JPH01315765A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関するも
のである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、　５ｅ−Ｔｅ
。

Ａ　ｓ　ｚ　Ｓ　ｅ　ｚ　＋　Ｚ　ｎ　Ｏ＋　Ｃｄ　Ｓ
　％アモルファスシリコンなどの無機材料と各種有機材
料があり、最初に実用化されたものはＳｅであり、そし
て、ＺｎＯ，ＣｄＳ　、アモルファスシリコンも実用化
された。有機材料ではＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化さ
れ、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送という機能を
別々の材料に分担させるという機能分離型感光体が提案
され、この機能分離型感光体によって有機材料の開発が
飛躍的に発展した。

一方、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した電
子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Ｓｅ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、特開昭５６−１４２４１号にはアモルファスシ
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。

上記提案の電子写真感光体は組成式ｓｉ、−ＸＣＸＨ，
（但し０＜ｘ＜１．０．０５≦ｙ≦０．２）で表わされ
るアモルファスシリコンカーバイド層並びに有機光半導
体層が順次積層された構造である。

しかしながら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その光感度を測定したところ、未だ満足し得
るような特性が得られず、更に改善を要することが判明
した。

従って本発明は畝上に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は高い光感度が得られた電子写真感光体を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の電子写真感光体は導電性基板上にアモルファス
シリコンカーバイド光導電層（以下、アモルファスシリ
コンカーバイドをａ−ＳｉＣと略す）と有機光半導体層
を順次積層し、そして、上記ａ−５ｉＣ光導電層の構成
元素がＳ′１元素、Ｃ元素並びに水素又はハロゲンであ
って、水素又はハロゲンをへ元素と表記し、核層の元素
比率を組成式〔Ｓｉ１−ＸＣＸ）　ｌ−ｙ　Ａ　ｙと表
わした場合、Ｘ及びｙをそれぞｈ　Ｏ＜　Ｘ　＜　０．
５．０．２　＜　ｙ　＜　０．５　（７）範囲内に設定
し、更に核層に周期律表第１［［ａ族元素を１〜１　＊
　０００ｐｐｍの範囲内で含有させたことを特徴とする
。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−５ｉＣ光導
電層（２）及び有機光半導体Ｎ（３）が順次積層される
。そして、ａ−５ｉＣ光導電層（２）には電荷発生とい
う機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電荷輸
送という機能がある。

本発明は上記ａ−３ｉＣ光導電層（２）の元素比率並び
に周期律表第ＩＩＩａ族元素（以下、ＩＩＩａ族元素と
略す）の含有量を下記の通りの範囲内に設定した場合、
このＮ（２）自体の光感度を顕著に高めることができた
ことが特徴である。

組成式：　〔Ｓｉ１−ｘｃ　ｘ　）　＋□Ａ。

（但しＡは水素又はハロゲン） Ｑ　＜　ｘ　＜　０．５、好適には０．０１　＜　ｘ　
＜　０．４０．２　＜　Ｖ　＜　０．５　、好適には０
．２５　＜　ｙ　＜　０．４５ＩＩＩａ族元素含存１　
：　１〜１　、０００ｐｐｍＸ値が０．５以上の場合に
は光導電性が著しく低くなり、光キャリアの励起機能が
低下する。

ｙ値が０．２以下の場合には暗導電率が大きくなる傾向
になり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そのため
に所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が０．５以上の
場合には基板との密着性が劣化して剥離し易くなる。

また、ＩＩＩａ族元素含有量についてはａ−５ｉＣ層全
体当りの平均値によって表わされ、その平均含有量が１
　ｐｐｍ未満の場合には光感度の向上が認められず、一
方、１　、０００ｐｐｍを超えた場合には暗導電率が著
しく大きくなり、しかも、光導電率の暗導電率に対す曇
化率が小さくなり、所望通りの光感度が得られない。

また正帯電用感光体として用いる場合には上記１［１ａ
族元素含有量を１１００ｐｐ以下の範囲内に設定しても
よい。即ち、この範囲内であれば、励起キャリアのうち
電子の移動度が高くなり、そのために怒光体表面に帯電
した正電荷をスムーズに中和でき、その結果、光感度が
高められる。

