JPH01293348A - 音声、画像情報を記録した電荷保持媒体及びその記録、再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像情報等の記録媒体として利用するようにし
た電荷保持媒体に係り、特に静止画像情報と共に音声情
報も同時記録可能な電荷保持媒体に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、静止画の邊影・保存用として銀塩写真法が用いら
れ、音声情報の記録用としてはレコード、カセットテー
プ等が使用されている。また画像情報と音声情報の記録
用としてはビデオテープ、コンパクトディスク、光ディ
スク等が使用されるようになっている。

〔発明が解決すべき課題〕

ところで、銀塩写真法は静止画を保存する手段として優
れているが、銀塩像を形成させるために現像工程を必要
とし、像再現においてはハードコピー、ソフトコピー（
ＣＲＴ出力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化
学的処理が必要である。また、レコード、カセットテー
プ等は音声の記録用としては非常に簡便な手段であるが
、メモリ容量が少ないために画像情報の記録を行うこと
はできず、またビデオテープの記録は撮像管で撮影し、
光半導体を利用して得た画像情報を電気信号として取り
出して記録するもので、線順次走査が必要となると共に
、解像性は走査線数に依存するため銀塩写真のように面
状アナログ記録に比して著しく劣化し、コンパクトディ
スク、光ディスク等においても本質的に同様である。こ
れらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高解
像であれば処理工程が複雑であり、工程が面側であれば
記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があった
。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が面側で、長時間の記憶
が可能で、質の良い画像と共に音声情報の記録が可能な
電荷保持媒体を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、ｌは感光体、３は電荷
保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９は
光導電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１
５は絶縁層支持体、１７は電源である。

第１図においては、感光体１側から露光を行う態様であ
り、まず１■厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚のＩｒＯからなる透明な感光体電極７を形
成し、この上にｌＯμｍ程度の光導電層９を形成して感
光体１を構成している。この感光体ｌに対して、１０μ
ｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配置される。電
荷保持媒体３は１ｍｍ＋厚のガラスからなる絶縁層支持
体１５上に１０００人厚のＩｒ電極１３を蒸着により形
成し、この電極１３上に１０μｍ厚の絶縁層１１を形成
したものである。

先ず、第１図（イ）に示すように感光体１に対して、１
０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
１側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。

なお、感光体ｌと電荷保持媒体３とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体３例の電極１３に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁層１１面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁
層１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層ｌ
ｌ上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。

この絶縁層１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って゛定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特
性が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説
明しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合も
あり、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、そ
の物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場
合もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒
体の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために
絶縁層１１の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存する
ようにしてもよい。

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属ｖｉ（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用
される。但し、感光体側から光を入射して情報を記録す
る装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる
特性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体
側から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍ
ｍ程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィル
ム、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０’Ω・ｃｍ以下であれば限定され
なく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である
。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に、
蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツキ
、ディッピング、電解重合等により形成される。またそ
の厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、お
よび情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要が
あるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３００
０人程度である。この感光体電極７も光導電層支持体５
と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、上
述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（４
００〜７００ｎｍ）であれば、ＩＴ○（Ｉｎ２Ｏ２−５
ｎＯｇ）　、Ｓ　ｎ　０２等をスパッタリング、蒸着、
またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化して
コーティングしたような透明′ｒＦｉ極や、Ａｕ、ＡＩ
、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリングで
作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣ
ＮＱ）　、ポリアセチレン等のコーティングによる有機
透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成され以下、これら光導電材料、および光導電層
の形成方法について説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体） 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン（ａ　−５ｉ　：　Ｈ）
■フッ素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｆ）・こ
れらに対して不純物をドーピングしないもの、 −Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングによりＰ
型（ホール輸送型）にしたもの、・Ｐ、Ａｇ、、Ｓｂ、
、Ｂｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にした
もの、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−”〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりａ−５ｉＮ層、ａ−５Ｉ
Ｃ層、５ｉＯ１層、ｌ　　１．０．層等の絶縁層を設け
るとよい。この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５０
０人程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における掻性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Ｓｉにボロンをドープしたａ−３ｔ　
：　Ｈ（ｎ”　）は、ホールの輸送特性が上がって整流
効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−３ｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−５ｅ−Ｔｅ）■ア
モルフアスひ素セレン化合物（ａ−八ａｚｓｅ３）■ア
モルファスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳｉＯ□、’　１ｔｏｓ　、５ｉＣ
２ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により
電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ
、積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚はアモル
ファスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　） この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中でＭＪＮ上に堆積させる。この場合、通常はアモ
ルファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング
条件を選択することにより結晶性の配向Ｗａ（膜厚方向
に配向）を得ることもできる。コーティングの場合は、
ＣｄＳ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分
散させ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよ
い。。

（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１＝
１００ａｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０−”〜ＩＴｏｒｒ）で混合
し、加熱した電極基＃Ｅ、（１５０〜４００℃）上で化
学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も
膜厚方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

