JPS6068336A - リソグラフィー用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフィー用マスク構造体Info
- Publication number
- JPS6068336A JPS6068336A JP58177286A JP17728683A JPS6068336A JP S6068336 A JPS6068336 A JP S6068336A JP 58177286 A JP58177286 A JP 58177286A JP 17728683 A JP17728683 A JP 17728683A JP S6068336 A JPS6068336 A JP S6068336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- thin film
- holding
- lithography
- holding substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はリングラフイーにおいて用いられるマスク構造
体に関する。
体に関する。
リソグラフィー技術を用いて被加工材表面を部分的に変
質せしめることによシ各種製品を製造することか工業上
特に電子工業の分野において広く利用されており、この
方法によればノ９ターンが同一の表面変質部を有する製
品を大量に製造できる。
質せしめることによシ各種製品を製造することか工業上
特に電子工業の分野において広く利用されており、この
方法によればノ９ターンが同一の表面変質部を有する製
品を大量に製造できる。
被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射により行わ
れ、この際のノやターン形成のため、部分的にエネルギ
ー遮断材を配置してなるマスクが用いられる◇この様な
マスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガ
ラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗
布したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に
付与したものが用いられていた。
れ、この際のノやターン形成のため、部分的にエネルギ
ー遮断材を配置してなるマスクが用いられる◇この様な
マスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガ
ラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗
布したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に
付与したものが用いられていた。
しかるに、近年、より微細な・リーン形成がめられ更に
より短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれて
、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子線
が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは上
記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガラ
ス板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。この
ため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や石
英板を用いてマスクを形成することは好ましくない。そ
こで、Ｘ線や粒子線を照射エネルギーとして用いるリソ
グラフィーにおいては各種の無機薄膜たとえばチッ化シ
リコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄膜、ある
いは各種の有機薄膜たとえばポリイミド、ポリアミド又
はポリエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄膜をエ
ネルギー透過体として用い、これらの面上に金、白金、
ニッケル、ツヤラジウム、ロジウム又はインゾウム等の
金ａｔエネルギー不透過体として部分的に付与すること
により、マスクを形成することが行われている。このマ
スクは自己保形性がないので適宜の保持体に支持される
。かくして構成されるマスク構造体として、従米第１図
に断面図を示す如きものが用いられていた。これはエネ
ルギー吸収性のマスク材１を所望のノ！ターンにて片面
に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜２の周辺部を
環状保持基板３の一端面（図においては上端面）に接着
剤４を用いて貼着することにより形成されていた。尚、
第２図は保持基板３の平面図である。
より短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれて
、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子線
が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは上
記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガラ
ス板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。この
ため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や石
英板を用いてマスクを形成することは好ましくない。そ
こで、Ｘ線や粒子線を照射エネルギーとして用いるリソ
グラフィーにおいては各種の無機薄膜たとえばチッ化シ
リコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄膜、ある
いは各種の有機薄膜たとえばポリイミド、ポリアミド又
はポリエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄膜をエ
ネルギー透過体として用い、これらの面上に金、白金、
ニッケル、ツヤラジウム、ロジウム又はインゾウム等の
金ａｔエネルギー不透過体として部分的に付与すること
により、マスクを形成することが行われている。このマ
スクは自己保形性がないので適宜の保持体に支持される
。かくして構成されるマスク構造体として、従米第１図
に断面図を示す如きものが用いられていた。これはエネ
ルギー吸収性のマスク材１を所望のノ！ターンにて片面
に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜２の周辺部を
環状保持基板３の一端面（図においては上端面）に接着
剤４を用いて貼着することにより形成されていた。尚、
第２図は保持基板３の平面図である。
ところが、以上の如き従来のマスク構造体においては、
接着剤２の塗布のやり方によりその厚みに不均一が生じ
たシ、保持薄膜２の周辺部から接着剤がはみ出したり、
更に接着後の保持薄膜２の周辺部切除によるめくれ上シ
が生じたシするため、保持薄膜２の平面反を良好に保つ
ことが困難であった。これにともないリソグラフィーに
おけるｔ青変不良が発生し易かった。
接着剤２の塗布のやり方によりその厚みに不均一が生じ
たシ、保持薄膜２の周辺部から接着剤がはみ出したり、
更に接着後の保持薄膜２の周辺部切除によるめくれ上シ
が生じたシするため、保持薄膜２の平面反を良好に保つ
ことが困難であった。これにともないリソグラフィーに
おけるｔ青変不良が発生し易かった。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、保持基板にマス
ク材保持薄膜を接着してなるリソグラフィー用マスク構
造体において保持薄膜の平面度を向上させることを目的
とする。
ク材保持薄膜を接着してなるリソグラフィー用マスク構
造体において保持薄膜の平面度を向上させることを目的
とする。
第３図は本発明によるマスク構造体の一実施例の断面図
である。マスク材１は保持薄膜２０片面に所望の・平タ
ーンにて付与されている。マスク材１としてはたとえば
金、白金、ニッケル、・ヤラジウム、ロジウム、イン・
ゾウム等の０．７μ傷度の薄膜が用いられる。保持薄膜
２としてはたとえばチツ化シリコン、チッ化ホウ素、酸
化シリコン等の無機薄膜又はＩリイミド、ポリアミド、
ポリエステル等の有機薄膜が用いられ、その厚さはたと
えば２〜１２μである。保持薄膜２の周辺部は環状保持
基板３に接着剤４により接着されている。尚、第４図は
保持基板３の平面図である。保持基板３の最上部平端面
３ａには接着剤４が塗布されておらず、該平端面３＆の
外側に該面３ａと滑らかに連なる面３ｂにのみ塗着剤が
塗布されている。保持基板３としてはたとえばシリコン
、ガラス、石英、リン青銅、黄銅、ニッケル、ステンレ
ス等が用いられる。接着剤４としてはたとえばエポキシ
系、プム系その他適宜のものがたとえば溶剤型、熱硬化
型、光硬化型として用いられる。
である。マスク材１は保持薄膜２０片面に所望の・平タ
ーンにて付与されている。マスク材１としてはたとえば
