JPS6155626A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6155626A JPS6155626A JP17664884A JP17664884A JPS6155626A JP S6155626 A JPS6155626 A JP S6155626A JP 17664884 A JP17664884 A JP 17664884A JP 17664884 A JP17664884 A JP 17664884A JP S6155626 A JPS6155626 A JP S6155626A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- protective film
- wiring
- metal film
- recessed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はガラス基板上に液晶駆動用ｒｃを直接搭載した
チップオン液晶表示素子に好適な、丈夫な金Ｂ膜配線を
有する液晶表示素子に関する。
チップオン液晶表示素子に好適な、丈夫な金Ｂ膜配線を
有する液晶表示素子に関する。
従来のチップオン液晶表示素子では、例えば特開昭５６
−５０３６８号公報に開示されているように、液晶表示
素子を構成するガラス基板面上に、まず金属膜配線を形
成させ、更にその上を配線保護膜で被覆して耐候性を高
めた金属膜配線に、液晶駆動用ＬＳＩを半田接続してい
た。
−５０３６８号公報に開示されているように、液晶表示
素子を構成するガラス基板面上に、まず金属膜配線を形
成させ、更にその上を配線保護膜で被覆して耐候性を高
めた金属膜配線に、液晶駆動用ＬＳＩを半田接続してい
た。
第２図は前記のような従来の液晶表示素子の金属膜配線
を示す図で、１は金属膜配線、２は保護膜、３はガラス
基板である。
を示す図で、１は金属膜配線、２は保護膜、３はガラス
基板である。
通常、金属膜配線１は、例えば直接ガラスと接する下層
膜にはガラスとの馴染も良く、銅とも成分が相互拡散し
てよくなじむニクロムを用い、その上層に導電性の良い
銅の膜などを積層した複合膜である。しかし、銅などは
大気中、特に汚・れた大気に対しては、耐候性が余り良
くないから、この金属膜配線１を外部環境から保護する
ために、すなわち耐候性向上のために、無機質の保護膜
たとえばＳ ｉ Ｏ２膜で被覆することが好ましい。
膜にはガラスとの馴染も良く、銅とも成分が相互拡散し
てよくなじむニクロムを用い、その上層に導電性の良い
銅の膜などを積層した複合膜である。しかし、銅などは
大気中、特に汚・れた大気に対しては、耐候性が余り良
くないから、この金属膜配線１を外部環境から保護する
ために、すなわち耐候性向上のために、無機質の保護膜
たとえばＳ ｉ Ｏ２膜で被覆することが好ましい。
しかし、第２図に示すように、ガラス基板３の面上に、
金属膜配線１、無機保護膜２を逐次積層して形成させる
場合、先に形成した金属膜配線１の縁の段差部で、保護
膜２に膜切れが生じない゛で完全に金属膜配線を被覆で
きるようにするためには、この無機保護膜２の厚さを金
属膜配線１の２倍程度の厚いものにしなければならない
。これらの膜は、通常、蒸着法によって形成させるが、
膜厚が厚いと、材料が蒸気となるような高温で飛散して
来て、比較的冷たい基体上で蒸着、固化した蒸着膜の中
には大きな応力が生じ、膜の材質には相当注意している
にもかかわらず、金属膜配線のガラス基板からの剥離や
無機質保護膜表面のクランク不良などが発生しやすいと
いう欠点があった。なお、これらの不良は成膜時だけで
なく、金属膜配線に液晶駆動用ＩＣを半田付けする際の
温度上昇によっても、それぞれの材料の熱膨張の相違に
原因して生ずることがある。
金属膜配線１、無機保護膜２を逐次積層して形成させる
場合、先に形成した金属膜配線１の縁の段差部で、保護
膜２に膜切れが生じない゛で完全に金属膜配線を被覆で
きるようにするためには、この無機保護膜２の厚さを金
属膜配線１の２倍程度の厚いものにしなければならない
。これらの膜は、通常、蒸着法によって形成させるが、
膜厚が厚いと、材料が蒸気となるような高温で飛散して
来て、比較的冷たい基体上で蒸着、固化した蒸着膜の中
には大きな応力が生じ、膜の材質には相当注意している
にもかかわらず、金属膜配線のガラス基板からの剥離や
無機質保護膜表面のクランク不良などが発生しやすいと
いう欠点があった。なお、これらの不良は成膜時だけで
なく、金属膜配線に液晶駆動用ＩＣを半田付けする際の
温度上昇によっても、それぞれの材料の熱膨張の相違に
原因して生ずることがある。
傘発明の目的は、上記のような問題のない、薄く丈夫な
耐候性保護膜付き金属膜配線を有する液晶表示素子を提
供することにある。
耐候性保護膜付き金属膜配線を有する液晶表示素子を提
供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明においては、ガラス基
板の金属膜配線を形成すべき個所に、あらかじめ凹部を
配設し、この凹部の中に金属膜配線を埋込んで、段差部
が生ぜず、従って、その上を被覆する保ＷＬ膜に膜切れ
が生ずる恐れがないようにした上で、比較的薄いために
、膜の中の応力が大きくならない無機質保護膜を形成さ
せることにした。
板の金属膜配線を形成すべき個所に、あらかじめ凹部を
配設し、この凹部の中に金属膜配線を埋込んで、段差部
が生ぜず、従って、その上を被覆する保ＷＬ膜に膜切れ
が生ずる恐れがないようにした上で、比較的薄いために
、膜の中の応力が大きくならない無機質保護膜を形成さ
せることにした。
なお、ガラス基板面の所望の個所に凹部を形成させるた
めには、周知のホトリソグラフ法によれば良く、エツチ
ング液に、これも周知のフン化水素やフッ化アンモンの
水溶液を用いれば、比較的短時間（例えば１〜２μｍの
深さに対し数分間程度）で容易にエツチング作業を終了
することができる。これに対し、一般に無機質保護膜を
蒸着法で形成する場合には、例えばμｍあたり３０分程
度必要である。
めには、周知のホトリソグラフ法によれば良く、エツチ