〈電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。

く電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルヘン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移ｅ堵体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰｖＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００　ｎｍ波長近
傍しか感じないが、Ｐ　Ｖ　Ｋ　　Ｔ　Ｎ　Ｆ　ｔｆｔ
体は６５０ｎｍ波長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

く電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−５ｅ　、、ａ−Ｓ
ｉ　ｓアズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。

〈電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、雪掻上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１＝１０１１ｍ％電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚
とするとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れのｔｌに
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各１
部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電Ｎ９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
Ａｓ、Ｏ，、Ｂ、Ｏ，、Ｂ＋ｚＯｓ　、ＣｄＳ　５Ｃａ
Ｏ、Ｃｅｎｔ、ＣｒｇＯｓ　、Ｃｏｏ　、Ｇｅ０ｔ、Ｈ
ｆ０ｚｓ　Ｐｅｚ０２　、Ｌａｚ０３　、ＭｇＯｓ　Ｍ
ｎＯｘ、ＮｄｔＯｆｆ　、Ｎｂｔ’ｓ　５ＰＩ）Ｏ、５
ｂｚ０３．５ｉＱｚ、５ｅａｔ、　Ｔａｇ’ｓ　、Ｔｉ
１ｔ、Ｗ（ｈ　、ＶｚＯｓ、ｙ、ｏ、、ｖ２０１、Ｚｒ
０１、ＢａＴｉＯ２、Ａｈ（ｈ、ａｔ、ｒｉｏ、　、Ｃ
ａＯ−５ｒＯ、ＣａＯ−”Ｉ＝Ｏ＠、Ｃｒ−５ｉＯ１Ｌ
ｉＴａ０１、ＰｂＴｉＯｓ、ＰｂＺｒＯ３、Ｚｒ０ｌ−
Ｃｏ　ｓ　ＺｒＯ，−３ｉＯ＝　　、ＡＩＮ　　、ＢＮ
、、ＮｂＮ　　、５ｉ３Ｎａ　　、ＴａＮ　　、、Ｔｉ
Ｎ　　、ＶＮ、ＺｒＮ　　。

ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣ，ＡｌｎＣ５等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。尚、この層の
膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の
点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに
整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用
して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷
輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無
機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層で
形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である。具
体的には、電極がマイナスの場合はＢ５Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、アモ
ルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン
、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン
、ナフタレン、トリフェニルメタン、トリフェニルメタ
ン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散し
て形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、Ｐ、
Ｎ、Ａｓ、、５ｂＳＢ　ｉ等をドープしたアモルファス
シリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング等の方法に
より形成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。

電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ（同一出願人による同日出願）に
用いられる場合には、一般のフィルム（単コマ、連続コ
マ用）形状、あるいはディスク状となり、レーザー等に
よりデジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合
には、テープ形状、ディスク形状、或いはカード形状と
なる。

絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体重８ｉ７と
同じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法に
よって、絶縁層支持体１５上に形成される。

絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で１０１Ω
・Ｃ−以上の絶縁性を有することが要求される。このよ
うな絶縁層１１は、樹脂、ゴム類を溶剤に熔解させ、コ
ーティング、ディッピングするか、または蒸着、スパッ
タリング法により層形成させることができる。

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマ＋、　弗素Ｍ脂、セルロース
樹脂、フェノール樹脂。

ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。

可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯ，ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。

極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー。

弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁層１１として、ラングミュア−・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
層ｌｌ上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ／ｃｍ以上）が印加
された時には電荷が注入するが、低電界（１０’Ｖ／ｃ
ｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう、電荷保
持強化層としては、例えば５ｉ０１、ＡＩ！ＯＳ　、Ｓ
ｉＣ％　ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質としては例え
ばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキシレン蒸着膜が使用
できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプクー材料）を添加す
るとよい。ドナー材料として、はスチレン系、ピレン系
、ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン
系化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（Ｔ
ＴＦ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ））リニトロフ
ルオレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混合
して使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹
脂等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用され
る。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＴＢ族（
銅族）、同ＩｒＡ族（アルカリ土類金属）、同１１Ｂ族
（亜鉛族）、同ＴｆｆＡ族（アルミニウム族）、同１１
［Ｂ族（粘土Ｒ）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族（
バナジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族（
マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＴＶＡ
族（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同
ＶＡＭ　（Ｉ素抜）としてはアンチモン、ビスマス、同
ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．Ｏ
１〜１０重量％程度でよい。　また絶縁層１１は、絶縁
性の点からは少なくても１０００人（０，１μｍ）以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１００
μｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保ｉｔ膜を設けることができる。保１１１２としては
粘着性を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン
樹脂等の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層１１の表面に
貼着するか、またプラスチックフィルムをシリコンオイ
ル等の密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０Ｉ
４Ω・ｃｍ以上のものであればよく、膜厚は０．５〜３
０μｍ程度であり、絶縁層１１の情報を高解像度とする
必要がある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は
、情報再生時には保護膜上から情報を再生してもよく、
また保護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもで
きる。

