JPH01295268A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は短波長側及び長波長側の両者の光感度を高め、
しかも、帯電能を大きくし、これによって普１ｆｆｉ紙
複写機に好適になった電子写真感光体に関するものであ
る。

（従来技術及びその問題点） 近年、超高速複写機やレーザービームプリンターなどの
開発が活発に進められており、これに伴って、この機器
に搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性
並びに耐久性が要求されている。この要求に対してアモ
ルファスシリコンがｍｌ摩耗性、耐熱性、無公害性並び
に光感度特性などに優れるという点で注目されている。

このアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）か
ら成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型感
光体が提案されている。

即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）の上にキャリア注入阻止層（２）　、ａ−３ｉキ
ャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次積層し
ており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）か
らのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を低下さ
せるために形成されており、また、表面保護層（４）に
は高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。

しかしながら、このようなａ−Ｓｉ感光体においては、
長波長側の光感度が高くなっており、そのため、この感
光体をハロゲンランプ等の白色光を光源として用いた普
通紙複写機（以下、ｒｐｃと略す）に搭載した場合、赤
色付近の波畏帯に対して再現性に劣る。かかる問題を解
決するためにフィルタを用いて赤色波長光をカッＩ・す
るようにしているが、これに伴って感光層に入射する光
の強度が低下し、その結果、感光体自体の光感度が見か
け一ヒ低下する。

また、ａ−３ｉ悪感光に要求される所要特性には、上記
のような光感度以外に高い帯電能がある。この所要特性
が達成された場合には高い画像濃度が得られ、そして、
複写機現像系の設計自由度が高まり、使い易い電子写真
感光体が得られる。

（発明の目的） 従って本発明の目的は短波長側及び長波長側の光感度を
高めることができた電子写真感光体を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は高い帯電能が得られた電子写真感光
体を提供することにある。

更に本発明の他の目的はｒｐｃ用に適した電子写真感光
体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、導電性基板上に、少なくとも、光導電
性ａ−３ｉ層及び光導電性アモルファスシリコンカーバ
イド層（以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−
３ｉＣと略ず）を順次形成した電子写真感光体であって
、前記計ＳｉＣ層のシリコン（Ｓｌ）元素とカーボン（
Ｃ）元素の原子比率がＳｉ（１−ｘ＋　ＣｘのＸ値て０
．０１≦ｘ≦０．５の範囲内にあり且つその厚めが０．
０５〜５μｍの範囲内に設定され、更に該ａ−３ｉＣ層
が周期律表第Ｖａ族元素を０．５−１００ｐｐｍ含有す
る第１の層領域並びに周期律表第Ｖａ族元素を含有しな
い第２の層領域が順次積層されて成り且つ第２の層領域
の厚みが０．０２〜２μｍの範囲内に設定されているこ
とを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明電子写真感光体の基本的層構成は第１図に示す通
りであり、導電性基板（５）の上に光導電性ａ−３ｉ層
（６）及び光導電性ａ−３ｉＣ層（７）が順次積層され
、しかも、ａ−５ｉＣ層（７）が周期律表第Ｖａ族元素
（以下、Ｖａ族元素と略す）を含む第１の層領域（７ａ
）と、それを含まない第２の層領域（７ｂ）が順次積層
されて成る。

本発明者等はａ−５ｉＣ層（７）に所定量のＶａ族元素
を含有させた場合に短波長側の光感度が顕著に高められ
ることを見い出し、そして、この知見に基づいて本発明
が完成されるに至った。

第１図に示す層構成によれば、その層（７）の厚みを所
定の範囲内に設定すると入射した光のうち短波長側がａ
−３ｉＣ層（７）で吸収され、しかも、そのａ−５ｉＣ
層（７）を透過した光、即ち、長波長側の光がａ−Ｓｉ
層（６）で吸収され、これにより、短波長側及び長波長
側の両者ともに光感度が高められる。

