JPH0450733B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0450733B2 JPH0450733B2 JP58030833A JP3083383A JPH0450733B2 JP H0450733 B2 JPH0450733 B2 JP H0450733B2 JP 58030833 A JP58030833 A JP 58030833A JP 3083383 A JP3083383 A JP 3083383A JP H0450733 B2 JPH0450733 B2 JP H0450733B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- workpiece
- periphery
- wafer
- irradiation device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は被加工物の周縁に沿つて光を縁取り状
に照射する照射装置に関する。
に照射する照射装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
半導体装置の製造工程において、薄い円板状の
半導体部材からなる、いわゆるウエハにフオトレ
ジスト（以下レジストと称す）を塗布した後、ソ
フトベーク、露光、現像などが行なわれる。この
間ウエハは搬送に際して、必要に応じて搬送器に
収容されて運ばれるが、ソフトベーク以後は搬送
器との接触によりウエハ周縁のレジストが剥離
し、これが飛散付着して不良品となることがしば
しば生じる。特に近時露光の線幅が狭く、半導体
装置の高密度化にともなつて、これによる歩留り
低下は大きな問題となつている。
半導体部材からなる、いわゆるウエハにフオトレ
ジスト（以下レジストと称す）を塗布した後、ソ
フトベーク、露光、現像などが行なわれる。この
間ウエハは搬送に際して、必要に応じて搬送器に
収容されて運ばれるが、ソフトベーク以後は搬送
器との接触によりウエハ周縁のレジストが剥離
し、これが飛散付着して不良品となることがしば
しば生じる。特に近時露光の線幅が狭く、半導体
装置の高密度化にともなつて、これによる歩留り
低下は大きな問題となつている。
これを解決する方法としてソフトベーク前、ウ
エハの周縁に沿つて縁取り状にレジストを除去す
ることが考えられている。これは例えば回転する
ウエハの周縁部にレジストを除去する処理液を吹
きつけてレジストを除去している。しかしこの方
法は、周縁部の一部を直線状に切欠いて形成した
部分、いわゆるオリエンテーシヨンフラツト（以
下オリフラと称す）の部分の周縁部のレジストを
除去することが困難であるという不都合がある。
また回転しているウエハの周縁部を露光して現像
除去する方法も考えられるが、これも前の方法と
同様にオリフラの部分は露光できにくいという不
都合があり、不規則な形状の周縁をもつた被加工
物に対しても、この周縁に追従して、能率よく縁
取り状に光を照射できる照射装置が要望されてい
た。
エハの周縁に沿つて縁取り状にレジストを除去す
ることが考えられている。これは例えば回転する
ウエハの周縁部にレジストを除去する処理液を吹
きつけてレジストを除去している。しかしこの方
法は、周縁部の一部を直線状に切欠いて形成した
部分、いわゆるオリエンテーシヨンフラツト（以
下オリフラと称す）の部分の周縁部のレジストを
除去することが困難であるという不都合がある。
また回転しているウエハの周縁部を露光して現像
除去する方法も考えられるが、これも前の方法と
同様にオリフラの部分は露光できにくいという不
都合があり、不規則な形状の周縁をもつた被加工
物に対しても、この周縁に追従して、能率よく縁
取り状に光を照射できる照射装置が要望されてい
た。
本発明は上述の不都合を除去するためになされ
たもので、被加工物の周縁が不規則な形状をして
いても、これに沿つて縁取り状に被加工物を作業
性よく照射する照射装置を提供することを目的と
する。
たもので、被加工物の周縁が不規則な形状をして
いても、これに沿つて縁取り状に被加工物を作業
性よく照射する照射装置を提供することを目的と
する。
本発明は、被加工物の周縁の一部に対向して設
けられてしかも周縁の内側と外側にわたつて臨む
ように形成された受光部および同様な射光部をも
ちかつ受光部から入つた光が所定距離だけ内側に
射光部から射出される光学系と、これら光学系と
は被加工物の反対側の面から射出され、一部が被
加工物により遮光されて受光部に入射する投射光
を射出する光源装置と、投射光が入射した光学系
をほぼ周縁に沿つてこれに対して相対移動させる
移動手段とを設けて構成されていて、周縁を境に
してその外側を通つて光学系に入つた投射光を所
定距離内側に射出し、同時に光学系を相対的に移
動させることにより、常に周縁に追従して縁取り
状に被加工物を照射する照射装置である。
けられてしかも周縁の内側と外側にわたつて臨む
ように形成された受光部および同様な射光部をも
ちかつ受光部から入つた光が所定距離だけ内側に
射光部から射出される光学系と、これら光学系と
は被加工物の反対側の面から射出され、一部が被
加工物により遮光されて受光部に入射する投射光
を射出する光源装置と、投射光が入射した光学系
をほぼ周縁に沿つてこれに対して相対移動させる
移動手段とを設けて構成されていて、周縁を境に
してその外側を通つて光学系に入つた投射光を所
定距離内側に射出し、同時に光学系を相対的に移
動させることにより、常に周縁に追従して縁取り
状に被加工物を照射する照射装置である。
以下本発明の詳細を図示の実施例を参照して説
明する。第１図ないし第３図は第１の実施例を示
すもので、１はウエハで、上面２には塗布後ソフ