金、白金、ニッケル、・ヤラジウム、ロジウム、イン・
ゾウム等の０．７μ傷度の薄膜が用いられる。保持薄膜
２としてはたとえばチツ化シリコン、チッ化ホウ素、酸
化シリコン等の無機薄膜又はＩリイミド、ポリアミド、
ポリエステル等の有機薄膜が用いられ、その厚さはたと
えば２〜１２μである。保持薄膜２の周辺部は環状保持
基板３に接着剤４により接着されている。尚、第４図は
保持基板３の平面図である。保持基板３の最上部平端面
３ａには接着剤４が塗布されておらず、該平端面３＆の
外側に該面３ａと滑らかに連なる面３ｂにのみ塗着剤が
塗布されている。保持基板３としてはたとえばシリコン
、ガラス、石英、リン青銅、黄銅、ニッケル、ステンレ
ス等が用いられる。接着剤４としてはたとえばエポキシ
系、プム系その他適宜のものがたとえば溶剤型、熱硬化
型、光硬化型として用いられる。
尚、以上の実施例において保持基板３と最上部平端面３
ａ以外の面で接する保持薄膜２０部分はその立体的形状
に基き余剰部分を生ずるが、これは予め適宜切除してお
けばよい。
ａ以外の面で接する保持薄膜２０部分はその立体的形状
に基き余剰部分を生ずるが、これは予め適宜切除してお
けばよい。
以上の如き本発明のマスク構造体によれば、保持薄膜２
と保持基板３との接着は薄膜２のマスク（５） 材１保持子面外において行われるので、接着剤４の塗布
及び薄膜２０周辺切除によってはマスク材１保持面の平
面度は影響を受けず良好な平面度を保つことができ、更
に保持基板３の最上部平端面に続いて外方且つ下方に滑
らかに連なる面が形成されているので保持薄膜２のマス
ク材１保持平面には周囲から均等な力が加えられその平
面度は一層良好となる。
と保持基板３との接着は薄膜２のマスク（５） 材１保持子面外において行われるので、接着剤４の塗布
及び薄膜２０周辺切除によってはマスク材１保持面の平
面度は影響を受けず良好な平面度を保つことができ、更
に保持基板３の最上部平端面に続いて外方且つ下方に滑
らかに連なる面が形成されているので保持薄膜２のマス
ク材１保持平面には周囲から均等な力が加えられその平
面度は一層良好となる。
第１図は従来のマスク構造体の断面図であシ、第２図は
その保持基板の平面図である。第３図は本発明によるマ
スク構造体の断面図であシ、第４図はその保持基板の平
面図である。 １：マスク材、２：保持薄膜、３：保持基板、４：接着
剤。 （６） 第１図 第２図 第３図 手続補正書（方式） ％式％ ■、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８６号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル昭和５９年 １月３１日 −９リク
その保持基板の平面図である。第３図は本発明によるマ
スク構造体の断面図であシ、第４図はその保持基板の平
面図である。 １：マスク材、２：保持薄膜、３：保持基板、４：接着
剤。 （６） 第１図 第２図 第３図 手続補正書（方式） ％式％ ■、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８６号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル昭和５９年 １月３１日 −９リク
Claims (1)
- （１）表面に所望の７４ターンにてマスク材を付与して
なるマスク材保持薄膜の周辺部を環状保持基板の上端面
上に保持せしめたリソグラフィー用マスク構造体におい
て、保持基板の最上部平端面と滑らかに連なり且つ該平
端面より下方に位置する外周面において又は該外周面に
連なる面においてマスク材保持薄膜と保持基板との接着
がなされていることを特徴とする、リソグラフィー用マ
スク構造体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177286A JPS6068336A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィー用マスク構造体 |
| DE19843435177 DE3435177A1 (de) | 1983-09-26 | 1984-09-25 | Maske fuer lithographische zwecke |
| GB08424300A GB2148539B (en) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | Lithographic mask |
| US07/398,309 US4956249A (en) | 1983-09-26 | 1989-08-25 | Mask structure for lithography |
| US07/534,875 US5112707A (en) | 1983-09-26 | 1990-06-08 | Mask structure for lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177286A JPS6068336A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィー用マスク構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068336A true JPS6068336A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0563933B2 JPH0563933B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=16028369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177286A Granted JPS6068336A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィー用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3615453A1 (de) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Alps Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Tuerschalteranordnung fuer eine gefrier-/kuehlkombination |
| JPS6252931A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JP2009519593A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434682A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Soft xxray lithography mask and method of producing same |
| JPS54124977A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-28 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Xxray exposure mask |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177286A patent/JPS6068336A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434682A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Soft xxray lithography mask and method of producing same |
| JPS54124977A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-28 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Xxray exposure mask |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3615453A1 (de) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Alps Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Tuerschalteranordnung fuer eine gefrier-/kuehlkombination |
| JPS6252931A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JP2009519593A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563933B2 (ja) | 1993-09-13 |
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