また、このようにａ−５ｉＣ層（７）にＶａ族元素を含
有させた場合、短波長側の光感度が高められたが、その
反面、帯電能が低下傾向にあることが判った。従って、
本発明においてはその問題を解決するためにａ−５ｉＣ
層（７）を、少なくとも第１の層領域（７ａ）と第２の
層領域（７ｂ）より成る層とし、これによって顕著に帯
電能を高めることができた。

先ず、上記ａ−３ｉＣＮ（７）によれば、アモルファス
化したＳｉ元素及びＣ元素を不可欠な構成元素と成し、
そのダングリングホントを終端させるべく水素（１１）
元素やハロゲン元素を所定の範囲内で含有させることに
よって光導電性が生じる。本発明者等がカーボンの含有
比率を幾通りにも変えて光導電性を確かめる実験を行っ
たところ、Ｓｉ元素とＣ元素の原子比率、即ち、Ｓｉ　
（１−ゎＣＸのＸ値が０．０１≦ｘ≦０．５、好適には
０．０５≦×≦０．３の範囲内に設定された場合、暗導
電率が小さくなり、短波長側の光感度を高めることがで
きる。

また、１１元素やハロゲン元素などのダングリングボン
ド終端用元素への含有量はＣ３ｉｕ−ゎＣｘ〕、−ア　
（Ａ　）　ｙで表したｙイ直が０．０５≦ｙ≦０．５、
好適には０．０５≦ｙ≦０．４、最適には０１≦ｙ≦−
６＝ ０．３の範囲内になるように設定するとよい。このよう
な元素へにはダングリングボンドの終端部に取り込まれ
易くてバンドギャップ中の局在単位密度が低減化される
という点で通常Ｉ（元素が用いられる。

このａ−３ｉＣ層（７）の厚みは０．０５〜５μｍ、好
適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するとよく、この
厚めが０．０５μｍ未満の場合には短波長光の吸収が不
十分となって光感度を高めることができず、５μｍを超
える場合には残留電位が大きくなる。

また、ａ−３ｉＣ層（７）はＳｉ元素とＣ元素の原子比
率、即ち、前記ｘ値がその層厚方向に亘って均一である
場合、又は、そのＸ値が変化する場合のいずれでもよい
。

Ｘ値が層厚方向に亘って変化する場合には、そのｘ値が
ｏ、ｏｉ　≦ｘ≦０．５の範囲内でとＳｉＣ層（７）の
厚みが決められ、このようにして決められた１’９Ｅ　
メも０．０５〜５μｍ、好適には０．１〜３　ｐｍの範
囲内に設定する必要がある。

このようにＸ値が層厚方向に亘って変化する場合のカー
ボンドーピング分布には、例えば、第４図〜第９図に示
す通りがある。

各々の図において、横軸は計ＳｉＣ層（７）の層厚方向
を示し、ａはａ−３ｉ　　層（６）との界面であり、ｂ
はその反対側の界面であり、縦軸はカーボン含有量を表
す。

また、前記第１の層領域（７ａ）にはＶａ族元素をその
層厚方向に亘って均一に０．５〜１１００ｐｐ、好適に
は１〜５０ｐｐｍの範囲内で含有さゼるとよく、この含
有量が０．５ｐｐｍ未満の場合には十分に大きな光感度
が得られず、−・方、１１００ｐｐを超える場合には帯
電能が低下する。

上記Ｖａ族元素にはＩｔ、Ｐ、へｓ、Ｓｂ、Ｂｉがある
が、就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に
変え得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得
られるという点で望ましい。

このように第１の層領域（７ａ）にＶａ族元素を含有さ
せるに当たり、そのｌ・−ピング分布はその層厚方向に
亘って不均一にしてもよく、例えば第１０図〜第１５図
に示す通りがある。

各々の図において、横軸はａ−３ｉＣ層（７）の層厚方
向を示し、ａはａ−３ｉｌｉｌ（６）　との界面であり
、ｂはその反対側の界面であり、７ａは第１の層領域、
７ｂは第２の層領域を表し、そして、縦軸はＶａ族元素
含有量を表す。