トベークされたレジスト被膜３が付着しており、
また周縁４の一部を切欠いて形成されたオリフラ
５が設けられている。本実施例は、この周縁４に
沿つて縁取り状に光を投射してウエハ１の周縁部
のレジスト被膜３を除去するのに本発明を適用し
たものである。１１は平板状の基台で、これに軸
受ブラケツト１２を介して回転自在にウエハチヤ
ツク１３が支持されている。このウエハチヤツク
１３は、図示を省略してある真空装置に連結され
た真空チヤツクで構成されていて、減圧によりウ
エハ１を保持し、基台１１の下方に設けられた図
示しない駆動機構により回転される。なおこれら
軸受ブラケツト１２、ウエハチヤツク１３、駆動
機構などで移動手段１４を構成している。１５は
光源装置で、支持スタンド１６とこれに支持され
た投光体１７とからなつていて、投光体１７は内
部の図示を省略してあるが、例えば電球などの光
源と集光光学系とからなつていて、先端からリボ
ン状の投射光１８がウエハ１の裏面側からその周
縁４近傍に射出される。２０は光学装置で、これ
は基台１１に立設された支持スタンド２１にＬ字
状の第１部材２２をその一辺がウエハ１の中心の
方に向けて取付け、他辺に上記一辺と平行に第２
部材２３を位置調節自在に取付け、これら両部材
２２，２３に光学系２４としてのオプチカルフア
イバ束２５の両端を貫通支持させて構成されてい
る。このオプチカルフアイバ束２５は複数本のオ
プチカルフアイバ２５ａ，２５ｂ，…２５ｎから
なつていて、第１部材２２を貫通した下端部と第
２部材２３を貫通した下端部とにおいて、各オプ
チカルフアイバ２５ａ，…２５ｎはその配列の順
序がウエハ１中心の側からみて全く同じ順序に形
成されている。そして第１部材２２に保持された
下端部は受光部２６となつて投光体１７に臨んで
おり、第２部材２３に保持された下端部は射光部
２７になつている。これら受光部２６、射光部２
７は周縁４の内側および外側に十分長く周縁４を
またぐように形成されていて、投光体１７からの
投射光１８はウエハ１により一部遮光され周縁４
より外側の投射光１８のみが受光部２６に入射
し、射光部２７から射出される。従つて第２部材
２３を移動させて射出部２７を受光部２６より距
離ｆだけウエハ１中心側に近づけておくと、周縁
４から内側に距離ｆまでの間が照射される。３１
は側部投射装置で、ウエハ１の側面５に対向して
設けられたオプチカルフアイバ束３２と、これに
投射光３３を送る側面投光体３４と、基台１１に
立設されて側面投光体３４を支持する支持スタン
ド３５とから構成されている。側面投光体３４は
投光体１７と同様な構成なので説明を省略する。
明する。第１図ないし第３図は第１の実施例を示
すもので、１はウエハで、上面２には塗布後ソフ
トベークされたレジスト被膜３が付着しており、
また周縁４の一部を切欠いて形成されたオリフラ
５が設けられている。本実施例は、この周縁４に
沿つて縁取り状に光を投射してウエハ１の周縁部
のレジスト被膜３を除去するのに本発明を適用し
たものである。１１は平板状の基台で、これに軸
受ブラケツト１２を介して回転自在にウエハチヤ
ツク１３が支持されている。このウエハチヤツク
１３は、図示を省略してある真空装置に連結され
た真空チヤツクで構成されていて、減圧によりウ
エハ１を保持し、基台１１の下方に設けられた図
示しない駆動機構により回転される。なおこれら
軸受ブラケツト１２、ウエハチヤツク１３、駆動
機構などで移動手段１４を構成している。１５は
光源装置で、支持スタンド１６とこれに支持され
た投光体１７とからなつていて、投光体１７は内
部の図示を省略してあるが、例えば電球などの光
源と集光光学系とからなつていて、先端からリボ
ン状の投射光１８がウエハ１の裏面側からその周
縁４近傍に射出される。２０は光学装置で、これ
は基台１１に立設された支持スタンド２１にＬ字
状の第１部材２２をその一辺がウエハ１の中心の
方に向けて取付け、他辺に上記一辺と平行に第２
部材２３を位置調節自在に取付け、これら両部材
２２，２３に光学系２４としてのオプチカルフア
イバ束２５の両端を貫通支持させて構成されてい
る。このオプチカルフアイバ束２５は複数本のオ
プチカルフアイバ２５ａ，２５ｂ，…２５ｎから
なつていて、第１部材２２を貫通した下端部と第
２部材２３を貫通した下端部とにおいて、各オプ
チカルフアイバ２５ａ，…２５ｎはその配列の順
序がウエハ１中心の側からみて全く同じ順序に形
成されている。そして第１部材２２に保持された
下端部は受光部２６となつて投光体１７に臨んで
おり、第２部材２３に保持された下端部は射光部
２７になつている。これら受光部２６、射光部２
７は周縁４の内側および外側に十分長く周縁４を
またぐように形成されていて、投光体１７からの
投射光１８はウエハ１により一部遮光され周縁４
より外側の投射光１８のみが受光部２６に入射
し、射光部２７から射出される。従つて第２部材
２３を移動させて射出部２７を受光部２６より距
離ｆだけウエハ１中心側に近づけておくと、周縁
４から内側に距離ｆまでの間が照射される。３１
は側部投射装置で、ウエハ１の側面５に対向して
設けられたオプチカルフアイバ束３２と、これに
投射光３３を送る側面投光体３４と、基台１１に
立設されて側面投光体３４を支持する支持スタン
ド３５とから構成されている。側面投光体３４は
投光体１７と同様な構成なので説明を省略する。
次に本実施例の作動につき説明する。まず受光
部２６に対し、射光部２７を所定量ｆ（レジスト
被膜３を除去する半径方向の距離）だけ内側に突
出させて固定する。次にレジスト被膜３を設けた
ウエハ１をウエハチヤツク３上にほぼ同心状に載
置し、低速で回転させる。次に投光体１７、側面
投光体３４を作動させると、第３図に示すよう
に、投射光１８は一部ウエハ１の裏面で遮ぎられ
