常５１０２膜等を被覆するのが
通例であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、例えば５１０２中の８
１がセラミック系高温超電導体中へ拡散し、超電導性が
失われる等の課題があった。
１がセラミック系高温超電導体中へ拡散し、超電導性が
失われる等の課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、セラミック
系高温超電導体の超電導性を失わない、トンネル接合素
子のトンネル接合及び表面絶縁膜の形成法を提供する事
を目的とする。
系高温超電導体の超電導性を失わない、トンネル接合素
子のトンネル接合及び表面絶縁膜の形成法を提供する事
を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課′題を解決するために、本発明は、トンネル接合
素子の形成法に関し、 （１） セラミック系高温超電導体を用いたトンネル
接合素子のトンネル接合素子のトンネル接合部に酸素過
剰層から成る半導体層又は絶縁層を形成する手段を取る
事、及び、 （２） セラミック系高温超電導体を用いたトンネル
接合素子表面に酸素過剰層から成る絶縁層を形成する手
段を取る事、等である。
素子の形成法に関し、 （１） セラミック系高温超電導体を用いたトンネル
接合素子のトンネル接合素子のトンネル接合部に酸素過
剰層から成る半導体層又は絶縁層を形成する手段を取る
事、及び、 （２） セラミック系高温超電導体を用いたトンネル
接合素子表面に酸素過剰層から成る絶縁層を形成する手
段を取る事、等である。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図乃至第６図は本発明の実施例を示すトンネル接合
素子の断面図である。
素子の断面図である。
第１図では、酸化マグネシウムやチタン酸ストロンチウ
ムあるいはサファイヤ等から成る絶縁基板１０表面に、
Ｙ、Ｂａ２０ｕ、０７やＢｉ２５ｒ２Ｑａ２０ｕ３０７
あるいはＴ１２Ｂａ、Ｃａ２０ｕ。
ムあるいはサファイヤ等から成る絶縁基板１０表面に、
Ｙ、Ｂａ２０ｕ、０７やＢｉ２５ｒ２Ｑａ２０ｕ３０７
あるいはＴ１２Ｂａ、Ｃａ２０ｕ。
ＯＹ等から成る高温超電導体２，２′の膜が形成され、
該ｊ摸のトンネル接合５０部分に酸素イオン打込みを施
してトンネル接合３を半導体化あるいは絶縁体化して成
る。半導体化と絶縁体化は、酸素イオン打込み量によっ
て定まり、酸素イオン打込み等の増大と共に超電導体の
半導体化、更には絶縁体化を計ることができる。
該ｊ摸のトンネル接合５０部分に酸素イオン打込みを施
してトンネル接合３を半導体化あるいは絶縁体化して成
る。半導体化と絶縁体化は、酸素イオン打込み量によっ
て定まり、酸素イオン打込み等の増大と共に超電導体の
半導体化、更には絶縁体化を計ることができる。
第２図では、絶縁基板１１０表面に、高温超電導体１２
、１２’を形成しソース及びドレインとなし、該高温
超電導体１２．１２’の間に上記第１図と同様の方法で
トンネル接合７１３を形成後、ゲート絶縁膜１４をやは
り前記第１図の例と同様に酸素イオン打込み法等やＯＶ
Ｄ法あるいはスパッタ法あるいは酸素拡散法や酸素ブジ
ズマ処理法等により表面絶縁膜として形成し、該ゲート
絶縁膜１４表面のトンネル接合１３上にゲート電（斬１
５を形成し、電界効果トランジスタを形成して成る。
、１２’を形成しソース及びドレインとなし、該高温
超電導体１２．１２’の間に上記第１図と同様の方法で
トンネル接合７１３を形成後、ゲート絶縁膜１４をやは
り前記第１図の例と同様に酸素イオン打込み法等やＯＶ
Ｄ法あるいはスパッタ法あるいは酸素拡散法や酸素ブジ
ズマ処理法等により表面絶縁膜として形成し、該ゲート
絶縁膜１４表面のトンネル接合１３上にゲート電（斬１
５を形成し、電界効果トランジスタを形成して成る。
第３図では、絶縁基板２１０表面に高温超電導体２２を
膜状に形成後、原子層エピタキシャル法やＯＶ’Ｄ法あ
るいはスパッタ法等により、酸素過剰層から成るトンネ
ル接合２６を形成し、該トンネル接合２３上に高温超電
導体２４を膜として形成後、エツチングしてトンネル接
合素子購造となし、該トンネル接合素子の表面保護膜２
４として酸素イオン打込み法や、ＯＶＤ法あるいはスパ
ッタ法等により高温超電導体２２及び２２′の材料組成
に対し酸素過剰とした絶縁膜を形成して成る２４・・・
・・・・・・表面保護膜 １５・・・・・・・・・ゲートＴｒｔわ所以上 ［発明の効果］ 本発明によりセラミック系高温超電導体の超電導性を失
うことな（、トンネル接合素子が形成できる効果がある
。
膜状に形成後、原子層エピタキシャル法やＯＶ’Ｄ法あ
るいはスパッタ法等により、酸素過剰層から成るトンネ
ル接合２６を形成し、該トンネル接合２３上に高温超電
導体２４を膜として形成後、エツチングしてトンネル接
合素子購造となし、該トンネル接合素子の表面保護膜２
４として酸素イオン打込み法や、ＯＶＤ法あるいはスパ
ッタ法等により高温超電導体２２及び２２′の材料組成
に対し酸素過剰とした絶縁膜を形成して成る２４・・・
・・・・・・表面保護膜 １５・・・・・・・・・ゲートＴｒｔわ所以上 ［発明の効果］ 本発明によりセラミック系高温超電導体の超電導性を失
うことな（、トンネル接合素子が形成できる効果がある
。
Claims (2)
- （１）セラミック系高温超電導体を用いたトンネル接合
素子のトンネル接合部には酸素過剰層から成る半導体層
又は絶縁層が形成されて成る事を特徴とするトンネル接
合素子の形成法。 - （２）セラミック系高温超電導体を用いたトンネル接合
素子表面には酸素過剰層から成る絶縁層が形成されて成
る事を特徴とするトンネル接合素子の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030462A JPH02209777A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | トンネル接合素子の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030462A JPH02209777A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | トンネル接合素子の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209777A true JPH02209777A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12304554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030462A Pending JPH02209777A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | トンネル接合素子の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209777A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513832A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導装置の作製方法 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030462A patent/JPH02209777A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513832A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導装置の作製方法 |
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