ａ−ＳｉＣ光導電層（２）にＩＩＩａ族元素を含有させ
るに当たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘っ
て均−又は不均一のいずれでもよい。不均一にドーピン
グさせた場合、この層（２）の一部にＩＩＩａ族元素が
含有されない層領域があってもよく、その場合にはＩＩ
Ｉａ族元素含有の層領域並びにＩ［［ａ族元素が含有さ
れない層領域の両者から成るａ−ＳｉＣ層全体に対する
ＩＩＩａ族元素平均含有量が１〜１　＋　０００ｐｐｍ
でなくてはならない。

このＩＩＩａ族元素にはＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎなどがあ
るが、８元素が共有結合性に優れて半導体特性を敏感に
変え得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得
られるという点で望ましい。

また、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）には水素（Ｈ）元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。

ａ−ＳｉＣ光導電層（２）の厚みは０．０５〜５　μｍ
　、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定すればよく
、この範囲内であれば、高い光感度が得られ、残留電位
が低くなる。

前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＯＳ　、　ＡＩなどの
金属導電体、或いはガラス、セラミックスなどの絶縁体
の表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり、就
中、＾ｌがコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性とい
う点で有利である。

また、本発明の電子写真感光体は有機光半導体層（３）
の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定すること
ができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場合、有機
光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、一方、
正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半導体層（３
）に電子吸引性化合物が選ばれる。

電子供与性化合物には高分子量のものとしてポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド縮重合体などが
あり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾール、
オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、ヒド
ラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾー
ル、スチルベンなどがあり、この低分子物質はポリカー
ボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポリアミ
ド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノール、ポ
リウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユリア
樹脂などのバインダに分散されて用いられる。

電子吸引性化合物には２．４．７−１−リニトロフルオ
レノンなどがある。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−ＳｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスにはＳｉＨ４＋
Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ：ｌＨａ、５ｉＦａ−＋５ｉＣ１４＋
５ｉＨＣ１：＋などがあり、また、Ｃ元素含有ガスには
ＣＨ４，ＣｚＨ４，ＣｚＨ２＋Ｃ３Ｈ１ｌなどがあり、
就中、ＣｚＨｚが高速成膜性が得られるという点で望ま
しい。

本実施例に・用いられるグロー放電分解装置を第２図に
より説明する。

同図中第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タン
ク（６）、第４タンク（７）にはそれぞれＳｉＨ，、Ｃ
ｔＨｔ、ＢｉＩ３並びにＨ２が密封され、これらのガス
は各々対応する第１調整弁（８）、第２調整弁（９）、
第３調整弁（１０）及び第４調整弁（１１）を開放する
ことにより放出される。その放出ガスの流量はそれぞれ
マスフローコントローラ（１２）　（１３）　（１４）
　（１５）により制御され、各々のガスは混合されて主
管（１６）へ送られる。尚、（１７）　（１８）は止め
弁である。

