JPH01291445A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、１枚の半導体ウェハ全面に１つの半導体集積
回路を形成する、所謂ウェハー・スケール・インテグレ
ーションにおける半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

通常、半導体ウェハ内には一定の確率で結晶欠陥が存在
するので、この半導体ウェハに形成する集積回路内に不
良が発生する場合がある。例えば半導体ウェハ内に複数
の集積回路を形成するＬＳＩ（大規模集積回路）では、
仁の結晶欠陥等で不良回路が生じても不良チップとして
取り除かれる。

従って、不良チップが発生しても他のチップは良品とな
り歩留りに影響する程度の問題にしかならない。しかし
、１枚の半導体ウェハ全面に１つの集積回路を形成する
ウェハー・スケール・インテグレーションデバイスの場
合は、この結晶欠陥等により１箇所不良が発生すると、
回路全体の正常な動作が防げられる結果と麦ってしまう
。このため、従来第４図に示すウェハー・スケール・イ
ンテグレーションデバイスの構成図のような半導体装置
が提案されている。図において、４１は半導体ウェハ内
に形成した１つの集積回路内における一部の回路、４１
ａはこの集積回路と同一ウエバ内に形成した回路４１が
不良となった場合の予備回路である。

さて、半導体ウェハ全体に形成した１つの半導体集積回
路に回路４１の不良が発生した場合、第４図に示すよう
に不良回路４１の配線をレーザーで切断しく記号Ｘ）、
その配線をＣＶＤ法により予備回路４１ｍに接続するこ
とができる。従って、集積回路内に不良が発生しても、
常に正常な回路を選択的に接続することが可能となる。

なお、一般に予備回路４１ｍは、半導体ウェハの端部な
ど主たる集積回路本体から離れて設けられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来の半導体装置は予備回路４１ｍを同
一半導体ウェハ内に設けなければならず、このため回路
の集積化が防げられたり、予備回路４１ｍに接続する際
の配線が長くなり回路の高速化が図れないという欠点が
あった。

本発明は、上記の様な欠点を解決するためになされたも
ので、集積度が高く、かつ高速化が図れる半導体装置を
得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

前述の欠点を解決するため本発明は、半導体ウェハ表面
の絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、この半導体薄膜に半
導体集積回路の不良回路部を代用する予備回路を設けて
いる。

〔作用〕

半導体ウェハ表面の絶縁膜上に設けた予備回路は、ウェ
ハ内の回路が不良となったときその回路の代用として配
線される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図に従って説明する。

第１図は本発明に係る一実施例を示した構成図である。

図において、１１は半導体ウェハ２１全面に形成した１
つの集積回路内における一部の回路、２２は半導体ウェ
ハ２１の表面に形成した絶縁膜、１１１Ｌは絶縁膜２２
表面の半導体薄膜２３に形成した予備回路である。この
予備回路ｔ１ｍは回路１１が不良となった場合、代用と
して前記集積回路に接続される。なお、記号Ａ、Ｂは回
路１１の記号入力端子である。

さて、半導体ウェハ２１全体に形成した１つの半導体集
積回路内の回路１１に不良が発生した場合、まず、回路
１１への配線を切断する。即ち、第１図には示していな
いが半導体薄膜上に形成された電極パッドに接続された
入力端子Ａ、Ｈに、この電極パッドを介して過電流を流
し回路１１の配線を切断する（記号Ｘ）。この後、絶縁
膜２２を介してＣＶＤ法により予備回路口４に接続する
。

従って、本来動作すべき回路１１が不良となっても、予
備回路１１ｍによって前記集積回路を正常に動作させる
ことができる。

次に、第２図及び第３図は第１図の回路構成を変えた別
の実施例を示す構成図である。図において、第１図と同
一部分には同一符号を付する。１゜及び１２〜１５は半
導体ウェハ２１全面に形成した１つの半導体回路内にお
ける一部の回路、１０ｍ。

１２ｍ及び１４３〜１４ｃは各回路１０．１２及び１４
に対応する予備回路である。

まず、第２図は、半導体ウェハ２１に設けられた回路１
０〜１２にそれぞれ対応した予備回路１０＆〜１２ａを
半導体薄膜２３に形成したもので、例えば回路１１に不
良が発生した場合、この回路１１に接続されている配線
を切断しく記号Ｘ）、予備回路口」に接続することによ
って修復することができる。従って、回路１０〜１２の
うちいずれが不良となっても予備回路が設けられている
ため、集積回路を正常に動作させることができる。

この回路構成は回路１０〜１２がそれぞれ不良を越しや
すい場合などに用いられる。

また、第３図は回路１４に対応する予備回路１４＆〜１
４ｂを半導体薄膜２３に形成したもので、例えば回路１
４に不良が発生した場合、この回路１４の代りに予備回
路１４ｂを接続することによって修復することができる
。また、この予備回路１４ｂが不良であっても予備回路
１４ｅに接続することができるため、修復の確実性を増
すことができる。この回路構成は、回路１３．１５が不
良となっても修復することができないことから、この２
つの回路に対して回路１４が不良となりやすい場合に用
いられる。

なお、前述の実施例において、不良になった回路の配線
を切断する方法として過電流を用いたが、第４図のよう
に、配線を半導体膜２３上面に設け、レーザー法によっ
て切断してもよい。

このように本装置は、予備回路１１＆を本来動作すべき
回路１１の上層に形成するため、集積回路の集積度を向
上させることができる。また、予備回路１１ｍへの配線
を絶縁膜２２を介して行なうため、長い配線を必要とせ
ず集積回路の高速化が図れるなど顕著な効果を有する。

〔発明の効果〕

以上説明のように本発明は、半導体ウニ八表面の絶縁膜
上に設けた半導体薄膜に予備回路を形成したので、半導
体集積回路の集積度を向上させることができる。また、
予備回路までの配線を短かくすることができるため、半
導体集積回路の高速化が図れるなど顕著な効果を有する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る一実施例を示した構成図、第２図
及び第３図は第１図の回路構成を変えた別の実施例を示
す構成図、第４図は従来の構成図である。 １１・・・・一部の回路、口」・・拳・予備回路、２１
・串・・半導体ウェハ、２２・・・・絶縁膜、２３・・
・・半導体薄膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　１枚の半導体ウェハ全面に１つの半導体集積回路を形
   成する半導体装置において、 前記半導体ウェハ表面の絶縁膜上に半導体薄膜を形成し
   、この半導体薄膜に前記半導体集積回路の不良回路部を
   代用する予備回路を設けたことを特徴とする半導体装置
   。