JPH01295421A - 周辺露光装置 - Google Patents
周辺露光装置Info
- Publication number
- JPH01295421A JPH01295421A JP63126769A JP12676988A JPH01295421A JP H01295421 A JPH01295421 A JP H01295421A JP 63126769 A JP63126769 A JP 63126769A JP 12676988 A JP12676988 A JP 12676988A JP H01295421 A JPH01295421 A JP H01295421A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- edge
- peripheral exposure
- orientation flat
- spin chuck
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程において、ウェハーへのフォト
レジスト塗布、露光、現像処理を行うフォトリソグラフ
ィープロセスに関し、特にフォトレジストの周辺除去を
目的とした周辺露光装置に関するものである。
レジスト塗布、露光、現像処理を行うフォトリソグラフ
ィープロセスに関し、特にフォトレジストの周辺除去を
目的とした周辺露光装置に関するものである。
従来、この種の周辺露光装置は、ウェハーのセンタリン
グ及びカムとウェハーのオリエンテーションフラットの
方向との位置合せを行った後、真空吸着式のスピンチャ
ックに乗せ、ウェハーを回転させる。このとき、フォト
レジストが感光する波長を発生するランプユニットから
光ファイバー等により光を導いてプローブにより光を絞
りウェハー周辺部を照射する機構となっていた０通常、
ウェハーは完全な円形ではなく、オリエンテーションフ
ラット（オリフラ）と呼ばれる直線状に欠けた部分があ
るため、第３図に示すようにオリフラ部分ではこの形状
に合せた周辺露光を行うためにスピンチャック２のシャ
フト２ａにウェハー１と同形状をもったならいカム５を
設け、このならいカム５及びリンク６により照射用の光
フアイバープローブ４をウェハー形状に同期させて移動
させることによりオリフラ部分にも適応したウェハーの
周辺露光を行う方式となっていた。
グ及びカムとウェハーのオリエンテーションフラットの
方向との位置合せを行った後、真空吸着式のスピンチャ
ックに乗せ、ウェハーを回転させる。このとき、フォト
レジストが感光する波長を発生するランプユニットから
光ファイバー等により光を導いてプローブにより光を絞
りウェハー周辺部を照射する機構となっていた０通常、
ウェハーは完全な円形ではなく、オリエンテーションフ
ラット（オリフラ）と呼ばれる直線状に欠けた部分があ
るため、第３図に示すようにオリフラ部分ではこの形状
に合せた周辺露光を行うためにスピンチャック２のシャ
フト２ａにウェハー１と同形状をもったならいカム５を
設け、このならいカム５及びリンク６により照射用の光
フアイバープローブ４をウェハー形状に同期させて移動
させることによりオリフラ部分にも適応したウェハーの
周辺露光を行う方式となっていた。
上述した従来の周辺露光装置はウェハーの形状をしたな
らいカム機構により照射プローブを移動させて周辺露光
を行う方式となっているため、オリフラの形状が異なる
ウェハーやオリフラを複数個もったウェハー、またウェ
ハーのサイズが異なると、それぞれのウェハーに適応し
たならいカムに変更しなくてはならないという欠点があ
る。また、ウェハーをスピンチャックに吸着させる際に
ウェハーセンタリングがずれ偏心した状態になると、適
正な周辺露光ができないことから高精度なウェハーセン
タリング精度が要求される。さらにならいカムとウェハ
ーのオリフラ方向の位置合せを行う機構が必要であり、
同時にこの機構も高精度が要求される。
らいカム機構により照射プローブを移動させて周辺露光
を行う方式となっているため、オリフラの形状が異なる
ウェハーやオリフラを複数個もったウェハー、またウェ
ハーのサイズが異なると、それぞれのウェハーに適応し
たならいカムに変更しなくてはならないという欠点があ
る。また、ウェハーをスピンチャックに吸着させる際に
ウェハーセンタリングがずれ偏心した状態になると、適
正な周辺露光ができないことから高精度なウェハーセン
タリング精度が要求される。さらにならいカムとウェハ
ーのオリフラ方向の位置合せを行う機構が必要であり、
同時にこの機構も高精度が要求される。
本発明の目的は前記課題を解決した周辺露光装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来の周辺露光装置に対し、本発明はウェハー
のエツジ位置を自動的に検出する機構と、この検出機構
からの信号により照射プローブを移動させる機構とを備
えることにより、ウェハー形状の変化に追従した最適位
置に照射プローブを移動させることができ、ウェハーサ
イズ、オリフラ形状、オリフラ数の違いに関係なく、常