尚、Ｖａ族元素含有量を層厚方向に亘って変化させた場
合、その含有量は第１の層領域（７ａ）全体当たりの平
均値に対応する。

このようにａ−５ｉＣ層（７）に第１の層領域（７ａ）
を形成したことによって短波長側の光感度を高めること
ができたが、更に第２の層領域（７ｂ）を形成したこと
によって帯電能を顕著に高めることができた。即ち、コ
ロナ帯電により感光体表面には電荷が蓄積され、一方、
感光体内部にはキャリアが誘起され、両者が中和された
場合に表面電位が低下するが、これに対して、第２の層
領域（７ｂ）は上記の中和を阻止する働きがあり、その
結果、帯電能を高めることができる。

上記第２の層領域（７ｂ）の厚みは０．０２〜２μｍ、
好適には０．０５〜１μｍの範囲内に設定すればよく１
０．０２μｍ未満の場合には帯電能を大きくすることが
できず、一方、２μｍを超えた場合には、この層領域（
７ｂ）でもって短波長光が吸収され、第１の層領域（７
ａ）へ至る短波長光が少なくなり、この層領域（７ａ）
で光感度を高めることがむずかしくなる。

また、前記計Ｓｉ層（６）はアモルファス化したＳｉ元
素と、そのダングリングボンドを終端させるための１１
元素やハロゲン元素から成り、入射光のうち主に長波長
側の光が吸収される。

ごのａ−５＋層（６）のＩＷ　ｈは５−１００　ｔｔｍ
　、好適には１０〜５０μｍの範囲内に設定するのが望
ましく、この範囲内であれば、高い帯電能か得られ、し
かも、長波長光が有効に吸収されるという点で有利であ
る。

また、ａ−５＋層（６）は実質上カーボン元素を含有し
ない層であるか、非常に微少量のカーホンを含有しても
よい。この場合、そのカーボンが１１０００ｐｐ以下、
好適には５００ｐｐｍ以下の範囲内であれば長波長光の
光感度が顕著に低下しない。

更に、ａ−３ｉ層（６）にはＶａ族元素を０．０１〜１
０ｐｐｍ　、好適には０．１〜５ｐｐｍの範囲内で含有
させてもよく、この範囲内であれば、高い帯電能が得ら
れ、しかも、残留電位を低減化できるという点で有利で
ある。尚、このＶａ族元素のドーピング分布は層厚方向
に亘って均−又は不均一のいずれでもよく、不均一にド
ーピングする場合の含有量はそのＮ（６）の全体当たり
の平均値に対応する。

そして、このａ−５ｉ層（６）に含有させるＶａ族元素
にはＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉがある。

かくして、本発明の電子写真感光体が、ハロゲンランプ
等の白色光を光源として用いたＰＰＣに搭載された場合
、短波長側の光が主にａ−５ｉＣ層で吸収され、しかも
、長波長側の光が主にａ−３ｉ層で吸収され、これによ
り、赤外波長光をカットするためのフィルタが不要とな
り、感光体自体の光感度が著しく高められ、その上、高
い帯電能が得られる。

本発明の電子写真感光体は上記のような二層構造を不可
欠としているが、それ以外にキャリア注入阻止層や表面
保護層を形成してもよい。

例えば、第２図は典型的層構造を示しており、基板（５
）とａ−５ｉ層（６）の間にキャリア注入上口止層（８
）を、そして、とＳｉＣ層（７）の上に表面保護層（９
）を形成している。

前記キャリア注入阻止層（８）については、基板（５）
からのキャリアの注入を阻止するものであり、表面保護
層（９）については計ＳｉＣ層（７）を保護して耐湿性
などを向上させるものであり、しかも、両者の層（８）
及び層（９）はいずれも感光体の暗導電率を小さくして
帯電能を高めることができる。

この表面保護層（９）にはそれ自体高絶縁性、高耐蝕性
並びに高硬度性を有するものであるならば種々の材料を
用いることができる。例えばポリイミド樹脂などの有機
材料、ＳｉＣ、、ＳｉＯＸＡｌ□０３、ＳｉＮなどの無
機材料を用いることができる。

