JPH01291246A - フタロシアニン系記録材料 - Google Patents
フタロシアニン系記録材料Info
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- JPH01291246A JPH01291246A JP63119278A JP11927888A JPH01291246A JP H01291246 A JPH01291246 A JP H01291246A JP 63119278 A JP63119278 A JP 63119278A JP 11927888 A JP11927888 A JP 11927888A JP H01291246 A JPH01291246 A JP H01291246A
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
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- G03G5/0696—Phthalocyanines
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光化学ホールバーニング現象を利用して、同
一材料の同一場所に異なる波長の光で多重に記録可能な
光記録材料に関するものである。
一材料の同一場所に異なる波長の光で多重に記録可能な
光記録材料に関するものである。
［従来の技術］
光、化学ホールバーニング（ＰＨ８＞現象は、液体ヘリ
ウム温度程度の極低温において光化学反応を起こす材料
に単色性の良い光を照射することにより、その光を吸収
するゲスト分子のみを選択的に励起し、光化学変化を生
じさせるものである。
ウム温度程度の極低温において光化学反応を起こす材料
に単色性の良い光を照射することにより、その光を吸収
するゲスト分子のみを選択的に励起し、光化学変化を生
じさせるものである。
この光化学変化により材料の吸収スペクトルに鋭いホー
ルが形成できることから、ホールの有無によりフォトン
モードでの光記録か可能である。しかも、照射する光の
波長を変えて順次記録することにより、同一材料の同一
場所に波長多重記録を行うことができる。このＰＨＢ現
象を利用すると、従来用いられてきた光学式デジタル記
録媒体であるコンパクトディスクやレーザーディスクな
どに比べて約１０６０倍の記録密度向上の可能性がある
。
ルが形成できることから、ホールの有無によりフォトン
モードでの光記録か可能である。しかも、照射する光の
波長を変えて順次記録することにより、同一材料の同一
場所に波長多重記録を行うことができる。このＰＨＢ現
象を利用すると、従来用いられてきた光学式デジタル記
録媒体であるコンパクトディスクやレーザーディスクな
どに比べて約１０６０倍の記録密度向上の可能性がある
。
このようなＦ）ＨＢ現象を用いる光記録材料は、光反応
性化合物であるゲスト分子と、それを分散するためのホ
ストとから構成される。光記録に際して波長多重度を大
きくするためには、ゲストの分散状態に多様性を持たせ
る意味から、ホストとして非晶質を用いるのがよい。こ
の目的から、従来ホストにはポリマやケイ酸ガラス等が
用いられてきた。例えば、ゲストをテトラフェニルポル
フィン、ホストをポリメチルメタクリレートとする材料
（光学、１４ （４）２６３−２６９＞や、ゲストをキ
ニザリン、ホストをケイ酸ガラスとする材料（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ５
８（９）３５５９−３５６５ ）などが知られている。
性化合物であるゲスト分子と、それを分散するためのホ
ストとから構成される。光記録に際して波長多重度を大
きくするためには、ゲストの分散状態に多様性を持たせ
る意味から、ホストとして非晶質を用いるのがよい。こ
の目的から、従来ホストにはポリマやケイ酸ガラス等が
用いられてきた。例えば、ゲストをテトラフェニルポル
フィン、ホストをポリメチルメタクリレートとする材料
（光学、１４ （４）２６３−２６９＞や、ゲストをキ
ニザリン、ホストをケイ酸ガラスとする材料（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ５
８（９）３５５９−３５６５ ）などが知られている。
Ｅ本発明が解決しようとする課題］
しかしながら、ＰＨ８現象は液体ヘリウム温度よりも高
