JPH01293702A - 反射型可変抵抗減衰器 - Google Patents
反射型可変抵抗減衰器Info
- Publication number
- JPH01293702A JPH01293702A JP12389188A JP12389188A JPH01293702A JP H01293702 A JPH01293702 A JP H01293702A JP 12389188 A JP12389188 A JP 12389188A JP 12389188 A JP12389188 A JP 12389188A JP H01293702 A JPH01293702 A JP H01293702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin diode
- input
- variable resistance
- electrode
- resistance attenuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＰＩＮダイオードを用いて構成される反射型可
変抵抗減衰器に関する。
変抵抗減衰器に関する。
［従来の技術］
従来、この種のパフケージ入りＰＩＮダイオードを用い
た反射型可変抵抗減衰器としては、第３図、第４図に示
すような構成のものがあった。ここで、第３図は回路構
成図、第４図は回路基板上の実装状態を示す平面図であ
る。
た反射型可変抵抗減衰器としては、第３図、第４図に示
すような構成のものがあった。ここで、第３図は回路構
成図、第４図は回路基板上の実装状態を示す平面図であ
る。
パッケージ１内に収納されたＰＩＮダイオード２は、一
方の電極をポンディングワイヤ５により、回路基板上の
入出カポ−ドア、８へ共通に接続されている。また、他
方の電極は１回路基板上の接地用スルーホール９に接続
されている。なお、１１はバイアス電流をＰＩＮダイー
ド２に流すためのバイアスポートである。
方の電極をポンディングワイヤ５により、回路基板上の
入出カポ−ドア、８へ共通に接続されている。また、他
方の電極は１回路基板上の接地用スルーホール９に接続
されている。なお、１１はバイアス電流をＰＩＮダイー
ド２に流すためのバイアスポートである。
上記の反射型可変抵抗減衰器は、入力ポードア、８の特
性インピーダンスとＰＩＮダイオード２のインピーダン
スの比により、減衰量を最大とするものであった。
性インピーダンスとＰＩＮダイオード２のインピーダン
スの比により、減衰量を最大とするものであった。
［解決すべき問題点］
第６図は上述した反射型可変抵抗減衰器の周波数対減衰
量の特性を示す図である。
量の特性を示す図である。
同図かられかるように、従来の反射型可変抵抗減衰器で
は、ＰＩＮタイオードとパッケージ端子を接続するポン
ディングワイヤの容量により、高周波数領域で、入出力
ポートの特性インピーダンスとＰＩＮダイオードのイン
ピーダンスの比がとれず、減衰量が少なくなるという欠
点があった。
は、ＰＩＮタイオードとパッケージ端子を接続するポン
ディングワイヤの容量により、高周波数領域で、入出力
ポートの特性インピーダンスとＰＩＮダイオードのイン
ピーダンスの比がとれず、減衰量が少なくなるという欠
点があった。
本発明はこのような問題点にかんがみてなされたもので
、高周波数領域でも十分な減衰量がある反射型可変抵抗
減衰器の提供を目的とする。
、高周波数領域でも十分な減衰量がある反射型可変抵抗
減衰器の提供を目的とする。
［問題点の解決手段］
上記目的を達成するために１本発明の反射型可変抵抗減
衰器は、パッケージ内の接地導体に実装したＰＩＮダイ
オードと、パッケージに個別に分離して設けた入出力端
子とを備え、上記入出力端子を介して上記ＰＩＮダイオ
ードの一方の電極を回路基板上の入出力ポートにふり分
けて接続するとともに、上記ＰＩＮダイオードの他方の
電極を接地した構成としである。
衰器は、パッケージ内の接地導体に実装したＰＩＮダイ
オードと、パッケージに個別に分離して設けた入出力端
子とを備え、上記入出力端子を介して上記ＰＩＮダイオ
ードの一方の電極を回路基板上の入出力ポートにふり分
けて接続するとともに、上記ＰＩＮダイオードの他方の
電極を接地した構成としである。
［実施例］
以下１本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本実施例に係る反射型可変抵抗減衰器の回路構
成図、第２図は同じく回路基板上の実装状態を示す平面
図である。
成図、第２図は同じく回路基板上の実装状態を示す平面
図である。
ＰＩＮタイオード２は、パッケージ１内の接地導体に実
装されている。また、パフケージ１には入出力端子３，
４が個別に分離して設けである。
装されている。また、パフケージ１には入出力端子３，
４が個別に分離して設けである。
これら入出力端子３．４は、ポンディングワイヤ５．６
により、ＰＩＮダイオード２の一方の電極とそれぞれ接
続しである。さらに、入出力端子３．４は、回路基板上
の入出カポ−ドア、８に接続されており、これによりＰ
ＩＮダイオード２の一方の電極は、入出カポ−ドア、８
へそれぞれふり分けて接続した構成となっている。
により、ＰＩＮダイオード２の一方の電極とそれぞれ接
続しである。さらに、入出力端子３．４は、回路基板上
の入出カポ−ドア、８に接続されており、これによりＰ
ＩＮダイオード２の一方の電極は、入出カポ−ドア、８
へそれぞれふり分けて接続した構成となっている。
ＰＩＮダイオード２の他方の電極は、接地用スルーホー
ル９，１０に接続されている。また、バイアスポー）１
１から、入力ポードアを介してＰＩＮダイオード２の一
方の電極に、バイアス電流を流すことができるようにな
っている。
ル９，１０に接続されている。また、バイアスポー）１