て周縁４より外側の投射光１８は受光部２６に入
射し、射光部２７よりウエハ１のレジスト被膜３
上を照射する。このとき投射光１８は周縁４から
内側へ距離ｆに到るまでの間を照射し、回転によ
り周縁４の位置、形状が、例えばオリフラ５とか
偏心などにより変化しても、常に遮光する周縁４
から距離ｆまでの間を縁取り状に露光する。また
同時に側面投光体３４からの投射光３３によりウ
エハ１側面のレジスト被膜３も露光される。所定
時間の露光が終つたらウエハ１を取り外し、次の
処理工程により露光部のレジスト被膜３を除去す
る。
部２６に対し、射光部２７を所定量ｆ（レジスト
被膜３を除去する半径方向の距離）だけ内側に突
出させて固定する。次にレジスト被膜３を設けた
ウエハ１をウエハチヤツク３上にほぼ同心状に載
置し、低速で回転させる。次に投光体１７、側面
投光体３４を作動させると、第３図に示すよう
に、投射光１８は一部ウエハ１の裏面で遮ぎられ
て周縁４より外側の投射光１８は受光部２６に入
射し、射光部２７よりウエハ１のレジスト被膜３
上を照射する。このとき投射光１８は周縁４から
内側へ距離ｆに到るまでの間を照射し、回転によ
り周縁４の位置、形状が、例えばオリフラ５とか
偏心などにより変化しても、常に遮光する周縁４
から距離ｆまでの間を縁取り状に露光する。また
同時に側面投光体３４からの投射光３３によりウ
エハ１側面のレジスト被膜３も露光される。所定
時間の露光が終つたらウエハ１を取り外し、次の
処理工程により露光部のレジスト被膜３を除去す
る。
次に第４図、第５図は第２の実施例の構成を示
すもので、光学系２４のみが第１の実施例と相違
しているので、これについて説明する。本実施例
はウエハ１の周縁４に対向して設けられた受光部
としての２個の同一楔状のプリズム４１，４２
と、これの上部に設けられた射光部としての全反
射プリズム４３とで光学系４５が形成されてい
る。投射光１８の中の周縁４より外側のものはプ
リズム４１，４２を透過し、その際第５図に示す
ように距離ｆだけ周縁４より内側に平行移動し、
全反射プリズム４３で再び下降してレジスト被膜
３を照射する。距離ｆの調節はプリズム４１，４
２を相対的に移動させることにより行なわれる。
すもので、光学系２４のみが第１の実施例と相違
しているので、これについて説明する。本実施例
はウエハ１の周縁４に対向して設けられた受光部
としての２個の同一楔状のプリズム４１，４２
と、これの上部に設けられた射光部としての全反
射プリズム４３とで光学系４５が形成されてい
る。投射光１８の中の周縁４より外側のものはプ
リズム４１，４２を透過し、その際第５図に示す
ように距離ｆだけ周縁４より内側に平行移動し、
全反射プリズム４３で再び下降してレジスト被膜
３を照射する。距離ｆの調節はプリズム４１，４
２を相対的に移動させることにより行なわれる。
なお第１の実施例および第２の実施例の説明に
おいては、受光部２６と投射部２７の間隔は理解
を容易にするため相当大きく図示してあるが、距
離ｆの精度を十分保つためには極力接近して設け
ることが必要である。
おいては、受光部２６と投射部２７の間隔は理解
を容易にするため相当大きく図示してあるが、距
離ｆの精度を十分保つためには極力接近して設け
ることが必要である。
以上詳述したように本発明の照射装置は、その
光学系の受光部に対して射光部を被加工物の周縁
より所定量内側に偏位させて構成したので、常に
遮光する周縁に沿つて縁取り状に被加工物を照射
することができるから、周縁が不規則な形状をし
たり、あるいは被加工物が偏心して回転したりし
ても、何ら支障なく所望の照射を行なうことがで
きる効果を奏するものである。
光学系の受光部に対して射光部を被加工物の周縁
より所定量内側に偏位させて構成したので、常に
遮光する周縁に沿つて縁取り状に被加工物を照射
することができるから、周縁が不規則な形状をし
たり、あるいは被加工物が偏心して回転したりし
ても、何ら支障なく所望の照射を行なうことがで
きる効果を奏するものである。
なお本実施例においては、ウエハのレジスト被
膜の除去の場合を例に説明したが、これに限定さ
れるものではなく、各種加工の照射装置として使
用してもよい。
膜の除去の場合を例に説明したが、これに限定さ
れるものではなく、各種加工の照射装置として使
用してもよい。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２
図は同じく正面図、第３図は被加工物の被照射状
態を説明する要部断面拡大図、第４図は本発明の
第２の実施例の正面図、第５図は同じく要部拡大
側面図である。 １……被加工物、４……周縁、１４……移動手
段、１５……光源装置、１８……投射光、２４，
４５……光学系、２５……光フアイバ束、２６…
…受光部、２７……射光部。
図は同じく正面図、第３図は被加工物の被照射状
態を説明する要部断面拡大図、第４図は本発明の
第２の実施例の正面図、第５図は同じく要部拡大
側面図である。 １……被加工物、４……周縁、１４……移動手
段、１５……光源装置、１８……投射光、２４，
４５……光学系、２５……光フアイバ束、２６…
…受光部、２７……射光部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 板状の被加工物の周縁に光を縁取り状に照射
する照射装置において、上記被加工物の一方の主
面に対向して設けられ上記光を上記被加工物の周
縁に投射する第１投光体と、上記被加工物の他方
の主面側の周縁に設けられ上記第１投光体からの
光のうち上記被加工物により遮られなかつた光を
受光する受光部及びこの受光した光を上記被加工
物の内側方向に所定量偏位させる偏位部およびこ
の偏位部にて偏位した光を上記被加工物の他方の
主面側の周縁に投射する射光部からなる光学系