ング液に、これも周知のフン化水素やフッ化アンモンの
水溶液を用いれば、比較的短時間（例えば１〜２μｍの
深さに対し数分間程度）で容易にエツチング作業を終了
することができる。これに対し、一般に無機質保護膜を
蒸着法で形成する場合には、例えばμｍあたり３０分程
度必要である。
第１図は本発明一実施例の金運膜配線とその近傍を示し
、１ａはガラス基板の凹部４の中に埋込まれた金属膜配
線で、その他の符号は第２図の場合と同様である。
、１ａはガラス基板の凹部４の中に埋込まれた金属膜配
線で、その他の符号は第２図の場合と同様である。
このような金属膜配線構造を実現するためには、例えば
下記の如くすれば良い。
下記の如くすれば良い。
ａニガラス基板の両面にホトレジストを塗布し、金運膜
配線を形成すべき部分のホトレジストだけを露光して除
去する。
配線を形成すべき部分のホトレジストだけを露光して除
去する。
ｂ＝ニガラス基板フッ酸等、ガラス基板を食刻する液に
浸し、凹部を形成させ、水洗後、ホトレジストを除去す
る。
浸し、凹部を形成させ、水洗後、ホトレジストを除去す
る。
Ｃニガラス基板に配線用全屈膜を蒸着、スパ７り法など
により形成する。このとき金泥膜の膜厚は、先にガラス
基板に形成させた凹部の深さと同じにする０本実施例で
は膜厚２μｍである。
により形成する。このとき金泥膜の膜厚は、先にガラス
基板に形成させた凹部の深さと同じにする０本実施例で
は膜厚２μｍである。
ｄ：ホトレジストを塗布し、凹部（金属膜配線を形成す
べき個所）を被覆する部分以外のホトレジストを除去す
る。
べき個所）を被覆する部分以外のホトレジストを除去す
る。
ｅ：金属膜を食刻し、更にホトレジストを除去する。
ｆ ： Ｓ ｉ Ｏ，などの無機質保護膜を蒸着、スパ
ック法などにより形成する。
ック法などにより形成する。
このようにして形成した保護膜は、厚さ１μｍ程度にす
れば、金属膜配線に対する耐候性被覆効果は十分にあり
、しかも配線の剥離、保護膜のクラック発生などの問題
は生じない。
れば、金属膜配線に対する耐候性被覆効果は十分にあり
、しかも配線の剥離、保護膜のクラック発生などの問題
は生じない。
以上説明したように、本発明によれば、膜厚が比較的厚
い金属膜配線を形成する際にも、保護膜の厚さを薄くす
ることができるので、膜応力を下げることが出来ると共
に、保護膜形成時間が大幅に、例えば３０分程度、短縮
され、高信頼化、量産性向上の効果が得られる。
い金属膜配線を形成する際にも、保護膜の厚さを薄くす
ることができるので、膜応力を下げることが出来ると共
に、保護膜形成時間が大幅に、例えば３０分程度、短縮
され、高信頼化、量産性向上の効果が得られる。
第１図は本発明一実施例の金属膜配線とその近傍を示す
図、第２図は従来の液晶表示素子の金運膜配線を示す図
である。
図、第２図は従来の液晶表示素子の金運膜配線を示す図
である。
Claims (1)
- ガラス基板に保護膜で被覆された金属膜配線を形成させ
た液晶表示素子において、ガラス基板の金属膜配線を形
成すべき個所に予め凹部を配設し、この凹部に金属膜配
線を埋込み、その上を保護膜で被覆したことを特徴とす
る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664884A JPS6155626A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664884A JPS6155626A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155626A true JPS6155626A (ja) | 1986-03-20 |
Family
ID=16017251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664884A Pending JPS6155626A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155626A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424326U (ja) * | 1987-07-31 | 1989-02-09 | ||
| US7027122B2 (en) | 2002-03-12 | 2006-04-11 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Bonding apparatus having compensating system for liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| KR100732431B1 (ko) | 2006-07-27 | 2007-06-27 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17664884A patent/JPS6155626A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424326U (ja) * | 1987-07-31 | 1989-02-09 | ||
| US7027122B2 (en) | 2002-03-12 | 2006-04-11 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Bonding apparatus having compensating system for liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| KR100732431B1 (ko) | 2006-07-27 | 2007-06-27 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법 |
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