に最適なウェハーの周辺露光ができるという相違点を有
する。
のエツジ位置を自動的に検出する機構と、この検出機構
からの信号により照射プローブを移動させる機構とを備
えることにより、ウェハー形状の変化に追従した最適位
置に照射プローブを移動させることができ、ウェハーサ
イズ、オリフラ形状、オリフラ数の違いに関係なく、常
に最適なウェハーの周辺露光ができるという相違点を有
する。
上記目的を達成するため、本発明はポジ型のフォトレジ
ストを塗布した半導体ウェハーの周辺部のみにフォトレ
ジストが感光する波長の光を照射することにより現像処
理を行う周辺露光装置において、ウェハーを回転させる
機構と、回転中のウェハーのエツジの位置を検出する機
構と、該検出機構からの信号によりウェハーのエツジか
ら予め設定した範囲にフォトレジストが感光する波長の
光を照射する露光機構とを含むものである。
ストを塗布した半導体ウェハーの周辺部のみにフォトレ
ジストが感光する波長の光を照射することにより現像処
理を行う周辺露光装置において、ウェハーを回転させる
機構と、回転中のウェハーのエツジの位置を検出する機
構と、該検出機構からの信号によりウェハーのエツジか
ら予め設定した範囲にフォトレジストが感光する波長の
光を照射する露光機構とを含むものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、第１図
（ｂ）、 （ｃ）は同側面図である。
（ｂ）、 （ｃ）は同側面図である。
図において、本発明はスピンチャック２にセンタリング
されて吸着されたウェハ１のエツジｌａにレーザ光を照
射してそのエツジの位置を検出する外径測定器３と、該
外径測定器３からの検出信号に基づいて照射プローブ４
をウェハー１のエツジ１ａから予め設定された範囲意に
移動させる駆動部７を有する。
されて吸着されたウェハ１のエツジｌａにレーザ光を照
射してそのエツジの位置を検出する外径測定器３と、該
外径測定器３からの検出信号に基づいて照射プローブ４
をウェハー１のエツジ１ａから予め設定された範囲意に
移動させる駆動部７を有する。
実施例において、ウェハー１は真空吸着式のスピンチャ
ック２上にセンタリングされた後セットされる。ウェハ
ー１はスピンチャック２により矢印方向に回転する。こ
のときにウェハー１のエツジ１ａの位置をレーザ式の外
径測定器３により検出する。この検出信号に基づいて駆
動部７は照射プローブ４を移動させてウェハー１の偏心
やオリフラによるエツジ位置の変動に関係なく、常にウ
ェハーのエツジから内側に予め設定した一定の距離を保
ってウェハー外周に光を照射する。これにより第１図の
斜線で示した範囲を露光することができる。
ック２上にセンタリングされた後セットされる。ウェハ
ー１はスピンチャック２により矢印方向に回転する。こ
のときにウェハー１のエツジ１ａの位置をレーザ式の外
径測定器３により検出する。この検出信号に基づいて駆
動部７は照射プローブ４を移動させてウェハー１の偏心
やオリフラによるエツジ位置の変動に関係なく、常にウ
ェハーのエツジから内側に予め設定した一定の距離を保
ってウェハー外周に光を照射する。これにより第１図の
斜線で示した範囲を露光することができる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す平面図である。
構成は実施例１と同様であるが、実施例１では外径測定
器が固定されており検出信号の変化により照射プローブ
を移動させる方式をとっていたのに対し、実施例２にお
いては外径測定器３と照射プローブ４が一体となって移
動するようになっており、外径測定器３の出力信号を一
定にするように照射プローブ４を移動させる方式を採用
している。
器が固定されており検出信号の変化により照射プローブ
を移動させる方式をとっていたのに対し、実施例２にお
いては外径測定器３と照射プローブ４が一体となって移
動するようになっており、外径測定器３の出力信号を一
定にするように照射プローブ４を移動させる方式を採用
している。
この実施例２の方式では外径測定器３の測定範囲を長く
取る必要がないため、実施例１に比べ測定範囲の狭い外
径測定器を使用できる。また定値制御であるため、制御
系を簡単にできるという利点がある。
取る必要がないため、実施例１に比べ測定範囲の狭い外
径測定器を使用できる。また定値制御であるため、制御
系を簡単にできるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はウェハーのエツジ位置を検
出し、この検出信号により照射プローブを移動させる機
構を有することにより、ウェハー形状の変化に追従した
最適位置に照射プローブを移動させることができ、ウェ
ハーサイズ、オリフラ形状、オリフラ数の違いに関係な
く、予め設定した通りに一定巾の周辺露光ができ、また
ウェハーセンタリング時の精度もそれほど高精度を必要
としないという効果を有する。
出し、この検出信号により照射プローブを移動させる機
構を有することにより、ウェハー形状の変化に追従した