また、キャリア注入阻止層（８）も−ヒ記表面保護着用
制料と同し材料を用いることができる。

次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。

−１１＝ ａ−３ｉ層又はａ−３ｉＣ層を形成するにはグロー放電
分解法、イオンブレーティング法、反応性スパッタリン
グ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合にはＳｉ元素含有ガスを
、又はそのガスとＣ元素含有ガスを組合せ、グロー放電
分解する。このＳｉ元素含有ガスにはＳ　ｉ　１１４．
５ｉｚＨ６，５ｉ３Ｈａ　、ＳｉＦ４．５ＩＣＩ４．５
ｉｌｌＣｈ等々があり、また、Ｃ元素含有ガスにはＣＩ
Ｌ　、Ｃ２＋１４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３１１８等々があり、
就中、Ｃ２Ｈ２は高速成膜性が得られるという点で望ま
しい。

本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解
装置を第２２図により説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５、第６タンク（１
０）　（１１）　（１２）　（１３）　（１４）　（１
５）には、それぞれＳｉ］（４、ＣＪｚ、■＋３（ＵＺ
ガス希釈で０．２χ含有）　、ＰＨ３（＋１２ガス希釈
で４０ｐｐｍ含有）、Ｈ２、ＮＯガスが密封されており
、１１２はキャリアガスとしても用いられる。これらの
ガスはそれぞれ対応する第１、第２、第３、第４、第５
、第６調整弁（１６）　（１７）　（１８）　（１９）
　（２０）（２１）を開放することにより放出され、そ
の流量がマスフローコントローラ（２２）　（２３）　
（２４）　（２５）　（２６）　（２７）により制御さ
れ、第１、第２、第３、第４、第５タンク（１０）　（
１１）　（１２）　（１３）　（１４）からのガスは第
１主管（２８）へ、第６タンク（１５）からのＮＯガス
は第２主管（２９）へ送られる。尚、（３０）　（３１
）は止め弁である。第１主管（２８）及び第２主管（２
９）を通して流れるガスは反応管（３２）へと送り込ま
れるが、この反応管（３２）の内部には容量結合型放電
用電極（３３）が設置されており、それに印加される高
周波電力は５０讐〜３ＫＷが、また周波数は１〜５０　
Ｍ　Ｉｔ　ｚが適当である。反応管（３２）の内部には
アルミニウムから成る筒状の成膜基板（３４）が試料保
持台（３５）の上に載置されており、この保持台（３５
）はモーター（３６）により回転駆動されるようになっ
ており、そして、基板（３４）は適当な加熱手段により
約２００〜４００℃、好適には約２００〜３５０°Ｃの
温度に均一に加熱される。更に反応管（３２）の内部は
ａ−３ｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電時のガス圧
０．１〜２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転
ポンプ（３７）と拡散ポンプ（３８）に連結されている
。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えばａ−５ｉＣ膜を基板（３４）の上に形成する場合
、第１、第２、第５調整弁（１６）　（１７）　（２０
）を開いてそれぞれより５ｉＨａ、Ｃ２１１２、Ｈ２ガ
スを放出し、その放出量はマスフローコントローラ（２
２）　（２３）（２６）により制御され、Ｓ　ｉ　ＩＩ
　ａ、Ｃ２１１□、Ｈ２の混合ガスは第１主管（２８）
を介して反応管（３２）へ流し込まれる。そして、反応
管（３２）の内部が０．１〜２．０Ｔｏｒｒ程度の真空
状態、基板温度が２００〜４００℃、容量結合型放電用
電極（３３）に印加される高周波電力が５０ｗ〜３ＸＨ
に設定されていることに相俟ってグロー放電が起こり、
ガスが分解してａ−３ｉＣ膜が基板」二に高速で形成さ
れる。