１から、入力ポードアを介してＰＩＮダイオード２の一
方の電極に、バイアス電流を流すことができるようにな
っている。
上述した４１１戊の反射型可変抵抗減衰器は、ＰＩＮダ
イオード２の一方の電極を別個に設けた入出力端子３，
４にそれぞれふり分けて接続したので、減衰量が、バイ
アス電流により変化するＰＩＮダイオード２のインピー
ダンスと入出カポ−）７ 、８に接続したポンディング
ワイヤ５，６との比により決定する。
イオード２の一方の電極を別個に設けた入出力端子３，
４にそれぞれふり分けて接続したので、減衰量が、バイ
アス電流により変化するＰＩＮダイオード２のインピー
ダンスと入出カポ−）７ 、８に接続したポンディング
ワイヤ５，６との比により決定する。
したがって、第５図に示すように、高周波数領域でもイ
ンピーダンス比が大きくなり、十分な減衰量をとること
ができる。
ンピーダンス比が大きくなり、十分な減衰量をとること
ができる。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明の反射型可変抵抗減衰器に
よれば、パッケージに別個に分離して設けた入出力端子
に、ＰＩＮダイオードの一方の電極をそれぞれふり分け
て接続したので、高周波領域でも十分な減衰量を得られ
る効果がある。
よれば、パッケージに別個に分離して設けた入出力端子
に、ＰＩＮダイオードの一方の電極をそれぞれふり分け
て接続したので、高周波領域でも十分な減衰量を得られ
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例に係る反射型可変抵抗減衰器
の回路構成図、第２図は同じく回路基板上の実装状態を
示す平面図、第３図は従来の反射型可変抵抗減衰器の回
路構成図、第４図は同じく回路基板上の実装状態を示す
平面図、第５図は本発明の一実施例に係る反射型可変抵
抗減衰器の周波数対減衰量の特性図、第６図は従来の反
射型可変抵抗減衰器の周波数対減衰量の特性図である。 ｌ：パッケージ ２：ＰＩＮダイオード３：入力端子
４：出力端子 ５．６＝ポンデイングワイヤ ７：入力ポート ８：出力ポート ９．１０：接地用スルーホール １１：バイアスポート
の回路構成図、第２図は同じく回路基板上の実装状態を
示す平面図、第３図は従来の反射型可変抵抗減衰器の回
路構成図、第４図は同じく回路基板上の実装状態を示す
平面図、第５図は本発明の一実施例に係る反射型可変抵
抗減衰器の周波数対減衰量の特性図、第６図は従来の反
射型可変抵抗減衰器の周波数対減衰量の特性図である。 ｌ：パッケージ ２：ＰＩＮダイオード３：入力端子
４：出力端子 ５．６＝ポンデイングワイヤ ７：入力ポート ８：出力ポート ９．１０：接地用スルーホール １１：バイアスポート
Claims (1)
- パッケージ内の接地導体に実装したＰＩＮダイオードと
、パッケージに個別に分離して設けた入出力端子とを備
え、上記入出力端子を介して上記ＰＩＮダイオードの一
方の電極を回路基板上の入出力ポートにふり分けて接続
するとともに、上記ＰＩＮダイオードの他方の電極を接
地したことを特徴とする反射型可変抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12389188A JPH01293702A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 反射型可変抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12389188A JPH01293702A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 反射型可変抵抗減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293702A true JPH01293702A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14871908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12389188A Pending JPH01293702A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 反射型可変抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293702A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163703A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Nec Corp | Ｐｉｎダイオ−ド減衰器 |
| JPS62279703A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 可変減衰器 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12389188A patent/JPH01293702A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163703A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Nec Corp | Ｐｉｎダイオ−ド減衰器 |
| JPS62279703A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 可変減衰器 |
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