主管（１６）を流れるガスは反応管（１９）へ流入する
が、この反応管（１９）の内部には容量結合型放電用電
極（２０）を設置し、また、筒状の成膜用基板（２１）
を基板支持体（２２）上に載置し、基板支持体（２２）
をモータ（２３）により回転駆動し、これに伴って基板
（２１）が回転する。そして、電極（２０）に電力５０
Ｗ〜３ＫＷ　、周波数１〜５０ＭＨｚの高周波電力を印
加し、しかも、基板（２１）を適当な加熱手段により約
２００〜４００℃、好適には約２００〜３５０℃の温度
に加熱する。また反応管（１９）には回転ポンプ（２４
）と拡散ポンプ（２５）を連結し、これによってグロー
放電による成膜形成時に所要な真空状態（放電時のガス
圧０．０１〜２．０Ｔｏｒｒ）を維持する。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
１）の上にａ−ＳｉＣ層を形成する場合、第１調整弁（
８）、第２調整弁（９）、第３　ＢＭ整弁（１０）及び
第４調整弁（１１）を開いてそれぞれ５ｉ１４．ＣｚＨ
ｚ、ＢＪ６、Ｉｈのガスを放出し、その放出量をマスフ
ローコントローラ（１２）　（１３）　（１４）　（１
５）により制御し、各々のガスは混合されて主管（１６
）を介して反応管（１９）へ流入する。そして、反応管
内部の真空状態、基板温度、電極印加用高周波電力をそ
れぞれ所定の条件に設定するとグロー放電が発生し、ガ
スの分解に伴ってＢ元素含有のａ−５ｉＣ膜が基板上に
高速に形成される。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ−ＳｉＣ層が形成
すると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成する。即ち、前者は感光材が溶媒中に分散された
塗工液の中に浸漬し、次いで一定な速度で引上げ、そし
て、自然乾燥並びに熱エージング（約１５０℃、約１時
間）を行なうという方法であり、また、後者のコーティ
ング法によれば、コーター（塗機）を用いて溶媒に分散
された感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行なう。

〔実施例〕

（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いてＳｉＨ４ガスを２
００ｓｅｃｍの流量で、水素希釈Ｂ２Ｈ−ガスを９０ｓ
ｅｃｍの流量で、Ｈ２ガスを２７０ｓｅｃｍの流量で、
そして、ｃｚｔ＋ｚガスの流量を変化させ、また、ガス
圧を０．６７ｏｒｒ、高周波電力を１５０Ｗ、基板温度
を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ−５ｉＣ膜
（膜要約１μｍ　）を形成した。

このようにしてａ−ＳｉＣ膜のカーボン含有比率を変え
、そして、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。尚、各々のａ−５ｉＣ膜
に含有されたＢ元素含有量を二次イオン質量分析計によ
り測定したところ、いずれも約１５ｐｐｍであった。

第３図中横軸はカーボン含有比率、即ち５ｉＩ−。

Ｃ８のｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は露光
波長５５０ｎｍ　（光量５０μＷ／ｃｍりの光に対する
光導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプロット
であり、また、ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である。

上記各ａ−ＳｉＣ膜について、その水素含有量を赤外吸
収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの結果
が得られた。

同図中横軸は５ｉｌ−１ＩＣＸの×値であり、縦軸は水
素含有量、即ち〔５ｉＩ−８ＣＸ）　＋−ｙ　Ｈｙのｙ
値であり、Ｏ印はＳｉ原子に結合した水素量のプロット
であり、・印はＣ原子に結合した水素量のプロットであ
り、また、ｃ、ｄはそれぞれの特性曲線である。

第４図より明らかな通り本例のａ−ＳｉＣ膜はいずれも
ｙ値が０．３〜０゜４の範囲内にあることが判る。

また、第３図より明らかな通りカーボン含有比率Ｘが０
　＜　ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、高い光導電率
が得られるとともに光導電率と暗導電率の比率が顕著に
大きくなり、優れた光感度が得られたことが判る。

（例２） 次に本例においては、５ｉｌ１４ガスを２００ｓｅｃｍ
の流量で、ＣｔＨ２ガスを２０ｓｅｃｍの流量で、水素
希釈Ｂ２Ｈ６ガスを９０ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガスを
θ〜１０００ｓｃｃＩＩｌの流量で導入し、そして、高
周波電力を５０〜３００ｗ。

ガス圧を０．３〜１．２Ｔｏｒｒに設定し、グロー放電
によりａ−５ｉＣ膜（膜要約１μｍ　）を形成した。

かくしてカーボン含有比率×を０．３に設定し、そして
、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−ＳｉＣ膜を形成
し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定した
ところ、第５図に示す通りの結果が得られた。尚、ａ−
３ｉＣ膜のＢ元素含有量を測定したところいずれも約１
５ｐｐｍであった。