温になると不安定になり、記録の保存・読出しが不確実
となるという欠点を有していた。
温になると不安定になり、記録の保存・読出しが不確実
となるという欠点を有していた。
これは、ＰＨＢ材料中において不可逆的な構造変化が熱
的に誘起され、各々のゲスト分子周辺のミクロ構造が異
なってしまうことに一因がある。
的に誘起され、各々のゲスト分子周辺のミクロ構造が異
なってしまうことに一因がある。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解やしようとするも
のであり、光反応性ゲスト化合物としてアニオン性フタ
ロシアニンを、ホスト成分としてゲスト成分と相溶する
ポリマを用いることによって熱的な不可逆変化を抑え、
熱的に安定な記録材料を提供することを目的とする。
のであり、光反応性ゲスト化合物としてアニオン性フタ
ロシアニンを、ホスト成分としてゲスト成分と相溶する
ポリマを用いることによって熱的な不可逆変化を抑え、
熱的に安定な記録材料を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明は、下記の゛構成を有
する。
する。
［ゲスト成分とホスト成分を主成分としてなる組成物で
あって、 （イ）ゲスト成分がアニオン性基を有するフタロシアニ
ン誘導体であり、 （ロ）ホスｌ−成分が、上記のゲスト成分と相溶するポ
リマである ことを特徴とするフタロシアニン系記録材料。」すなわ
ち、従来のポルフィン系ゲストを用いた記録材料と比べ
、アニオン性基を有するフタロシアニン誘導体とゲスト
成分と相溶するポリマとからなる材料の場合には、アニ
オン性ポルフィンと極性の強いポリマとの静電相互作用
のためにゲスト・ホスト間の親和性がよく、したがって
、昇温時の不可逆的な構造変化が少なくなると推定され
る。この結果、材料の吸収スペクトルに形成されたホー
ルの半値幅の増大が抑制され、記録の熱安定性が向上す
る。
あって、 （イ）ゲスト成分がアニオン性基を有するフタロシアニ
ン誘導体であり、 （ロ）ホスｌ−成分が、上記のゲスト成分と相溶するポ
リマである ことを特徴とするフタロシアニン系記録材料。」すなわ
ち、従来のポルフィン系ゲストを用いた記録材料と比べ
、アニオン性基を有するフタロシアニン誘導体とゲスト
成分と相溶するポリマとからなる材料の場合には、アニ
オン性ポルフィンと極性の強いポリマとの静電相互作用
のためにゲスト・ホスト間の親和性がよく、したがって
、昇温時の不可逆的な構造変化が少なくなると推定され
る。この結果、材料の吸収スペクトルに形成されたホー
ルの半値幅の増大が抑制され、記録の熱安定性が向上す
る。
本発明におけるアニオン性基を有するフタロシアニン誘
導体としては、アニオン性基を有していればよいが、下
記一般式［Ａコ （ただし、式中Ｒ１〜Ｒ１６のうち少なくとも一〇はア
ニオン性基であり、残りは水素である。）で表されるフ
タロシアニン誘導体が好ましく用いられる。また、アニ
オン性基としては、メチレン鎖や芳香環に８０３−基、
ＣＯ２−基、〇−基などが結合したのでもよいが、とく
に５０３−１ｃ、ｏ２−基、〇−基などがフタロシアニ
ン環に直接結合したものが好ましく用いられる。これは
、回転しやすいメチレン鎖なとがないため、ホストに分
散したときの運動の自由度が小さく、低温での不可逆的
構造変化が小さいからと考えられる。特に、５０３−基
は、極性が大きり１．ホストとの静電相互作用が大きい
ため、アニオン性基として好ましい。
導体としては、アニオン性基を有していればよいが、下
記一般式［Ａコ （ただし、式中Ｒ１〜Ｒ１６のうち少なくとも一〇はア
ニオン性基であり、残りは水素である。）で表されるフ
タロシアニン誘導体が好ましく用いられる。また、アニ
オン性基としては、メチレン鎖や芳香環に８０３−基、
ＣＯ２−基、〇−基などが結合したのでもよいが、とく
に５０３−１ｃ、ｏ２−基、〇−基などがフタロシアニ
ン環に直接結合したものが好ましく用いられる。これは
、回転しやすいメチレン鎖なとがないため、ホストに分
散したときの運動の自由度が小さく、低温での不可逆的
構造変化が小さいからと考えられる。特に、５０３−基
は、極性が大きり１．ホストとの静電相互作用が大きい
ため、アニオン性基として好ましい。
このアニオン性フタロシアニン誘導体は材料中では適当
なカチオンとともに存在する。カチオンの選択はホスト