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生じさせるニレクレットがある。

第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。

第２図（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板上にＺｎＳ、ＣｄＳ、ＺｎＯ
を、蒸着スパッター、ＣＶＤ、：１−ティング法等で１
層１〜５μｍ形成する。そしてこの感光層表面に透明電
極１９を接触あるいは非接触で重ね、電圧印加状態で露
光すると（第２図（ロ））、露光部で光によって電荷が
発生し、電場によって分極し、電荷は電場を取り去って
もその位置にトラップされる（第２図（ハ））。こうし
て、露光量に応じたエレクトレットが得られる。なお、
第２図の電荷保持媒体の場合は別体の感光体を必要とし
ない利点がある。

第３図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレフト材料としては、例えばポリ弗化ヒニリ
７’７　（ＰＶＤＦ）、ボＩＪ（ＶＤＦ／三７）化エチ
レン）、ポリ（Ｖ６Ｆ／四フフ化エチレン）、ポリフッ
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン。

ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ（アクリロニトリル／塩化ビニル）、ポリア
ミド１１．ポリアミド３．ポリ−ｍ−フェニレンイソフ
タルアミド、ポリカーボネート、ポリ（ビニリデンシア
ナイド酢酸ヒニル）。

ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これをＴａ極基板
１３上に１〜５０μｍ単層で設けるかあるいは２種類以
上のものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う（第３図（ロ））。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレフトを生じる（第３図（ハ））。

次ぎに、絶縁層１１に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。ます本震発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に感光体電極７を設けた光導電層９からな
る感光体１と、感光体１に対向し、後面に電荷保持媒体
電極１３を設けた絶縁層１１からなる電荷保持媒体とに
より記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光
に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁
層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜
像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッ
クも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうる
ちのであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期
間保持することが可能である。またプリズムにより光情
報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出
すカラーフィルターを使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した電荷
保持媒体３セツトで１コマを形成するか、または１平面
上にＲＳＧ、Ｂ像を並べて１セツトで１コマとすること
により、カラー撮影することもできる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい、
この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である０画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御によ
り行う、また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドツトジェネレーターｏＮ−ｏＦＦｌ１ｍを
かけて形成するものである。尚、感光体における光導電
層の分光特性は、パンクロマティックである必要はなく
、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。

第４図は本発明の音声、画像情報を記録した電荷保持媒
体を示す図で、１は感光体、３は電荷保持媒体である。

感光体ｌは電荷保持媒体３との間には所定の電圧が印加
され、この状態で露光することにより電荷保持媒体には
静電潜像が記録される０本発明においては景色等を撮影
する自然光による画像情報、あるいは照明用光源により
原稿面からの反射光の画像情報等を感光体ｌに照射し、
その静電層像を電荷保持媒体３に記録する。これと同時
に音声信号でレーザー光源等を変調し、音声情報を光学
情報として感光体１に照射し、電荷保持媒体３に記録す
る。こうすることにより電荷保持媒体３には画像情報と
共に音声情報が記録されることになる。

第５図、第６図は画像情報と音声情報の記憶領域を示す
図で、画像情報に介して音声情報はその情報量が通常極
めて少ないので、電荷保持媒体の中央部Ｐを画像情報記
憶領域、端部あるいは縁部分Ｓを音声情報記憶領域とし
て記録するようにしたものである。

第７図は本発明の電荷保持媒体へ画像情報と共に音声情
報を記録する方法を示す図で、図中、１０１はマイクロ
ホン、１０２は増幅器、１０３はレーザー、１０４は音
響光学変調器、１０５はポリゴンミラー、１０６は電源
である。

感光体１は電荷保持媒体３との間にはスイッチ１０７の
ＯＮ１０　Ｆ　Ｆにより電源１０６より所定の電圧が印
加されるようになっている。そして、所定の電圧が印加
された状態で画像情報光１００で面露光することにより
、電荷保持媒体３には画像に応じた潜像電位が形成され
る。一方マイクロホン１０１を介して音声に応じた電気
信号が増幅器１０２で増幅され、音響光学変調器１０４
で音声信号に応じてレーザー１０３からのレーザー光を
変調し、ポリゴンミラー１０５で走査して感光体１を照
射し、音声信号に応した潜像電位を電荷保持媒体３に形
成する。こうして電荷保持媒体３には画像情報と共に音
声情報が記録されることになる。その結果、例えば電荷
保持媒体上に景色等の画像を記録する時に、撮影時の状
況等を音声として記録することができるので、再生した
時にその時の説明入りの再生像を得ることが可能となる
。

