JPH01293523A - 樹脂封止型半導体装置用封止金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用封止金型Info
- Publication number
- JPH01293523A JPH01293523A JP63124424A JP12442488A JPH01293523A JP H01293523 A JPH01293523 A JP H01293523A JP 63124424 A JP63124424 A JP 63124424A JP 12442488 A JP12442488 A JP 12442488A JP H01293523 A JPH01293523 A JP H01293523A
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- JP
- Japan
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- resin
- mold
- nickel
- phosphorus
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、封止金型、特に、樹脂封止型半導体装置の
対土工程に使用する樹脂封止型半導体装置用封止金型に
関する。
対土工程に使用する樹脂封止型半導体装置用封止金型に
関する。
［従来の技術］
リードフレーム上に搭載した半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止する際に使用する封止金型として、
従来、表面に硬質クロム被膜が施された下金型と上金型
が知られている。
成形により樹脂封止する際に使用する封止金型として、
従来、表面に硬質クロム被膜が施された下金型と上金型
が知られている。
封止金型は１３０〜２００℃に保持された状態で連続使
用されるため、耐熱性、耐食性、耐摩耗性などが要求さ
れる。このため、前記従来の封止金型の表面には硬質ク
ロム被膜が施されているのである。なお、樹脂封止完了
後の封止金型から樹脂封止された半導体装置を離型する
際にその離型を容易にするため、金型表面には外部離型
剤が塗布される。
用されるため、耐熱性、耐食性、耐摩耗性などが要求さ
れる。このため、前記従来の封止金型の表面には硬質ク
ロム被膜が施されているのである。なお、樹脂封止完了
後の封止金型から樹脂封止された半導体装置を離型する
際にその離型を容易にするため、金型表面には外部離型
剤が塗布される。
【発明が解決しようとする課題］
前記従来の封止金型では、硬質クロム被膜が使用されて
いるので、外部離型剤を塗布しない場合には離型性が悪
い。一方、外部離型剤を塗布した場合には、外部離型剤
の内部への混入により、得られた半導体装置の信頼性が
低下する。また、この場合には、外部離型剤が封止樹脂
の表面に付若することにより、表面が荒れるという問題
がある。
いるので、外部離型剤を塗布しない場合には離型性が悪
い。一方、外部離型剤を塗布した場合には、外部離型剤
の内部への混入により、得られた半導体装置の信頼性が
低下する。また、この場合には、外部離型剤が封止樹脂
の表面に付若することにより、表面が荒れるという問題
がある。
この発明の目的は、外部離型剤を使用しなくても優れた
離型性が得られる樹脂封止型半導体装置用封止金型を得
ることにある。
離型性が得られる樹脂封止型半導体装置用封止金型を得
ることにある。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る樹脂封止型半導体装置用封止金型は、リ
ードフレーム上に搭載した半導体素子をトランスファ成
形により樹脂封止する際に使用する封止金型である。前
記金型の表面には、ニッケル−リン被膜が形成されてい
る。
ードフレーム上に搭載した半導体素子をトランスファ成
形により樹脂封止する際に使用する封止金型である。前
記金型の表面には、ニッケル−リン被膜が形成されてい
る。
［作用コ
この発明に係る封止金型では、表面にニッケル−リン被
膜が形成されている。これにより、外部離型剤を塗布し
なくても、優れた離型性能が得られる。また、外部離型
剤を塗布しなくてもよいので、樹脂封止された半導体装
置の表面が外部離型剤により荒れるという問題は解消さ
れる。
膜が形成されている。これにより、外部離型剤を塗布し
なくても、優れた離型性能が得られる。また、外部離型
剤を塗布しなくてもよいので、樹脂封止された半導体装
置の表面が外部離型剤により荒れるという問題は解消さ
れる。
［実施例］
この発明の一実施例を示す第１図において、樹脂封止型
半導体装置用封止金型は、上金型１と下金型２とを有し
ている。両全型１．２の表面には、ニッケル−リン被膜
３．４が形成されている。この被膜３，４は、無電解析
出により形成され、３〜５μｍの厚さを有している。被
膜３，４の表面は、１０点平均粗さで０．１μｍ以下に
表面粗度が設定された鏡面となっている。
半導体装置用封止金型は、上金型１と下金型２とを有し
ている。両全型１．２の表面には、ニッケル−リン被膜
３．４が形成されている。この被膜３，４は、無電解析
出により形成され、３〜５μｍの厚さを有している。被
膜３，４の表面は、１０点平均粗さで０．１μｍ以下に
表面粗度が設定された鏡面となっている。
両全型１，２内に形成された凹所内には、下金型２に載
せられたリードフレーム５が配置されている。リードフ
レーム５には、半導体素子６が搭載されている。この半
導体素子６は、たとえば、コンパクトディスク用やカメ
ラ用の受光素子である。上金型１と下金型２とに形成さ
れた凹所内には、リードフレーム５と半導体素子６とを
覆うように、封止樹脂７，８が充填されている。封止樹
脂７．８は、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などか
らなる樹脂であり、フィラーを含んでいない。この樹脂
７，８は、受光素子としての半導体素子６の特性に応じ
て、可視光や紫外光などに関し透明な樹脂が使用されて
いる。すなわち、第１図の実施例では、リードフレーム
５上に搭載された半導体素子６が、トランスファ成形に
より封止樹脂７．８内に封止されている。
せられたリードフレーム５が配置されている。リードフ
レーム５には、半導体素子６が搭載されている。この半
導体素子６は、たとえば、コンパクトディスク用やカメ