最適位置に照射プローブを移動させることができ、ウェ
ハーサイズ、オリフラ形状、オリフラ数の違いに関係な
く、予め設定した通りに一定巾の周辺露光ができ、また
ウェハーセンタリング時の精度もそれほど高精度を必要
としないという効果を有する。
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、第１図
（ｂ）、（ｃ）は同側面図、第２図は本発明の実施例２
を示す平面図、第３図は従来の周辺露光装置を示す側面
図である。 １・・・ウェハー ２・・・スピンチャック
３・・・外径測定器 ４・・・照射プローブ７・
・・駆動部
（ｂ）、（ｃ）は同側面図、第２図は本発明の実施例２
を示す平面図、第３図は従来の周辺露光装置を示す側面
図である。 １・・・ウェハー ２・・・スピンチャック
３・・・外径測定器 ４・・・照射プローブ７・
・・駆動部
Claims (1)
- （１）ポジ型のフォトレジストを塗布した半導体ウェハ
ーの周辺部のみにフォトレジストが感光する波長の光を
照射することにより現像処理を行う周辺露光装置におい
て、ウェハーを回転させる機構と、回転中のウェハーの
エッジの位置を検出する機構と、該検出機構からの信号
によりウェハーのエッジから予め設定した範囲にフォト
レジストが感光する波長の光を照射する露光機構とを含
むことを特徴とする周辺露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126769A JPH01295421A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126769A JPH01295421A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 周辺露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295421A true JPH01295421A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14943471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126769A Pending JPH01295421A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 周辺露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01295421A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4115510A1 (de) * | 1990-05-21 | 1991-11-28 | Hamatech Halbleiter Maschinenb | Vorrichtung zur randentlackung einer substrats |
| JPH04291938A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Ushio Inc | ウエハ上の不要レジスト露光装置および露光方法 |
| JP2002196500A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| KR100667254B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63126769A patent/JPH01295421A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4115510A1 (de) * | 1990-05-21 | 1991-11-28 | Hamatech Halbleiter Maschinenb | Vorrichtung zur randentlackung einer substrats |
| JPH04291938A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Ushio Inc | ウエハ上の不要レジスト露光装置および露光方法 |
| JP2002196500A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| KR100523890B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2005-10-26 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 필름 회로 기판의 주변 노광 장치 |
| KR100667254B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 |
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