JPH01294061A - 平板状発熱素子の製造方法 - Google Patents
平板状発熱素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01294061A JPH01294061A JP12612388A JP12612388A JPH01294061A JP H01294061 A JPH01294061 A JP H01294061A JP 12612388 A JP12612388 A JP 12612388A JP 12612388 A JP12612388 A JP 12612388A JP H01294061 A JPH01294061 A JP H01294061A
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- JP
- Japan
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- heating element
- alumina
- heating electrode
- heating
- ceramic
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- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の１ｑ用分野］
この発明は、例えばサーマルヘッドのような大看生産の
必要な平板状発熱素子の製造方法に閏するものである。
必要な平板状発熱素子の製造方法に閏するものである。
［従来の技術］
第４図は従来の平板状発熱素子を示す平面図で、第５図
は第４図における■一ｖ線断面図であり、図において（
１）は加熱用電極、（２）はセラミック基板である。こ
の従来の平板状発熱素子は、例えば真空蒸着法により
セラミック基板（２）全面に加熱用電極（１）となる金
属を蒸着し、次に蒸着された金属膜を所望の加熱用電極
形状にするために、金属膜にレジストパターンを形成し
て不要の金属膜をエツチング除去し、レジスト膜を除去
して製造していた。
は第４図における■一ｖ線断面図であり、図において（
１）は加熱用電極、（２）はセラミック基板である。こ
の従来の平板状発熱素子は、例えば真空蒸着法により
セラミック基板（２）全面に加熱用電極（１）となる金
属を蒸着し、次に蒸着された金属膜を所望の加熱用電極
形状にするために、金属膜にレジストパターンを形成し
て不要の金属膜をエツチング除去し、レジスト膜を除去
して製造していた。
上記のような従来の製造方法では、高価な成膜Ｈ置を用
いる必要があり、成膜装置の真空容器には、一般的にφ
４インチのウェハなら１枚程度と、限られた数のセラミ
ック基板しか装入することができなかった。
いる必要があり、成膜装置の真空容器には、一般的にφ
４インチのウェハなら１枚程度と、限られた数のセラミ
ック基板しか装入することができなかった。
また、真空容器内を成膜用の真空度にするために１時間
以上ｌ＄気を行う必要があり、成膜速度が一般に０．１
μｓ／ａ＋ｉｎ程度と遅いため加熱電極に必要な３μ国
以上の膜厚を得るために３０分以上成膜を行う必要があ
り、不純物のけ清を防止するために３０分以上冷却を行
う必要があることから、セラミツ鷲 り基板に金属を成膜させるために２時間以上のキ造時閏
が必要であった。
以上ｌ＄気を行う必要があり、成膜速度が一般に０．１
μｓ／ａ＋ｉｎ程度と遅いため加熱電極に必要な３μ国
以上の膜厚を得るために３０分以上成膜を行う必要があ
り、不純物のけ清を防止するために３０分以上冷却を行
う必要があることから、セラミツ鷲 り基板に金属を成膜させるために２時間以上のキ造時閏
が必要であった。
さらに、成膜した金属膜を所望の形状とするためにレジ
スト膜を塗布し、マスクを用いてパターン形成を行い、
その後エツチングし、レジスト膜を除去するために洗浄
する必要があった。
スト膜を塗布し、マスクを用いてパターン形成を行い、
その後エツチングし、レジスト膜を除去するために洗浄
する必要があった。
［発明が解決しようとする課題］
以上のように従来の平板状発熱素子の製造方法では、製
造工程が多く、製造時閉も長く煩雑で大量生産できない
等の問題点があった。
造工程が多く、製造時閉も長く煩雑で大量生産できない
等の問題点があった。
また、成膜によって形成した加熱電極は、加熱冷却を繰
り返すことによりセラミック基板との付着力が低下し剥
離する、 熱応力によりクラックが発生し断線するな
ど、長上縁の耐熱衝撃性に問題があり、信頼性に欠ける
という問題点があった。
り返すことによりセラミック基板との付着力が低下し剥
離する、 熱応力によりクラックが発生し断線するな
ど、長上縁の耐熱衝撃性に問題があり、信頼性に欠ける
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、長期間の熱衝撃に耐える信頼性の高い平板状
発熱素子を、作業住良＜Ｗｉ便に大量生産できる製造方
法を提供することを目的とする。
たもので、長期間の熱衝撃に耐える信頼性の高い平板状
発熱素子を、作業住良＜Ｗｉ便に大量生産できる製造方
法を提供することを目的とする。
［ｆｆ、ｄを解決するための手段］
この発明の平板状発熱素子の製造方法は、セラミック基
板に加熱用電極形状の金属を載置した状態でセラミック
を溶射して上記セラミック基板に上記セラミックを堆積
させ、上記金属をセラミックで挟持固着するようにした
ものである。
板に加熱用電極形状の金属を載置した状態でセラミック
を溶射して上記セラミック基板に上記セラミックを堆積
させ、上記金属をセラミックで挟持固着するようにした
ものである。
［作用］
この発明における平板状発熱素子は１１：１熱電極を例
