JPH0129320B2 - - Google Patents
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- JPH0129320B2 JPH0129320B2 JP58242956A JP24295683A JPH0129320B2 JP H0129320 B2 JPH0129320 B2 JP H0129320B2 JP 58242956 A JP58242956 A JP 58242956A JP 24295683 A JP24295683 A JP 24295683A JP H0129320 B2 JPH0129320 B2 JP H0129320B2
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- forming
- insulating layer
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明はマトリツクス駆動型の二重絶縁膜構
造の薄膜ELパネルの製造方法に関する。
造の薄膜ELパネルの製造方法に関する。
（技術的背景）
先ず、この発明の説明に入る前に、従来のEL
パネルの製造方法につき、第１図の断面図を用い
て説明する。
パネルの製造方法につき、第１図の断面図を用い
て説明する。
従来方法では、透明なガラス基板１上にIn2O3
或いはSnO2等より成るストライプ状の透明電極
２を形成し、この透明電極２を有する基板面１ａ
上にスパツタ法によりSiO2膜３ａを形成し、次
いでこのSiO2膜３ａ上にSiとＮとＯの化合物薄
膜４ａを形成し、さらにこの化合物薄膜４ａ上に
絶縁性の優れたSi3N4膜５ａを形成し、この
Si3N4膜５ａ上に、ZnSを母体としMnを発光中心
とした発光層６を順次に形成する。
或いはSnO2等より成るストライプ状の透明電極
２を形成し、この透明電極２を有する基板面１ａ
上にスパツタ法によりSiO2膜３ａを形成し、次
いでこのSiO2膜３ａ上にSiとＮとＯの化合物薄
膜４ａを形成し、さらにこの化合物薄膜４ａ上に
絶縁性の優れたSi3N4膜５ａを形成し、この
Si3N4膜５ａ上に、ZnSを母体としMnを発光中心
とした発光層６を順次に形成する。
次に、この発光層６上には前述の各膜の形成順
序とは逆の順序でSi3N4膜５ｂ、化合物薄膜４ｂ
及びSiO2膜３ｂ順次形成し、このSiO2膜３ｂ上
にAlよりなるストライプ状の背面電極７を透明
電極２と直角に交差するように、形成して配置さ
せている。
序とは逆の順序でSi3N4膜５ｂ、化合物薄膜４ｂ
及びSiO2膜３ｂ順次形成し、このSiO2膜３ｂ上
にAlよりなるストライプ状の背面電極７を透明
電極２と直角に交差するように、形成して配置さ
せている。
この種のELパネルおいては、例えば、背面電
極７を順次にライン走査してマトリツクス表示を
行う時、小さな電圧変化に対する発光輝度の変化
を大きくしなければ、換言すれば、発光輝度−印
加電圧特性（以下Ｂ−Ｖ特性と称する）曲線の勾
配が急勾配でなければ、クロストークが生じてし
まい、これがため、走査電極数を多く、すなわ
ち、表示画素数を多く取れないということが知ら
れている。
極７を順次にライン走査してマトリツクス表示を
行う時、小さな電圧変化に対する発光輝度の変化
を大きくしなければ、換言すれば、発光輝度−印
加電圧特性（以下Ｂ−Ｖ特性と称する）曲線の勾
配が急勾配でなければ、クロストークが生じてし
まい、これがため、走査電極数を多く、すなわ
ち、表示画素数を多く取れないということが知ら
れている。
しかしながら、このように従来方法で製造され
たELパネルでは、発光層６の両側を絶縁性に優
れたSi3N4膜５ａ及び５ｂで挟持した構造となつ
ているため、発光層６のSi3N4膜５ａ及び５ｂと
の界面には深いエネルギーレベルの界面状態を形
成出来ず、発光層６への電子の注入が少なく、緩
やかなアバランシエ現象を示し、発光輝度−印加
電圧特性曲線の勾配の急峻化が図れないという欠
点があつた。
たELパネルでは、発光層６の両側を絶縁性に優
れたSi3N4膜５ａ及び５ｂで挟持した構造となつ
ているため、発光層６のSi3N4膜５ａ及び５ｂと
の界面には深いエネルギーレベルの界面状態を形
成出来ず、発光層６への電子の注入が少なく、緩
やかなアバランシエ現象を示し、発光輝度−印加
電圧特性曲線の勾配の急峻化が図れないという欠
点があつた。
（発明の目的）
この発明の目的は、Ｂ−Ｖ特性曲線が急勾配と
なる構造のELパネルを容易に製造することが出
来るELパネルの製造方法を提供するにある。
