JPH09294005A - Ｓ／ｎエンハンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 伝送線路に占める減衰器の長さを短くできる
Ｓ／Ｎエンハンサを提供する。 【解決手段】 Ｓ／Ｎエンハンサは、第１のコプレナラ
イン１２ａおよび第２のコプレナライン１２ｂを含む。
第１および第２のコプレナライン１２ａおよび１２ｂ
は、中心導体１４ａおよび１４ｂを含む。中心導体１４
ａおよび１４ｂは、一端部近傍が略Ｌ字形状に折り曲げ
られて形成される。第１および第２のコプレナライン１
２ａおよび１２ｂの間には、π型抵抗減衰器３０が接続
される。π型抵抗減衰器３０は、第１のチップ抵抗１８
と第２のチップ抵抗２０ａおよび２０ｂを含む。中心導
体１４ａおよび１４ｂの一端部近傍間が、第１のチップ
抵抗１８を介して接続される。また、中心導体１４ａの
一端部とグランド電極１６との間が、第２のチップ抵抗
２０ａを介して接続され、中心導体１４ｂの一端部とグ
ランド電極１６との間が、第２のチップ抵抗２０ｂを介
して接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＳ／Ｎエンハンサ
に関し、特にたとえば、一対の静磁波フィルタを用いた
Ｓ／Ｎエンハンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】この発明の背景となる従来のＳ／Ｎエン
ハンサは、たとえば特開平４−１２３５０２号や特開平
６−２６０８１１号に開示されている。このＳ／Ｎエン
ハンサは、マイクロ波領域等の高周波信号における信号
対雑音（あるいは妨害波）比を改善するためのものであ
る。

【０００３】図３は、この発明の背景となり、かつこの
発明が適用されるＳ／Ｎエンハンサを示すブロック図で
ある。図３に示すＳ／Ｎエンハンサ１は、入力端子２を
含む。入力端子２は、入力された信号を１／２ずつにし
て、２つの経路に分配するための分配器３の入力端に接
続される。

【０００４】また、このＳ／Ｎエンハンサ１は、たとえ
ば表面静磁波モードを利用した２つの静磁波フィルタ４
ａおよび４ｂを含む。静磁波フィルタ４ａおよび４ｂ
は、それぞれ互いに同一の特性を有するものが使用され
る。これらの静磁波フィルタ４ａおよび４ｂは、それぞ
れ静磁波素子を含む。静磁波素子は、高周波基板上に形
成される。静磁波素子としては、ＧＧＧ基板の一方主面
にＹＩＧ薄膜を形成し、そのＹＩＧ薄膜の上に入力用お
よび出力用のトランスデューサを形成したものが使用さ
れる。この静磁波フィルタは、線型動作をする範囲内に
おいては、マイクロ波を一旦静磁波に変換し、続いて線
型の関係で再びマイクロ波に変換するフィルタである。
この静磁波フィルタにしきい値を越えるレベルの信号が
入力された場合には、飽和特性に従って出力信号の振幅
が制限される。

【０００５】分配器３の２つの出力端のうちの一方は、
静磁波フィルタ４ａの入力用トランスデューサに接続さ
れる。静磁波フィルタ４ａの出力用トランスデューサ
は、減衰器５の入力端に接続される。この減衰器５は、
静磁波フィルタ４ａおよび４ｂが線型動作をしている際
に、それぞれの出力信号の振幅を揃えるためのものであ
る。分配器３の２つの出力端のうちの他方は、減衰器６
の入力端に接続される。減衰器６は、分配器３からの信
号の振幅を減衰させるためのものである。減衰器６の出
力端は、静磁波フィルタ４ｂの入力用トランスデューサ
に接続される。静磁波フィルタ４ｂの出力用トランスデ
ューサは、移相器７の入力端に接続される。移相器７
は、静磁波フィルタ４ｂの出力信号の位相を減衰器５を
通過した出力信号の位相と逆位相にするためのものであ
る。減衰器５の出力端および移相器７の出力端は、それ
ぞれ合成器８の入力端に接続される。合成器８は、減衰
器５を通過した出力信号と移相器７を通過した出力信号
とを一つに合成するためのものである。そして、合成器
８の出力端は、Ｓ／Ｎエンハンサ１の出力端子９に接続
される。