えば箔状の金属とし、さらに加熱電極形状の金属を溶射
によるセラミックコーティングで一体成型するようにし
たので、加熱電極を成膜によって形成したものよりも緻
密性が高く、応力が少ない。
えば箔状の金属とし、さらに加熱電極形状の金属を溶射
によるセラミックコーティングで一体成型するようにし
たので、加熱電極を成膜によって形成したものよりも緻
密性が高く、応力が少ない。
従って加熱電極に熱応力によりクラックが発生したり断
線するのを防ぎ、熱？ＩＩ撃に対する長期１８Ｈ性が向
上する。ざらに溶射によるセラミック一体成型としたの
で、作業性良好にｗ使にかつ大量に製造できる。
線するのを防ぎ、熱？ＩＩ撃に対する長期１８Ｈ性が向
上する。ざらに溶射によるセラミック一体成型としたの
で、作業性良好にｗ使にかつ大量に製造できる。
［実施例］
以下、この発明を図について説明する。第１図はこの発
明の一実施例により得られた平板状発熱素子を示す平Ｗ
ｉ図で、第２図は第１図における■−ｎ線断面図で、′
Ｉｓ３図は第１図の平板状発熱素子の一部を切り欠いて
示す斜視図である０図において、（１）は加熱用電極で
、この場合は厚さが１０μｍのタングステン箔、（２）
はセラミック基板で、この場合は 厚さが０．３−一の
アルミナ単結晶基板、（３）はセラミックコーティング
層で、この場合はプラズマ溶射により アルミナ単結晶
基板（２）上に堆積されるアルミナ層で、厚さが１００
μ−１加熱用電極（１）のタングステン箔をアルミナ単
結晶基板（２）とで挟持固着している。
明の一実施例により得られた平板状発熱素子を示す平Ｗ
ｉ図で、第２図は第１図における■−ｎ線断面図で、′
Ｉｓ３図は第１図の平板状発熱素子の一部を切り欠いて
示す斜視図である０図において、（１）は加熱用電極で
、この場合は厚さが１０μｍのタングステン箔、（２）
はセラミック基板で、この場合は 厚さが０．３−一の
アルミナ単結晶基板、（３）はセラミックコーティング
層で、この場合はプラズマ溶射により アルミナ単結晶
基板（２）上に堆積されるアルミナ層で、厚さが１００
μ−１加熱用電極（１）のタングステン箔をアルミナ単
結晶基板（２）とで挟持固着している。
次にこの平板状発熱素子の製造方法について説明する。
まず、タングステン箔を所望の加熱用電極（１）形状に
型抜きし、加熱用電極（＋）形状のタングステン箔を
アルミナ単結、Ｓ基板（２）に接着剤で１反出めして載
置する０次にタングステン箔をｆｆ鷹したアルミナ単結
晶基板（２）にアルミナをプラズマ溶射して堆積、付着
させ、アルミナ層（３）を形成し、タングステン箔を
アルミナ単結晶基板（２）とアルミナ層（３）で挟持固
着して平板状発熱素子を得ていた。Ｈち、予め所望の形
状に成形したタングステン箔をアルミナのプラズマ溶射
により一体成型していた。そのため、生産上縁が１分程
度と短く、製造工程も少なく、徹産化が可能である。
型抜きし、加熱用電極（＋）形状のタングステン箔を
アルミナ単結、Ｓ基板（２）に接着剤で１反出めして載
置する０次にタングステン箔をｆｆ鷹したアルミナ単結
晶基板（２）にアルミナをプラズマ溶射して堆積、付着
させ、アルミナ層（３）を形成し、タングステン箔を
アルミナ単結晶基板（２）とアルミナ層（３）で挟持固
着して平板状発熱素子を得ていた。Ｈち、予め所望の形
状に成形したタングステン箔をアルミナのプラズマ溶射
により一体成型していた。そのため、生産上縁が１分程
度と短く、製造工程も少なく、徹産化が可能である。
また、蒸着装置のような高価な装置を使用せず、安価な
装置で製造できる。
装置で製造できる。
さらに、得られた平板状発熱素子は、加熱用電極にタン
グステン箔を用いており、蒸着膜に比べてｍ密性が高く
、応力が少ない、従って従来の発熱素子では、通電によ
る８００〜１０００℃のｍ５Ｉ１分、冷却３分を１００
０時閏以上縁り返す熱衝撃に耐えられなかったが、この
発熱素子は加熱用電極が剥離したり、断線やクラックが
発生することもなく、優れた耐熱ｉｏ性を示した。サー
マルヘッド等の電子部品の発熱体として十分使用できる
信頼性の高いものであった。
グステン箔を用いており、蒸着膜に比べてｍ密性が高く
、応力が少ない、従って従来の発熱素子では、通電によ
る８００〜１０００℃のｍ５Ｉ１分、冷却３分を１００
０時閏以上縁り返す熱衝撃に耐えられなかったが、この
発熱素子は加熱用電極が剥離したり、断線やクラックが
発生することもなく、優れた耐熱ｉｏ性を示した。サー
マルヘッド等の電子部品の発熱体として十分使用できる
信頼性の高いものであった。
なお、上記実施例では、セラミック基板と同一のセラミ
ックを溶射したものについて説明したが、必ずしも同一
組成である必要はなく、また全面に溶射しているが、必
要な部分のみに溶射するようにしてもよい、また、溶射
もプラズマ溶射に限るものではなく、爆発溶射あるいは
ガス燃焼溶射等も適用できる。
ックを溶射したものについて説明したが、必ずしも同一
組成である必要はなく、また全面に溶射しているが、必
要な部分のみに溶射するようにしてもよい、また、溶射
もプラズマ溶射に限るものではなく、爆発溶射あるいは
ガス燃焼溶射等も適用できる。
さらに、上記実施例では、予め加熱用電極形状に型抜き
して成形されたタングステン箔をセラミック基板上に載
置、セラミックを溶射する場合について説明したが、セ
ラミック基板上に１ｉｉｌＬ、た後、例えばレーザトリ
ミング等を用い加熱用電極形状に形成し、セラミックを
溶射するようにしてもよい。
して成形されたタングステン箔をセラミック基板上に載
置、セラミックを溶射する場合について説明したが、セ
ラミック基板上に１ｉｉｌＬ、た後、例えばレーザトリ
ミング等を用い加熱用電極形状に形成し、セラミックを
溶射するようにしてもよい。