なる構造のELパネルを容易に製造することが出
来るELパネルの製造方法を提供するにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、この発明によれ
ば、発光層の両側の第一及び第二絶縁層の夫々
を、この発光層と各絶縁層との境界に深いレベル
の界面状態を形成する酸素欠損状態のSiO2膜を
追加した構造とし、酸素欠損状態のSiO2膜と、
絶縁性に優れたSi3N4膜と、In2O3或いはSnO2等
より成る透明電極及びAl等より成る背面電極の
夫々に対する密着性を良くするためのSiO2膜と
を、スパツタ法により、各絶縁層毎に同一真空槽
内でしかも供給ガスの量を変えるのみで、大気に
触れさせず連続して形成出来るようにしたことを
要旨とする。
ば、発光層の両側の第一及び第二絶縁層の夫々
を、この発光層と各絶縁層との境界に深いレベル
の界面状態を形成する酸素欠損状態のSiO2膜を
追加した構造とし、酸素欠損状態のSiO2膜と、
絶縁性に優れたSi3N4膜と、In2O3或いはSnO2等
より成る透明電極及びAl等より成る背面電極の
夫々に対する密着性を良くするためのSiO2膜と
を、スパツタ法により、各絶縁層毎に同一真空槽
内でしかも供給ガスの量を変えるのみで、大気に
触れさせず連続して形成出来るようにしたことを
要旨とする。
（実施例の説明）
以下、図面により、この発明の実施例につき説
明する。
明する。
第２図はこの発明のELパネルの製造方法の一
実施例を説明するために供する当該ELパネルの
略図的断面図である。尚、この図において、第１
図に示した構成成分と同様な構成成分に対しては
同一の符合を付して示す。
実施例を説明するために供する当該ELパネルの
略図的断面図である。尚、この図において、第１
図に示した構成成分と同様な構成成分に対しては
同一の符合を付して示す。
この実施例においては、第２図に示すように、
透明なガラス基板１上に複数本のストライプ状
の、In2O3或いはSnO2等より成る透明電極２を形
成した後、この透明電極２を有する基板面１ａ上
に、先ず、Siをターゲツトとし反応性スパツタ法
により第一絶縁層９ａを構成する各膜を同一真空
槽内で連続して設ける。これにつき説明する。
透明なガラス基板１上に複数本のストライプ状
の、In2O3或いはSnO2等より成る透明電極２を形
成した後、この透明電極２を有する基板面１ａ上
に、先ず、Siをターゲツトとし反応性スパツタ法
により第一絶縁層９ａを構成する各膜を同一真空
槽内で連続して設ける。これにつき説明する。
先ず、基板面１ａ上にArガスと適度な量のO2
ガスの混合ガス雰囲気でSiO2膜３ａを形成する。
このSiO2膜３ａは前述の透明電極２及びその後
に形成される絶縁性に優れたSi3N4膜５ａとの密
着性を高めるためのものであるから、その膜厚を
1000Å以下とすることが出来る。
ガスの混合ガス雰囲気でSiO2膜３ａを形成する。
このSiO2膜３ａは前述の透明電極２及びその後
に形成される絶縁性に優れたSi3N4膜５ａとの密
着性を高めるためのものであるから、その膜厚を
1000Å以下とすることが出来る。
次いで、この膜３ａ上に徐々にO2ガスの量を
減少させかつ同時にN2ガスを増加させながらSi
とＯとＮの化合物薄膜４ａを形成する。この場
合、基板１側のSiO2膜３ａから直接接Si3N4膜５
ａを形成すると、SiO2膜３ａが酸素欠損状態と
なる恐れがあるので、これら膜組成の急激な変化
を緩和するためにこの化合物薄膜４ａを設けるの
であるから、その膜厚は1000Å以下であつて良い
こと勿論であり、場合によつては、この化合物薄
膜４ａを実質的に取り除いても良い。
減少させかつ同時にN2ガスを増加させながらSi
とＯとＮの化合物薄膜４ａを形成する。この場
合、基板１側のSiO2膜３ａから直接接Si3N4膜５
ａを形成すると、SiO2膜３ａが酸素欠損状態と
なる恐れがあるので、これら膜組成の急激な変化
を緩和するためにこの化合物薄膜４ａを設けるの
であるから、その膜厚は1000Å以下であつて良い
こと勿論であり、場合によつては、この化合物薄
膜４ａを実質的に取り除いても良い。
続いて、ついにはO2ガスを完全に排除しArガ
スと適度な量のN2ガスの混合ガス雰囲気中でこ
の化合物薄膜４ａ上にSi3N4膜５ａを形成する。
この膜５ａはELパネルの絶縁を行う機能を有し、
これがため、1000〜3000Å程度の膜厚とするのが
好適である。
スと適度な量のN2ガスの混合ガス雰囲気中でこ
の化合物薄膜４ａ上にSi3N4膜５ａを形成する。
この膜５ａはELパネルの絶縁を行う機能を有し、