第５図中横軸は水素含有量、即ち（Ｓｉ　Ｏ，？ＣＧ、
　３）　＋−ｙ　Ｈｙのｙ値であり、縦軸は導電率を表
わし、０印は露光波長５５０ｎｍ　（光量５０　ｐ　Ｗ
／ｃｍ”）の光に対する光導電率のプロットであり、・
印は暗導電率のプロットであり、また、ｅ、ｆはそれぞ
れの特性曲線である。

第５図より明らかな通り、ｙ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判る
。

（例３） 本例においては、５ｉ１４ガスを２００ｓｅｃｍの流量
で、ＣｚＨｚガスを２０ｓｅｃｍの流量で、水素希釈Ｂ
　Ｚ　ＩＩ　＆ガス（濃度０．２χ　又は４０ｐｐｍ）
を５〜５００ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガスを２００ｓｅ
ｃｍの流量で導入し、そして、高周波電力を１５０−、
ガス圧を０．６Ｔｏｒｒに設定し、グロー放電によりＢ
元素含有のａ−３ｉＣ膜（膜要約１μｍ）を形成した。

かくしてカーボン含有比率Ｘを０．３に、そして、水素
含有量を０．３５に設定し、Ｂ元素含有量を変化させた
種々のａ−５ｉＣ膜を形成し、各々の膜について光導電
率及び暗導電率を測定したところ、第６図に示す通りの
結果が得られた。

本例においては、上記Ｂ　ｔ　１１　、ガスに代えてＰ
Ｈ２ガスを導入させ、これによってＰ元素含有量を変化
させた種々のａ−５ｉＣ膜を形成し、これらの測定結果
も求めた。

同図中横軸はＢ元素含有量（又はＰ元素含有量）であり
、縦軸は導電率を表わし、○印は露光波長５５０ｎｍ　
（光量５０μＷ／ｃｍ”）の光に対する光導電率のプロ
ットであり、・印は暗導電率のプロットであり、またｇ
、ｈはそれぞれ特性曲線である。

第６図より明らかな通り、Ｂ元素が１−１．０００１１
１１１ｍ含有させた場合、光導電率と暗導電率の比が著
しく大きくなることが判る。また、Ｐ元素については光
導電率及び暗導電率の増大がより一層顕著であった。

かくして上記ａ−５ｉＣ膜はＢ元素及びＰ元素により価
電子制御されており、これにより、半導体として優れた
膜質であることが確認できた。

（例４） 本例においては、第１表に示す成膜条件により各種ａ−
５ｉＣ光導電層（試料ＮａＡ−１−Ａ−５）を形成した
。そして、各々のカーボン元素含有比率Ｘ及びＢ元素含
有量を測定したところ、第１表に示す通りの結果が得ら
れた。

〔以下余白〕

次に試料ＮａＡ−１，Ａ−２，Ａ−４，Ａ−５の分光感
度特性を測定したところ、第７図に示す通りの結果が得
られた。また、各試料の水素含有量（ｙ値）を測定した
ところ、いずれも０．２　＜　ｙ＜　０．４の範囲内で
あった。

第７図において、横軸は波長であり、縦軸は導電率であ
り、Ｏ印、△印、Ｖ印及びＸ印はそれぞれ試料ｌ１ｋＬ
Ａ−１，Ａ−２，＾−４，Ａ−５の測定プロットである
。

同図より明らかな通り、本発明に係る試料患＾−１、Ａ
−２，Ａ−４は高い光導電性が得られたことが判る。

（例５） 本例においては、第２表に示す成膜条件により各種のａ
−３ｉＣ光導電層（試料ＮＩＩＬＢ−１−Ｂ−５’）を
形成した。そして、各々のＣ元素含有比率（Ｘ４Ｍ）及
びＢ元素含有量を測定したところ、第２表に示す通りの
結果が得られた。

〔以下余白〕

次に試料ＮＩＩＢ−１，Ｂ−２，Ｂ−４，Ｂ−５の分光
感度特性を測定したところ、第８図に示す通りの結果が
得られた。また、各試料の水素含有量（ｙ値）を測定し
たところ、０．２　＜　Ｖ　＜　０．４の範囲内であっ
た。