（実施例） 次に本発明の詳細な説明する。

（例１） 第１６図のグロー放電分解装置を用いて第１表に示す通
りの成膜条件によりアルミニウム製基板上に光導電性ａ
−３ｉ層（６）、第１の層領域（７ａ）及び第２の層領
域（７ｂ）を順次積層し、第１図に示す通りの感光体ド
ラムを製作した。

（以下余白） かくして得られた感光体ドラムに、可視光分光器により
分光された０、３μ喘ｃｍ２の単色光を照射し、表面電
位の半減時間を求めて分光感度を測定したところ、第１
７図に示す通りの結果が得られた。

同図において、横軸は波長であり、縦軸は光感度であり
、そして、○印は測定結果のプロットであり、ａばその
特性曲線である。

また第１７図には上記感光体ドラムより第２の層領域が
除かれた感光体ドラムが比較例として示されており、そ
の分光感度を測定したところ、・印に示される測定結果
のプロットが得られ、ｂはその特性曲線である。

この結果より明らかな通り、本発明の感光体ドラムは短
波長側の光感度が顕著に大きくなっていることが判る。

尚、上記光導電性計ＳｉＣ層のカーボン量をＥＳＣＡ分
析により求めたところ、５ｉ１−８Ｃ２のＸ　（ｌ！ｆ
で０．１２であり、また、そのＰ含有量を二次イオン質
　。

量分析計により求めたところ、２ｏｐｐｍであった。

（例２） 本例においては、第２表に示す通りの成膜条件によりア
ルミニウム製基板上にキャリア注入阻止層（８）、光導
電性ａ−５ｉ層（６）、光導電性ａ−３ｉＣ層（７）及
び表面保護層（９）を順次積層し、第２図に示す通りの
感光体ドラムを製作した。

（以下余白） かくして得られた感光体ドラムをＰＰＣに搭載し、そし
て、赤色カットフィルタを用いないでハロゲンランプを
投光源とし、更にコロナチャージャで−５，６ＫＶの電
圧を印加して負帯電させ、これにより、表面電位、光感
度並びに残留電位を測定したところ、下記に示す通りの
結果が得られた。

表面電位・・・・・・・−４９８ｖ 光感度（記録露光量）　　・・０．５４　ｌｕｘ　　−
５ｅｃ残留電位（ｎ光開始５秒後の値）・・２２Ｖまた
、この感光体ドラムを高速ＰＰＣに搭載し、７０枚／分
の速度にて画像出しテストを行ったところ、黒色部及び
赤色部に対する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い
濃度で且つカブリのない鮮明な画像が得られた。

（例３） 次に本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラ
ムより第２の層領域を除き、他の層は（例２）に示す通
りによって成膜された感光体ドラムについて、電子写真
特性を測定したところ、下記の通りの結果になった。

表面電位・・・・・・・−３７０ｖ 光感度（記録露光量）　　　・０．５０　ｌｕｘ　　−
５ｅｃ残留電位（露光開始５秒後の値）・・１８Ｖごの
結果より明らかな通り、残留電位が若干減少し、光感度
も若干高くなっているが、その反面、表面電位が顕著に
小さくなっている。

（例４） 本例においては、（例２）にて得られて感光体ドラムよ
り第１の層領域と第２の層領域の積層順序を逆にし、即
ち、ａ−５ｉ層上に第２の層領域及び第１の層領域を順
次積層し、他の層は（例２）に示す通りによって成膜さ
れた感光体トラムについて、電子写真特性を測定したと
ころ、下記の通りの結果になった。

表面電位・・・・・・・−３６８ｖ 光感度（記録露光ｆｔ　）　・・０．５２１ｕｘ　　・
ｓｅｃ残留電位（露光開始５秒後の稙）・・２０Ｖごの
結果より明らかな通り、この感光トラムも表面電位の低
下が著しい。

（例５） 本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラムよ
り光導電性ａ−３ｉＣ層並びに第２の層領域のそれぞれ
の厚みを幾通りにも変え、これによって感光体ドラムＡ
〜■を製作し、各々の感光体ドラムの電子写真特性を測
定したところ、第３表に示す通りの結果が得られた。