なお、この発明に係わる金属としては、タングステンの
他にモリブデン等が用いられ、厚みとしては加熱用電極
として動作するためには３μ爾以上は必要で実用上１０
μ−以上が望ましい。
他にモリブデン等が用いられ、厚みとしては加熱用電極
として動作するためには３μ爾以上は必要で実用上１０
μ−以上が望ましい。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、セラミック基板に加
熱用電極形状の金属を載置した状態でセラミックを溶射
して上記セラミック基板に上記セラミックを堆積させ、
上記金属をセラミックで挟持固着することにより、長期
閏の熱衝撃に耐える信頼性の高い平板状発熱素子を、作
業性良く簡便に大量生産できる効果がある。
熱用電極形状の金属を載置した状態でセラミックを溶射
して上記セラミック基板に上記セラミックを堆積させ、
上記金属をセラミックで挟持固着することにより、長期
閏の熱衝撃に耐える信頼性の高い平板状発熱素子を、作
業性良く簡便に大量生産できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の平板状発熱素子を示す平
面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第３図
は第１図の平板状発熱素子の一部を切り欠いて示す斜視
図、第４図は従来の平板状発熱素子を示す平面図、第５
図は第４図におけるＶ−Ｖ線断面図である。 図において、（１）は加熱用電極、（２）はセラミック
基板、（３）はセラミックコーティング層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第３図
は第１図の平板状発熱素子の一部を切り欠いて示す斜視
図、第４図は従来の平板状発熱素子を示す平面図、第５
図は第４図におけるＶ−Ｖ線断面図である。 図において、（１）は加熱用電極、（２）はセラミック
基板、（３）はセラミックコーティング層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- セラミック基板に加熱用電極形状の金属を載置した状態
でセラミックを溶射して上記セラミック基板に上記セラ
ミックを堆積させ、上記金属をセラミックで挟持固着す
るようにした平板状発熱素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12612388A JPH01294061A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 平板状発熱素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12612388A JPH01294061A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 平板状発熱素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294061A true JPH01294061A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14927222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12612388A Pending JPH01294061A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 平板状発熱素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294061A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233787A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | 多層配線基板 |
| US8386047B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-02-26 | Advanced Bionics | Implantable hermetic feedthrough |
| US8552311B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-10-08 | Advanced Bionics | Electrical feedthrough assembly |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12612388A patent/JPH01294061A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233787A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | 多層配線基板 |
| US8386047B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-02-26 | Advanced Bionics | Implantable hermetic feedthrough |
| US8552311B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-10-08 | Advanced Bionics | Electrical feedthrough assembly |
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