これがため、1000〜3000Å程度の膜厚とするのが
好適である。
続いて、急激にN2ガスを排気しO2ガスを少量
だけ注入してArガスとO2ガスの混合ガス雰囲気
中で酸素欠損状態のSiO2膜８ａを形成する。こ
の膜８ａは、以下説明するように、この膜８ａ上
に続いて形成される発光層６との境界に深いレベ
ルの界面状態を形成するためのものであり、その
膜厚を500〜3000Å程度とするのが好適である。
だけ注入してArガスとO2ガスの混合ガス雰囲気
中で酸素欠損状態のSiO2膜８ａを形成する。こ
の膜８ａは、以下説明するように、この膜８ａ上
に続いて形成される発光層６との境界に深いレベ
ルの界面状態を形成するためのものであり、その
膜厚を500〜3000Å程度とするのが好適である。
この第一絶縁層９ａを構成する各膜の形成に当
り、Arガス、N2ガス及びO2ガスの量を変える方
法は、反応性スパツタ装置の排気装置により真空
槽内を常に排気しつつ、別個に設けたガス混合気
によりArガス、N2ガス及びO2ガスの混合比を変
えながら、所要のガスをこの真空槽内へ注入す
る。従つて、基板１側のSiO2膜３ａ、SiとＮと
Ｏの化合物薄膜４ａ、Si3N4膜５ａ及び酸素欠損
状態のSiO2膜８ａを同一真空槽内で大気に触れ
ること無く連続して順次に形成出来る。また、そ
の他の各膜の形成条件は所要に応じて好適な条件
を選定することが出来る。
り、Arガス、N2ガス及びO2ガスの量を変える方
法は、反応性スパツタ装置の排気装置により真空
槽内を常に排気しつつ、別個に設けたガス混合気
によりArガス、N2ガス及びO2ガスの混合比を変
えながら、所要のガスをこの真空槽内へ注入す
る。従つて、基板１側のSiO2膜３ａ、SiとＮと
Ｏの化合物薄膜４ａ、Si3N4膜５ａ及び酸素欠損
状態のSiO2膜８ａを同一真空槽内で大気に触れ
ること無く連続して順次に形成出来る。また、そ
の他の各膜の形成条件は所要に応じて好適な条件
を選定することが出来る。
このようにして第一絶縁層９ａが形成された試
料を真空槽から取り出して、この酸素欠損状態の
SiO2膜８ａ上に、別の真空槽内での電子ビーム
蒸着法で、発光層６を形成する。この発光層６
は、例えば、ZnSを母体とし、0.3〜0.7重量％の
Mnを発光中心としてドープしたもので、106V／
cmの電界が印加されると黄橙色を発光するものと
することが出来るが、これに限定されず、他の色
を発光するものであつても良い。
料を真空槽から取り出して、この酸素欠損状態の
SiO2膜８ａ上に、別の真空槽内での電子ビーム
蒸着法で、発光層６を形成する。この発光層６
は、例えば、ZnSを母体とし、0.3〜0.7重量％の
Mnを発光中心としてドープしたもので、106V／
cmの電界が印加されると黄橙色を発光するものと
することが出来るが、これに限定されず、他の色
を発光するものであつても良い。
次に、この発光層６上に第二絶縁層９ｂを構成
する各膜をスパツタ法により同一真空槽内で連続
して設ける。これにつき説明する。
する各膜をスパツタ法により同一真空槽内で連続
して設ける。これにつき説明する。
この第二絶縁層９ｂの各層は上述した第一絶縁
層９ｂの膜と対称的配置となるように前述とは逆
の順序で形成する。すなわち、先ず、発光層６上
に、Arガスと少量のO2ガスの混合ガス雰囲気中
で酸素欠損状態のSiO2膜８ｂを形成する。次に、
O2ガスを排気しN2ガスを注入して、ArガスとN2
ガスの混合ガス中で、酸素欠損状態のSiO2膜８
ｂ上にSi3N4膜５ｂを形成する。さらに引続き、
徐々にO2ガスを注入しかつ同時にN2ガスを減少
して、このSi3N4膜５ｂ上に所要に応じSiとＮと
Ｏの化合物薄膜４ｂを形成する。そして最終的に
Arガスと豊富なO2の混合ガス中で、この化合物
薄膜４ｂが形成されていない場合にはSi3N4膜上
に又は化合物薄膜４ｂが形成されている場合には
この膜４ｂ上に背面電極側のSiO2膜３ｂを形成
する。
層９ｂの膜と対称的配置となるように前述とは逆
の順序で形成する。すなわち、先ず、発光層６上
に、Arガスと少量のO2ガスの混合ガス雰囲気中
で酸素欠損状態のSiO2膜８ｂを形成する。次に、
O2ガスを排気しN2ガスを注入して、ArガスとN2
ガスの混合ガス中で、酸素欠損状態のSiO2膜８
ｂ上にSi3N4膜５ｂを形成する。さらに引続き、
徐々にO2ガスを注入しかつ同時にN2ガスを減少
して、このSi3N4膜５ｂ上に所要に応じSiとＮと
Ｏの化合物薄膜４ｂを形成する。そして最終的に
Arガスと豊富なO2の混合ガス中で、この化合物
薄膜４ｂが形成されていない場合にはSi3N4膜上
に又は化合物薄膜４ｂが形成されている場合には
