JPH01294861A - イオンビームミキシング法 - Google Patents

イオンビームミキシング法

Info

Publication number
JPH01294861A
JPH01294861A JP12455588A JP12455588A JPH01294861A JP H01294861 A JPH01294861 A JP H01294861A JP 12455588 A JP12455588 A JP 12455588A JP 12455588 A JP12455588 A JP 12455588A JP H01294861 A JPH01294861 A JP H01294861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
ion
sample
thin film
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12455588A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiro Noto
能登 信博
Kintaro Mori
森 金太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koki Holdings Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Koki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Koki Co Ltd filed Critical Hitachi Koki Co Ltd
Priority to JP12455588A priority Critical patent/JPH01294861A/ja
Publication of JPH01294861A publication Critical patent/JPH01294861A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は薄膜コーティングとイオン注入を同時操作して
中空円筒状の試料内面にイオンビームミキシングさせた
薄膜を形成するイオンビームミキシング法に関するもの
である。
〔発明の背景〕
イオンビームミキシング法は、試料表面への薄膜コーテ
ィングとイオン注入を同時に、あるいは交互に行って薄
膜を形成する方法で、特に同時に行う方法は最近、金属
などの表面に高硬度・耐摩耗性などに優れたセラミック
薄膜のTiN・T i Cなどを生成するために使用さ
れている。従来、対向する2個のイオン銃を真空チャン
バに備えたイオンビームスパッタ装置において上記イオ
ンビームミキシング法を行うには、第3図と第4図の2
通りがある。なおイオンビームスパッタ装置には、真空
チャンバ8上下にイオン銃5.6、ターゲット7を取り
付けるターゲットホルダ4、試料9を取り付ける試料ホ
ルダ10が配置され、薄膜形成時真空チャンバ8内は高
真空状態におかれる。第3図は試料に同時照射を施す場
合で、TiN膜生成を例にすれば上部イオン銃5からア
ルゴンなどの不活性ガスのイオンビームをTiターゲッ
ト7に照射してTi粒子をたたき出し試料9の表面にT
iのコーティング層を形成する。同時に下部イオン銃6
から試料9面に活性な窒素イオンビームを照射してイオ
ンビームミキシングする。薄膜形成初期において、試料
表面に窒素イオンビームを照射するので窒素イオンが試
料9面に注入さ九、また同イオンが付着したTi粒子と
衝突して試料9内部にTi粒子を押し込む効果を発生す
るので試料9表面と薄膜との境界付近にミキシングがお
こりTi原子・窒素原子・試料原子の混在した新しい層
を形成する。この混合層が真空蒸着・イオンブレーティ
ング・スパッタリングなどで生成された薄膜に比べ、密
着性が数段向上した剥離し難い薄膜の形成を可能にして
いる。L、かじ、同方法ではターゲット粒子と注入イオ
ンが同じ場所に照射される必要があり、薄膜を形成でき
る試料形状が平面状に限定される。
また、第4図は(A)図のコーティングと(B)図のイ
オン注入を交互に繰り返す場合で、イオンの注入角度に
おいて第3図の場合に比べ設定範囲を広くできるが、交
互照射のため試料作成時間が長くなるという欠点がある
。
従って、上記イオンビームスパッタ装置で従来法により
中空円筒状の試料内面にイオンビームミキシングさせた
薄膜を形成するには、第4図の方法を工夫して行わなけ
ればならない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、中
空円筒状の試料内面において薄膜コーティングとイオン
注入を同時操作してイオンビームミキシングされた薄膜
を形成する方法を提供することである。
〔発明の概要〕
本発明は、対向した2個のイオン銃を真空チャンバに備
えたイオンビームスパッタ装置において、中空円筒状の
試料内面に薄膜を形成する場合、試料を回転式試料ホル
ダに取り付けて回転させるとコーティングされる面が1
回転で1回イオン注入を行うイオン銃の方向に向くこと
に着目し、試料内面がコーティングとイオン注入が交差
して照射されるように試料の位置を設定し、コーティン
グとイオン注入される面は別々であるが、試料を回転さ
せているので回転数を速めれば、同時照射された場合と
同じイオンビームミキシングの効果を得られるという方
法である。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例を第1図の試料ホルダを使用した場合で
以下に説明する。試料ホルダは、軸中央に凹形状の空間
と試料の取り付けに使用するネジ穴及び試料を回転させ
る叩動力を伝達する軸の取り付けに使用するネジ穴を有
した試料回転軸1と、試料回転軸1に回転力を伝える駆
動伝達軸2及び回転力を発生する回転運動駆動装置3よ
り構成されている。
第2図は本発明の実施例を示すもので、対向した2個の
イオン銃5.6を真空チャンバ8に備えたイオンビーム
スパッタ装置に第1図の試料ホルダを使用して中空円筒
状の試料9の内面にセラミック薄膜のTiNを生成する
場合である。薄膜形成の場となる真空チャンバ8には、
上部に薄膜コーティングに使用するイオン銃5.下部に
はイオン注入を行うイオン銃6、薄膜材料となるターゲ
ット7を取り付けるターゲットホルダ4及び上記試料ホ
ルダが配置されている。試料9は、試料ホルダの試料回
転軸1に挿入後、ネジ止メされ、:iり膜形成中回転運
動駆動装置3により回転される。
薄膜形成初期空チャンバ8内は高真空状態にされる。イ
オン銃5からはアルゴンインビーム、イオン銃6からは
窒素イオンビームを放射させ、ターゲット7にはTiを
使用する。試料9の位置を試料内面でターゲット粒子と
注入イオンが交差して照射される向きに設定する。
イオン銃5よりTiターゲット7にアルゴンイオンビー
ムを照射するとTi粒子がはじき出されて試料9の内面
に付着する。試料9は回転しているので、Tiの付着し
た部分は180°回転後下方からイオン銃6より窒素イ
オンビームを照射されイオン注入される。イオン注入さ
れた部分は18o°回転後Tiが付着し、更に180°
回転後再びイオン注入される。このように付着すなわち
薄膜コーティングとイオン注入を交互に繰り返しイオン
ビームミキシングされた結果、TiN膜が生成される。
試料9は回転されているので、回転数を速くすれば薄膜
コーティングとイオン注入の照射サイクルが速くなるの
で上記2種類の処理を同時に行った場合と同じイオンビ
ームミキシング効果すなわち試料9と薄膜との間で混合
層を形成し密着性に優れた剥離し難い薄膜の生成が行え
る。
〔発明の効果〕
本発明によれば、対向する2個のイオン銃を真空チャン
バに備えたイオンビームスパッタ装置において、回転す
る中空円筒状の試料内部でスパッタされたターゲット粒
子とイオン注入を行うイオンビームの照射方向を交差さ
せて薄膜を生成する方法を提供したので、薄膜コーティ
ングとイオン注入を同時操作して中空円筒試料内面にイ
オンビームミキシングされた薄膜をむらなく形成するこ
とができる。更に、同形状の試料として例えばすベリ軸
受の内表面に本発明によってTiNなどのセラミック薄
膜を形成するとTiNの低摩耗性により使用寿命が延長
するという効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施で使用する試料ホルダの断面図、
第2図は本発明の方法を実施するのに必要な装置例の基
本構成部を示す断面図、第3図及び第4図は従来法を実
施するのに必要な装置例の基本構成部を示す断面図であ
る。 図において、1は試料回転軸、2は駆動伝達軸、3は回
転運動腿動装置、4はターゲットホルダ、5はイオン銃
、6はイオン銃、7はターゲット、9は試料、10は試
料ホルダである。 特許出願人の名称 日立工機株式会社 ?/I!1 第2口 第3図 第41!1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ターゲット粒子と注入イオンを試料表面で混合させて
    薄膜を形成する、対向した2個のイオン銃を真空チャン
    バに備えたイオンビームスパッタ装置において、中空円
    筒状試料を試料ホルダに回転自在に保持して中空円筒試
    料の内面にスパッタされたターゲット粒子を付着させ、
    前記中空円筒試料を回転させながら付着させた位置に対
    向した位置でイオンを注入させて薄膜を形成することを
    特徴としたイオンビームミキシング法。
JP12455588A 1988-05-20 1988-05-20 イオンビームミキシング法 Pending JPH01294861A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12455588A JPH01294861A (ja) 1988-05-20 1988-05-20 イオンビームミキシング法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12455588A JPH01294861A (ja) 1988-05-20 1988-05-20 イオンビームミキシング法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01294861A true JPH01294861A (ja) 1989-11-28