成分、であるポリマとの相溶性の観点からなされるべき
ものであるが、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属
イオン、アンモニウムイオン、水素イオンなどが好まし
く用いられる。
なカチオンとともに存在する。カチオンの選択はホスト
成分、であるポリマとの相溶性の観点からなされるべき
ものであるが、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属
イオン、アンモニウムイオン、水素イオンなどが好まし
く用いられる。
カチオンの数は、アニオン性フタロシアニン誘導体の負
電荷を中和するのに必要な数だけあればよく、カチオン
は上記の混合物であってもよい。
電荷を中和するのに必要な数だけあればよく、カチオン
は上記の混合物であってもよい。
一般式［Ａ］で表されるアニオン性フタロシアニン誘導
体は次に示す二つの方法で得られる。まず、フタロシア
ニンを多塩基酸と反応させ、アニオン性基を直接導入す
る方法がある。たとえば、フタロシアニンを発煙硫酸で
スルホン化する。対カチオンが水素イオンの場合にはそ
のまま用い、他の対カチオンの場合には、水酸化ナトリ
ウム水溶液のように適当なカチオンを含むアルカリ水溶
液で中和して得られる。また、アニオン性基となり得る
官能基を有するフタロニトリルを環化反応させたのち、
適当なカチオンを含むアルカリ水溶液で中和して得る方
法もある。
体は次に示す二つの方法で得られる。まず、フタロシア
ニンを多塩基酸と反応させ、アニオン性基を直接導入す
る方法がある。たとえば、フタロシアニンを発煙硫酸で
スルホン化する。対カチオンが水素イオンの場合にはそ
のまま用い、他の対カチオンの場合には、水酸化ナトリ
ウム水溶液のように適当なカチオンを含むアルカリ水溶
液で中和して得られる。また、アニオン性基となり得る
官能基を有するフタロニトリルを環化反応させたのち、
適当なカチオンを含むアルカリ水溶液で中和して得る方
法もある。
本発明におけるポリマは、ゲスト成分であるアニオン性
フタロシアニン誘導体と相溶するものでればどのような
ものでもよく、有機ポリマであっても、無機ポリマであ
ってもよいが、有機ポリマとしては、ポリエチレンオキ
サイド、ポリビニルピリジン、ポリビニルピロリドン、
ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリメタクリル
酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリルアミド、ポリアク
リルアミド、セルロースアセテート、ポリビニルスルホ
ン酸ナトリウムなどの水溶性ポリマが好ましく用いられ
、特に好ましくは、ポリビニルアルコール、または、ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウムが用いられる。ゲスト
成分であるアニオン性フタロシアニン誘導体は極性溶媒
に可溶であるので、これらの水溶性ポリマとも相溶し、
分散が容易だからである。特に、ポリビニルアルコール
は強い水素結合性を有するので低温において熱的な構造
変化を起こしにくいと推定されること、また、ポリスチ
レンスルホン酸ナトリウムは側鎖にベンゼン環を有する
のでゲストであるアニオン性フタロシアニン誘導体との
親和性が高いことから、ホスト成分としては最も好まし
い。
フタロシアニン誘導体と相溶するものでればどのような
ものでもよく、有機ポリマであっても、無機ポリマであ
ってもよいが、有機ポリマとしては、ポリエチレンオキ
サイド、ポリビニルピリジン、ポリビニルピロリドン、
ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリメタクリル
酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリルアミド、ポリアク
リルアミド、セルロースアセテート、ポリビニルスルホ
ン酸ナトリウムなどの水溶性ポリマが好ましく用いられ
、特に好ましくは、ポリビニルアルコール、または、ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウムが用いられる。ゲスト
成分であるアニオン性フタロシアニン誘導体は極性溶媒
に可溶であるので、これらの水溶性ポリマとも相溶し、