ラ用の受光素子である。上金型１と下金型２とに形成さ
れた凹所内には、リードフレーム５と半導体素子６とを
覆うように、封止樹脂７，８が充填されている。封止樹
脂７．８は、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などか
らなる樹脂であり、フィラーを含んでいない。この樹脂
７，８は、受光素子としての半導体素子６の特性に応じ
て、可視光や紫外光などに関し透明な樹脂が使用されて
いる。すなわち、第１図の実施例では、リードフレーム
５上に搭載された半導体素子６が、トランスファ成形に
より封止樹脂７．８内に封止されている。
次に、金型１，２にニッケル−リン被膜３，４を形成す
るための具体例を説明する。ニッケル−リン被膜３，４
は無電解析出により形成される。
るための具体例を説明する。ニッケル−リン被膜３，４
は無電解析出により形成される。
めっき液としては、たとえば、次亜リン酸ナトリウムと
硫酸ニッケルとを主成分とするｐＨ３〜６のめつき液で
、リンを７〜１５％含有しているものが使用される。無
電解析出により被ＩＩ！［３，４を形成する条件は、た
とえば次のようなものである。
硫酸ニッケルとを主成分とするｐＨ３〜６のめつき液で
、リンを７〜１５％含有しているものが使用される。無
電解析出により被ＩＩ！［３，４を形成する条件は、た
とえば次のようなものである。
めっき処理温度は、８０〜１００℃にたとえば設定され
る。めっき後の熱処理条件は、たとえば２８０℃で３０
分間である。なお、被膜３，４の硬さはこの熱処理温度
により決定され、ビッカース硬さで約８００Ｈｖ以上の
硬さを有する被膜３゜４を形成することが好ましい。
る。めっき後の熱処理条件は、たとえば２８０℃で３０
分間である。なお、被膜３，４の硬さはこの熱処理温度
により決定され、ビッカース硬さで約８００Ｈｖ以上の
硬さを有する被膜３゜４を形成することが好ましい。
被膜形成の際には、まず、無電解析出によりニッケル−
リン被膜が約４０μｍの厚さで金型１゜２の表面に形成
される。その後、研摩により被膜は３〜５μｍの厚さと
され、本発明に係るニッケル−リン被膜３．４が得られ
る。なお、ニッケル−リンめっきでは、めっき液中のご
みやめっき時の水素の発生が原因となってピンホールな
どの欠陥ができやすいので、単に３〜５μｍの厚さにめ
っきしただけでは、確実な被膜３．４を形成することが
できない。
リン被膜が約４０μｍの厚さで金型１゜２の表面に形成
される。その後、研摩により被膜は３〜５μｍの厚さと
され、本発明に係るニッケル−リン被膜３．４が得られ
る。なお、ニッケル−リンめっきでは、めっき液中のご
みやめっき時の水素の発生が原因となってピンホールな
どの欠陥ができやすいので、単に３〜５μｍの厚さにめ
っきしただけでは、確実な被膜３．４を形成することが
できない。
次に、この実施例の作用について説明する。
まず、下金型２上に、半導体素子６を搭載したリードフ
レーム５を載せる。そして、上金型１を下金型２上に合
わせた後、トランスファ成形により封止樹脂７．８で樹
脂封止する。
レーム５を載せる。そして、上金型１を下金型２上に合
わせた後、トランスファ成形により封止樹脂７．８で樹
脂封止する。
金型１，２内に注入する樹脂７．８は、たとえば酸無水
物系硬化剤からなるエポキシ樹脂であり、半導体素子６
やリードフレーム５の表面に強固に接着する。しかし、
この樹脂７，８は、ニッケル−リン被膜３，４には接着
性を示さない。したがって、得られた樹脂封止型半導体
装置は、外部離型剤を用いなくても容易に１ｌｉｔ型す
ることができる。
物系硬化剤からなるエポキシ樹脂であり、半導体素子６
やリードフレーム５の表面に強固に接着する。しかし、
この樹脂７，８は、ニッケル−リン被膜３，４には接着
性を示さない。したがって、得られた樹脂封止型半導体
装置は、外部離型剤を用いなくても容易に１ｌｉｔ型す
ることができる。
第２図は、従来例とこの実施例との金型１，２に対する
樹脂封止型半導体装置の接着力を比較した結果を示す。
樹脂封止型半導体装置の接着力を比較した結果を示す。
第２図では、めっきを施さなかった鉄系の金型に対する
樹脂の接着力を１００とした場合の相対的な接着力を示
している。第２図から明らかなように、従来の金型に比
べて、この実施例によれば、樹脂封止型半導体装置の金
型への接着力が各段に低下することがわかる。
樹脂の接着力を１００とした場合の相対的な接着力を示
している。第２図から明らかなように、従来の金型に比
べて、この実施例によれば、樹脂封止型半導体装置の金
型への接着力が各段に低下することがわかる。
この実施例では、外部離型剤を塗布する必要がないので
、得られた樹脂封止型半導体装置の表面は滑らかである
。したがって、この実施例によれば、外観を損なうこと
なく樹脂封止型半導体装置を金型から離型することが容
易に行なえる。
、得られた樹脂封止型半導体装置の表面は滑らかである
。したがって、この実施例によれば、外観を損なうこと
なく樹脂封止型半導体装置を金型から離型することが容
易に行なえる。
なお、本発明を実施するにあたり使用される半導体素子
としては、受光素子に限られることはない。光の透過性
を必要としない半導体素子については、封止樹脂として
透明のものを使用する必要がなく、たとえば黒色の樹脂
を使用することもできる。また、樹脂にはフィラーが含
まれていてもよい。このような場合でも、上記実施例と
同様の効果を奏し、外観を損なうことなく容易に離型を
行なうことができる。
としては、受光素子に限られることはない。光の透過性
を必要としない半導体素子については、封止樹脂として
透明のものを使用する必要がなく、たとえば黒色の樹脂
を使用することもできる。また、樹脂にはフィラーが含
まれていてもよい。このような場合でも、上記実施例と
同様の効果を奏し、外観を損なうことなく容易に離型を
行なうことができる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、金型の表面にニッケ
ル−リン被膜を形成したので、離型性が良くなり、外部
離型剤を塗布する必要がなくなる。
ル−リン被膜を形成したので、離型性が良くなり、外部
離型剤を塗布する必要がなくなる。
したがって、この発明によれば、外部離型剤の混入によ
る信頼性の低下や、表面の荒れの問題は解消される。
る信頼性の低下や、表面の荒れの問題は解消される。