この膜４ｂ上に背面電極側のSiO2膜３ｂを形成
する。
この場合、この第二絶縁層９ｂの各膜の形成条
件を第一絶縁層９ａの各膜の条件と同一とするこ
とが出来る。そして、これら第二絶縁層の各膜も
同一真空槽内で大気に触れること無く連続して順
次に形成出来る。
件を第一絶縁層９ａの各膜の条件と同一とするこ
とが出来る。そして、これら第二絶縁層の各膜も
同一真空槽内で大気に触れること無く連続して順
次に形成出来る。
このようにして得られた試料を真空槽から取り
出して、SiO2膜３ｂ上に、例えば、Al等からな
る複数本のストライプ状の背面電極７を透明電極
２と直角に交差するように被着形成し、その後に
所要に応じて必要な処理を行つて第２図に示すよ
うな構造のELパネルを得る。
出して、SiO2膜３ｂ上に、例えば、Al等からな
る複数本のストライプ状の背面電極７を透明電極
２と直角に交差するように被着形成し、その後に
所要に応じて必要な処理を行つて第２図に示すよ
うな構造のELパネルを得る。
この第二絶縁層の形成に当り、発光層６上に反
応性スパツタ法で酸素欠損状態のSiO2膜８ｂを
形成したが、スパツタリングにより発光層６の表
面が損傷し、浅いレベルの界面状態を形成するこ
とがあるので、所要により、この発光層６上に発
光層と同一の真空槽中で電子ビーム蒸着法によ
り、例えば、Y2O3、Ta2O5等を蒸着しておくと
良い。
応性スパツタ法で酸素欠損状態のSiO2膜８ｂを
形成したが、スパツタリングにより発光層６の表
面が損傷し、浅いレベルの界面状態を形成するこ
とがあるので、所要により、この発光層６上に発
光層と同一の真空槽中で電子ビーム蒸着法によ
り、例えば、Y2O3、Ta2O5等を蒸着しておくと
良い。
また、このようにして得られた構造のELパネ
ルでは、発光層６の両側であつてこの発光層６と
絶縁性に優れたSi3N4膜との界面間に酸素欠損状
態のSiO2膜８ａ，８ｂを設けてあるので、この
界面に深いレベルの界面状態が形成出来る。従つ
て、発光層への電子の注入も多くなり、Ｂ−Ｖ特
性曲線の勾配も急峻化するので、走査電極数すな
わち表示画素数を多く取れるようになる。
ルでは、発光層６の両側であつてこの発光層６と
絶縁性に優れたSi3N4膜との界面間に酸素欠損状
態のSiO2膜８ａ，８ｂを設けてあるので、この
界面に深いレベルの界面状態が形成出来る。従つ
て、発光層への電子の注入も多くなり、Ｂ−Ｖ特
性曲線の勾配も急峻化するので、走査電極数すな
わち表示画素数を多く取れるようになる。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明
によれば、反応性スパツタ法により混合ガスの混
合比を変えることにより、発光層の両側の第一及
び第二絶縁層、特に、絶縁性に優れたSi3N4膜及
び、発光層との界面に深いレベルの界面状態を形
成するための、酸素欠損のSiO2膜の連続層を各
絶縁層毎にそれぞれ別個の、同一真空槽内で連続
して形成するのであるから、急勾配のＢ−Ｖ特性
曲線のELパネルを製造することが出来る。
によれば、反応性スパツタ法により混合ガスの混
合比を変えることにより、発光層の両側の第一及
び第二絶縁層、特に、絶縁性に優れたSi3N4膜及
び、発光層との界面に深いレベルの界面状態を形
成するための、酸素欠損のSiO2膜の連続層を各
絶縁層毎にそれぞれ別個の、同一真空槽内で連続
して形成するのであるから、急勾配のＢ−Ｖ特性
曲線のELパネルを製造することが出来る。
さらに、絶縁層を同一真空槽内で大気に接触さ
せることなく形成することが出来るので、従来の
ような真空−大気圧という操作を必要せず、従つ
て、ELパネル製造工程の大幅な低減を図ること
が出来、製造が簡単、容易となりかつELパネル
を安価に製造することが出来る。
せることなく形成することが出来るので、従来の
ような真空−大気圧という操作を必要せず、従つ
て、ELパネル製造工程の大幅な低減を図ること
が出来、製造が簡単、容易となりかつELパネル
を安価に製造することが出来る。
第１図は従来のELパネルの製造方法の説明に
供する当該ELパネルの断面図、第２図はこの発
明のELパネルの製造方法の説明に供する当該EL
パネルの断面図である。 １……透明基板、１ａ……透明基板の基板面、
２……透明電極、３ａ，３ｂ……SiO2膜、４ａ，
４ｂ……化合物薄膜、５ａ，５ｂ……Si3N4膜、
６……発光層、７……背面電極、８ａ，８ｂ……
酸素欠損状態のSiO2膜、９ａ……第一絶縁層、
９ｂ……第二絶縁層。
供する当該ELパネルの断面図、第２図はこの発
明のELパネルの製造方法の説明に供する当該EL
