JPH01295897A - Static charge recording card - Google Patents

Static charge recording card

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Publication number
JPH01295897A
JPH01295897A JP63127556A JP12755688A JPH01295897A JP H01295897 A JPH01295897 A JP H01295897A JP 63127556 A JP63127556 A JP 63127556A JP 12755688 A JP12755688 A JP 12755688A JP H01295897 A JPH01295897 A JP H01295897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrostatic charge
charge
insulating layer
layer
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP63127556A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Matsuo
誠 松尾
Minoru Uchiumi
内海 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to ES89305009T priority patent/ES2081838T3/en
Priority to DE68925436T priority patent/DE68925436T2/en
Priority to DE68929515T priority patent/DE68929515D1/en
Priority to KR1019890006573A priority patent/KR100223698B1/en
Priority to EP89305009A priority patent/EP0342967B1/en
Priority to EP95201292A priority patent/EP0676752B1/en
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Abstract

PURPOSE:To accumulate data of high quality and high resolution, and to preserve said data as electrostatic latent images for a long period, by laminating onto a card base material a static charge recording body obtained through the lamination of an insulating layer on electrodes, in a manner that said insulating layer becomes the upper surface of said recording body. CONSTITUTION:An insulating layer 11 is laminated on a static charge recording electrode 13 thereby to form a static charge recording body 3 on a card base material. When the static charge recording body 3 is used together with a photoreceptor, data is recorded on the surface of the insulating layer 11 or thereinside as a distribution of static charges. The static charge recording electrodes 13 are formed wholly in the interval between a static charge recording body support 15 and the insulating layer 11 or, on the support 15 in accordance with the forming pattern of the insulating layer. The material of the electrodes is not limited if only the specific resistance thereof is not higher than 10<6>OMEGA.cm. Since the insulating layer 11 laminated on the electrodes 13 records data on the surface thereof or thereinside in the form of a distribution of static charges, a high insulative property is required in order to restrict the move of the charges, and therefore the specific resistance of the insulating layer should be not lower than 10<14>OMEGA.cm.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は絶縁層上に、情報を電荷、またはその電荷がト
ナー現像されて蓄積された静電荷記録カードに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an electrostatic charge recording card in which information is stored on an insulating layer, or the charge is accumulated by being developed with a toner.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現在は、カード時代と言われるように、キャッシュカー
ドやクレジットカード等の様々なカードが流通している
が、その殆どは磁気記録カードであり、携帯に便利な名
刺大のサイズが最もよく利用されている。しかしこのよ
うなサイズの磁気記録カードでは、あまり記憶容量が確
保できないために、その利用は極限られた暗証番号、口
座番号や登録番号等の照合コードの記憶程度であるのが
実情である。−力先学的に情報を記録する所謂光カード
は、従来の磁気記録カードに比較して記録情報量が蟲か
に大きいことは良く知られているが、情報記録材料に問
題があり、経済的で汎用性の高い光カードは実用に到っ
ていない。
Currently, we are in the age of cards, and various cards such as cash cards and credit cards are in circulation, but most of them are magnetic recording cards, and the most commonly used are business card-sized cards, which are convenient to carry. ing. However, since a magnetic recording card of this size does not have much storage capacity, the actual situation is that its use is limited to storing verification codes such as personal identification numbers, account numbers, and registration numbers. - It is well known that so-called optical cards, which record information mechanically, have an extremely large amount of recorded information compared to conventional magnetic recording cards, but there are problems with the information recording materials, making them economically A highly versatile optical card has not yet been put into practical use.

光カードにおける記録部は、導通材料の上に反耐性金属
の薄膜を積層して形成されるが、現在の光学ディスク技
術においては、2.3μmの解像度を有する状況となっ
ており、通常25〜100万ビツトをこえる記憶容量を
有している。
The recording section in an optical card is formed by laminating a thin film of anti-resistance metal on a conductive material, but current optical disk technology has a resolution of 2.3 μm, and usually has a resolution of 25 to 25 μm. It has a storage capacity of over 1 million bits.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら光カードにおいては、その情報単位が反射
性金属を基板上に積層することにより形成されているた
め、その製造技術としては高度なものが要求され、デー
タの再生に際しても問題がまだ存在する。
However, in optical cards, the information units are formed by laminating reflective metal on a substrate, so advanced manufacturing technology is required, and problems still exist when reproducing data.

本発明は、このような光カードにおける情報記録手段と
は相違し、電極上に絶縁性物質を積層した静電荷記録体
上面に、情報を電荷として記録させることにより、作製
手段が極めて容易であり、しかも処理工程が簡便で、長
時間の記憶が可能で、記憶した文字、線画、画像、コー
ド、(1,0)情報を目的に応じた画質で、任意に反復
再生することができる、高品質、高解像の静電荷記録カ
ードを提供することを課題とする。
The present invention differs from such an information recording means in an optical card, and is extremely easy to manufacture by recording information as a charge on the upper surface of an electrostatic charge recording body in which an insulating material is laminated on an electrode. Moreover, the processing process is simple, it can be stored for a long time, and the stored characters, line drawings, images, codes, and (1,0) information can be repeatedly played back at will with the image quality that suits the purpose. Our objective is to provide a high-quality, high-resolution electrostatic charge recording card.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、電極に絶縁層を積層した静電荷記録体を、カ
ード基材上に、絶縁層を上面にして積層したものであり
、その形態としては、静電荷記録体がその絶縁層表面を
露出させてカード基材に埋めこまれるか、または絶縁層
を上面にしてカード基材上に貼着することにより積層さ
れたものである。またこの静電荷記録体は、情報が記録
されている状態、または記録されていない状態で積層さ
れており、さらにこの静電荷記録体における記録保存形
態としては、電荷であるか、またはこの電荷がトナー現
像された状態で蓄積されており、またカード作製後に情
報を書き込むためにカード基材の適宜箇所で、静電荷記
録体における電極部を一部露出させたことを特徴とする
ものである。
In the present invention, an electrostatic charge recording material in which an insulating layer is laminated on an electrode is laminated on a card base material with the insulating layer facing upward. It is either exposed and embedded in the card base material, or it is laminated by being attached onto the card base material with the insulating layer facing upward. In addition, this electrostatic charge recording medium is laminated in a state in which information is recorded or in a state in which information is not recorded, and the recording storage form of this electrostatic charge recording medium is either electric charge or The toner is stored in a developed state, and the electrode portion of the electrostatic charge recording material is partially exposed at an appropriate location on the card base material in order to write information after the card is manufactured.

次ぎに本発明における静電荷記録体の構成について説明
する。
Next, the structure of the electrostatic recording medium according to the present invention will be explained.

第1図(イ)は本発明のROM型静電荷記録カードの斜
視図、また第1図(ロ)は同図(イ)A−A線での断面
図で保護膜を被覆するときの状態を示す図、第3図(イ
)は本発明のDRAWROM型静電荷記録カード図、ま
た同図(口’) B−B線での断面図、また第2図は本
発明で使用する静電荷記録体の断面図であり、■は静電
荷記録カード、4はカード基材、11は絶縁層、13は
静電荷記録体電極、14は露出電極部、15は静電荷記
録体支持体、16は保護膜を示す。
FIG. 1(a) is a perspective view of the ROM type electrostatic charge recording card of the present invention, and FIG. 1(b) is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. Figure 3 (a) is a diagram of the DRAWROM type electrostatic charge recording card of the present invention, and the same figure (opening) is a sectional view taken along line B-B, and Figure 2 is a diagram of the electrostatic charge recording card used in the present invention. 1 is a cross-sectional view of a recording medium, where ■ is an electrostatic charge recording card, 4 is a card base material, 11 is an insulating layer, 13 is an electrostatic charge recording body electrode, 14 is an exposed electrode portion, 15 is an electrostatic charge recording body support, 16 indicates a protective film.

静電荷記録体3は静電荷記録電極13上に絶縁l111
が積層されたものであり、感光体と共に用いられて、絶
縁層11の表面、もしくはその内部に情報を静電荷の分
布として記録するものである。
The electrostatic charge recording body 3 is insulated on the electrostatic charge recording electrode 13.
It is used together with a photoreceptor to record information as a distribution of electrostatic charges on the surface of the insulating layer 11 or inside it.

静電荷記録体支持体15は、静電荷記録体3を強度的に
支持することができるある程度の強度を有していれば、
その材質、厚みは特に制限がなく、例えば可撓性のある
プラスチックフィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラ
スチックシート、金属板(電極を兼ねることもできる)
等の剛体が使用される。金属板を静電荷記録体支持体と
して使用する場合以外は、該支持体上に、アルミニウム
を蒸着等の手段により1000人程度0膜厚に積層して
静電荷記録体電極を形成し、次いで静電荷記録体材料で
ある絶縁層を積層させ、静電荷記録体は作製される。ま
た静電荷記録体支持体15を省略し、カード基材4上に
直接、静電荷記録体電極13、絶縁層11を順次積層す
ることにより作製してもよい。また静電荷記録体支持体
として金属板を使用し、静電荷記録体支持体と電極を兼
用させてもよい。
If the electrostatic charge recording body support 15 has a certain level of strength that can strongly support the electrostatic charge recording body 3,
There are no particular restrictions on its material or thickness, such as flexible plastic film, metal foil, paper, glass, plastic sheet, or metal plate (which can also serve as an electrode).
A rigid body such as is used. Unless a metal plate is used as the electrostatic charge recording material support, an electrostatic charge recording material electrode is formed by laminating aluminum on the support to a thickness of approximately 1,000 layers by means such as vapor deposition, and then electrostatic charge recording material electrodes are formed. An electrostatic charge recording body is produced by laminating insulating layers that are charge recording body materials. Alternatively, the electrostatic charge recording material support 15 may be omitted and the electrostatic charge recording material electrode 13 and the insulating layer 11 may be directly laminated on the card base material 4 in this order. Alternatively, a metal plate may be used as the electrostatic charge recording body support, and may serve both as the electrostatic charge recording body support and the electrode.

静電荷記録体3は、情報を記録した後か、または情報を
記録する前に、第1図、また第3図に示すようにカード
基材4に貼着されるか、または埋め込まれる。静電荷記
録体3を載置するカード基材4としては、静電荷記録体
3を支持することができるある程度の強度を有していれ
ば、その材質、厚みは特に制限がなく、例えば可撓性の
ある塩化ビニル樹脂等のプラスチックシート、ガラス、
セラミック、金属板(電極を兼ねることもできる)等の
剛体が使用される。
The electrostatic charge recorder 3 is attached to or embedded in the card base material 4, as shown in FIG. 1 and FIG. 3, either after or before recording information. The material and thickness of the card base material 4 on which the electrostatic charge recording medium 3 is placed are not particularly limited as long as it has a certain level of strength that can support the electrostatic charge recording medium 3. For example, it may be a flexible material. plastic sheets such as polyvinyl chloride resin, glass,
A rigid body such as a ceramic or a metal plate (which can also serve as an electrode) is used.