第１図は、この発明の一実施例の縦断面部分図である。
第２図は、相対接着力を示すグラフである。
１．２は金型、３．４はニッケル−リン被膜−５はリー
ドフレーム、６は半導体素子、７．８は封止樹脂である
。
ドフレーム、６は半導体素子、７．８は封止樹脂である
。
Claims (1)
- リードフレーム上に搭載した半導体素子をトランスフ
ァ成形により樹脂封止する際に使用する樹脂封止型半導
体装置用封止金型において、前記金型の表面にニッケル
−リン被膜を形成した樹脂封止型半導体装置用封止金型
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124424A JPH01293523A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 樹脂封止型半導体装置用封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124424A JPH01293523A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 樹脂封止型半導体装置用封止金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293523A true JPH01293523A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14885141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124424A Pending JPH01293523A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 樹脂封止型半導体装置用封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293523A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5800747A (en) * | 1996-07-02 | 1998-09-01 | Motorola, Inc. | Method for molding using an ion implanted mold |
| US5800841A (en) * | 1994-11-24 | 1998-09-01 | Apic Yamada Corporation | Resin molding machine |
| US5824252A (en) * | 1995-02-22 | 1998-10-20 | Apic Yamada Corporation | Method of resin molding and resin molding machine for the same |
| US5891384A (en) * | 1994-11-21 | 1999-04-06 | Apic Yamada Corporation | Method of operating a molding machine with release film |
| US5928595A (en) * | 1995-05-01 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component |
| NL1015104C2 (nl) * | 2000-05-03 | 2001-11-06 | Guus Jochem Van Der Sluis | Oppervlakte behandeling van onderdelen van spuitgiet- en extrusiemachines. |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124424A patent/JPH01293523A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891384A (en) * | 1994-11-21 | 1999-04-06 | Apic Yamada Corporation | Method of operating a molding machine with release film |
| US5800841A (en) * | 1994-11-24 | 1998-09-01 | Apic Yamada Corporation | Resin molding machine |
| US6444157B1 (en) | 1994-11-24 | 2002-09-03 | Apic Yamada Corporation | Method of resin molding |
| US5824252A (en) * | 1995-02-22 | 1998-10-20 | Apic Yamada Corporation | Method of resin molding and resin molding machine for the same |
| US5928595A (en) * | 1995-05-01 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component |
| US5800747A (en) * | 1996-07-02 | 1998-09-01 | Motorola, Inc. | Method for molding using an ion implanted mold |
| NL1015104C2 (nl) * | 2000-05-03 | 2001-11-06 | Guus Jochem Van Der Sluis | Oppervlakte behandeling van onderdelen van spuitgiet- en extrusiemachines. |
| WO2001083856A1 (en) * | 2000-05-03 | 2001-11-08 | Sluis Guus Jochem V D | Surface treatment of parts of die-cast and extrusion machines |
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