第８図において、横軸は波長であり、縦軸は導電率であ
り、Ｏ印、Δ印、印及びＸ印はそれぞれ試料ＮｃｔＢ−
１，Ｂ−２，Ｂ−４，Ｂ−５の測定プロットである。

同図より明らかな通り、本発明に係る試料は高い光導電
性が得られたことが判る。

（例６） 次に本発明者等はＣ，Ｈ２ガスに代えて０１１４ガスを
用い、第３表に示す成膜条件により各種ａ−５ｉＣ光導
電層（試料ｋｃ−１〜Ｃ−５）を形成した。そして、各
試料のＣ元素含有比率（Ｘ値）、水素含有量（ｙ値）及
びＢ元素含有量を測定したところ、第３表に示す通りの
結果が得られた。

〔以下余白〕

試料！１ｈｃ−１，Ｃ−２，Ｃ−３の分光感度特性を測
定したところ、第９図に示す通りの結果が得られた。

同図中横軸は波長であり、縦軸は導電率であり、そして
、○印、Δ印、印はそれぞれ試料１１ｈＣ−１、Ｃ〜２
．Ｃ−３の測定プロットである。

同図より明らかな通り、いずれの試料も高い導電率が得
られなかったことが判る。

（例７） 次に本発明者等はＡＩ製製電電性基板上に第４表に示す
ように２種類のａ−ＳｉＣ光導電層を形成し、各々の層
の上に下記の通りに有機光半導体層（厚み１５μｍ　）
をコーティング法により積層した。

〔有機光半導体層の塗布方法〕

ヒドラゾンを１．４−ジオキサンの溶剤に溶かし、更に
ポリエステル樹脂〔レフサン−ＬＳ２−１１）をヒドラ
ゾンと同重量加え、超音波分散を４δ分行なった。そし
て、バー・コーターを用いて両者のａ−ＳｉＣ光導電層
の上に塗布し、次いで熱風乾燥を行なった。

かくして２種類の負帯電型電子写真感光体を作製した（
感光体Ａ、Ｂ　）。

〔以下余白〕

感光体Ａについて、暗及び光減衰特性を測定したところ
、第１０図に示す通りの結果が得られ、また、分光感度
特性を測定したところ、第１１図に示　　：す通りの結
果が得られた。

第１０図によれば、横軸は減衰時間（秒）であり、縦軸
は表面電位（ボルト）であり、そして、ｉは暗減衰曲線
、ｉ−１，ｉ−２，ｉ−３はそれぞれ露光波長が４００
ｎｍ、　４５０ｎｍ、　５５０ｎｍの場合の光減衰曲線
を表わす。

また、第１１図において、横軸は波長であり、縦　。

軸は光感度であり、そして、○印は感光体＾の測　　４
定プロツトである。また、比較例として試料隘Ｃ−１＠
　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ光導電層とし、この層の上に本例と
同じ方法により有機光半導体層を形成し、電子写真感光
体を作製した。この感光体の測定プロットをΔ印にて示
す。

測定条件は＋６ＫＶの電圧を印加したコロナ帯電器によ
り帯電を行ない、露光は各波長での光量を０．１５μ一
／ｃｍ”とし、それらに対する表面電位の変化は光透過
型測定プローブを有する表面電位計を用いて測定した。

第１１図に示す結果より明らかな通り、本発明の感光体
Ａは比較例に比べて優れた光感度が得られたことが判る
。

（例８） 本発明者等は更に比較例としてＡＩ製製電電性基板上に
第５表に示すようにａ−ＳｉＣ光導電眉を形成し、その
層の上に（例７）と同様に有機光半導体層（厚み１５μ
ｍ　）をコーティング法により積石し、かくして負帯電
型電子写真感光体を作製した（感光体Ｃ）。

〔以下余白〕

この感光体Ｃについて、暗及び光減衰特性を測定したと
ころ、その表面電位が感光体へに比べて若干上昇傾向に
あることを確認した。また、分光感度特性を測定したと
ころ、第１２図に示す通りの結果が得られた。