パネルの断面図である。 １……透明基板、１ａ……透明基板の基板面、
２……透明電極、３ａ，３ｂ……SiO2膜、４ａ，
４ｂ……化合物薄膜、５ａ，５ｂ……Si3N4膜、
６……発光層、７……背面電極、８ａ，８ｂ……
酸素欠損状態のSiO2膜、９ａ……第一絶縁層、
９ｂ……第二絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板の透明電極が形成された基板面上に
第一絶縁層と、発光層と、第二絶縁層と、背面電
極とを順次に具える二重絶縁膜構造のELパネル
を製造するに当り、 前記第一及び第二絶縁層を真空槽内でSiをター
ゲツトとして反応性スパツタ法により夫々別個に
形成し、 前記第一絶縁層の形成工程は、前記透明基板の
透明電極が形成された基板面上に、Arガスと豊
富なO2の混合ガス中でSiO2膜を形成し、徐々に
O2ガスの量を減じ同時にN2ガスを増加して所要
に応じSiとＮとＯの化合物薄膜を形成し、ついに
はArガスとN2ガスの混合ガス中でSi3N4膜を形
成し、さらにN2ガスを排気し少量のO2ガスを急
激に注入してArガスと少量のO2ガスの混合ガス
雰囲気中で酸素欠損状態のSiO2膜を形成する順
次の連続工程とから成り、 前記第二絶縁層の形成工程は、酸素欠損状態の
前記SiO2膜に形成した発光層上に、Arガスと少
量のO2ガスの混合ガス雰囲気中で酸素欠損状態
のSiO2膜を形成し、O2ガスを排気しN2ガスを注
入して、ArガスとN2ガスの混合ガス中で、
Si3N4膜を形成し、さらに徐々にO2ガスを注入し
同時にN2ガスを減少して所要に応じSiとＮとＯ
の化合物薄膜を形成し、ついにはArガスと豊富
なO2の混合ガス中でSiO2膜を形成する順次の連
続工程とから成る ことを特徴とするELパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242956A JPS60134277A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242956A JPS60134277A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134277A JPS60134277A (ja) | 1985-07-17 |
| JPH0129320B2 true JPH0129320B2 (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=17096723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242956A Granted JPS60134277A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134277A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622495A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-08 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2531686B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1996-09-04 | 株式会社小松製作所 | カラ−表示装置 |
| JPH0740515B2 (ja) * | 1986-08-13 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | 薄膜発光素子 |
| JPH07118391B2 (ja) * | 1987-10-19 | 1995-12-18 | シャープ株式会社 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH01177898U (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-19 |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242956A patent/JPS60134277A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60134277A (ja) | 1985-07-17 |
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