【０００６】上述の減衰器５および６としては、それぞ
れπ型抵抗減衰器が用いられる。図４は、従来のπ型抵
抗減衰器の一例を示す平面図解図であり、図５はその等
価回路図である。従来のπ型抵抗減衰器１０は、伝送線
路としてのコプレナライン１２ａおよび１２ｂ間に接続
される。コプレナライン１２ａおよび１２ｂは、図３に
示す静磁波フィルタ４ａまたは４ｂのトランスデューサ
と、分配器３または合成器８とを電気的に接続するため
のものである。また、コプレナライン１２ａおよび１２
ｂは、マッチング回路としても働くものである。コプレ
ナライン１２ａおよび１２ｂは、図４に示すようにそれ
ぞれ中心導体１４ａおよび１４ｂを含む。中心導体１４
ａおよび１４ｂは、それぞれの一端部間に所定の間隔を
開けながら互いに対向し、一端部から互いに逆方向に延
びる直線状に形成される。そして、中心導体１４ａの他
端部は、静磁波フィルタ４ａまたは４ｂのトランスデュ
ーサに電気的に接続され、中心導体１４ｂの他端部は、
分配器３または合成器８に電気的に接続される。また、
中心導体１４ａおよび１４ｂの幅方向両側には、それぞ
れ所定の間隔を隔てて、面状のグランド電極１６が形成
される。さらに、π型抵抗減衰器１０は、第１のチップ
抵抗１８を含む。第１のチップ抵抗１８は、中心導体１
４ａおよび１４ｂの対向した一端部間に接続される。ま
た、π型抵抗減衰器１０は、第２のチップ抵抗２０ａお
よび２０ｂを含む。第２のチップ抵抗２０ａは、中心導
体１４ａの一端部近傍とグランド電極１６との間に接続
され、第２のチップ抵抗２０ｂは、中心導体１４ｂの一
端部近傍とグランド電極１６との間に接続される。

【０００７】図３に示すＳ／Ｎエンハンサ１の入力端子
２に振幅の小さい信号（雑音又は妨害波）が入力された
場合には、静磁波フィルタ４ａおよび４ｂはともに線型
動作をする。そして、静磁波フィルタ４ａの出力信号
は、減衰器５によって、静磁波フィルタ４ｂの出力信号
と同振幅にされる。また、静磁波フィルタ４ｂの出力信
号は、移相器７によって、減衰器５の出力信号と逆位相
にされる。そして、減衰器５を通過した出力信号と移相
器７を通過した出力信号とが、合成器８によって逆位
相、同振幅で合成される。この場合、合成された出力信
号は、互いに打ち消し合うため、Ｓ／Ｎエンハンサ１の
出力に出てこない。一方、このＳ／Ｎエンハンサ１の入
力端子２に静磁波フィルタ４ａが飽和し、かつ静磁波フ
ィルタ４ｂが線型動作をするような大きさの信号（希望
波）が入力された場合には、静磁波フィルタ４ａを通過
する信号は、静磁波フィルタ４ａが飽和するので減衰す
る。そして、静磁波フィルタ４ａの出力信号は、さらに
減衰器５によって減衰される。そのため、減衰器５を通
過した出力信号は、静磁波フィルタ４ｂの出力信号と比
較して大変小さくなる。したがって、減衰器５を通過し
た出力信号と移相器７を通過した出力信号とが合成器８
によって合成されても、減衰器５を通過した信号の影響
はほとんどない。そのため、静磁波フィルタ４ｂの出力
信号がほとんどそのままＳ／Ｎエンハンサ１の出力信号
となる。このＳ／Ｎエンハンサ１では、以上の動作が周
波数選択的に行われることにより、入力されたマイクロ
波信号のＳＮ比が改善されて出力される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｓ／Ｎエンハンサ１では、π型抵抗減衰器１０が上述の
構造のため、減衰器５および６の長さ分だけ、Ｓ／Ｎエ
ンハンサ１の大きさに関与する伝送線路の長さが長くな
ってしまう。減衰器５および６を原因として伝送線路の
長さが長くなると、Ｓ／Ｎエンハンサの性能劣化や、調
整の手間の増大等の要因となる。また、Ｓ／Ｎエンハン
サの小型化の妨げともなるから、伝送線路に占める減衰
器５および６の長さは、なるべく短いことが望ましい。