静電荷記録体電極13は、静電荷記録体支持体15と絶
縁層11との間に全面、或いは絶縁層の形成パターンに
合わせて静電荷記録体支持体15上に形成され、その材
質は比抵抗が106Ω・cm以下であれば限定されなく
、無機金属扉、電膜、無機金属酸化物’474.膜等が
使用される。このような静電荷記録体電極13は、静電
荷記録体支持体15上に、蒸着、スパッタリング、CV
D、コーティング、メツキ、ディッピング、電解重合等
により形成される。またその厚みは、アルミニウムを使
用する場合は、100〜3000人程度である。
The electrostatic charge recording material electrode 13 is formed on the entire surface between the electrostatic charge recording material support 15 and the insulating layer 11, or on the electrostatic charge recording material support 15 in accordance with the formation pattern of the insulating layer, and the material thereof is There is no limitation as long as the resistance is 106 Ω·cm or less, and inorganic metal doors, electric films, and inorganic metal oxides '474. membrane etc. are used. Such an electrostatic charge recording body electrode 13 is formed on the electrostatic charge recording body support 15 by vapor deposition, sputtering, CV
D. Formed by coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, etc. Moreover, the thickness is about 100 to 3000 when aluminum is used.

静電荷記録体電極13上に積層される絶縁層11は、そ
の表面、もしくはその内部に情報を静電荷の分布として
記録するものであるから、電荷の移動を抑えるため高絶
縁性が必要であり、比抵抗で1014Ω・cm以上の絶
縁性を有することが要求される。このような絶縁層11
は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、コーティング、デ
ィッピングするか、または蒸着、スパッタリング法によ
り層形成させることができ、その膜厚は絶縁性の点から
は少なくても1000人(0,1μm)以上必要であり
、フレキシビル性の点からは100μm以下が好ましい
Since the insulating layer 11 laminated on the electrostatic charge recording body electrode 13 records information as a distribution of electrostatic charges on its surface or inside thereof, it needs to have high insulation properties to suppress the movement of charges. , it is required to have insulation properties with a specific resistance of 1014 Ω·cm or more. Such an insulating layer 11
can be formed into a layer by dissolving resin or rubber in a solvent, coating, dipping, vapor deposition, or sputtering, and the thickness of the film is at least 1000 mm (0.1 μm) from the viewpoint of insulation. ) or more, and from the viewpoint of flexible building properties, it is preferably 100 μm or less.

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン66、ナイロン6、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹
脂、フェノール樹脂。
Here, examples of the resin and rubber include polyethylene, polypropylene, vinyl resin, styrene resin, acrylic resin, nylon 66, nylon 6, polycarbonate, acetal homopolymer, fluororesin, cellulose resin, and phenol resin.

ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。Urea resin, polyester resin, epoxy resin.

可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、PPO,ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。
Flexible epoxy resin, melamine resin, silicone resin, phenoxy resin, aromatic polyimide, PPO, polysulfone, etc., as well as polyisoprene, polybutadiene, polychloroprene, isobutylene.

極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー。
Extremely high nitrile, polyacrylic rubber, chlorosulfonated polyethylene, ethylene/propylene rubber.

弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。Fluororubber, silicone rubber, polysulfide synthetic rubber.

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物等が使用
される。またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム
、ポリイミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレン
フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フ
ィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィル
ム等を静電荷記録体電極13上に接着剤等を介して貼着
することにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂
、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂
、ゴム等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティン
グ、ディッピングすることにより層形成される。更にラ
ングミュア−・ブロジヱト法により形成される単分子膜
、または単分子累積膜も使用することができる。
A single rubber such as urethane rubber or a mixture thereof can be used. Also, by pasting a silicone film, a polyester film, a polyimide film, a fluorine-containing film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polyparabanic acid film, a polycarbonate film, a polyamide film, etc. onto the electrostatic charge recording body electrode 13 via an adhesive or the like. Layers are formed by coating or dipping, or by adding necessary curing agents, solvents, etc. to thermoplastic resins, thermosetting resins, ultraviolet curable resins, electron beam curable resins, rubbers, etc. . Furthermore, a monomolecular film or a monomolecular cumulative film formed by the Langmuir-Blodget method can also be used.

またこれら絶縁層11には、電極面との間、または絶縁
層ll上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界(104V/Cm以上)が印加
された時には電荷が注入するが、低電界(10’V/c
m以下)では電荷が注入しない層のことをいう。電荷保
持強化層としては、例えば5i(h、Al2O2、Si
C、SiN等が使用でき、有機系物質としては例えばポ
リエチレン蒸着膜9.ポリバラキシレン蒸着膜が使用で
きる。
Further, a charge retention reinforcing layer can be provided between the insulating layers 11 and the electrode surface or on the insulating layer ll. A charge retention enhancement layer is a layer in which charge is injected when a strong electric field (104V/Cm or more) is applied, but when a low electric field (10'V/Cm or more) is applied, charge is injected.
m or less) refers to a layer into which no charge is injected. As the charge retention enhancement layer, for example, 5i(h, Al2O2, Si
C, SiN, etc. can be used, and as an organic material, for example, a polyethylene vapor deposited film 9. A polyvaraxylene vapor deposited film can be used.

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層11
に、電子供与性を有する物質(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい。ドナー材料としてはスチレン系、とレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的には
テトラシアノキノジメタン(TCNQ))リニトロフル
オレノン(TNF)等が使用され、一種、または混合し
て使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂
等に対して0.001〜10%程度添加して使用される
In addition, in order to hold static charge more stably, the insulating layer 11
It is preferable to add a substance having electron-donating properties (donor material) or a substance having electron-accepting properties (acceptor material) to the material. Donor materials include styrene, ren,
There are naphthalene-based, anthracene-based, pyridine-based, and azine-based compounds, specifically tetrathiofulvalene (TT
F), polyvinylpyridine, polyvinylnaphthalene, polyvinylanthracene, polyazine, polyvinylpyrene, polystyrene, etc. are used either singly or in combination. In addition, acceptor materials include halogen compounds, cyanide compounds, nitro compounds, etc. Specifically, tetracyanoquinodimethane (TCNQ), linitrofluorenone (TNF), etc. are used, and they are used singly or in combination. . The donor material and acceptor material are used by adding about 0.001 to 10% to the resin and the like.

さらに静電荷を安定に保持させるために、静電荷記録体
中に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体
としては周期律表第1A族(アルカリ金属)、同IB族
(銅族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同IIB
族(亜鉛族)、同mA族(アルミニウム族)、同[[B
族(希土類)、同■B族(チタン族)、同VB族(バナ
ジウム族)、同VIB族(クロム族)、同■B族(マン
ガン族)、同■族(鉄族、白金族)、また同IVA族(
炭素族)としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同VA
族(窒素族)としてはアンチモン、ビスマス、同VIA
族(酸素族)としては硫黄、セレン、テルルが微細粉状
で使用される。また上記元素単体のうち金属類は金属イ
オン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても
使用することができる。
Further, in order to stably hold the electrostatic charge, elemental element fine particles can be added to the electrostatic charge recording medium. Elements include Group 1A (alkali metals), Group IB (copper group), Group IIA (alkaline earth metals), and IIB of the periodic table.
group (zinc group), mA group (aluminum group), [[B
Group (rare earths), Group B (titanium group), Group VB (vanadium group), Group VIB (chromium group), Group Group B (manganese group), Group II (iron group, platinum group), Also, the IVA group (
Carbon group) includes silicon, germanium, tin, lead, and VA
Group (nitrogen group) includes antimony, bismuth, VIA
As the group (oxygen group), sulfur, selenium, and tellurium are used in fine powder form. Further, among the above elements, metals can be used in the form of metal ions, fine powder alloys, organic metals, and complexes.

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の静電荷記録体にごく僅か
添加すればよく、添加量は静電荷記録体に対して0.0
1〜10重量%程度でよい。
Furthermore, the above elements can be used in the form of oxides, phosphorus oxides, sulfides, and halides. These additives need only be added in a very small amount to the electrostatic charge recording material such as the resin or rubber mentioned above, and the amount added is 0.0% to the electrostatic charge recording material.
It may be about 1 to 10% by weight.

このようにして形成される絶縁層11は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、第1図(
ロ)に示すようにその表面に保護膜16を設けるとよい
。保護膜としては粘着性を有するシリコンゴム等のゴム
類、ポリテルペン樹脂等の樹脂類をフィルム状にし、絶
縁層11の表面に貼着するか、またプラスチックフィル
ムをシリコンオイル等の密着剤を使用して貼着するとよ
く、比抵抗10′4Ω・cm以上のもので、膜厚は0゜
5〜30μm程度である。特に絶縁層11の情報を高解
像度とする必要がある場合には、保護膜上から情報読み
取りがおこなわれるので、保護膜の膜厚は薄い程よい。
The insulating layer 11 formed in this way is shown in FIG.
It is preferable to provide a protective film 16 on the surface as shown in b). The protective film may be formed into a film of sticky rubber such as silicone rubber or resin such as polyterpene resin and adhered to the surface of the insulating layer 11, or a plastic film may be used with an adhesive such as silicone oil. It is best to stick the film with a specific resistance of 10'4 Ω·cm or more, and a film thickness of about 0°5 to 30 μm. In particular, when the information on the insulating layer 11 needs to have high resolution, the information is read from above the protective film, so the thinner the protective film is, the better.

情!!読み取り時にはこの保護膜上から情報を再生する
が、また保護膜を剥離して絶縁層から直接、情報を再生
してもよい。 情報記録カードlとしては、第1図に示
すような静電荷記録体に情報が既に記録されているもの
を組み込んだもの(以下、ROM型という)、また第3
図に示すような情報が記録されていない、または一部記
録可能部を有しているもの(以下、DRAW型という)
とすることができる。DRAW型の場合は、その保護膜
は絶縁層表面に、@雌可能に、例えば前述した粘着性を
有するプラスチックフィルムを使用するとよく、記録時
にはその保護膜を剥離して未記録部への記録を行い、記
録後は再度絶縁層表面を被覆することができるものがよ
い。
Love! ! At the time of reading, information is reproduced from on this protective film, but the protective film may also be peeled off and information can be reproduced directly from the insulating layer. The information recording card 1 includes one in which information is already recorded on an electrostatic charge recording medium as shown in Fig. 1 (hereinafter referred to as ROM type), and a third type
Those that do not record information as shown in the figure or have some recordable areas (hereinafter referred to as DRAW type)
It can be done. In the case of the DRAW type, it is best to use the above-mentioned sticky plastic film as the protective film on the surface of the insulating layer, and when recording, the protective film is peeled off and recording can be performed on the unrecorded area. It is preferable that the surface of the insulating layer be coated again after recording.