分散が容易だからである。特に、ポリビニルアルコール
は強い水素結合性を有するので低温において熱的な構造
変化を起こしにくいと推定されること、また、ポリスチ
レンスルホン酸ナトリウムは側鎖にベンゼン環を有する
のでゲストであるアニオン性フタロシアニン誘導体との
親和性が高いことから、ホスト成分としては最も好まし
い。
また無機ポリマとしては、好ましい例としてケイ酸カラ
スが挙げられる。ケイ酸ガラスとしては、ゲスト成分で
あるアニオン性フタロシアニン誘導体と相溶するもので
あればよいが、ケイ酸ガラスのモノマ溶液にゲスト化合
物が分散でき、しかも、その分散状態が弱酸あるいは弱
塩基による重合反応においても損なわれないことから、
テトラメＩ〜キシシランあるいはテ１〜ラエトキシシラ
ンから合成したケイ酸カラスか好ましく用いられる。
スが挙げられる。ケイ酸ガラスとしては、ゲスト成分で
あるアニオン性フタロシアニン誘導体と相溶するもので
あればよいが、ケイ酸ガラスのモノマ溶液にゲスト化合
物が分散でき、しかも、その分散状態が弱酸あるいは弱
塩基による重合反応においても損なわれないことから、
テトラメＩ〜キシシランあるいはテ１〜ラエトキシシラ
ンから合成したケイ酸カラスか好ましく用いられる。
本発明の光記録材料中におけるゲスト成分の濃度として
は、高すぎるとゲスト分子間でのエネルギ移動によりホ
ール生成特性が劣化し、また、低すぎると記録読取時の
Ｓ／Ｎ比が小さくなることから、制限を受（プる。した
がって、好ましいゲスト濃度はホストであるケイ酸ガラ
スの体積を基準として１０−１〜１０−６Ｍであり、特
に、］Ｏ−２〜１０−”Ｍであることが好ましい。
は、高すぎるとゲスト分子間でのエネルギ移動によりホ
ール生成特性が劣化し、また、低すぎると記録読取時の
Ｓ／Ｎ比が小さくなることから、制限を受（プる。した
がって、好ましいゲスト濃度はホストであるケイ酸ガラ
スの体積を基準として１０−１〜１０−６Ｍであり、特
に、］Ｏ−２〜１０−”Ｍであることが好ましい。
また、本発明の記録祠料には、アニオン性フタロシアニ
ンの吸収帯に重なる吸収帯をもたない安定剤などの添加
物を加えてもよいか、ゲス！〜成分とホスト成分が主成
分として、全体の９５％以上含まれていることが好まし
い。これは、添加物によって、ホスト・ゲスト間の相互
作用が損なわれないようにするためである。
ンの吸収帯に重なる吸収帯をもたない安定剤などの添加
物を加えてもよいか、ゲス！〜成分とホスト成分が主成
分として、全体の９５％以上含まれていることが好まし
い。これは、添加物によって、ホスト・ゲスト間の相互
作用が損なわれないようにするためである。
［実施例］
以下に、実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
フタロシアニン４．２ｇに６０％発煙硫酸１００…１を
滴下して２４時間反応させたのち、水中に反応混合物を
注ぎ、結晶を析出させた。この結晶を分離して水酸化ナ
トリウム水溶液で中和し、スルホン化フタロシアニンの
ナトリウム塩を得た。
滴下して２４時間反応させたのち、水中に反応混合物を
注ぎ、結晶を析出させた。この結晶を分離して水酸化ナ
トリウム水溶液で中和し、スルホン化フタロシアニンの
ナトリウム塩を得た。
元素分析によれば、スルホン基の導入率はフタロシアニ
ン環１個に対して平均３個であった。
ン環１個に対して平均３個であった。
ポリビニルアルコール（重合度−２０００，鹸化度−１
００％＞ＩＯｇを蒸溜水１００ｍ１に溶解させた後、上
で得たスルホン化フタロシアニンのす１〜リウム塩８．
２ｍｇを加えた。この溶液をシャーレ中で乾燥して、ゲ
スト濃度１０−３Ｍ、厚さ０゜５ｍｍのフィルムを得た
。
００％＞ＩＯｇを蒸溜水１００ｍ１に溶解させた後、上
で得たスルホン化フタロシアニンのす１〜リウム塩８．
２ｍｇを加えた。この溶液をシャーレ中で乾燥して、ゲ
スト濃度１０−３Ｍ、厚さ０゜５ｍｍのフィルムを得た
。
このフィルムを液体ヘリウム温度まで冷却後、波長６７
０ ｎｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を１分間照射
してＰ ｌ−Ｉ Ｂホールを形成した。この後、フィル
ムを所定の温度まで昇温し、再び液体ヘリウム温度まで
冷却してＰＨ８ホールの半値幅を測定した。
０ ｎｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を１分間照射