なお、上記説明では光学変調器とポリゴンミラーとの組
み合わせにより光を変調して走査露光するようにしたが
、この他にも、例えばフライングスポットスキャナー（
ＦＳＳ）等のようにＣＲＴと変更手段の組み合わせによ
り電子ビームを走査し、ブラウン管面の輝点からの光に
より感光体を通して走査露光するようにしてもよく、ま
た管面部に針電極群を有する一種のＣＲＴの管面に近接
して電荷保持媒体を対向配置し、走査電子ビームが当た
った針電極を通して電荷保持媒体に直接放電記録するよ
うにしてもよい。

第８図はＰＣＭ変調を利用した他の記録方法を示す図で
、第７図と同一番号は同一内容を示している。第５図の
場合は音声信号をＰＣＭ１２０でディジタル信号に変換
しているので、ノイズに強い良質の音声情報を記録する
ことが可能となる。

第９図は循環メモリを使用した他の記録方法を示す図で
、図中、１２１はＡ／Ｄ変換器、１２２は循環メモリ、
１２３はＤ／Ａ変換器である。

本実施例においては、音声信号をＡ／Ｄ変換して循環メ
モリ１２２に記憶し、循環メモリ１２２の出力をＤ／Ａ
変換してこれを記録するようにしたものである。循環メ
モリ１２２は一定時間の音声情報を記憶する記憶容量を
有し、順次記憶内容を更新するようにしているので、常
に一定時間前から現在までの音声情報が記憶されるよう
になっている０例えば循環メモリの記憶容量を１分間の
音声情報を記録することができるようにしたとすれば、
撮影時点の３０秒前から３０秒後まで音声情報を記録さ
せるようにすることができるので、撮影時の情景をリア
ル感を持って再現することが可能となる。例えばＳＬの
撮影等において、シェッシュッポッポ、シェフシェッポ
ッポという音とシャッター音と共に、ＳＬの像を撮影す
ることができれば、その再生画像は撮影時の状況を彷沸
と思い出す等が期待できる。

以下、像電位読取り方法について説明する。

第１０図は本発明における電位読み取り方法の例を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。なお
、図中、２１は電位読み取り部、２３は検出電極、２５
はガード電極、２７はコンデンサ、２９は電圧計である
。

電位読み取り部２１を電荷保持媒体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極２３に電荷保持媒体３の絶縁層１
１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電荷が
生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデン
サ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電
荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読むこ
とによって電荷保持体の電位を求めることができる。そ
して、電位読み取り部２１で電荷保持媒体面上を走査す
ることにより静電潜像を電気信号として出力することが
できる。なお、検出電極２３だけでは電荷保持媒体の検
出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電気
力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲
に接地したガード電極２５を配置するようにしてもよい
。

これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極２３に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び
電荷保持媒体との間隔によって大きく変わるため、要求
される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要が
ある。

第１１図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出
電極、ガード電極を絶縁性保護Ｗ！Ａ３１上に設け、絶
縁性保護膜を介して電位を検出する点以外は第１０図の
場合と同様である。

この方法によれば、電荷保持媒体に接触させて検出でき
るため検出電極との間隔を一定にすることができる。

第１２図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状
電極３３を直接電荷保持媒体に接触させ、その部分の電
位を検出するもので、検出面積を小さくすることができ
るので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極
を複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上
させることが可能となる。

以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増幅
型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。

第１３図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、２
２は検出電極、２４は増幅器、２６はメータである。

検出電極２２は振動し、電荷保持媒体３の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極２２における電位は、帯電面の静電電位
に応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変
化をインピーダンスＺの両端の電圧変化として取り出し
、コンデンサＣを通して交流骨を増幅器２４で増幅し、
メータ２６により読み取ることにより帯電面の静電電位
を測定することができる。

第１４図は回転型検出器の例を示し、図中２８は回転羽
根である。

電極２２と電荷保持媒体３の帯電面の間には導電性の回
転羽根２８が設けられて図示しない駆動手段により回転
駆動されている。その結果、検出電極２２と電荷保持媒
体３との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのため、
検出電極２２には帯電面の静電電位に応じた振幅の周期
的に変化する電位信号が検出され、この交流成分を増幅
器２４で増幅して読み取ることになる。

第１５図は振動容量型検出器の例を示し、２Ｂは駆動回
路、３０は振動片である。

駆動回路２８によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片３０を振動させて、コンデンサ容量を変化さ
せる。その結果、検出電極２２により検出される直流電
位信号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する
。この検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良
（電位測定することができる。

第１６図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、Ｃ７手法（コンピュータ断層映像法
）を用いて電位検出を行うものである。

検出電極３５を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した値
、卸ちＣＴにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第１６図（ロ）の矢印の
ように全面に行き渡るように走査し、さらに角度σを変
えて同様に走査していくことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにＣＴアルゴリズムを用いて演算処
理を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求
めることができる。