【０００９】それゆえに、この発明の主たる目的は、伝
送線路に占める減衰器の長さを短くできるＳ／Ｎエンハ
ンサを提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明のＳ／Ｎエンハ
ンサは、高周波回路基板上に形成される静磁波素子と、
高周波回路基板上に形成され、静磁波素子のトランスデ
ューサに接続される伝送線路と、伝送線路と高周波回路
基板上の別の伝送線路との間に接続される減衰器とを含
むＳ／Ｎエンハンサであって、減衰器は、少なくとも一
つの抵抗体を含み、伝送線路の少なくとも一部分が曲げ
られ若しくは引き出されて、その部分に抵抗体が接続さ
れることを特徴とする、Ｓ／Ｎエンハンサである。

【００１１】また、この発明のＳ／Ｎエンハンサは、高
周波回路基板上に形成される静磁波素子と、高周波回路
基板上に形成され、静磁波素子のトランスデューサに接
続される伝送線路と、伝送線路と高周波回路基板上の別
の伝送線路との間に接続されるπ型抵抗減衰器とを含む
Ｓ／Ｎエンハンサであって、伝送線路は、中心導体と中
心導体の幅方向両側に配置されるグランド電極とを含
み、π型抵抗減衰器は、伝送線路および別の伝送線路の
それぞれの中心導体間に接続される第１の抵抗体と、そ
れぞれの中心導体をグランド電極に接続するための第２
の抵抗体とを含み、中心導体は、それぞれ一端部近傍が
曲げられて、その曲げられた部分が互いに対向するよう
形成され、第１の抵抗体は、中心導体が曲げられて互い
に対向した部分間に接続され、第２の抵抗体は、第１の
抵抗体の近傍において、中心導体の曲げられた部分から
引き出された一端部と、グランド電極との間に接続され
る、Ｓ／Ｎエンハンサである。

【００１２】

【作用】この発明では、伝送線路の少なくとも一部分を
曲げ若しくは引き出して、その部分に抵抗体を接続す
る。この構造をとることにより、伝送線路に占める減衰
器の長さを短くできる。

【００１３】また、伝送線路が中心導体とグランド電極
とを含む場合には、中心導体の一端部近傍を曲げて、そ
の曲げた部分が互いに対向するよう２つの中心導体が形
成される。そして、第１の抵抗体は、中心導体が曲げら
れて互いに対向した部分間に接続される。また、第２の
抵抗体は、第１の抵抗体の近傍において、中心導体の曲
げられた部分から引き出された一端部と、グランド電極
との間に接続される。この構造をとることにより、伝送
線路に占めるπ型抵抗減衰器の長さを短くできる。

【００１４】

【発明の効果】この発明のＳ／Ｎエンハンサでは、伝送
線路に占める減衰器の長さを短くできるので、Ｓ／Ｎエ
ンハンサの性能の向上、特性調整の手間の削減、および
装置の小型化を図ることができる。

【００１５】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【００１６】

【発明の実施の形態】

【実施例】図１は、この発明の一実施例のＳ／Ｎエンハ
ンサのπ型抵抗減衰器を示す平面図解図である。この実
施例のＳ／Ｎエンハンサは、減衰器５および６の構造以
外は、図３を参照しながら説明した従来のものと同様で
ある。このＳ／Ｎエンハンサは、第１のコプレナライン
１２ａおよび第２のコプレナライン１２ｂを含む。第１
および第２のコプレナライン１２ａおよび１２ｂは、高
周波基板１１上に形成された伝送線路である。

【００１７】第１および第２のコプレナライン１２ａお
よび１２ｂは、それぞれ中心導体１４ａおよび１４ｂと
グランド電極１６とを含む。

【００１８】この実施例では、説明の便宜上、中心導体
１４ａおよび１４ｂをそれぞれ２つのパーツに分けて説
明する。すなわち、中心導体１４ａおよび１４ｂは、π
型抵抗減衰器３０の長手方向に延びる直線状のライン電
極１４ａ１および１４ｂ１と、ライン電極１４ａ１およ
び１４ｂ１の一端部から幅方向に延びる引出電極１４ａ
２および１４ｂ２とを含む。したがって、中心導体１４
ａおよび１４ｂは、図１に示すように、それぞれの一端
部近傍がたとえば略Ｌ字形状に折り曲げられて形成され
ていることになる。

【００１９】ライン電極１４ａ１および１４ｂ１の一端
部は、中心導体１４ａおよび１４ｂの一端部近傍に相当
する。ライン電極１４ａ１および１４ｂ１は、それぞれ
の一端部間に所定の間隔を開けながら互いに対向し、か
つ互いに逆方向に延びる直線状に形成される。そして、
ライン電極１４ａ１の他端部は、高周波基板１１上に形
成された、図３に示す静磁波フィルタ４ａまたは４ｂの
トランスデューサに接続され、ライン電極１４ｂ１の他
端部は、図３に示す分配器３または合成器８に接続され
る。また、図１に示すように、引出電極１４ａ２および
１４ｂ２は、ライン電極１４ａ１および１４ｂ１の一端
部から、π型抵抗減衰器３０の幅方向へ向かって、互い
に逆方向に延びるよう形成される。引き出された引出電
極１４ａ２および１４ｂ２の一端部は、中心電極１４ａ
および１４ｂの一端部に相当する。

【００２０】中心導体１４ａおよび１４ｂの幅方向両側
には、図１に示すように、それぞれ所定の間隔を隔て
て、面状のグランド電極１６が形成される。この実施例
では、ライン電極１４ａ１および１４ｂ１の対向した一
端部間には、図１に示すようにグランド電極１６は形成
されないが、形成してもよい。

【００２１】図１に示す実施例は、図３に示す減衰器５
および６がπ型抵抗減衰器３０からなるのＳ／Ｎエンハ
ンサである。π型抵抗減衰器３０は、図１に示すよう
に、第１および第２のコプレナライン１２ａおよび１２
ｂの間に接続される。π型抵抗減衰器３０は、抵抗体と
して第１のチップ抵抗１８と第２のチップ抵抗２０ａお
よび２０ｂを含む。

【００２２】第１のチップ抵抗１８は、ライン電極１４
ａ１の一端部とライン電極１４ｂ１の一端部との間に接
続される。したがって、中心導体１４ａおよび１４ｂの
一端部近傍間が、第１のチップ抵抗１８を介して接続さ
れることになる。また、第２のチップ抵抗２０ａは、引
出電極１４ａ２の一端部と、他方のライン電極１４ｂ１
の一端部近傍のグランド電極１６との間に接続される。
したがって、中心導体１４ａの一端部とグランド電極１
６との間が、第２のチップ抵抗２０ａを介して接続され
ることになる。さらに、第２のチップ抵抗２０ｂは、引
出電極１４ｂ２の一端部と、他方のライン電極１４ａ１
の一端部近傍のグランド電極１６との間に接続される。
したがって、中心導体１４ｂの一端部とグランド電極１
６との間が、第２のチップ抵抗２０ｂを介して接続され
ることになる。また、この実施例では、第１のチップ抵
抗１８と第２のチップ抵抗２０ａおよび２０ｂは、互い
に平行かつ第１および第２のコプレナライン１２ａおよ
び１２ｂの長手方向に延びるよう配置される。こうし
て、この実施例のπ型抵抗減衰器３０が形成される。こ
のπ型抵抗減衰器３０の等価回路は、図５に示すものと
同様である。

【００２３】この実施例の構造をとることにより、図１
に示すπ型抵抗減衰器３０の長さＬを、図４に示す従来
のπ型抵抗減衰器３０の長さｌに比べて短くできる。そ
のため、伝送線路に占めるπ型抵抗減衰器３０の長さを
短くすることができる。したがって、Ｓ／Ｎエンハンサ
の大きさに関与する伝送線路の長さを短くできる。この
場合、伝送線路としての特性に関与する第１および第２
のコプレナライン１２ａおよび１２ｂの実効長は変わら
ず所定の長さを維持できる。このように、この実施例の
Ｓ／Ｎエンハンサでは、伝送線路に占める減衰器の長さ
を短くできるので、Ｓ／Ｎエンハンサの性能の向上、特
性調整の手間の削減、および装置の小型化を図ることが
できる。

【００２４】図２は、この発明の他の実施例のπ型抵抗
減衰器を示す平面図解図である。この実施例のＳ／Ｎエ
ンハンサは、減衰器５および６の構造以外は、図３を参
照しながら説明した従来のものと同様である。このＳ／
Ｎエンハンサは、第１のコプレナライン１２ａおよび第
２のコプレナライン１２ｂを含む。第１および第２のコ
プレナライン１２ａおよび１２ｂは、高周波基板１１上
に形成された伝送線路である。

【００２５】第１および第２のコプレナライン１２ａお
よび１２ｂは、それぞれ中心導体１４ａおよび１４ｂと
グランド電極１６とを含む。

【００２６】図２に示す実施例の中心導体１４ａは、π
型抵抗減衰器５０の長手方向に延びる直線状のライン電
極１４ａ１を含む。ライン電極１４ａ１は、高周波基板
１１の裏面に直線状に延びて形成される。ライン電極１
４ａ１の一端部から、高周波基板１１を厚み方向に貫通
するようにして、スルーホール１５が形成される。スル
ーホール１５によって、ライン電極１４ａ１の一端部
は、高周波基板１１の表面に引き出される。引き出され
たライン電極１４ａ１の一端部が、この実施例の中心導
体１４ａの一端部近傍に相当する。引き出されたライン
電極１４ａ１の一端部からは、π型抵抗減衰器５０の幅
方向に延びて引出電極１４ａ２が形成される。引出電極
１４ａ２の一端部が、中心導体１４ａの一端部に相当す
る。また、中心導体１４ｂは、π型抵抗減衰器５０の幅
方向に延びる略Ｌ字形状のライン電極１４ｂ１と、ライ
ン電極１４ｂ１の一端部から幅方向に延びる引出電極１
４ｂ２とを含む。ライン電極１４ｂ１の一端部が、中心
導体１４ｂの一端部近傍に相当し、引出電極１４ｂ２の
一端部が、中心導体１４ｂの一端部に相当する。したが
って、中心導体１４ａおよび１４ｂは、それぞれの一端
部近傍から引き出された引出電極１４ａ２および１４ｂ
２を有する。

【００２７】ライン電極１４ａ１および１４ｂ１は、そ
れぞれの一端部間に所定の間隔を開けながら互いに対向
し、かつ互いに逆方向に延びて形成される。そして、ラ
イン電極１４ａ１の他端部は、高周波基板１１上に形成
された、図３に示す静磁波フィルタ４ａまたは４ｂのト
ランスデューサに接続され、ライン電極１４ｂ１の他端
部は、図３に示す分配器３または合成器８に接続され
る。また、この実施例では、図２に示すように、引出電
極１４ａ２および１４ｂ２は、ライン電極１４ａ１およ
び１４ｂ１の一端部から、π型抵抗減衰器５０の幅方向
へ向かって、同じ方向に延びるよう形成される。

【００２８】中心導体１４ａおよび１４ｂの幅方向両側
には、図１に示すように、それぞれ所定の間隔を隔て
て、面状のグランド電極１６が形成される。この実施例
では、ライン電極１４ａ１および１４ｂ１の対向した一
端部間には、グランド電極１６は形成されないが、形成
してもよい。

【００２９】図２に示す実施例は、図３に示す減衰器５
および６が、π型抵抗減衰器５０からなるＳ／Ｎエンハ
ンサである。π型抵抗減衰器５０は、図２に示すように
第１および第２のコプレナライン１２ａおよび１２ｂの
間に接続される。π型抵抗減衰器５０は、抵抗体として
第１のチップ抵抗１９と第２のチップ抵抗２１ａおよび
２１ｂを含む。

【００３０】第１のチップ抵抗１９は、スルーホール１
５によって引き出されたライン電極１４ａ１の一端部
と、ライン電極１４ｂ１の一端部との間に接続される。
したがって、中心導体１４ａおよび１４ｂの一端部近傍
間が、第１のチップ抵抗１９を介して接続されることに
なる。また、第２のチップ抵抗２１ａは、引出電極１４
ａ２の一端部と、グランド電極１６との間に接続され
る。さらに、第２のチップ抵抗２１ｂは、引出電極１４
ｂ２の一端部と、グランド電極１６との間に接続され
る。したがって、中心導体１４ａおよび１４ｂの一端部
とグランド電極１６との間が、第２のチップ抵抗２１ａ
および２１ｂを介して接続されることになる。また、こ
の実施例では、第１のチップ抵抗１９と第２のチップ抵
抗２１ａおよび２１ｂは、互いに平行かつ第１および第
２のコプレナライン１２ａおよび１２ｂの長手方向に延
びるよう配置される。こうして、この実施例のπ型抵抗
減衰器５０が形成される。このπ型抵抗減衰器５０の等
価回路は、図５に示すものと同様である。

【００３１】図２に示す実施例によっても、図１に示し
たものと同様の効果を得ることができる。

【００３２】なお、上述の各実施例では、抵抗体とし
て、チップ抵抗を用いたが、これに限らず、抵抗体をた
とえば印刷により形成してもよい。また、上述の各実施
例のπ型抵抗減衰器は、上述のＳ／Ｎエンハンサに用い
ることに限らず、他の構成のＳ／Ｎエンハンサに用いて
もよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例のＳ／Ｎエンハンサのπ型
抵抗減衰器を示す平面図解図である。

【図２】図２は、この発明の他の実施例のＳ／Ｎエンハ
ンサのπ型抵抗減衰器を示す平面図解図である。

【図３】この発明の背景となり、かつこの発明が適用さ
れるＳ／Ｎエンハンサを示すブロック図である。

【図４】従来のＳ／Ｎエンハンサのπ型抵抗減衰器の一
例を示す平面図解図である。

【図５】この発明の背景となり、かつこの発明が適用さ
れるＳ／Ｎエンハンサのπ型抵抗減衰器の等価回路図で
ある。

【符号の説明】

１１ 高周波基板 １２ａ，１２ｂ コプレナライン １４ａ，１４ｂ 中心導体 １６ グランド電極 １８ 第１のチップ抵抗 ２０ａ，２０ｂ 第２のチップ抵抗 ３０ π型抵抗減衰器

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波回路基板上に形成される静磁波素
   子、 前記高周波回路基板上に形成され、前記静磁波素子のト
   ランスデューサに接続される伝送線路、および前記伝送
   線路と前記高周波回路基板上の別の伝送線路との間に接
   続される減衰器を含むＳ／Ｎエンハンサであって、 前記減衰器は、少なくとも一つの抵抗体を含み、 前記伝送線路の少なくとも一部分が曲げられ若しくは引
   き出されて、その部分に前記抵抗体が接続されることを
   特徴とする、Ｓ／Ｎエンハンサ。
2. 【請求項２】 高周波回路基板上に形成される静磁波素
   子、 前記高周波回路基板上に形成され、前記静磁波素子のト
   ランスデューサに接続される伝送線路、および前記伝送
   線路と前記高周波回路基板上の別の伝送線路との間に接
   続されるπ型抵抗減衰器を含むＳ／Ｎエンハンサであっ
   て、 前記伝送線路は、中心導体と前記中心導体の幅方向両側
   に配置されるグランド電極とを含み、 前記π型抵抗減衰器は、前記伝送線路および前記別の伝
   送線路のそれぞれの前記中心導体間に接続される第１の
   抵抗体と、それぞれの前記中心導体を前記グランド電極
   に接続するための第２の抵抗体とを含み、 前記中心導体は、それぞれ一端部近傍が曲げられて、そ
   の曲げられた部分が互いに対向するよう形成され、 前記第１の抵抗体は、前記中心導体が曲げられて互いに
   対向した部分間に接続され、 前記第２の抵抗体は、前記第１の抵抗体の近傍におい
   て、前記中心導体の曲げられた部分から引き出された一
   端部と、前記グランド電極との間に接続される、Ｓ／Ｎ
   エンハンサ。