してＰ ｌ−Ｉ Ｂホールを形成した。この後、フィル
ムを所定の温度まで昇温し、再び液体ヘリウム温度まで
冷却してＰＨ８ホールの半値幅を測定した。
その結果を図面に示す。図面は、横軸に示された温度ま
で昇温し、再冷却下後のホールの半値幅から、レーザー
光を照射した直後のホールの半値幅を引去った値を図示
したものである。実施例１の試料を用いた場合を、○で
つないだ曲線で示した。
で昇温し、再冷却下後のホールの半値幅から、レーザー
光を照射した直後のホールの半値幅を引去った値を図示
したものである。実施例１の試料を用いた場合を、○で
つないだ曲線で示した。
（実施例２）
実施例１と同じスルホン化フタロシアニンのナトリウム
塩４ｍｏを、テトラメトキシシラン（信越化学工業製）
１０ｍｌ、メタノール２０ｍ１および水２０ｍ１の混
合溶液に溶解したのち、０．１Ｎアンモニア水０．５ｍ
ｌを触媒としてゲル化させた。これをシャーレ中で乾燥
させて厚さＱ、５ｍｍのフィルムにした。
塩４ｍｏを、テトラメトキシシラン（信越化学工業製）
１０ｍｌ、メタノール２０ｍ１および水２０ｍ１の混
合溶液に溶解したのち、０．１Ｎアンモニア水０．５ｍ
ｌを触媒としてゲル化させた。これをシャーレ中で乾燥
させて厚さＱ、５ｍｍのフィルムにした。
この試料を液体ヘリウム温度まで冷却後、波長６７０
ｎｍ、強度１ｍＷ／ｃｎｆのレーザー光を１分間照射し
てＰＨＢホールを形成した。この後、フィルムを所定の
温度まで昇温し、再び液体ヘリウム温度まで冷却してＰ
ＨＢホールの半値幅を測定した。
ｎｍ、強度１ｍＷ／ｃｎｆのレーザー光を１分間照射し
てＰＨＢホールを形成した。この後、フィルムを所定の
温度まで昇温し、再び液体ヘリウム温度まで冷却してＰ
ＨＢホールの半値幅を測定した。
その結果を図面中、Δでつないだ曲線で示した。
（比較例１）
アイツタクチイックポリメチルメタクリレート（重合度
＝４０００００＞１０ＣＩをトルエン１２０ｍ１に溶解
させた後、５．１０．１５．２０−テトラフェニルポル
フィン６１ ｍ（Ｊを加えた。この溶液をシャーレ中で
乾燥させることにより、ゲスト濃度１０−２Ｍ１厚さ０
．５…ｍのフィルムを作り、これを対照試料とした。波
長６４５ｎｍのレーザー光を用いて、上と同様にして液
体ヘリウム温度でＰＨ８ホールを形成した後、フィルム
を所定の温度まで昇温し、再び液体ヘリウム温度まで冷
却してＰＨ８ホールの半値幅を測定した。
＝４０００００＞１０ＣＩをトルエン１２０ｍ１に溶解
させた後、５．１０．１５．２０−テトラフェニルポル
フィン６１ ｍ（Ｊを加えた。この溶液をシャーレ中で
乾燥させることにより、ゲスト濃度１０−２Ｍ１厚さ０
．５…ｍのフィルムを作り、これを対照試料とした。波
長６４５ｎｍのレーザー光を用いて、上と同様にして液
体ヘリウム温度でＰＨ８ホールを形成した後、フィルム
を所定の温度まで昇温し、再び液体ヘリウム温度まで冷
却してＰＨ８ホールの半値幅を測定した。
その結果を図面中、・でつないだ曲線で示した。
実施例１および実施例２の試料の方が昇温、再冷却後の
Ｐ ＨＢホールの半値幅の増大が少なく、熱安定性に優
れていることがわかる。
Ｐ ＨＢホールの半値幅の増大が少なく、熱安定性に優
れていることがわかる。
（実施例３）
１２ 一
実施例１と同じ方法で、反応時間を１時間とすることに
より、スルホン基の導入率がフタロシアニン環１個に対
して平均１．５個であるスルホン化フタロシアニンのナ
トリウム塩を得た。
より、スルホン基の導入率がフタロシアニン環１個に対
して平均１．５個であるスルホン化フタロシアニンのナ
トリウム塩を得た。
ポリビニルアルコール（重合度＝２０００、鹸化度＝１
００％）１０ＣＩを蒸溜水１００ｍ１に溶解させたのち
、上で得たスルボン化フタロシアニンのナトリウム塩６
．７ｍＣｌを加えた。これをシャーレ中で乾燥させて、
ゲスト濃度１０−３Ｍ、厚さ０゜５ｍｍのフィルムを得
た。
００％）１０ＣＩを蒸溜水１００ｍ１に溶解させたのち
、上で得たスルボン化フタロシアニンのナトリウム塩６
．７ｍＣｌを加えた。これをシャーレ中で乾燥させて、
ゲスト濃度１０−３Ｍ、厚さ０゜５ｍｍのフィルムを得
た。
このフィルムを液体ヘリウム温度まで冷却後、波長６７
０ｎｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を１分間照射す