なお、第１７図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。

第１８図は集電型検出器の例を示し、図中、３２は接地
型金属円筒、３４は絶縁体、３６は集電器である。

集電器３６には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気がｔｊｉ
ｇ　して正負のイオン対が形成されている。これらのイ
オンは自然の状態では再結合および拡散によって消滅し
、平衡状態を保っているが、電界があると、熱運動によ
る空気分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の
方向に進み、電荷を運ぶ役割を果たす。

即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器３６も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。

従って、電荷保持媒体３の帯電面と接地金属円筒３２、
帯電体と集電器３６、および集電器３６と接地金属円筒
３２の間の抵抗をそれぞれＲ９、Ｒ１、Ｒ８とすると、
帯電体の電位をｖｌとすると、集電器３６の電位Ｖ、は
、定常状態では、Ｖｌ　＝Ｒ１Ｖｌ　／　（Ｒ１＋Ｒ，
”）となる。その結果、集電器３６の電位を読み取るこ
とによって電荷保持媒体３の電位を求めることができる
。

第１９図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図で
、３７は電子銃、３Ｂは電子ビーム、３９は第１ダイノ
ード、４０は２次電子増倍部であ電子銃３７から出た電
子を図示しない静電偏向あるいはは電磁偏向装置により
偏向して帯電面を走査する。走査電子ビームのうちの一
部は、帯電面の電荷と結合して充電電流が流れ、その分
帯電面の電位は平衡電位に下がる。残りの変調された電
子ビームは電子銃３７の方向に戻り、第１ダイノード３
９に衝突し、その２次電子が２次電子増倍部４０で増幅
されその陽極から信号出力として取り出される。この戻
りの電子ビームとして反射電子あるいは２次電子を使用
する。

電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な電
荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検出
される。潜像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部分
（露光部）ではエレクトロンによる蓄積電荷が少なく、
充′７！電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分
では最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの
逆でネガ型となる。

第２０図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、静電
潜像が形成された電荷保持媒体３をトナー現像し、着色
した面を光ビームにより照射してスキャニングし、その
反射光を充電変換器４１で電気信号に変換するものであ
り、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を達成
することができ、また光学的に簡便に静電電位の検出を
行うことができる。

第２１図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したＲ
、Ｇ、８分解像をトナー現像し、着色した面を光ビーム
により照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信号を得る
場合の例を示している。図中、４３は走査信号発生器、
４５はレーザー、４７は反射鏡、４９はハーフミラ−１
５１は光電変換器、５３．５５．５７はゲート回路であ
る。

走査信号発生器４３からの走査信号でレーザー４５から
のレーザー光を、反射鏡４７、ハーフミラ−４９を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−４９を介して光電変換器５１に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器４３からの信号に同期
してゲート回路５３．５５．５７を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路５３．５５
．５７が開閉制御されるので、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色してお
かなくてもＹＳＭ、Ｃの信号を得ることができる。

なお、カラー像が後述するように３面分割したものの場
合も、全く同様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、
この場合もＹ、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもよいこと
は同様である。

第２０図、第２１図に示した静電電位検出法においては
、トナー像が静電潜像の帯電量に対応したＴ特性を有し
ていることが必要で、そのため帯電量のアナログ的変化
に対してしきい値を持たないようにする必要がある。対
応さえとれていればＴ特性が一致していなくても電気的
な処理によってＴの補正を行うようにすればよい。

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明スる。

第２２図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、７１．７３．７５はプリズムブロック、７７．７９
．８１はフィルタ、８３．８５は反射鏡である。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１のａ面から入射した光情報は、ｂ面に
おいて一部が分離反射され、さらにａ面で反射されてフ
ィルタ７７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック７３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、フィルタ７９からＧ色光酸分、他は
直進してフィルタ８１からＲ色光成分が取り出される。

そして、Ｇ、Ｂ色光成分を、反射鏡８３．８５で反射さ
せることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出す
ことができる。

このようなフィルタ９１を、第２３図に示すように感光
体ｌの前面に配置して撮影することにより、第２３図（
ロ）のようにＲ，Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツト
で１コマを形成するか、また第２１図（ハ）に示すよう
に１平面上にＲ，Ｇ。

Ｂ像として並べて１セツトで１コマとすることもできる
。

第２４図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してＲ，Ｇ、Ｂストライブパターンを形成し、
それぞれＲ，Ｃ；、Ｂ染色することにより形成する方法
、または第２２図のような方法で色分解した光を、それ
ぞれ細いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの
干渉縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形
成する方法、または光導電体にマスクを密着させて露光
し、静電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライプパターンを形
成し、これをトナー現像して３回転写することによりカ
ラー合成してトナーのストライブを形成する方法等によ
り形成する。このような方法で形成されたフィルタのＲ
，Ｇ、８１組で１百素を形成し、１画素を１０μｍ程度
の微細なものにする。このフィルタを第２３図のフィル
タ９１として使用することによりカラー静電潜像を形成
することができる。この場合、フィルタは感光体と離し
て配置しても、あるいは感光体と一体に形成するように
してもよい。

