JPH01290773A - 気相成膜装置の原料ガス導入方法 - Google Patents
気相成膜装置の原料ガス導入方法Info
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- JPH01290773A JPH01290773A JP12158188A JP12158188A JPH01290773A JP H01290773 A JPH01290773 A JP H01290773A JP 12158188 A JP12158188 A JP 12158188A JP 12158188 A JP12158188 A JP 12158188A JP H01290773 A JPH01290773 A JP H01290773A
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- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical group C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は気相成膜装置の原料ガス導入方法に関するもの
である。
である。
［従来技術と課題］
Ｓｉ半導体膜あるいは化合物半導体膜を成膜する場合、
成長室の原料ガス導入部は次のような構成によっている
。
成長室の原料ガス導入部は次のような構成によっている
。
第２図（イ）に示すように、ボンベ、ボトルの如き原料
容器Ａ、 Ｂ、 Ｃよりの配管にバルブＶＡＩ ＶＢ、
ＶＣを接続し、各配管は成長室１の個々の原料ガス導入
ノズル２に至る構成をとる。
容器Ａ、 Ｂ、 Ｃよりの配管にバルブＶＡＩ ＶＢ、
ＶＣを接続し、各配管は成長室１の個々の原料ガス導入
ノズル２に至る構成をとる。
また、第２図（ｏ）に示すように、原料容器Ａ、 Ｂ。
Ｃ９Ｄヨリノ配管ニハルブＶＡ、 ＶＢ、 ＶＣ，Ｖｏ
を接続し、配管のベントラインＶＬとの分岐位置の後に
、バルブＶ＆ｌ Ｖｂ＋ Ｖｃ＋ Ｖｄが接続され、そ
の後各配管は集合されて、−本の共通配管が成長室１の
導入ノズル２に達し、前記各ベントラインＶＬは各々バ
ルブＶＥを接続した後、集合される構成をとる。
を接続し、配管のベントラインＶＬとの分岐位置の後に
、バルブＶ＆ｌ Ｖｂ＋ Ｖｃ＋ Ｖｄが接続され、そ
の後各配管は集合されて、−本の共通配管が成長室１の
導入ノズル２に達し、前記各ベントラインＶＬは各々バ
ルブＶＥを接続した後、集合される構成をとる。
図で原料容器Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄは並列的配置で示し、
原料ガスは一方向に流れるが、実際には、成長室１の周
囲に前記Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄが配置され、各配管を集合
して導入ノズル２より原料ガスを導入できる構成をとる
場合もある。
原料ガスは一方向に流れるが、実際には、成長室１の周
囲に前記Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄが配置され、各配管を集合
して導入ノズル２より原料ガスを導入できる構成をとる
場合もある。
原料容Ｗ Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄの内容は、例えばＡはア
ルノン、Ｂはトリメチルガリウム、Ｃはトリメチルアル
ミニウム、Ｄはトリメチルインジウム、セレン化水素、
モノシラン等である。
ルノン、Ｂはトリメチルガリウム、Ｃはトリメチルアル
ミニウム、Ｄはトリメチルインジウム、セレン化水素、
モノシラン等である。
成膜は、例えば前記主原料ガスＡを常時流し、ドーパン
ト等のガスＢ、 Ｃ，Ｄ等をバルブＶＢ、 ＶａｔＶｏ
で切替え、所望の成膜を行う。
ト等のガスＢ、 Ｃ，Ｄ等をバルブＶＢ、 ＶａｔＶｏ
で切替え、所望の成膜を行う。
ところが、このような構成によると、切替時、主原料ガ
スがその他の原料ガスラインに逆流し、ガス切替えは遅
れ、ガス切替時に、成膜上における急峻な界面が得られ
ないという欠点があった。
スがその他の原料ガスラインに逆流し、ガス切替えは遅
れ、ガス切替時に、成膜上における急峻な界面が得られ
ないという欠点があった。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記従来のような原料ガス導入部構成によると
きは、成長室において成長する半導体エピタキンヤル膜
等で急峻な界面が得れないという課題等を解決する目的
でなされたものであり、気相成膜装置のガス導入部にお
いて使用量の多いガス（メインガス）を成長室導入ノズ
ルに対して２方向以上の方向から供給し、ドーパント等
の９揖ガスはメイ／ガス供給口と成長室導入ノズルとの
間で合流させ、前記導入ノズルより成長室にガスを導入
する方法にある。
きは、成長室において成長する半導体エピタキンヤル膜
等で急峻な界面が得れないという課題等を解決する目的
でなされたものであり、気相成膜装置のガス導入部にお
いて使用量の多いガス（メインガス）を成長室導入ノズ
ルに対して２方向以上の方向から供給し、ドーパント等
の９揖ガスはメイ／ガス供給口と成長室導入ノズルとの
間で合流させ、前記導入ノズルより成長室にガスを導入
する方法にある。
以下、第１図に示す実施例により本発明を説明する。第
２図と同一部分は同一符号で示す。
２図と同一部分は同一符号で示す。
図示のように、原料容器Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄが原料容器
りを内側にして２群に配置され、配管３にバルブＶＡＩ
ＶＢ、 ＶＣ，ＶＤ ヲ接続し、更ニ／＜ ルフＶａ
＋ ＶａｔＶｃ、 Ｖｄを接続して、共通配管４に前記
容器Ａ、 Ｂ。
りを内側にして２群に配置され、配管３にバルブＶＡＩ
ＶＢ、 ＶＣ，ＶＤ ヲ接続し、更ニ／＜ ルフＶａ
＋ ＶａｔＶｃ、 Ｖｄを接続して、共通配管４に前記
容器Ａ、 Ｂ。
Ｃ，Ｄよりのガス供給部で、２詳とも接続される。
最外側となる両バルブＶ＆よりの配管はそのまま共通配
管４に接続されるが、最内側となるバルブＶｄと内側の
Ｖｃ＋ Ｖｂよりの配管５は２本の共通配管４の集合位
置に向って共通配管４と垂直方向に３０〜ＧＯ＠の導入
角βをもつ傾斜配管５で接続され、２本の共通配管４は
、原料容器り、Ｄよりの傾斜配管５の間で、双方より７
字状に形成された傾斜配管６，６と接続され、これら端
部は１本の主導入配管７に接続され、成長室１内に配置
した導入ノズル２に達する。前記傾斜配管６の導入角α
は、それぞれ垂直の主導入配管７に対し、３０〜６０６
の角度をもつ。
管４に接続されるが、最内側となるバルブＶｄと内側の
Ｖｃ＋ Ｖｂよりの配管５は２本の共通配管４の集合位
置に向って共通配管４と垂直方向に３０〜ＧＯ＠の導入
角βをもつ傾斜配管５で接続され、２本の共通配管４は
、原料容器り、Ｄよりの傾斜配管５の間で、双方より７
字状に形成された傾斜配管６，６と接続され、これら端
部は１本の主導入配管７に接続され、成長室１内に配置
した導入ノズル２に達する。前記傾斜配管６の導入角α
は、それぞれ垂直の主導入配管７に対し、３０〜６０６
の角度をもつ。
また、バルブＶａ、 Ｖｂ＋ Ｖｃ＋ Ｖｄの手前で分
岐した配管８にはそれぞれバルブＶＥが接続され、共通
配管９に集合され、ベントラインＶＬを形成する。
岐した配管８にはそれぞれバルブＶＥが接続され、共通
配管９に集合され、ベントラインＶＬを形成する。
上記のように配管５と共通間管４との接続に導入角βを
とり、共通配管４と主導入配管７との間に導入角αをと
るのは、流れモーメントを成長室１へ向けるようにする
ことと、相互の逆流を防止するためである。
とり、共通配管４と主導入配管７との間に導入角αをと
るのは、流れモーメントを成長室１へ向けるようにする
ことと、相互の逆流を防止するためである。
なお、原料容！Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄの内容は、Ａは最も
使用量の多いガス（メインガス）で、例えばアルン／で
あり、Ｂ、 Ｃ，Ｄのそれは使用量の少いドーパントガ
ス等である。
使用量の多いガス（メインガス）で、例えばアルン／で
あり、Ｂ、 Ｃ，Ｄのそれは使用量の少いドーパントガ
ス等である。
中央の主導入配管７に対し、これに集合する共通配管４
の最外側に同じメインガスの供給部があり、二方向より
メインガスを主導入配管７の方向に供給し、成長室１の
直前で、主導入配管７で合流させ、ドーパント等使用量
の少ないガスは前記両メインガス供給部と導入ノズル２
に至る配管内で合流されるので、二方向からのガス量は
、同等程度になるように制御される。
の最外側に同じメインガスの供給部があり、二方向より
メインガスを主導入配管７の方向に供給し、成長室１の
直前で、主導入配管７で合流させ、ドーパント等使用量
の少ないガスは前記両メインガス供給部と導入ノズル２
に至る配管内で合流されるので、二方向からのガス量は
、同等程度になるように制御される。
なお、原料ガスだけでは各方向のガス量が同等程度にな
らない場合は、Ｈ２ガス等のキャリアガスを用いても良
い。即ち、第１図の実施例で２木の傾斜配管６，６を流
れるガス量に差がある場合は、少ない側の共通配管４に
成膜に影響を与えないＨ２ガス等のキャリアガスを図示
しないバルブを開いて加えて、前記傾斜配管のガス量を
同等程度に制御しても良い。
らない場合は、Ｈ２ガス等のキャリアガスを用いても良
い。即ち、第１図の実施例で２木の傾斜配管６，６を流
れるガス量に差がある場合は、少ない側の共通配管４に
成膜に影響を与えないＨ２ガス等のキャリアガスを図示
しないバルブを開いて加えて、前記傾斜配管のガス量を
同等程度に制御しても良い。
上記実施例は２方向からメインガスを供給するものを示
しているが、−射的には主導入配管７による合流点に対
し、３方向より、同様メインガス、使用量の少ないガス
の導入を行うこともできる。
しているが、−射的には主導入配管７による合流点に対
し、３方向より、同様メインガス、使用量の少ないガス
の導入を行うこともできる。
この場合、各共通配管４は平面的にみて１２ｏ°の角度
をもち、かつ導入角α、βはそれぞれ３０〜６０′であ
る。４方向の場合は各共通配管４は平面的にみて９０°
の角度をもって主導入配管７に接続される。
をもち、かつ導入角α、βはそれぞれ３０〜６０′であ
る。４方向の場合は各共通配管４は平面的にみて９０°
の角度をもって主導入配管７に接続される。
［発明の効果コ
本発明は成膜に必要なメインガスを一種のキャリアガス
とすることによって、高速に流れるガス流でドーパント
の切替が迅速にできる。
とすることによって、高速に流れるガス流でドーパント
の切替が迅速にできる。
原料ガス種類が多量になった場合でも、よどみのできる
パイプラインが短かくてすむので切替えをすばやく行な
い、成膜上の界面の急峻特性が向上できる。
パイプラインが短かくてすむので切替えをすばやく行な
い、成膜上の界面の急峻特性が向上できる。
第１図は本発明の実施例を示す。
第２図（イ）、（ロ）は従来の気相成膜Ｓ！置の原料ガ
ス導入部を示す。 １・・・成長室、２・・・導入ノズル、３．８・・・配
管、４．９・・・共通配管、５．６・・・傾斜配管、７
・・・主導入配管。 寥１図
ス導入部を示す。 １・・・成長室、２・・・導入ノズル、３．８・・・配
管、４．９・・・共通配管、５．６・・・傾斜配管、７
・・・主導入配管。 寥１図
Claims (1)
- （１）気相成膜装置の導入部において、使用量の多いガ
スを配管によって２方向以上から成長室導入ノズルに供
給し、ドーパント等使用量の少ないガスは前記使用量の
多いガスの供給部と前記成長室ノズルの間で合流させる
ことを特徴とする気相成膜装置の原料ガス導入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12158188A JPH01290773A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 気相成膜装置の原料ガス導入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12158188A JPH01290773A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 気相成膜装置の原料ガス導入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290773A true JPH01290773A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14814786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12158188A Pending JPH01290773A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 気相成膜装置の原料ガス導入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0818565A3 (en) * | 1996-07-12 | 2000-03-15 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Gas supplying apparatus and vapor-phase growth plant |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP12158188A patent/JPH01290773A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0818565A3 (en) * | 1996-07-12 | 2000-03-15 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Gas supplying apparatus and vapor-phase growth plant |
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