Family

ID=14888379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12455588A Pending JPH01294861A (ja) 1988-05-20 1988-05-20 イオンビームミキシング法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01294861A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03189605A (ja) * 1989-12-20 1991-08-19 Nippon Steel Corp 熱線反射板
US6337005B2 (en) * 1996-07-12 2002-01-08 RECHERCHE ET DéVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE EN ABRéGé RD-CS Depositing device employing a depositing zone and reaction zone
US9028923B2 (en) 2006-05-27 2015-05-12 Korea Atomic Energy Research Institute Coating and ion beam mixing apparatus and method to enhance the corrosion resistance of the materials at the elevated temperature using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03189605A (ja) * 1989-12-20 1991-08-19 Nippon Steel Corp 熱線反射板
US6337005B2 (en) * 1996-07-12 2002-01-08 RECHERCHE ET DéVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE EN ABRéGé RD-CS Depositing device employing a depositing zone and reaction zone
US9028923B2 (en) 2006-05-27 2015-05-12 Korea Atomic Energy Research Institute Coating and ion beam mixing apparatus and method to enhance the corrosion resistance of the materials at the elevated temperature using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03130359A (ja) 均一な厚さの層で平坦な表面を被覆する装置
JPS63162862A (ja) スパツタ装置
JPS6194000A (ja) 素材の特性を改善する方法及び装置
JP3281926B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH07122136B2 (ja) イオンビームスパッタ装置および運転方法
JP2637171B2 (ja) 多元スパッタリング装置
JPH0726197B2 (ja) 薄膜形成方法及びその装置
JP3439993B2 (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPH03140467A (ja) スパッタ装置およびスパッタ方法
JP2590367B2 (ja) スパッタリング装置
JP2001115259A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPH07180050A (ja) 回転台座付きコリメーションチャンバ
JPH0499173A (ja) スパッタリング装置
JPS61159571A (ja) スパツタリング装置
JP3010811B2 (ja) イオンビームスパッタリング装置
KR100358760B1 (ko) 인시츄 물리기상 증착기
JPH02175868A (ja) スパッタリング成膜装置の試料保持装置
JPS6229133A (ja) スパツタ方法およびその装置
JPS6473075A (en) Film forming device by ion beam sputtering
JPH0314905B2 (ja)
JPH0796706B2 (ja) 膜形成装置のシヤツタ機構
JPH02115365A (ja) スパッタ装置
JPH0686872A (ja) 電気かみそりの内刃の製造方法
JPH06295702A (ja) アーク放電真空蒸着装置
JPS59153882A (ja) スパツタ−蒸着法