第２５図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。

第２６図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１，８３及
び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。

〔作用〕

本発明の電荷保持媒体は、画像情報記録領域と音声情報
記録領域とを有し、感光体と対向して配置し、感光体と
の間に電圧を印加した状態で露光することにより画像情
報と共に音声情報を記録することができるので、画像情
報と共に音声情報の永久保存が可能となる。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂１０ｇ、キシレン−ブタノール１：ｌ
溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒
）：商品名　ＣＲ−１５を１重量％（０，２ｇ）加えて
よく撹拌し、Ａｌを１０００人蒸着レムガラス基板上に
ドクターブレード４ミルを用いてコーティングを行った
。

その後１５０°Ｃ，ｌｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０μ
ｍの電荷保持媒体（ａ）を得た。

また上記混合液を、Ａｌを１０００人蒸着レム１１００
ｐポリエステルフイルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ）を
得た。

また上記混合液を、Ａｌを１０００人蒸着レム４インチ
ディスク形状アクリル（１ｍ厚）基板上にスピンナー２
０００ｒｐｍでコーディングし、５０℃、３ｈｒ乾燥さ
せ、膜厚７μｍのディスク状電荷保持媒体（ｃ）を得た
。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０゜１ｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０μｍのＷ
１厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。

【実施例２〕 ポリイミド樹脂１０ｇ、、Ｎ−メチルピロリドン１０ｇ
の組成を有する混合液を、Ａｌを１０００人蒸着６たガ
ラス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐｍ
、２０秒）した、溶媒を乾燥させるため１５０℃で３０
分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０″Ｃ１
２時間加熱した。

膜厚８μｍを有する電荷保持媒体を得た。

〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮ
Ｐ　）作製方法 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（亜南香料（株）
製）、２，４．７−）リニトロフルオレノンＩＯｇ、ポ
リエステル樹脂２ｇ（バインダー七バイロン２００東洋
紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇ
の組成を有する混合液を暗所で作製し、■ｎ１０３−３
ｎＪを約１ｏｏｏ人の膜厚でスパッターしたガラス基板
（１■厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し、６０
°Ｃで約１時間遺風乾燥し、膜厚的１０ｐｍの光導電層
を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために、更
に１日自然乾燥を行って用いた。

（実施例４）・・・アモルファスシリコンａＳｉ：Ｈ無
機感光体の作製方法 ■基板洗浄 Ｓｎｏｗの薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社７０５９ガラス（２３ｘ１６ｘＯ。

９ｔ、光学研磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エ
タノール各液中、この順番に各々１０分ずつ超音波洗浄
する。

■装置の準備 洗浄の済んだ基板を第２７図の反応室２０４内のアノー
ド２０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内をｌ　Ｏ−’Ｔｏｒｒ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０＠Ｃ〜３５０’Ｃで約１時間行い、焼出し後装置
を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）の堆積 ガラス基板が３５０°Ｃになるようにヒーターを２０８
調整、加熱し、予めタンク２０１内で混合しておいたＰ
Ｈｓ　／Ｓ　１Ｈ４−１０００ｐｐｍのガスをニードル
バルブとＰＭＢの回転数を制御することによって反応室
２０４の内圧が２０（１＋Ｔ。

ｒｒになるように流し内圧が一定になった後、Ｍａ　ｔ
ｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ２０３を通じて、４０ＷのＲｒ　Ｐ
ｏｗｅｒ　２０２　（１３，５６ＫＨｚ）を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は４分
間ぜテい、Ｒｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる
。

その結果、ブロッキング層を構成する約０．　２μｍの
ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎ”　）膜が基板上に堆積された。

■ａ−３ｔ：Ｈの堆積 ５ＩＨ４１００％ガスを■と同じ方法で内圧が２　Ｑ　
Ｏｓ　Ｔｏｒｒになるように流し、内圧が一定になった
ところで、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ２０３を通じて４
０ＷのＲｆＰｏｗｅｒ　２０２　（１３，５６ＫＨｚ）
を投入し、プラズマを形成して７０分間維持する。堆積
終了はＲｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。Ｈ
ｅｎｔｅｒ２０　Ｂ　Ｏｆｆ後、基板が冷えテイルカら
取り出す。

この結果、約１８．８μｍの膜がａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）
Ｉ］！上に堆積された。

こうして５ｎＯｔ　／ａ　−Ｓ　ｉ　：　Ｈ（ｎ’″）
ブロッキング層／ａ−３ｔ：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２
０μｍの感光体を作製することができた。

（実ｍ例５）・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 セレン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が１３重量％の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−３ｏ−
Ｔｅ　”ａ膜を真空度１０−’Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法で
ＩＴＯガラス基板上に蒸着した。膜厚は１μｍとした。

さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法でＳ
ｅのみの蒸着を行いａ−５ｓ−Ｔｅ層上に１０μｍ　５
−５ｏ層を積層した。

〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法） クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍｊ！容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍｊ！を加
え、振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により、
約４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブル
ーを得る。ガラスビーズヲ濾通抜、ポリカーボネート、
ニーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加
え約４時間Ｖ！拌する。この溶液を夏ｎｚ０２−５ｎＯ
ｇを約１０００人スパッターしたガラス基板（１ｍｍ厚
）にドクターブレードを用いて塗布し、膜厚的ｌｌＩｍ
の電荷発生層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１゛−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ。

ポリカーボネート（ニーピロンＥ−２０００）Ｏ，Ｉｇ
、ジクロルエタン２．Ｏｇの組成を有する混合液ラドフ
タ−ブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０
μｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０°Ｃで２時間行っ
た。

〔実施例７〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチルｌｏｇにブチラール樹脂（積水化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
ｌＯ４塩、 ０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は１μｍ以下。

（を荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１） ０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚１
０μｍ以下であった。

〔実施例日〕

（電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積水化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ上に
塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の被
膜は、膜厚１ｕｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、６
０°Ｃ５２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μｍ以上で
あった。

〔実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１．ｃＩｍ塗布、６０“Ｃ１２時間以上
乾燥させた。

（電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積水化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣ１ｏ、塩０．
５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タッチ
ミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９，５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０°Ｃ，２時間以上乾燥させた。膜厚１０μ
ｍ以下であった。

〔実施例１０〕 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜
厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） 溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＩ　９１）０
．５ｇを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層
上に塗布、６０゛Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚は１
０μｍ以上であった。

〔実施例１１〕 （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム１（ＩＴＯ。

比抵抗１００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸
着させた。

また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。

（電荷注入防止層の形成方法） 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。

膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。

（電荷発生層の形成方法） 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
１ｉ１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は
２μｍ以下である。

（電荷輸送層の形成方法） 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０Ｉ！ｍ以下である。

〔実施例１２〕・・・熱エレクトレットの作製方法ポリ
弗化ビニリデンフィルム２０μｍ上に真空蒸着（１０−
”Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法）によりＡｊ２を１０００人蒸
着レムものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光
導電性感光体と共に静電潜像を形成する。

まず電荷保持媒体の／１基板側からホットプレー）（３
Ｘ３ｃｍ）を接触させ、１８０°Ｃに媒体を加熱する。

加熱直後に感光体を電荷保持媒体に１０μｍの空気ギャ
ップで表面同志を対向させ、貴重極間に一５５０ｖの電
圧を印加（感光体電極を負とする）し、露光させた。露
光はハロゲンランプを光源として、１０ルツクスで、文
字パターン原稿を介して感光体裏面から１秒間行った。

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字部）
には、−１５０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一１５０Ｖの電位が
測定された。

一方間様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電で表面に
一１５０Ｖの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−１５０ｖを示した露光部がＯｖと全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化して
いることがわかった。

〔実施例１３）・・・光エレクトレフトの作製方法１．
１ｍｍ厚のガラス支持体上にＡ！を、約１０００人スパ
ッタリング法により積層して基板とし、その／１層上に
硫化亜鉛を約１．５μｍの膜厚に蒸着（１０−’Ｔｏｒ
ｒ、抵抗加熱）させた。この硫化亜鉛層面に、ガラス上
に積層した１７０面を空気ギャップ１０μｍ設けて対向
させ、両電極間に＋７００Ｖの電圧を印加（／ｌ電極側
を負にする）した状態で、ＩＴＯ基板側から露光を行っ
た。

露光は実施例１１と同様にして行った。その結果露光部
には＋８０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例１１と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。

〔実施例１４〕 実に例４のアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）感光体、
実施例１（ａ）の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用
し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセットす
る。その際に感光体１と電荷保持媒体３間に空隙を設け
るため、第２８図に示すように１０μｍのポリエステル
フィルムをスペーサー２として露光面以外の周囲に配置
する。

感光体電極側を負、電荷保持媒体側を正にして電圧を７
００ｖ印加し、その状態で露出ｆ−１゜４、シャッタ−
スピード１／６０秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出ｆ−１，４、シャッター開放状態で１／６０秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。

屋外昼間の被写体撮影を行った。又カメラにはマイクロ
ホン、増幅器、音響光学変調器がセットで内蔵されてお
り、被写体逼影時の音声が電気信号として変換される構
成をしている。更に電荷保持媒体に音声信号を静電荷電
位として記録するために、カメラ中に半導体レーザー（
７８０ｎｍ　：１ｍｗ）が同時に内蔵されており、上記
変調器と組み合わせてレーザー光強度を音声信号に対応
したアナログ的な光記録を行う樟になっている。又レー
ザー光は時間的にポリゴンミラーでスキャニングされ電
荷保持媒体の一部分面積に電位信号として記録される。