と、上記第１投光体による光の投射方向にほぼ直
交する方向から上記上記被加工物の側面に光を投
射する第２投光体と、上記光学系を上記被加工物
の周縁に沿いかつこれに対して相対移動させる移
動手段とを具備したことを特徴とする照射装置。 ２ 光学系は光フアイバ束を備えていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030833A JPS59158520A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030833A JPS59158520A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158520A JPS59158520A (ja) | 1984-09-08 |
| JPH0450733B2 true JPH0450733B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=12314698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030833A Granted JPS59158520A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158520A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173330A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nec Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| JPS62128121A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2674746B2 (ja) * | 1986-02-20 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS63133527A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Nec Corp | 露光プリアライメント装置 |
| JPS63160332A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト除去装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
| KR960016175B1 (en) * | 1987-08-28 | 1996-12-04 | Tokyo Electron Ltd | Exposing method and apparatus thereof |
| JPH0797549B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1995-10-18 | 東京エレクトロン九州株式会社 | 露光方法及びその装置 |
| JP2567005B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1996-12-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハの周縁部露光装置 |
| JP2623495B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1997-06-25 | ウシオ電機株式会社 | 不要レジスト除去方法及び装置 |
| JP2668537B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
| JPH0273621A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| JPH0795516B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
| JPH0795517B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法 |
| JP2601335B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1997-04-16 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光装置 |
| JPH0795518B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光ユニット |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100730A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS57126134A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-05 | Nec Corp | Processing system for wafer |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030833A patent/JPS59158520A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59158520A (ja) | 1984-09-08 |
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