（以下余白） 第３表 ＊印の感光体ドラムは本発明の範囲外のものである第３
表より明らかな通り、本発明の感光体ドラムＣ−Ｇば表
面電位が高く、残留電位が小さく、しかも、優れた光感
度が得られたことが判る。

然るに感光体１′ラムＡば光感度と表面電位に劣ってお
り、感光体トラムＢば表面電位に劣っており、また、感
光体ドラム＋１　、　Ｉ　は残留電位が大きくなってい
る。

（例６） 本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラムよ
り光導電性ａ−５ｉＣ層のカーボン量並びに第１の層領
域のＰ含有量をそれぞれ幾通りにも変え、これによって
感光体ドラムＪ〜０を製作し、各々の感光イ本ドラムの
電子写真特性を測定したところ、第４表に示す通りの結
果が得られた。

（以下余白） 第４−表 第４表より明らかな通り、本発明の感光体ドラム１、〜
０は表面電位が高く、残留電位が小さく、しかも、優れ
た感光体が得られていることが判る。

然るに、感光体ドラムＪ、には光感度に劣っており、感
光体ドラムＰ、Ｑは表面電位が小さく、残留電位が高く
、しかも、光感度に劣っている。

また、本発明者等は上記感光体ドラムＢ〜Ｇ及び１．〜
０をそれぞれ高速ＰＰＣに搭載し、７０枚／分の速度に
て画像出しテストを行ったところ、黒色部及び赤色部に
対する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い濃度で且
つカブリのない鮮明な画像が得られることを確認した。

（発明の効果） 以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、光導電
性ａ−３ｉ層と光導電性ａ−３ｉＣ層を積層し、そのａ
−３ｉＣ層のカーボン原子比率及び厚み並びにＶａ族元
素含有量をそれぞれ所定の範囲内に設定した場合、長波
長側及び短波長側の両者の光感度を高めることができ、
その上、帯電能を高め、その結果、赤外波長光力・ット
フィルタを用いないで優れた光感度が得られるｐｐｃ用
の電子写真感光体が提供される。

また本発明の電子写真感光体によれば、高い帯電能が得
られ、これにより、高い画像濃度が得られ、しかも、複
写機現像系の設計自由度を高めて使い易くなった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の基本的層構造を示す断
面図、第２図は本発明電子写真感光体の典型的層構造を
示す断面図、第３図は従来の電子写真感光体の層構造を
示す断面ｌ、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図
及び第９図はカーボンドーピング分布を示す線図、第１
０関、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図及び第
１５図は周期律表第Ｖａ族元素ドーピング分布を示す線
図、第１６図はグロー放電分解装置の概略図、第１７は
分光感度を示す線図である。 １．５　　　・　・　導電１生基＋反 ２．８・　・キャリア注入阻止層 ４，９・・・表面保護層 ６・・・・光導電性アモルファスシリコン層７・・・・
光導電性アモルファスシリコンカーバイト層 ７ａ　　・・・第１の層領域 ７ｂ　　・・・第２の層領域 特許出願人（６６３）京　セ　ラ　株　式　会　杜氏　
表　者　　安城　欽寿 同　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に、少なくとも、光導電性アモルファスシ
   リコン層及び光導電性アモルファスシリコンカーバイド
   層が順次形成された電子写真感光体であって、前記アモ
   ルファスシリコンカーバイド層のシリコン元素とカーボ
   ン元素の原子比率がＳｉ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｃ＿ｘの
   ｘ値で０．０１≦ｘ≦０．５の範囲内にあり且つその厚
   みが０．０５〜５μｍの範囲内に設定され、更に該アモ
   ルファスシリコンカーバイド層が周期律表第Ｖａ族元素
   を０．５〜１００ｐｐｍ含有する第１の層領域並びに周
   期律表第Ｖａ族元素を含有しない第２の層領域が順次積
   層されて成り且つ第２の層領域の厚みが０．０２〜２μ
   ｍの範囲内に設定されていることを特徴とする電子写真
   感光体。