第１１図及び第１２図より明らかな通り、感光体Ａは感
光体Ｃに比べて光感度が改善したことが判る。

また、本発明者等は感光体Ｂについても暗及び光減衰特
性並びに分光感度特性を測定したところ、いずれも感光
体へと同じように優れた光感度特性が得られたことを確
認した。

（例９） 次に本発明者等は第６表に示す成膜条件により５種類の
ａ−３ｉＣ光導電層を形成し、次いで各層の上に（例７
）に示す方法により厚み１５μｍの有機光半導体層を塗
布形成し、負帯電型感光体Ｄ　−１１を作製した。尚、
いずれの感光体もカーボン元素含有比率Ｘが０．２５で
あり、水素含有量ｙが０．２〜０．４の範囲内であった
。

〔以下余白〕

これらの電子写真感光体のＢ元素含有量並びに光感度、
表面電位及び残留電位を測定したところ、第７表に示す
通りの結果が得られた。

同表中光感度は相対評価により◎印、○印及びΔ印の三
段階に区分し、■印は最も優れた光感度が得られた場合
であり、Ｏ印は幾分価れた光感度が得られた場合であり
、Δ印は他に比べて光感度がわずかに劣った場合である
。

表面電位の特性評価も◎印、○印及びΔ印の三段階に区
分し、◎印は最も高い表面電位が得られた場合であり、
○印は幾分高い表面電位が得られた場合であり、Δ印は
他に比べて高い表面電位が認められなかった場合である
。

また、残留電位についても三段階に相対評価しており、
■印は残留電位が最も小さくなった場合であり、○印は
残留電位の低下が幾分圧められた場合であり、Δ印は他
に比べて残留電位の低減が認められなかった場合である
。

〔以下余白〕

第７表 第７表より明らかな通り、感光体Ｄ−Ｇは優れた光感度
が得られ、しかも、残留電位の低減が認められ、就中、
感光体Ｅ、Ｐ、Ｇについては更に高い光感度が認められ
た。然るに感光体１１は光感度、表面電位並びに残留電
位のいずれの特性も改善されていないことが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、ａ−ＳｉＣ光導電層のカ
ーボン量及びダングリングボンド終端用元素の量並びに
ＩＩＩａ族元素含有量をそれぞれ所定の範囲内に設定し
、このａ−３ｉＣ光導電層と有機光半導体層を組合せた
ことにより優れた光感度の電子写真感光体が提供できた
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面図
、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の概
略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示す
線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係を
示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す線
図、第６図は周期律表第ＩＩＩａ族元素含有量又は第Ｖ
ａ族元素含有量と導電率の関係を示す線図である。また
、第７図、第８図及び第９図は導電率を表わす線図、第
１０図は表面電位を表わす線図、第１１図及び第１２図
は光感度を表わす線図である。 １・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ３・・・有機光半導体層 ○　　　　　　　　　０．５１ カーポ゛〉奢盾此半（、￥Ｉ値９ 第４図 力−ホ゛ン摩屑比」≠（Ｘ議） Ｑ　　　Ｏ，＋　　　０．２　　０．３　　０．４　　
０．５水東／？屑＋（び自２ 第７図 う良畏Ｃｎｒ−） 」こ畏　（わｙｙ＋） ジ友長　（ハリ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド光導電
   層と有機光半導体層を順次積層した電子写真感光体にお
   いて、前記アモルファスシリコンカーバイド光導電層の
   構成元素がＳｉ元素、Ｃ元素並びに水素又はハロゲンで
   あって、水素又はハロゲンをＡ元素と表記し、該層の元
   素比率を組成式〔Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ〕＿１＿−＿
   ｙＡ＿ｙと表わした場合、ｘ及びｙをそれぞれ０＜ｘ＜
   ０．５、０．２＜ｙ＜０．５の範囲内に設定し、更に該
   層に周期律表第IIIａ族元素を１〜１，０００ｐｐｍの
   範囲内で含有させたことを特徴とする電子写真感光体。