実際に光学シャッターの前後５秒間、音声情報を光学信
号に変換し、電荷保持媒体に電荷保持媒体に電位情報と
して記録した結果、画像情報とは別に、撮影時の音声情
報が０■〜７０Ｖの間でアナログ的に記録された。

露光ＯＦＦ、電圧印加ＯＦＦ後、電荷保持媒体を明るい
所、あるいは暗いで所で取り出し、画像は以下の樺に、 ■微小面積電位読取り法によるＣＲＴ画像形成、■トナ
ー現象による画像形成を行った。

■では、１００Ｘ１００μｍの微小面積表面電位測定プ
ローブをＸ−Ｙ軸スキャニングを行い、１１００ｒ単位
の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位２００Ｖから未露光部０■までのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をＣＲＴ上で１００μｍの解
像度で顕像化することができた。

■では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式ト
ナー（黒）に１０秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度は１μｍの高解像度で
あった。

カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第２０図に示すようにプリズムの３面上にＲｌＧ、Ｂフ
ィルターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセットし
、ｆ−１，４、シャッタ−スピード１／３０秒で被写体
撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、　Ｂ潜像各々を同様の方法でスキャニングして
読み取り、Ｒ，Ｇ、　Ｂ潜像に対応した螢光発色をＣＲ
Ｔ上で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成すること
によりカラー画像を得た。

■トナー現像法 分解露光した電荷保持媒体をＲ，Ｇ、Ｂ潜像に対して負
に帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イエロ
ー）トナーで各々現像し、トナ−像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い、その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、電荷保持媒体による記録
情報のマルチ化が可能になり、画像情報と共に音声情報
の永久保存が可能となる。また、従来のビデオ装置等に
おける記録装置に対して音声情報記録装置のコンパクト
化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に使用する電荷保持媒体を説明するため
の図、第２図は光エレクトレットを用いた静電潜像記録
方法の原理を説明するための図、第３図は熱エレクトレ
ットを用いた静電潜像記録方法の原理を説明するための
図、第４図は本発明の音声、画像情報を記録した電荷保
持媒体を示す図、第５図、第６図は画像情報と音声情報
の記憶領域を示す図、第７図、第８図は本発明の電荷保
持媒体へ画像情報と共に音声情報を記録する方法を示す
図、第９図は循環メモリを使用した他の記録方法を示す
図、第１０図、第１１図、第１２図は直流増幅型の電位
読み取り方法の例を示す図、第１３図、第１４図、第１
５図は交流増幅型の電位読み取り方法の例を示す図、第
１６図、第１７図はＣＴススキャン法よる電位読み取り
方法の例を示す図、第１８図は集電型の電位読み取り方
法の例を示す図、第１９図は電子ビーム型の電位読み取
り方法の例を示す図、第２０図、第２１図はトナー着色
を利用した電位読み取り方法を説明するための図、第２
２図は色分解光学系の構成を示す図、第２３図はカラー
静電潜像を形成する場合の説明図、第２４図は微細カラ
ーフィルタの例を示す図、第２５図は微細カラーフィル
タとフレネルレンズを組み合わせた例を示す図、第２６
図はＮＤフィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルタの併用による３
面分割を示す図、第２７図はａ−３ｔ：Ｈ感光体の作製
方法を説明するための図、第２８図は本発明を適用した
静電カメラによる撮影の実施例を説明するための図であ
る。 ｌ・・・感光体、３・・・電荷保持媒体、Ｐ・・・画像
情報記憶領域、Ｓ・・・音声情報記録装置、１０１・・
・マイクロホン、１０２・・・増幅器、ｌＯ３・・・レ
ーザー、１０４・−・音響光学変調器、１０５・・・ポ
リゴンミラー、１０６・・・電源。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　蛭　川　昌　信（外４名）第１図 （ハ） （ニ） ； 訝 ト　　　　　　　　　　　ト 第４図 Ｕ享１１イ製ノ卜り彎１ンン炙； ＼３を荷僅将媒・ 第５図　　　　第６図 Ｓ苦声堀′零史 第７図 第８図 第　ｑ　図（イ） 第１０図 第１１図　　　　　　扼１２図 第１４図 ２ム 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 第２３図 第２６図 第２８図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）感光体と対向して配置し、感光体との間に電圧を
   印加した状態で露光することにより静電潜像を形成する
   電荷保持媒体であって、該電荷保持媒体は画像情報記録
   領域と、音声情報記録領域とを有し、それぞれ画像情報
   、音声情報が記録されていることを特徴とする音声、画
   像情報を記録した電荷保持媒体。
2. （２）音声情報記録領域は、電荷保持媒体の周辺部であ
   る請求項１記載の音声、画像情報を記録した電荷保持媒
   体。