ることによりＰＨＥ３ホールを形成することができた。
０ｎｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を１分間照射す
ることによりＰＨＥ３ホールを形成することができた。
（実施例４）
実施例１と同じスルホン化フタロシアニンのナトリウム
塩８．２ｍｇを蒸溜水’１００ｍ＋に溶解させた後、ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウム１０Ｑを加えた。これ
をシャーレ中で乾燥させて、ゲスト濃度１０’Ｍ、厚ざ
Ｏ，’５ｍのフィルムを得た。
塩８．２ｍｇを蒸溜水’１００ｍ＋に溶解させた後、ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウム１０Ｑを加えた。これ
をシャーレ中で乾燥させて、ゲスト濃度１０’Ｍ、厚ざ
Ｏ，’５ｍのフィルムを得た。
このフィルムを液体ヘリウム温度まで冷却後、波長６７
０ｎｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を１分間照射す
ることによりＰＨＢホールを形成することができた。
０ｎｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を１分間照射す
ることによりＰＨＢホールを形成することができた。
（実施例５）
実施例３と同じスルホン化フタロシアニンのナトリウム
塩４ｍ（ｌを、テトラメトキシシラン（信越化学工業製
＞ １０１１１１、メタノール２０ｍ１および水２０ｍ
１の混合溶液に溶解したのち、０．ＩＮアンモニア水０
．５ｍｌを触媒としてゲル化させた。これをシャーレ中
で乾燥させて厚さＱ、５ｍｍのフィルムにした。
塩４ｍ（ｌを、テトラメトキシシラン（信越化学工業製
＞ １０１１１１、メタノール２０ｍ１および水２０ｍ
１の混合溶液に溶解したのち、０．ＩＮアンモニア水０
．５ｍｌを触媒としてゲル化させた。これをシャーレ中
で乾燥させて厚さＱ、５ｍｍのフィルムにした。
この試料を液体ヘリウム温度まで冷却後、波長６７０ｎ
ｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を３０秒間照射する
ことによりホールを形成することができた。
ｍ、強度１ ｍＷ／−のレーザー光を３０秒間照射する
ことによりホールを形成することができた。
（実施例６）
実施例１と同じスルホン化フタロシアニン４ｍａをテト
ラエトキシシラン（信越化学工業製）１０ｍ１、メタノ
ール２０ｍ１および水２０ｍ１の混合溶液に溶解したの
ち、０．１Ｎアンモニア水０．５ｍｌを触媒としてゲル
化させＪＪｏこれをシレーレ中で乾燥させて厚さＱ、５
ｍｍのフィルムにした。
ラエトキシシラン（信越化学工業製）１０ｍ１、メタノ
ール２０ｍ１および水２０ｍ１の混合溶液に溶解したの
ち、０．１Ｎアンモニア水０．５ｍｌを触媒としてゲル
化させＪＪｏこれをシレーレ中で乾燥させて厚さＱ、５
ｍｍのフィルムにした。
この試料を液体ヘリウム温度まで冷却後、波長６７Ｑｎ
ｍ、強度１ｍＷ／−のレーザー光を３０秒間照躬するこ
とによりホールを形成することができた。
ｍ、強度１ｍＷ／−のレーザー光を３０秒間照躬するこ
とによりホールを形成することができた。
Ｌ本発明の効果］
本発明のフタロシアニン系記録材料は、従来の光記録媒
体に比べて、熱安定性が増大し、昇温後のホール回復率
が高い。
体に比べて、熱安定性が増大し、昇温後のホール回復率
が高い。
図面は、本発明実施例および比較例の昇温、再冷却後の
Ｐ ｌ−Ｉ Ｂホールの半値幅の増加量を図示したもの
である。 実施例１の結果を○、実施例２を△、比較例１を・で示
した。
Ｐ ｌ−Ｉ Ｂホールの半値幅の増加量を図示したもの
である。 実施例１の結果を○、実施例２を△、比較例１を・で示
した。
Claims (2)
- （１）ゲスト成分とホスト成分を主成分としてなる組成
物であって、 （イ）ゲスト成分がアニオン性基を有するフタロシアニ
ン誘導体であり、 （ロ）ホスト成分が、上記のゲスト成分と相溶するポリ
マである ことを特徴とするフタロシアニン系記録材料。 - （２）ゲスト成分が、一般式［Ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ａ］ （ただし、式中Ｒ＿１〜Ｒ＿１＿６のうち少なくとも一
つがアニオン性基であり、残りは水素である。）で表さ
れるフタロシアニン誘導体であることを特徴とする請求
項（１）記載のフタロシアニン系記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119278A JPH01291246A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | フタロシアニン系記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119278A JPH01291246A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | フタロシアニン系記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01291246A true JPH01291246A (ja) | 1989-11-22 |
| JPH0529898B2 JPH0529898B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=14757424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119278A Granted JPH01291246A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | フタロシアニン系記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01291246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306599A (en) * | 1991-03-01 | 1994-04-26 | Toray Industries, Inc. | Optical recording material |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132051A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長選択性光学記億材料 |
| JPS61146595A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | 光学的記録用媒体 |
| JPS61154888A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-14 | インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピー・エル・シー | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63119278A patent/JPH01291246A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132051A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長選択性光学記億材料 |
| JPS61154888A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-14 | インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピー・エル・シー | 光記録媒体 |
| JPS61146595A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | 光学的記録用媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306599A (en) * | 1991-03-01 | 1994-04-26 | Toray Industries, Inc. | Optical recording material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529898B2 (ja) | 1993-05-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |