JPS5827637A - 気相成長炉におけるガス供給回路 - Google Patents
気相成長炉におけるガス供給回路Info
- Publication number
- JPS5827637A JPS5827637A JP12473681A JP12473681A JPS5827637A JP S5827637 A JPS5827637 A JP S5827637A JP 12473681 A JP12473681 A JP 12473681A JP 12473681 A JP12473681 A JP 12473681A JP S5827637 A JPS5827637 A JP S5827637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- vapor phase
- phase growth
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）で使用される気相成長炉の
ガス供給回路に陶するものである。
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）で使用される気相成長炉の
ガス供給回路に陶するものである。
従来の気相成長装置は、餓１図に示したように、気相成
長炉１０入口側にＮ１等のキャリヤーガス供給路２と８
ｉ）１４等の反応ガス供給路３をそれぞれ独立させて配
設し、気相成長炉１の出口側に排気路４を配設しており
、さらにキャリヤーガス供給ｖ６２にｔｒｉ ｍ ｍ
Ｗｉｌｌ 御弁５を介在させるとともに、反応ガス供給
路３にはマスク・ローメータ（流電−整機能を備えてい
る流量針）又はチーツク−１ｆ（以下マスフローメータ
と称す）６およびギの下流に閉止弁７をそれぞれ介在さ
せ、また排気路４には閉止弁８、その下流に真空ポンプ
９をそれぞれ介在させている。
長炉１０入口側にＮ１等のキャリヤーガス供給路２と８
ｉ）１４等の反応ガス供給路３をそれぞれ独立させて配
設し、気相成長炉１の出口側に排気路４を配設しており
、さらにキャリヤーガス供給ｖ６２にｔｒｉ ｍ ｍ
Ｗｉｌｌ 御弁５を介在させるとともに、反応ガス供給
路３にはマスク・ローメータ（流電−整機能を備えてい
る流量針）又はチーツク−１ｆ（以下マスフローメータ
と称す）６およびギの下流に閉止弁７をそれぞれ介在さ
せ、また排気路４には閉止弁８、その下流に真空ポンプ
９をそれぞれ介在させている。
この従来の気相Ｗ、長装置は、まず真空ポンプ９を作動
させている状態で、閉止弁８を開成すると、流量制御弁
５を蛙て供給路２からヤヤリャーガスが気相成長炉１に
供給される。この供給されたキャリヤーガスは、気相成
長炉１から閉止弁８を経て真空ポンプ９によって引かれ
、排出される。このようにしてキャリヤーガスが定常流
になったならば、次に閉止弁１を開成し、マスフローメ
ータ６、閉止弁Ｔを耗て供給路３から反応ガスを気相成
長炉１に供給する。
させている状態で、閉止弁８を開成すると、流量制御弁
５を蛙て供給路２からヤヤリャーガスが気相成長炉１に
供給される。この供給されたキャリヤーガスは、気相成
長炉１から閉止弁８を経て真空ポンプ９によって引かれ
、排出される。このようにしてキャリヤーガスが定常流
になったならば、次に閉止弁１を開成し、マスフローメ
ータ６、閉止弁Ｔを耗て供給路３から反応ガスを気相成
長炉１に供給する。
ところが、上記従来の気相成長装置では、キャリヤーガ
スが供給路２を経て気相成長炉１に供給されている状態
で、かつ閉止弁７が閉成状悪にめる場合ｆ−ｈ、マスフ
ローメータ６は全開状態となっている。したがって閉止
弁７な開成すると同時に、反応ガスが供給路３から瞬間
的かつ入電に気相ａ長炉１に流入し、その結果急激な反
応が起り、又通称ヒロックと呼ばれる白粉が舞上ってウ
ェハー等に被着し、ＩＣの歩留低下となっている。
スが供給路２を経て気相成長炉１に供給されている状態
で、かつ閉止弁７が閉成状悪にめる場合ｆ−ｈ、マスフ
ローメータ６は全開状態となっている。したがって閉止
弁７な開成すると同時に、反応ガスが供給路３から瞬間
的かつ入電に気相ａ長炉１に流入し、その結果急激な反
応が起り、又通称ヒロックと呼ばれる白粉が舞上ってウ
ェハー等に被着し、ＩＣの歩留低下となっている。
本発明では、このような欠点を解消する気相成長炉にお
けるガス供給回路を俵供するものである。
けるガス供給回路を俵供するものである。
以下図面に示した実施例を参照しながら本発明を説明す
る。不発明に係る気相成長炉におけるガス供給回路は、
上記従来の気相成長装置における反応ガス供給路３上の
マスフローメータ６と閉止弁７との間の管路３ａから気
相成長炉１をバイパスさせて排気路４に接続するバイパ
ス管路１０を配管するとともに、該管路に閉止弁１１を
介在させている。
る。不発明に係る気相成長炉におけるガス供給回路は、
上記従来の気相成長装置における反応ガス供給路３上の
マスフローメータ６と閉止弁７との間の管路３ａから気
相成長炉１をバイパスさせて排気路４に接続するバイパ
ス管路１０を配管するとともに、該管路に閉止弁１１を
介在させている。
このように構成された気相成長装置においては、反応ガ
スを気相成長炉１に供給するに当って、まず閉止弁１１
を開成し、反応ガスをバイパス管路１０を経て排気管路
４に流出させ、そｎによってマスフローメータ６の絞り
を設定値ＶＣ簀定させる。
スを気相成長炉１に供給するに当って、まず閉止弁１１
を開成し、反応ガスをバイパス管路１０を経て排気管路
４に流出させ、そｎによってマスフローメータ６の絞り
を設定値ＶＣ簀定させる。
次いで閉止弁７を開き、反応ガスを供帖１ｆ６３を経て
気相成長炉１に供給させ、続いて閉止弁１１を閉成して
バイパス管路１０を遮断する、したがって、本発明に係
る気相成長炉におけるガス供給回路では、反応ガスを気
相成長炉に供給するに当り、その初期においても安定し
た設定量の反応ガスを供給することができ、その結果均
實な製品を得ることがでさる、
気相成長炉１に供給させ、続いて閉止弁１１を閉成して
バイパス管路１０を遮断する、したがって、本発明に係
る気相成長炉におけるガス供給回路では、反応ガスを気
相成長炉に供給するに当り、その初期においても安定し
た設定量の反応ガスを供給することができ、その結果均
實な製品を得ることがでさる、
第１図は従来がら使用されている気相ｂｙ、沃餉置装配
管図、第２図は本発明ＶＣ９ｆ、る気相成長装置の配管
図である。 １・・・・・・気相ｂｙ、長炉 ２°゛°パ°キャリヤーガス供給鮎 ３・・・・・・反応ガス供給路 ４・・・・・・排気路 ５・・・・・・流量制御弁 ６・・・・・・マスフローメータ Ｔ、８・・・閉止弁 ９・・・・・・・・・真空ポンプ １０・・・・・・バイパス管路 １１・・・・・・閉止弁。 （７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名
） 茶 ｌ ＠ 茶２ 図
管図、第２図は本発明ＶＣ９ｆ、る気相成長装置の配管
図である。 １・・・・・・気相ｂｙ、長炉 ２°゛°パ°キャリヤーガス供給鮎 ３・・・・・・反応ガス供給路 ４・・・・・・排気路 ５・・・・・・流量制御弁 ６・・・・・・マスフローメータ Ｔ、８・・・閉止弁 ９・・・・・・・・・真空ポンプ １０・・・・・・バイパス管路 １１・・・・・・閉止弁。 （７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名
） 茶 ｌ ＠ 茶２ 図
Claims (1)
- キャリヤーガス供給路と反応ガス供給路とを゛それぞれ
独立させて備えた気相成長炉において、反応ガス供給路
におけるマスフローメータとその下流に位置する閉止弁
との間の管路な分岐させ、その分岐させた管路な気相成
長炉をバイパスさせて排気路に接続させ、かつ分岐させ
た管路に閉止弁を介在させたことを！徴とする気相成長
炉におけるガス供給回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12473681A JPS5827637A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 気相成長炉におけるガス供給回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12473681A JPS5827637A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 気相成長炉におけるガス供給回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827637A true JPS5827637A (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=14892834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12473681A Pending JPS5827637A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 気相成長炉におけるガス供給回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027119A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Nec Corp | 半導体の気相成長装置 |
| JPS6142831U (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置 |
| JPS63118073A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応ガスパ−ジシステム |
| CN114855279A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-08-05 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 碳化硅外延生长管路系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358487A (en) * | 1976-11-08 | 1978-05-26 | Hitachi Ltd | Decompressive gas phase reaction apparatus |
-
1981
- 1981-08-11 JP JP12473681A patent/JPS5827637A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358487A (en) * | 1976-11-08 | 1978-05-26 | Hitachi Ltd | Decompressive gas phase reaction apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027119A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Nec Corp | 半導体の気相成長装置 |
| JPS6142831U (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置 |
| JPS63118073A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応ガスパ−ジシステム |
| CN114855279A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-08-05 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 碳化硅外延生长管路系统 |
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