第4図、第5図は本発明の静電荷記録体への静電画像記
録方法を説明するための図であり、図中2は感光体、5
は光導電層支持体、7は感光体電極、9は光導電層を示
す。
4 and 5 are diagrams for explaining the electrostatic image recording method on an electrostatic charge recording medium of the present invention, in which 2 is a photoreceptor;
7 represents a photoconductive layer support, 7 represents a photoreceptor electrode, and 9 represents a photoconductive layer.

上記のようにして作製される静電荷記録体3、または静
電荷記録カード1に情報を記録するには、第4図、また
第5図に示すように、静電荷記録体3における絶縁Fi
11面を感光体2における光導電層9面に対向させ、電
圧を印加しつつ、感光体における感光体電極7側から露
光させることにより行われる。
In order to record information on the electrostatic charge recording body 3 or the electrostatic charge recording card 1 produced as described above, as shown in FIGS.
This is carried out by exposing the photoconductor from the photoconductor electrode 7 side of the photoconductor while applying a voltage to the surface of the photoconductor layer 9 on the photoconductor 2.

以下、本願発明に用いられる感光体2の構成にについて
説明する。
Hereinafter, the structure of the photoreceptor 2 used in the present invention will be explained.

光導電層支持体5は、感光体電極7、および光導電層9
を強度的に支持するものであり、上記の静電荷記録体支
持体15と同様な材質で構成される。しかし感光体2側
から光を入射して情報を記録する装置に用いられる場合
には、当然その光を透過させる特性が必要となり、例え
ば自然光を入射光とし、感光体側から入射するカメラに
用いられる場合には、厚み1mm程度の透明なガラス板
、或いはプラスチックのフィルム、シートが使用される
The photoconductive layer support 5 includes a photoreceptor electrode 7 and a photoconductive layer 9
It is made of the same material as the electrostatic charge recording medium support 15 described above. However, when used in a device that records information by entering light from the photoreceptor 2 side, it naturally requires a characteristic that allows the light to pass through.For example, it is used in a camera that uses natural light as incident light and enters from the photoreceptor side. In this case, a transparent glass plate or a plastic film or sheet with a thickness of about 1 mm is used.

感光体電極7は、光導電層支持体5に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体5上に形成され、そ
の材質は比抵抗値が106Ω・cm以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等が使
用され、その積層方法としては蒸着、スパッタリング、
CVD、コーティング、メツキ、ディッピング、電解重
合等により積層される。またその膜厚は、感光体電極7
を構成する材質の電気特性、および情報の記録の際の印
加電圧により変化させる必要があるが、例えばアルミニ
ウムであれば、100〜3000人程度である。この感
光体電極7も情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(
400〜700nm)であれば、T T O(Inz0
3−5nOJ 、S n O2等をスパッタリング、蒸
着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化
してコーティングしたような透明電極や、A u %A
 1 % A g 、N i %Cr等を蒸着、または
スパッタリングで作製する半透明電極、テトラシアノキ
ノジメタン(TCNQ)、ポリアセチレン等のコーティ
ングによる有機透明電極等が使用される。
The photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 except when metal is used for the photoconductive layer support 5, and its material is limited as long as the specific resistance value is 106 Ω·cm or less. Instead, inorganic metal conductive films, inorganic metal oxide conductive films, etc. are used, and the lamination methods include vapor deposition, sputtering,
Laminated by CVD, coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, etc. In addition, the film thickness of the photoreceptor electrode 7
It is necessary to change the electrical characteristics of the material constituting the material and the applied voltage when recording information, but for example, in the case of aluminum, the number is about 100 to 3000. If information light needs to be incident on this photoreceptor electrode 7,
The above-mentioned optical properties are required, for example, when information light is visible light (
400 to 700 nm), T TO (Inz0
Transparent electrodes coated with 3-5nOJ, S n O2, etc. by sputtering, vapor deposition, or by making ink with their fine powders together with a binder, and A u%A
A translucent electrode prepared by vapor deposition or sputtering of 1% Ag, Ni%Cr, etc., an organic transparent electrode coated with tetracyanoquinodimethane (TCNQ), polyacetylene, etc. are used.

また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカント
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
The above electrode materials can also be used when the information light is infrared light (700 nm or more), but in some cases, colored visible light absorbing electrodes can also be used in order to cant visible light.

更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
Furthermore, when the information light is ultraviolet light (400 nm or less), the above electrode materials can basically be used, but electrode substrate materials that absorb ultraviolet light (organic polymer materials, soda glass, etc.) are not preferred. A material that transmits ultraviolet light, such as quartz glass, is preferred.

光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリア
(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。
The photoconductive layer 9 is a conductive layer in which photocarriers (electrons, holes) are generated in the irradiated area when light is irradiated, and these carriers can move across the layer width, especially in the presence of an electric field. This is the layer where the effect is noticeable in some cases. The materials include inorganic photoconductive materials, organic photoconductive materials, organic-inorganic composite photoconductive materials, and the like.

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。
Below, these photoconductive materials and methods of forming the photoconductive layer will be explained.

(A)無機感光体(光導電体) 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
(A) Inorganic photoreceptor (photoconductor) Inorganic photoreceptor materials include amorphous silicon, amorphous selenium, cadmium sulfide, zinc oxide, and the like.

(イ)アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン(a −Si : H)
■フッ素化アモルファスシリコン(a −5i : F
)・これらに対して不純物をドーピングしないもの、 −B、、Al、Ga、In、TI等をドーピングにより
P型(ホール輸送型)にしたもの、・P% Ags S
b、B i等をドーピングによりN型(電子輸送型)に
したもの、 がある。
(a) Amorphous silicon photoreceptor The amorphous silicon photoreceptor is ■Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)
■Fluorinated amorphous silicon (a-5i: F
)・These are not doped with impurities, -B,, Al, Ga, In, TI, etc. are doped to make them P-type (hole transport type),・P% Ags S
B, B, etc. are made into N type (electron transport type) by doping.

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10−”〜
I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に唯積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
The method for forming the photoreceptor layer is to introduce silane gas and impurity gas together with hydrogen gas into a low vacuum.
I Torr), a film can be formed by depositing it on an electrode substrate that is heated or not heated by glow discharge, or it can be formed by a thermochemical reaction on a heated electrode substrate, or it can be formed by vapor deposition or sputtering of a solid raw material. It is formed into a film and used as a single layer or a stack. The film thickness is 1 to 50 μm.

また、感光体電極7から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極7の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパンター法等によりa−5iN層、a−5
iC層、5iOJi。
Further, in order to prevent charges from being injected from the photoreceptor electrode 7 and charging as if the photoreceptor electrode 7 had been exposed to light even though it had not been exposed, a charge injection prevention layer can be provided on the surface of the photoreceptor electrode 7. As this charge injection prevention layer, an a-5iN layer, an a-5iN layer, an a-5
iC layer, 5iOJi.

Altos層等の絶縁層を設けるとよい。この絶縁層を
余り厚くしすぎると露光したとき電流が流れないので、
少な(とも1000Å以下とする必要があり、作製し易
さ等を考慮すると400〜500人程度が望ましい。
It is preferable to provide an insulating layer such as an Altos layer. If this insulating layer is made too thick, no current will flow when exposed to light.
It is necessary to have a small number of people (both 1000 Å or less), and considering ease of production, etc., it is desirable to have about 400 to 500 people.

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Siにポロンをドープしたa−3t 
:H(n” )は、ホールの輸送特性が上がって整流効
果が得られ、電荷注入防止層として機能する。
In addition, as a charge injection prevention layer, it is preferable to provide a charge transport layer on the electrode substrate that has a charge transport ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate by utilizing a rectifying effect.If the electrode is negative, a hole transport layer, an electrode If is positive, an electron transport layer is provided. For example, a-3t in which Si is doped with poron
:H(n'') improves hole transport properties, provides a rectifying effect, and functions as a charge injection prevention layer.

(ロ)アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン(a−Se) ■アモルファスセレンテルル(a −5e−Te)■ア
モルフアスひ素セレン化合物(a −AszSet)■
アモルファスひ素セレン化合物+Teがある。
(b) Amorphous selenium photoreceptor The amorphous selenium photoreceptor includes: ■Amorphous selenium (a-Se) ■Amorphous selenium telluride (a-5e-Te) ■Amorphous arsenic selenium compound (a-AszSet)■
There is an amorphous arsenic selenium compound +Te.

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてSiO□、A 1103.5iC1
SiN層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により電
極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ、
積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚はアモルフ
ァスシリコン感光体と同様である。
This photoreceptor was manufactured by vapor deposition and sputtering, and the charge injection blocking layer was made of SiO□, A 1103.5iC1
A SiN layer is provided on the electrode substrate by vapor deposition, sputtering, glow discharge method, or the like. Also, combine the above ■~■,
It may also be a laminated type photoreceptor. The thickness of the photoreceptor layer is similar to that of an amorphous silicon photoreceptor.

(ハ)硫化カドミウム(CdS ) この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配
向)を得ることもできる。コーティングの場合は、Cd
S粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。
(c) Cadmium sulfide (CdS) This photoreceptor is manufactured by coating, vapor deposition, and sputtering methods. In the case of vapor deposition, solid particles of CdS are placed on a tungsten board and vapor deposited by resistance heating, or by EB.
(electron beam) vapor deposition. In the case of sputtering, a CdS target is used to deposit on the substrate in argon plasma. In this case, CdS is usually deposited in an amorphous state, but a crystalline oriented film (oriented in the film thickness direction) can also be obtained by selecting sputtering conditions. For coating, Cd
It is preferable to disperse S particles (particle size 1 to 100 μm) in a binder, add a solvent, and coat on the substrate.

。 (ニ)酸化亜鉛(Zn O) この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またCVD
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中(10−”〜I Torr)で混
合し、加熱した電極基板(150〜400℃)上で化学
反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜
厚方向に配向した膜が得られる。
. (d) Zinc oxide (Zn 2 O) This photoreceptor is produced by a coating method or a CVD method. As a coating method, ZnS particles (particle size 1~
100 μm) in a binder, add a solvent, and coat on a substrate. Also CVD
The method involves mixing organic metals such as diethylzinc and dimethylzinc with oxygen gas in a low vacuum (10-'' to I Torr) and causing a chemical reaction on a heated electrode substrate (150-400°C) to form zinc oxide. It is deposited as a film.In this case as well, a film oriented in the film thickness direction is obtained.

(B)有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。
(B) Organic photoreceptor Organic photoreceptors include single-layer photoreceptors and functionally separated photoreceptors.

(イ)単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。
(a) Single-layer photoreceptor A single-layer photoreceptor is made of a mixture of a charge-generating material and a charge-transporting material.

く電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
Charge-generating substances> Substances that easily generate charges by absorbing light, such as azo pigments, disazo pigments, trisazo pigments, phthalocyanine pigments, perylene pigments, pyrylium dyes, cyanine dyes, and methine. A dye system is used.

〈電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
<Charge transport material system> A material with good transport properties for ionized charges, such as hydrazone type, pyrazoline type, polyvinylcarbazole type,
There are carbazole-based, stilbene-based, anthracene-based, naphthalene-based, tridiphenylmethane-based, azine-based, amine-based, aromatic amine-based, etc.

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
Alternatively, a charge-transfer complex may be obtained by forming a complex with a charge-generating substance and a charge-transporting substance.

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか惑ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400 nm波長近
傍しか惑しないが、PVK−TNF錯体は650nm波
長域まで感じるようになる。
Normally, photoreceptors have photosensitivity determined by the light absorption properties of the charge-generating substance, but when a charge-generating substance and a charge-transporting substance are mixed to form a complex, the light absorption properties change; for example, polyvinylcarbazole (PVK) Trinitrofluorenone (TNF) only confuses people in the 400 nm wavelength range, but the PVK-TNF complex can be sensitive to wavelengths up to 650 nm.

このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μmが好
ましい。
The thickness of such a single-layer photoreceptor is preferably 10 to 50 μm.

(ロ)機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
(b) Functionally separated photoreceptor Charge generating materials easily absorb light but have the property of trapping light, while charge transporting materials have good charge transport properties but poor light absorption properties. Therefore, it is a type in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated in order to separate the two and fully exhibit their respective characteristics.

く電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−5e 、 a−5
i 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
Charge generation layer> Examples of substances forming the charge generation layer include azo, disazo, trisazo, phthalocyanine, acidic xanthene dyes, cyanine, styryl dyes, pyrylium dyes, perylene, methine dyes, a-5e, a-5
i, azulenium salts, squalium bases, etc.

〈電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
<Charge Transport Layer> Examples of substances forming the charge transport layer include hydrazone, pyrazoline, PVK, carbazole, oxazole, triazole, aromatic amine, amine, triphenylmethane, and polycyclic aromatic materials. There are group compounds, etc.

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚と
するとよい。
The method for manufacturing a functionally separated photoreceptor is to first dissolve the charge generating substance in a solvent and apply it on the electrode, then dissolve the charge transport layer in the solvent and apply it to the charge transport layer, and then remove the charge generating layer from zero.
.. The thickness of the charge transport layer is preferably 1 to 10 μm, and the thickness of the charge transport layer is 10 to 50 μm.

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレ−) (PMMA)樹脂、メラミン樹
脂、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料名
1部に対し、0.1〜10部添加して付着し易いように
する。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着
法、スパッター法等を使用することができる。
In addition, in the case of either a single-layer photoconductor or a functionally separated photoconductor, silicone resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, polycarbonate resin, polyvinyl is used as a binder. Add 0.1 to 10 parts of acecool resin, phenol resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, melamine resin, polyimide resin, etc. to 1 part of the charge generating material and charge transporting material name. Make it easy. As the coating method, a dipping method, a vapor deposition method, a sputtering method, etc. can be used.

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。Next, the charge injection prevention layer will be described in detail.

電荷注入防止層は、光導電層9の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流(
電極からの電荷注入)、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。
The charge injection prevention layer prevents dark current (
This can be provided to prevent charge injection from the electrode), that is, a phenomenon in which charges move in the photosensitive layer as if it had been exposed even though it had not been exposed.

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホール
)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
AS203、B2O3、BizO,、CdS 、、Ca
O、CeO,、CrzOz 、CoO、GeO2、Hf
O,、FIBZO3、LazOt 、MgO、Mn0z
、NdzOi 、Nb2O2、PbO1Sb203、S
iO□、Sea□、Ta205 、Ti0z、WO2、
V、O3、Y2O5、Y2O1、Zr0z、BaTiO
3、Al2O3、Bi、TiO3、CaO−5rO、C
a0−YzO*、Cr−5iO1LiTa03、PbT
i0:+、PbZr0z、Zr02−Co  、ZrO
2−3i02  、八lN  、、BNX NbN  
、SiJ、  、TaN  、TiN  S VN、Z
rN  。
There are two types of charge injection prevention layers: a layer that utilizes a so-called tunneling effect and a layer that utilizes a rectification effect. First, in a device that utilizes the so-called tunneling effect, when only a voltage is applied, current does not flow to the photoconductive layer or the surface of the insulating layer due to this charge injection prevention layer, but when light is incident, the current does not flow to the surface of the photoconductive layer or the insulating layer. Since one of the charges (electrons or holes) generated in the photoconductive layer is present in the charge injection prevention layer, a high electric field is applied, causing a tunnel effect and current flowing through the charge injection prevention layer. . Such a charge injection prevention layer is formed of a single layer such as an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, an insulating monomolecular film, or a stack of these. Examples of the inorganic insulating film include AS203, B2O3, etc. ,BizO,,CdS,,Ca
O, CeO,, CrzOz, CoO, GeO2, Hf
O,, FIBZO3, LazOt, MgO, Mn0z
, NdzOi , Nb2O2, PbO1Sb203, S
iO□, Sea□, Ta205, Ti0z, WO2,
V, O3, Y2O5, Y2O1, Zr0z, BaTiO
3, Al2O3, Bi, TiO3, CaO-5rO, C
a0-YzO*, Cr-5iO1LiTa03, PbT
i0:+, PbZr0z, Zr02-Co, ZrO
2-3i02, 8lN,,BNX NbN
,SiJ, ,TaN,TiNSVN,Z
rN.

S+C1T+C1WCs A14C,1等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この
層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効
果の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次
ぎに整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を
利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する
電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層
は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電
層で形成され、その膜厚は0.1〜10μm程度である
。具体的には、電極がマイナスの場合はB、AI、Ga
、In等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、
アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾ
リン、ポリビニルカルバゾール、スチルヘン、アントラ
セン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に
分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は
、P、N SA S SS b % B i等をドープ
したアモルファスシリコン光導電層、ZnO光導電層等
をグロー放電、蒸着、スパッタリング、CVD、コーテ
ィング等の方法により形成される。
S+C1T+C1WCs A14C, 1, etc. are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering, etc. The thickness of this layer is determined depending on the material used, taking into account the insulating properties to prevent charge injection and the tunnel effect. Next, the charge injection prevention layer utilizing a rectifying effect is provided with a charge transporting layer having a charge transporting ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate using a rectifying effect. That is, such a charge injection prevention layer is formed of an inorganic photoconductive layer, an organic photoconductive layer, and an organic-inorganic composite photoconductive layer, and has a thickness of about 0.1 to 10 μm. Specifically, if the electrode is negative, B, AI, Ga
, an amorphous silicon photoconductive layer doped with In etc.
An organic photoconductive layer or electrode formed by dispersing amorphous selenium, oxadiazole, pyrazoline, polyvinylcarbazole, stilhene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane, triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine, etc. in a resin. In the case of a positive value, an amorphous silicon photoconductive layer doped with P, NSASS b % Bi, etc., a ZnO photoconductive layer, etc. are formed by methods such as glow discharge, vapor deposition, sputtering, CVD, and coating.

このようにして作製される感光体と静電荷記録体は、感
光体における光導電層面と、静電荷記録体における絶縁
層面を接触させるか、あるいは、第4図(イ)に示すよ
うに非接触の状態で対向させて配置するものであり、非
接触の場合には感光体と静電荷記録体の対向部端部にス
ペーサーを介して対向させるとよい。またどのような情
報入力手段を使用するかにもよるが、感光体面と静電荷
□記録体面の適宜箇所にスペーサーを配置してもよいこ
とは勿論である。非接触の場合感光体と静電荷記録体の
間隔は1〜50μm7!l(適当であり、またスペーサ
ーは、プラスチックフィルム等の有機材を使用するとよ
い。
The photoreceptor and electrostatic charge recording member produced in this way may be produced by bringing the photoconductive layer surface of the photoreceptor into contact with the insulating layer surface of the electrostatic charge recording member, or by contacting them non-contact as shown in FIG. 4(a). In the case of non-contact, the photoreceptor and the electrostatic charge recording member may be placed opposite to each other with a spacer interposed between them at the opposing ends of the recording member. Although it depends on what kind of information input means is used, it goes without saying that spacers may be placed at appropriate locations on the photoreceptor surface and the electrostatic charge recording surface. In the case of non-contact, the distance between the photoreceptor and the electrostatic charge recording medium is 1 to 50 μm7! (as appropriate, and the spacer may be made of an organic material such as a plastic film.

また本発明で使用することができる静電荷記録体として
、上記のように静電荷記録体電極上に単に絶縁層を積層
したもののみならず、静電荷記録体電極上に絶縁層、光
導電層を順次積層し、その光導電層を画素単位にエツチ
ングするか、または光導電層支持材料として硫化カドミ
ウム、酸化亜鉛等の積層条件を選択することにより得ら
れる、電極面に垂直な配向性を有する光導電層を使用す
るか、または硫化カドミウム、酸化亜鉛等の光導電性粒
子をバインダー中に分散させ、絶縁層表面に塗布するこ
とにより光導電層を形成し、情報を絶縁層に蓄積しても
光導電層による情報電荷の拡散を防止しうるようにして
、電極を介して像露光し、情報を絶縁層に蓄積する型の
ものも使用することができる。
In addition, the electrostatic charge recording material that can be used in the present invention is not limited to one in which an insulating layer is simply laminated on the electrostatic charge recording material electrode as described above, but also an insulating layer and a photoconductive layer on the electrostatic charge recording material electrode. It has an orientation perpendicular to the electrode surface, which can be obtained by sequentially laminating the photoconductive layer and etching the photoconductive layer pixel by pixel, or by selecting lamination conditions such as cadmium sulfide or zinc oxide as the photoconductive layer support material. The photoconductive layer is formed by using a photoconductive layer or by dispersing photoconductive particles such as cadmium sulfide or zinc oxide in a binder and applying it to the surface of the insulating layer, and information is stored in the insulating layer. It is also possible to use a type in which image exposure is performed through an electrode and information is stored in an insulating layer so as to prevent information charges from being diffused by the photoconductive layer.

次ぎに、このようにして作製された静電荷記録体、感光
体を使用した静電画像記録方法について説明する。
Next, an electrostatic image recording method using the electrostatic charge recording member and photoreceptor produced in this manner will be described.

第4図は本発明の静電荷記録体を使用した静電画像記録
方法を説明するための図である。17は電源である。
FIG. 4 is a diagram for explaining an electrostatic image recording method using the electrostatic charge recording medium of the present invention. 17 is a power source.

第4図においては、感光体2側から露光を行う態様であ
り、まずIB厚のガラスからなる光導電層支持体5上に
1000人厚の1TOからなる透明な感光体電極7を形
成し、この上に10μm程度の光導電層9を形成して感
光体2を構成している。この感光体2に対して、10μ
m程度のスペーサーを介して静電荷記録体3が配置され
る。静電荷記録体3は1m厚のガラスからなる静電荷記
録体支持体15上に1000人厚の1T電極を蒸着し、
この電極上に10μm厚の絶縁Jillを形成したもの
である。
In FIG. 4, exposure is performed from the side of the photoreceptor 2. First, a transparent photoreceptor electrode 7 made of 1TO with a thickness of 1000 is formed on a photoconductive layer support 5 made of glass with an IB thickness. A photoconductive layer 9 having a thickness of about 10 μm is formed thereon to constitute the photoreceptor 2. For this photoreceptor 2, 10μ
The electrostatic charge recording body 3 is arranged with a spacer of about m in size interposed therebetween. The electrostatic charge recording body 3 is made by depositing a 1T electrode with a thickness of 1,000 on an electrostatic charge recording body support 15 made of glass with a thickness of 1 m.
An insulating film having a thickness of 10 μm was formed on this electrode.

まず、第4図(イ)に示すように感光体1に対して、1
0μm程度の空隙を介して静電荷記録体3をセットし、
第4図(ロ)に示すように電源17により電極7.13
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
l側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
9は導電性を示し、絶縁層11との間に放電が生じ、絶
縁層11に電荷が蓄積される。
First, as shown in FIG. 4(a), one
The electrostatic charge recording body 3 is set through a gap of about 0 μm,
As shown in FIG. 4(b), the electrode 7.13 is
A voltage is applied between them. In a dark place, since the photoconductive layer 9 is a high-resistance material, no change occurs between the electrodes. When light is incident on the photoreceptor l side, the portion of the photoconductive layer 9 where the light is incident exhibits conductivity, a discharge occurs between the photoconductive layer 9 and the insulating layer 11, and charges are accumulated in the insulating layer 11.

露光が終了したら、第4図(ハ)に示すように電圧をO
FFにし、次いで、第4図(ニ)に示すように静電荷記
録体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
When the exposure is completed, turn off the voltage as shown in Figure 4 (c).
The formation of the electrostatic latent image is completed by setting the FF to FF and then taking out the electrostatic charge recording medium 3 as shown in FIG. 4(d).

また第5図は本発明のRAM型静電荷記録カードへの静
電画像記録方法を説明するための図であるが、カード基
材4の下部に露出させた静電荷記録体電極13の露出電
極部14と、感光体電極7間に電圧を印加し、上記RO
M型静電荷記録体への静電画像記録方法と同様にして静
電潜像が形成されるものである。尚、このRAM型静電
荷記録カードへの静電画像記録の場合は、図示はしてい
ないが第1図(ロ)に示すような保護膜を記録前に被覆
しておき、記録時に剥離し、記録が終了した段階で再度
被覆し、絶縁層11の情報電荷を保護するようにすると
よい。
Further, FIG. 5 is a diagram for explaining the electrostatic image recording method on the RAM type electrostatic charge recording card of the present invention. A voltage is applied between the section 14 and the photoreceptor electrode 7, and the RO
An electrostatic latent image is formed in the same manner as the electrostatic image recording method on an M-type electrostatic charge recording medium. In the case of electrostatic image recording on this RAM type electrostatic charge recording card, a protective film as shown in Figure 1 (B) is coated before recording, although not shown, and it is peeled off during recording. It is preferable to cover the insulating layer 11 again after recording is completed to protect the information charges on the insulating layer 11.

これらの記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩
写真法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁
WIll上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は
良好な絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係な
(放電せず長期間保存される。この絶縁層11上の電荷
保存期間は、絶縁体の性質によって定まり、空気の絶縁
性以外に絶縁体の電荷捕捉特性が影響する。前述の説明
では電荷は表面電荷として説明しているが、注入電荷は
単に表面に蓄積されるか、また微視的には絶縁体表面付
近内部に侵入し、その物質の構造内に電子またはホール
がトラップされる場合もあるので長期間の保存が行われ
る。
When these recording methods are used for planar analog recording, high resolution can be obtained like silver halide photography, and the surface charge on the insulating film that is formed is exposed to the air environment, but air is a good insulator. Since it has high performance, it can be stored for a long time without discharging in bright or dark places.The storage period of charge on this insulating layer 11 is determined by the properties of the insulator, and it is It is influenced by the charge trapping properties of the body.In the above explanation, the charge is explained as a surface charge, but the injected charge is simply accumulated on the surface, or microscopically penetrates into the inside near the surface of the insulator. Long-term storage occurs because electrons or holes may be trapped within the material's structure.

静電荷保持の方法としては、上記したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生じさせるニレクレットがある。
In addition to the so-called free charge retention method in which surface charges are accumulated as described above, electrostatic charge retention methods include Niclet, which generates charge distribution and polarization inside an insulating medium.

第6図は光エレクトレフトを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第4図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、19は透明電極である。
FIG. 6 is a diagram showing an electrostatic charge holding method using a photoelectrode, and the same numbers as in FIG. 4 indicate the same contents. In addition, in the figure, 19 is a transparent electrode.

第6図(イ)に示すようにフィルム等の支持体15上に
電極13を形成し、電極板上にZnS、CdS、ZnO
を、蒸着スパッター、CVD、 コーティング法等で1
層1〜5μm形成する。そしてこの感光層表面に透明電
極19を接触あるいは非接触で重ね、電圧印加状態で露
光すると(第6図(ロ))、露光部で光によって電荷が
発生し、電場によって分極し、電荷は電場を取り去って
もその位置にトラップされる(第6図(ハ))。こうし
て、露光量に応じたエレクトレフトが得られる。なおこ
の場合の静電荷記録体の場合は、単に絶縁層からなる静
電荷記録体に比較して、別体の感光体を必要としない利
点がある。
As shown in FIG. 6(A), an electrode 13 is formed on a support 15 such as a film, and ZnS, CdS, and ZnO are deposited on the electrode plate.
1 using vapor deposition sputtering, CVD, coating methods, etc.
Form a layer with a thickness of 1 to 5 μm. Then, when the transparent electrode 19 is placed on the surface of this photosensitive layer in contact or non-contact and is exposed to light while a voltage is applied (Fig. 6 (b)), charges are generated by the light in the exposed area and polarized by the electric field. Even if you remove it, it will remain trapped in that position (Figure 6 (c)). In this way, an electric left corresponding to the exposure amount is obtained. In this case, the electrostatic charge recording medium has the advantage that a separate photoreceptor is not required, compared to an electrostatic charge recording medium simply consisting of an insulating layer.

第7図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第4図と同一番号は同一内容である。
FIG. 7 is a diagram showing a method of holding an electrostatic charge using a thermosiliclet, and the same numbers as in FIG. 4 have the same contents.

熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ビニリ
デン(PVDF)、ポリ (VDF/三フフ化エチレン
)、ポリ (VDF/四フッ化エチレン)、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。
Examples of thermal electret materials include polyvinylidene fluoride (PVDF), poly(VDF/trifluoroethylene), poly(VDF/tetrafluoroethylene), polyvinyl fluoride, and polyvinylidene chloride.

ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ (アクリロニトリル/塩化ビニル)、ポリ
アミド11.ポリアミド3.ポリ−m−フェニレンイソ
フタルアミド、ポリカーボネート、ポリ (ビニリデン
シアナイド酢酸ビニル)。
Polyacrylonitrile, poly-α-chloroacrylonitrile, poly(acrylonitrile/vinyl chloride), polyamide 11. Polyamide 3. Poly-m-phenylene isophthalamide, polycarbonate, poly(vinylidene cyanide vinyl acetate).

PVDF/PZT複合体等からなり、これを電極基板1
3上に1〜50μm単層で設けるかあるいは2種類以上
のものを積層する。
It consists of a PVDF/PZT composite etc., which is used as the electrode substrate 1.
A single layer with a thickness of 1 to 50 μm may be provided on No. 3, or two or more types may be laminated.

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う(第7図(ロ))。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる(第7図(ハ))。
Then, before exposure, the medium is heated to a temperature above the glass transition of the medium material by resistance heating or the like, and in this state, voltage is applied and exposure is performed (FIG. 7(b)). At high temperatures, the mobility of ions increases, and a high electric field is applied to the insulating layer in the exposed area, and among the thermally activated ions, negative charges gather at the positive electrode, and positive charges gather at the negative electrode, causing them to flow into space. Forms a charge and causes polarization. Thereafter, when the medium is cooled, the generated charges are trapped in that position even when the electric field is removed, producing electrets corresponding to the exposure amount (FIG. 7(c)).

本発明における静電荷記録体、静電荷記録カードへの情
報入力方法としては、高解像度静電カメラによる方法、
またレーザーによる記録方法がある。まず本願発明で使
用される高解像度静電カメラは、通常のカメラに使用さ
れている写真フィルムの代わりに、前面に感光体電極7
を設けた光導電層9からなる感光体1と、感光体1に対
向し、後面に静電荷記録体電極13を設けた絶縁層11
からなる静電荷記録体とにより記録部材を構成し、画電
極へ電圧を印加し、入射光に応じて光導電層を導電性と
して入射光量に応じて絶縁層上に電荷を蓄積させること
により入射光学像の静電潜像を電荷蓄積媒体上に形成す
るもので、機械的なシャッタも使用しうるし、また電気
的なシャフタも使用しうるものである。また静電潜像は
明所、暗所に関係なく長期間保持することが可能である
。またプリズムにより光情報を、R,G、B光成分に分
離し、平行光として取り出すカラーフィルターを使用し
、R,G、B分解した静電荷記録体3セントで1コマを
形成するか、または1平面上にRlG、B像を並べて1
セツトで1コマとすることにより、カラー撮影すること
もできる。
In the present invention, methods for inputting information to the electrostatic charge recording medium and electrostatic charge recording card include a method using a high-resolution electrostatic camera;
There is also a recording method using a laser. First, the high-resolution electrostatic camera used in the present invention uses a photoreceptor electrode 7 on the front instead of the photographic film used in ordinary cameras.
a photoreceptor 1 consisting of a photoconductive layer 9 provided with a photoreceptor 1; and an insulating layer 11 facing the photoreceptor 1 and provided with an electrostatic charge recording electrode 13 on its rear surface.
A recording member is constructed by applying a voltage to the picture electrode, and the photoconductive layer is made conductive according to the incident light, and charges are accumulated on the insulating layer according to the amount of incident light. An electrostatic latent optical image is formed on a charge storage medium, and a mechanical or electrical shutter may be used. Further, the electrostatic latent image can be retained for a long period of time regardless of whether it is in a bright place or a dark place. In addition, a prism separates the optical information into R, G, and B light components, and a color filter is used to extract them as parallel light, and one frame is formed with 3 cents of electrostatic charge recording material separated into R, G, and B, or Arrange RlG and B images on one plane
Color photography can also be done by setting the image to one frame.

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー(514,488rxm)、ヘリウム−
ネオンレーザ−(633nm)、半導体レーザー(78
0nm、810nm等)が使用でき、感光体と静電荷記
録体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔を
おいて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャ
リアの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい
。この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信
号に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うも
のである。画像のようなアナログ的な記録は、レーザー
の光強度を変調して行い、文字、コード、線画のような
デジタル的な記録は、レーザー光の0N−OFF制御に
より行う。また画像において網点形成されるものには、
レーザー光にピントジェネレーター0N−OFF制御を
かけて形成するものである。尚、感光体における光導電
層の分光特性は、パンクロマティックである必要はなく
、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。
In addition, as a recording method using a laser, the light source is an argon laser (514,488 rxm), a helium laser (514,488 rxm),
Neon laser (633nm), semiconductor laser (78nm)
0 nm, 810 nm, etc.), and a voltage is applied to the photoreceptor and the electrostatic charge recording member by bringing their surfaces into close contact with each other or facing each other at a fixed interval. In this case, it is preferable to set the photoreceptor electrode to the same polarity as the carrier of the photoreceptor. In this state, laser exposure corresponding to image signals, character signals, code signals, and line drawing signals is performed by scanning. Analog recording such as images is performed by modulating the light intensity of the laser, and digital recording such as characters, codes, and line drawings is performed by ON-OFF control of the laser light. Also, in images where halftone dots are formed,
It is formed by applying focus generator ON-OFF control to laser light. Note that the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor do not need to be panchromatic, but only need to be sensitive to the wavelength of the laser light source.

次ぎに記録された静電画像の再生方法について説明する
Next, a method for reproducing a recorded electrostatic image will be explained.

第8図は本発明の静電画像記録再生方法における電位読
み取り方法の例を示す図で、第4図と同一番号は同一内
容を示している。なお、図中、21は電位読み取り部、
23は検出電極、25はガード電極、27はコンデンサ
、29は電圧計である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of a potential reading method in the electrostatic image recording and reproducing method of the present invention, and the same numbers as in FIG. 4 indicate the same contents. In addition, in the figure, 21 is a potential reading section,
23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, 27 is a capacitor, and 29 is a voltmeter.

電位読み取り部21を静電荷記録体3の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極23に静電荷記録体3の絶縁N1
1上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に静電荷記録体上の電荷と等量の誘導電荷が
生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデン
サ27が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電
荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計29で読むこ
とによって電荷保持体の電位を求めることができる。そ
して、電位読み取り部21で静電荷記録体面上を走査す
ることにより静電潜像を電気信号として出力することが
できる。なお、検出電極23だけでは静電荷記録体の検
出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界(電気
力線)が作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲
に接地したガード電極25を配置するようにしてもよい
When the potential reading unit 21 is opposed to the charge accumulation surface of the electrostatic charge recording body 3, the detection electrode 23 is exposed to the insulation N1 of the electrostatic charge recording body 3.
An electric field generated by the charges accumulated on the electrostatic charge recording member 1 acts, and an induced charge equivalent to the charge on the electrostatic charge recorder is generated on the surface of the detection electrode. Since the capacitor 27 is charged with an equal amount of charge of opposite polarity to this induced charge, a potential difference corresponding to the accumulated charge is generated between the electrodes of the capacitor, and by reading this value with a voltmeter 29, the potential of the charge carrier is determined. You can ask for it. Then, by scanning the surface of the electrostatic charge recording medium with the potential reading section 21, the electrostatic latent image can be output as an electric signal. Note that if only the detection electrode 23 is used, an electric field (electric line of force) due to charges in a wider range than the area facing the detection electrode of the electrostatic charge recorder will act, reducing resolution, so a grounded guard electrode 25 is placed around the detection electrode. You may also do so.

これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極23に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び
静電荷記録体との間隔によって大きく変わるため、要求
される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要が
ある。
As a result, the lines of electric force are oriented perpendicularly to the surface, so that the lines of electric force only act on the area facing the detection electrode 23, and the potential of the area approximately equal to the area of the detection electrode 23 is read. be able to. The accuracy and resolution of potential reading vary greatly depending on the shape and size of the detection electrode and guard electrode, as well as the distance from the electrostatic charge recorder, so it is necessary to find and design optimal conditions according to the required performance.

第9図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出電
極、ガード電極を絶縁性保護膜31上に設け、絶縁性保
護膜を介して電位を検出する点以外は第8図の場合と同
様である。
FIG. 9 is a diagram showing another example of the potential reading method, which is the same as in FIG. 8 except that the detection electrode and the guard electrode are provided on the insulating protective film 31 and the potential is detected through the insulating protective film. It is similar to

この方法によれば、静電荷記録体に接触させて検出でき
るため検出電極との間隔を一定にすることができる。
According to this method, since detection can be performed by contacting the electrostatic charge recording medium, the distance between the detection electrode and the detection electrode can be made constant.

第10図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状
電極33を直接静電荷記録体に接触させ、その部分の電
位を検出するもので、検出面積を小さくすることができ
るので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極
を複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上
させることが可能となる。
FIG. 10 is a diagram showing another example of the potential reading method, in which the needle-like electrode 33 is brought into direct contact with the electrostatic charge recording medium and the potential of that portion is detected, and the detection area can be made small. High resolution can be obtained. Note that if a plurality of needle-like electrodes are provided for detection, the reading speed can be improved.

以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増幅
型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。
The above is a direct current amplification type that detects a direct current signal with or without contact, but an example of an alternating current amplification type will be explained next.

第11図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、2
2は検出電極、24は増幅器、26はメータである。
Figure 11 is a diagram showing the method of reading the potential of the vibrating electrode type.
2 is a detection electrode, 24 is an amplifier, and 26 is a meter.

検出電極22は振動し、静電荷記録体3の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極22における電位は、帯電面の静電電位
に応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変
化をインピーダンスZの両端の電圧変化として取り出し
、コンデンサCを通して交流骨を増幅器24で増幅し、
メータ26により読み取ることにより帯電面の静電電位
を測定することができる。
The detection electrode 22 is driven to vibrate and change its distance with respect to the charged surface of the electrostatic charge recording body 3 over time. As a result, the potential at the detection electrode 22 changes depending on the electrostatic potential of the charged surface. The amplitude changes over time. This temporal potential change is taken out as a voltage change across the impedance Z, and the AC bone is amplified by the amplifier 24 through the capacitor C.
By reading with the meter 26, the electrostatic potential of the charged surface can be measured.

第12図は回転型検出器の例を示し、図中28は回転羽
根である。
FIG. 12 shows an example of a rotating type detector, and 28 in the figure is a rotating blade.

電極22と静電荷記録体3の帯電面の間には導電性の回
転羽根28が設けられて図示しない駆動手段により回転
駆動されている。その結果、検出電極22と静電荷記録
体3との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのため、
検出電極22には帯電面の静電電位に応じた振幅の周期
的に変化する電位信号が検出され、この交流成分を増幅
器24で増幅して読み取ることになる。
A conductive rotary blade 28 is provided between the electrode 22 and the charging surface of the electrostatic charge recording medium 3 and is rotationally driven by a driving means (not shown). As a result, the detection electrode 22 and the electrostatic charge recording body 3 are electrically shielded periodically. Therefore,
A potential signal whose amplitude changes periodically according to the electrostatic potential of the charged surface is detected by the detection electrode 22, and this alternating current component is amplified by the amplifier 24 and read.

第13図は振動容量型検出器の例を示し、28は駆動回
路、30は振動片である。
FIG. 13 shows an example of a vibration capacitance type detector, where 28 is a drive circuit and 30 is a vibrating piece.

駆動回路28によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片30を振動させて、コンデンサ容量を変化さ
せる。その結果、検出電極22により検出される直流電
位信号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する
。この検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良
く電位測定することができる。
The vibrating piece 30 of one electrode forming the capacitor is vibrated by the drive circuit 28 to change the capacitor capacity. As a result, the DC potential signal detected by the detection electrode 22 is modulated, and this AC component is amplified and detected. This detector converts direct current to alternating current and can measure potential with high sensitivity and stability.

第14図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、CT千手法コンピュータ断層映像法
)を用いて電位検出を行うものである。
FIG. 14 is a diagram showing another example of a potential reading method, in which a long and thin detection electrode is used to detect the potential using CT (computed tomography).

検出電極35を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した値
、即ちCTにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第14図(ロ)の矢印の
ように全面に行き渡るように走査し、さらに角度θを変
えて同様に走査していくことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにCTアルゴリズムを用いて演算処
理を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求
めることができる。
When the detection electrodes 35 are placed opposite each other across the charge storage surface, the data obtained is a value obtained by line integration along the detection electrodes, that is, data corresponding to projection data in CT. Therefore, by scanning this detection electrode over the entire surface as shown by the arrow in Fig. 14 (b), and then changing the angle θ and scanning in the same manner, the necessary data can be collected. By performing arithmetic processing using the CT algorithm, the potential distribution state on the charge carrier can be determined.

なお、第15図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。
Note that by arranging a plurality of detection electrodes as shown in FIG. 15, the data collection speed can be increased, and the overall processing speed can be improved.

第16図は集電型検出器の例を示し、図中、32は接地
型金属円筒、34は絶縁体、36は集電器である。
FIG. 16 shows an example of a current collector type detector, in which 32 is a grounded metal cylinder, 34 is an insulator, and 36 is a current collector.

集電器36には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気が電離し
て正負のイオン対が形成されている。これらのイオンは
自然の状態では再結合および拡散によって消滅し、平衡
状態を保っているが、電界があると、熱運動による空気
分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の方向に
進み、電荷を運ぶ役割を果たす。
The current collector 36 has a built-in radioactive substance, from which alpha rays are emitted. Therefore, the air inside the metal cylinder is ionized to form positive and negative ion pairs. In their natural state, these ions disappear through recombination and diffusion and maintain an equilibrium state, but in the presence of an electric field, they statistically move in the direction of the electric field while repeatedly colliding with air molecules due to thermal motion. It plays a role in transporting electric charges.

即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器36も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。
That is, the air becomes conductive due to the ions, and it can be considered that an equivalent electrical resistance path exists between the surrounding objects including the current collector 36.

従って、静電荷記録体3の帯電面と接地金属円筒32、
帯電体と集電器36、および集電器36と接地金属円筒
32の間の抵抗をそれぞれRo、R1、RZとすると、
帯電体の電位をVlとすると、集電器3Gの電位V2は
、定常状態では、Vz =Rz V+ / (R+ +
Rz )となる。その結果、集電器36の電位を読み取
ることによって静電荷記録体3の電位を求めることがで
きる。
Therefore, the charging surface of the electrostatic charge recording body 3 and the grounded metal cylinder 32,
If the resistances between the charged body and the current collector 36 and between the current collector 36 and the grounded metal cylinder 32 are respectively Ro, R1, and RZ,
When the potential of the charged body is Vl, the potential V2 of the current collector 3G is Vz = Rz V+ / (R+ +
Rz). As a result, the potential of the electrostatic charge recording body 3 can be determined by reading the potential of the current collector 36.

第17図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図で
、37は電子銃、38は電子ビーム、39は第1ダイノ
ード、40は2次電子増倍部である。
FIG. 17 is a diagram showing an example of an electron beam type potential reading device, where 37 is an electron gun, 38 is an electron beam, 39 is a first dynode, and 40 is a secondary electron multiplier.

電子銃37から出た電子を図示しない静電偏向あるいは
電磁偏向装置により偏向して帯電面を走査する。走査電
子ビームのうちの一部は、帯電面の電荷と結合して充電
電流が流れ、その分帯電面の電位は平衡電位に下がる。
Electrons emitted from the electron gun 37 are deflected by an electrostatic deflector or an electromagnetic deflector (not shown) to scan the charged surface. A portion of the scanning electron beam combines with the charges on the charged surface, causing a charging current to flow, and the potential on the charged surface decreases to the equilibrium potential by that amount.

残りの変調された電子ビームは電子銃37の方向に戻り
、第1ダイノード39に衝突し、その2次電子が2次電
子増倍部40で増幅されその陽極から信号出力とじて取
り出される。この戻りの電子ビームとして反射電子ある
いは2次電子を使用する。
The remaining modulated electron beam returns to the electron gun 37 and collides with the first dynode 39, and its secondary electrons are amplified by the secondary electron multiplier 40 and taken out from the anode as a signal output. Reflected electrons or secondary electrons are used as the returning electron beam.

電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な電
荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検出
される。潜像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部分
(露光部)ではエレクトロンによる蓄積電荷が少なく、
充電電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分では
最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの逆で
ネガ型となる。
In the case of the electron beam type, a uniform charge is formed on the medium after scanning, but a current corresponding to a latent image is detected during scanning. If the latent image has a negative charge, there is less charge accumulated by electrons in the area with more charge (exposed area),
Although the charging current is small, for example, the maximum charging current flows in a portion where no charge exists. In the case of a positive charge, the opposite is true; it becomes a negative type.

第18図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、静電
潜像が形成された静電荷記録体3をトナー現像し、着色
した面を光ビームにより照射してスキャニングし、その
反射光を光電変換器41で電気信号に変換するものであ
り、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を達成
することができ、また光学的に筒便に静電電位の検出を
行うことができる。
FIG. 18 is a diagram showing another example of the potential reading method, in which the electrostatic charge recording material 3 on which the electrostatic latent image is formed is developed with toner, the colored surface is irradiated with a light beam and scanned, and the reflected light is is converted into an electrical signal by a photoelectric converter 41. High resolution can be achieved by reducing the diameter of the light beam, and electrostatic potential can be detected optically.

第19図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したR
、  G、  8分解像をトナー現像し、着色した面を
光ビームにより照射し、その反射光によりY、M、C信
号を得る場合の例を示している。図中、43は走査信号
発生器、45はレーザー、47は反射鏡、49はハーフ
ミラ−151は光電変換器、53.55.57はゲート
回路である。
FIG. 19 is a diagram showing another example of the potential reading method,
R formed by a fine color filter as described later
, G, 8 separated images are developed with toner, the colored surface is irradiated with a light beam, and Y, M, and C signals are obtained from the reflected light. In the figure, 43 is a scanning signal generator, 45 is a laser, 47 is a reflecting mirror, 49 is a half mirror, 151 is a photoelectric converter, and 53, 55, and 57 are gate circuits.

走査信号発生器43からの走査信号でレーザー45から
のレーザー光を、反射鏡47、ハーフミラ−49を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−49を介して光電変換器51に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器43からの信号に同期
してゲート回路53.55.57を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路53.55
.57が開閉制御されるので、Y、M、Cに着色してお
かなくてもY、M、Cの信号を得ることができる。なお
、カラー像が後述するように3面分割したものの場合も
、全く同様にY、M、Cの信号を得ることができ、この
場合もY、、M、Cに着色しておかな(でもよいことは
同様である。
A laser beam from a laser 45 is applied to the colored surface via a reflecting mirror 47 and a half mirror 49 and scanned by a scanning signal from a scanning signal generator 43. The reflected light from the colored surface is made incident on a photoelectric converter 51 via a half mirror 49 and converted into an electrical signal. If the opening/closing of the gate circuits 53, 55, 57 is controlled in synchronization with the signal from the scanning signal generator 43, the gate circuits 53, 55,
.. 57 is controlled to open and close, it is possible to obtain Y, M, and C signals without having to color Y, M, and C. Note that even if the color image is divided into three planes as described later, Y, M, and C signals can be obtained in exactly the same way, and in this case as well, Y, M, and C may be colored. Good things are similar.

第18図、第19図に示した静電電位検出法においては
、トナー像が静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有し
ていることが必要で、そのため帯電量のアナログ的変化
に対してしきい値を持たないようにする必要がある。対
応さえとれていればγ特性が一致していなくても電気的
な処理によってTの補正を行うようにすればよい。
In the electrostatic potential detection method shown in FIGS. 18 and 19, it is necessary that the toner image has a γ characteristic corresponding to the amount of charge of the electrostatic latent image, and therefore, the amount of charge changes in an analog manner. It is necessary to avoid having a threshold for . As long as the correspondence is established, T may be corrected by electrical processing even if the γ characteristics do not match.

第20図は本発明の静電画像再生方法の概略構成を示す
図で、図中、61は電位読み取り装置、63は増幅器、
65はCRT、67はプリンタである。
FIG. 20 is a diagram showing a schematic configuration of the electrostatic image reproducing method of the present invention, in which 61 is a potential reading device, 63 is an amplifier,
65 is a CRT, and 67 is a printer.

図において、電位読み取り装置61で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器63で増幅してCRT65で表示し
、またプリンタ67でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。
In the figure, a potential reading device 61 detects the charge potential, and an amplifier 63 amplifies the detected output, which can be displayed on a CRT 65 and printed out using a printer 67. In this case, it is possible to arbitrarily select and output the part to be read at any time, and it is also possible to reproduce it repeatedly.

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。
Furthermore, since the electrostatic latent image is obtained as an electrical signal, it can also be used for recording on other recording media, etc., if necessary.

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。
Next, a color filter used to form a color image will be explained.

第21図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、71.73.75はプリズムブロック、77.79
.81はフィルタ、83.85は反射鏡である。
Fig. 21 is a diagram showing a color separation optical system using a prism. In the figure, 71.73.75 is a prism block, 77.79
.. 81 is a filter, and 83.85 is a reflecting mirror.

色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック71のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ77からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック73に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ79
.81からG色光成分、R色光成分が取り出される。そ
して、G、 B色光成分を、反射鏡83.85で反射さ
せることにより、R,G、B光を平行光として取り出す
ことができる。
The color separation optical system consists of three prism blocks, and a part of the light information incident on the a-plane of the prism block 71 is separated and reflected on the b-plane, and further reflected on the a-plane, and a B color light component is extracted from the filter 77. It will be done. The remaining optical information enters the prism block 73, travels to the zero plane, where some of it is separated and reflected, and the rest goes straight to the filters 79.
.. A G color light component and an R color light component are extracted from 81. By reflecting the G and B color light components with the reflecting mirrors 83.85, the R, G, and B light can be extracted as parallel light.

このようなフィルタ91を、第22図に示すように感光
体1の前面に配置して撮影することにより、第22図(
ロ)のようにR,G、B分解した静電荷記録体3セツト
で1コマを形成するか、また第22図(ハ)に示すよう
に1平面上にR,G。
By placing such a filter 91 in front of the photoreceptor 1 as shown in FIG.
Either three sets of electrostatic charge recording bodies separated into R, G, and B form one frame as shown in (b), or R, G are separated on one plane as shown in FIG. 22 (c).

B像として並べて1セツトで1コマとすることもできる
They can also be lined up as B images and one set can be one frame.

第23図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してR,G、Bストライブパターンを形成し、
それぞれR,G、B染色することにより形成する方法、
または第21図のような方法で色分解した光を、それぞ
れ細いスリットに通すことにより生じるR、G、Bの干
渉縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成
する方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し
、静電潜像によるR、G、Bストライプパターンを形成
し、これをトナー現像して3回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライブを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのR,
G、B1組で1画素を形成し、1画素を10μm程度の
微細なものにする。このフィルタを第22図のフィルタ
91として使用することによりカラー静電潜像を形成す
ることができる。この場合、フィルタは感光体と離して
配置しても、あるいは感光体と一体に形成するようにし
てもよい。
FIG. 23 is a diagram showing an example of a fine color filter. For example, a film coated with resist is exposed with a mask pattern to form an R, G, B stripe pattern,
A method of forming by staining each with R, G, and B,
Alternatively, R, G, and B interference fringes produced by passing the color-separated light as shown in Figure 21 through narrow slits can be formed by recording them on a hologram recording medium, or by using a mask on a photoconductor. It is formed by a method in which R, G, B stripe pattern is formed by an electrostatic latent image by closely exposing it to light, and this is developed with toner and transferred three times to combine the colors and form toner stripes. do. R of the filter formed by such a method,
A pair of G and B forms one pixel, and each pixel is made as fine as about 10 μm. By using this filter as filter 91 in FIG. 22, a color electrostatic latent image can be formed. In this case, the filter may be placed separately from the photoreceptor or may be formed integrally with the photoreceptor.

第24図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G
、Bパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。
Figure 24 is a diagram showing an example of a combination of a fine color filter and a Fresnel lens.
, B patterns can be reduced and recorded, and the lens can be designed to be thinner and more compact than a normal lens.

第25図はND (Neutral  Density
)フィル夕とR,G、Bフィルターを併用した3面分割
の例を示す図で、入射光をNDフィルター81.83及
び反射ミラー85で3分割し、それぞれRフィルター8
7、Gフィルター89、Bフィルター91を通すことに
より、R,G、B光を平行光として取り出すことができ
る。
Figure 25 shows ND (Neutral Density)
) This is a diagram showing an example of three-sided division using filters 81, 83 and R, G, and B filters, in which the incident light is divided into 3 by ND filters 81, 83 and reflection mirror 85, and R filter 8 is used for each.
7. By passing through the G filter 89 and the B filter 91, the R, G, and B lights can be extracted as parallel lights.

〔作用〕[Effect]

本発明における静電荷記録体は、絶縁層を電極基板上に
積層することにより形成され、電極基板上の光導電層面
に対向させ、両電極間に電圧を印加した状態で感光体側
より情報光を入射させると、情報光の照射された光導電
層部位においては、静電荷記録体側の電極方向への電荷
の移動が生じる。
The electrostatic charge recording medium in the present invention is formed by laminating an insulating layer on an electrode substrate, and the insulating layer is placed facing the photoconductive layer surface on the electrode substrate, and information light is emitted from the photoreceptor side while a voltage is applied between both electrodes. When the information light is irradiated, charges move toward the electrode on the electrostatic charge recording body side in the portion of the photoconductive layer irradiated with the information light.

その移動電荷は放電、または電荷注入により静電荷記録
体表面に情報電荷として蓄積され、もしくは絶縁層内部
に浸透して永続性のある静電荷記録体となるものである
。絶縁層に一旦蓄積された電荷は、絶縁層表面をプラス
チックフィルム等の保護膜で被覆することにより、極め
て長期間の電荷保持特性を有するものとなり、この静電
荷記録体をカード基材中に埋め込み、または貼着するこ
とにより、カード類への利用を可能とするものである。
The moving charges are accumulated as information charges on the surface of the electrostatic charge recording material by discharge or charge injection, or penetrate into the inside of the insulating layer to form a permanent electrostatic charge recording material. By covering the surface of the insulating layer with a protective film such as a plastic film, the charge once accumulated in the insulating layer can be retained for an extremely long period of time, and this electrostatic charge recording material can be embedded into the card base material. , or by pasting it, it can be used for cards.

また単に情報が記録されたものをカード化する場合のみ
でなく、未記録状態の静電荷記録体をカード化し、保護
膜として粘着性を有するプラスチックフィルムを使用し
、剥離可能にしておくことにより、利用者が保護膜を剥
離し、情報を随時記録することも可能となる。特に静電
荷記録カードとして、(0・1)情報のようなデジタル
情報をビーム照射によるスキャニング操作で記録させる
ことにより、記録された電荷をそのままの状態、または
トナー現像して保存することができるので、電位読み取
り手段、再生手段を使用して容易にCRT、プリンター
出力することが可能であり、また光カードにおいて使用
されている読み取り手段も読み取り手段として利用する
ことができるものである。
In addition to simply turning information recorded into cards, by turning unrecorded electrostatic charge recording materials into cards and using adhesive plastic film as a protective film to make it removable, Users can also peel off the protective film and record information at any time. In particular, as an electrostatic charge recording card, by recording digital information such as (0/1) information through a scanning operation using beam irradiation, the recorded charge can be stored as is or by developing it with toner. It is possible to easily output the data to a CRT or a printer using a potential reading means and a reproducing means, and the reading means used in an optical card can also be used as the reading means.

以下、実施例を説明する。Examples will be described below.

〔実施例1〕・・・静電荷記録体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂10g1キシレン−ブタノール1:[
溶媒Logの組成を有する混合液に、硬化剤(金属触媒
) :商品名 CR−15を1重量%(0,2g)加え
てよく撹拌し、Alを1000人蒸着レム0.4mmの
塩化ビニルフィルム上にドクターブレード4ミルを用い
てコーティングを行った。その後150℃、lhrの乾
燥を行ない、膜厚10μmの静電荷記録体(a)を得た
[Example 1]...Production method of electrostatic charge recording material 10 g of methylphenyl silicone resin 1 xylene-butanol 1: [
1% by weight (0.2 g) of a hardening agent (metal catalyst) (trade name: CR-15) was added to the mixed solution having the composition of the solvent Log, and the mixture was stirred well. A coating was applied on top using a doctor blade 4 mil. Thereafter, drying was performed at 150° C. for 1 hour to obtain an electrostatic charge recording material (a) having a film thickness of 10 μm.

また上記混合液を、A1を1000人蒸着レム100μ
mポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の静電荷記録体(b)を
得た。
In addition, 100μ of the above mixed solution was deposited with A1 by 1000 people.
It was coated on a polyester film in the same manner and then dried to obtain a film-like electrostatic charge recording material (b).

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を0゜1g添
加し、A1を1000人蒸着レム100μmH’AKの
ポリエステルフィルム上に同様コーティングし、乾燥を
行い、10μmの膜厚を有する静電荷記録体(c)を得
た。
Furthermore, 0.1 g of zinc stearate was added to the above mixed solution, and A1 was similarly coated on a polyester film of 100 μm H'AK deposited by 1000 people, dried, and an electrostatic charge recording material having a film thickness of 10 μm ( c) was obtained.

〔実施例2〕 ポリイミド樹脂Log、N−メチルピロリドン10gの
組成を有する混合液を、Allを1000人蒸着レムガ
ラス基板上にスピンナーコーティング(1000rpm
、20秒)した、溶媒を乾燥させるため150℃で30
分間、前乾燥を行った後、硬化させるため350℃、2
時間加熱した。
[Example 2] A mixed solution having a composition of polyimide resin Log and 10 g of N-methylpyrrolidone was spinner coated (1000 rpm
, 20 seconds) at 150 °C for 30 seconds to dry the solvent.
After pre-drying for 2 minutes, heat at 350°C for 2 minutes to harden.
heated for an hour.

膜厚8μmを有する均一な被膜が形成された。A uniform film with a film thickness of 8 μm was formed.

〔実施例3〕・・・単層系有機感光体(PVK −TN
F ’)作製方法 ポリ−N−ビニルカルバゾール10g(亜南香料(株)
製)、2.4.7−)リニトロフルオレノン10g、ポ
リエステル樹脂2g(バインダー:バイロン200東洋
紡(株)製)、テトラハイドロフラン(THF)90g
の組成を有する混合液を暗所で作製し、InzOs−5
nOzを約1000人の膜厚でスパッターしたガラス基
板(1龍厚)に、ドクターブレードを用いて塗布し、6
0℃で約1時間通風乾燥し、膜厚約10μmの光導電層
を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために、更
に1日自然乾燥を行って用いた。
[Example 3]...Single layer organic photoreceptor (PVK-TN
F') Preparation method Poly-N-vinylcarbazole 10g (Anan Fragrance Co., Ltd.)
(manufactured by Toyobo Co., Ltd.), 2.4.7-) 10 g of linitrofluorenone, 2 g of polyester resin (binder: Byron 200 manufactured by Toyobo Co., Ltd.), 90 g of tetrahydrofuran (THF)
A mixed solution having the composition was prepared in a dark place, and InzOs-5
Sputtered nOz to a film thickness of about 1000 mm was applied to a glass substrate (1 layer thick) using a doctor blade.
The mixture was dried with ventilation at 0° C. for about 1 hour to obtain a photosensitive layer having a photoconductive layer with a thickness of about 10 μm. In addition, in order to completely dry the sample, it was further air-dried for one day before use.

〔実施例4〕・・・アモルファスシリコンa S i 
: H無機感光体の作製方法 ■基板洗浄 5nOzの薄膜感光体電極層を一方の表面に設けたコー
ニング社7059ガラス(23XI6XO,9t、光学
研磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各
液中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
[Example 4]...Amorphous silicon a Si
: H Inorganic photoreceptor manufacturing method ■Substrate cleaning Corning 7059 glass (23XI6XO, 9t, optically polished) with a 5nOz thin film photoreceptor electrode layer on one surface was placed in trichloroethane, acetone, and ethanol in this order. Ultrasonic cleaning for 10 minutes each.

■装置の$備 洗浄の済んだ基板を第26図の反応室104内のアノー
ド106上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を10−’Torr台までり。
■ After setting the cleaned substrate on the anode 106 in the reaction chamber 104 in FIG. 26 to ensure sufficient heat conduction,
The temperature inside the reaction chamber was increased to 10-' Torr.

Pにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
150’C〜350’Cで約1時間行い、焼出し後装置
を冷却する。
The reaction vessel and gas pipe are baked out at 150'C to 350'C for about 1 hour, and the apparatus is cooled after baking out.

■a−3i:H(n・)の堆積 ガラス基板が350’Cになるようにヒーターを108
11整、加熱し、予めタンク101内で混合しておいた
P H3/ S i H4= 1000ppmのガスを
ニードルバルブとPMBの回転数を制御することによっ
て反応室104の内圧が200mT。
■a-3i: Deposit H(n・) Set the heater to 108°C so that the temperature of the glass substrate is 350'C.
The internal pressure of the reaction chamber 104 was brought to 200 mT by controlling the needle valve and the rotation speed of the PMB.

rrになるように流し内圧が一定になった後、Ma t
ching Box 103を通じて、40WのRf 
Power  102 (13,56KHz)を投入し
、力’/−)”・アノード間にプラズマを形成する。堆
積は4分間行い、Rfの投入を止め、ニードルバルブを
閉じる。
After the flow internal pressure becomes constant so as to become rr, Mat
40W Rf through Ching Box 103
Power 102 (13,56 KHz) is applied to form a plasma between the power '/-)' and the anode. Deposition is performed for 4 minutes, then Rf input is stopped and the needle valve is closed.

その結果、ブロッキング層を構成する約0. 2μmの
a−Si:H(n“)膜が基板上に堆積された。
As a result, approximately 0.0. A 2 μm a-Si:H(n“) film was deposited on the substrate.

■a−5t:Hの堆積 5fH4100%ガスを■と同じ方法で内圧が200 
mTorrになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Matching Box 103を通じて、4
0WのRfPower 102 (13,56KHz)
を投入し、プラズマを形成して70分間維持する。
■a-5t: Deposition of H 5fH4 100% gas in the same way as ■ until the internal pressure is 200
When the internal pressure becomes constant, 4 mTorr is applied through Matching Box 103.
0W RfPower 102 (13,56KHz)
to form a plasma and maintain it for 70 minutes.

堆積終了はRfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる
。、Heater 1080ff後、基板が冷えている
から取り出す。
When the deposition is completed, the input of Rf is stopped and the needle valve is closed. After Heater 1080ff, the board is cold, so take it out.

この結果、約18.8μmの膜がa−3i:H(n゛)
膜上に堆積された。
As a result, a film of approximately 18.8 μm is a-3i:H(n゛)
deposited on the membrane.

こうしてSnO2/a−3i:H(n’)ブロッキング
層/a−3i :H(non−dope)20μmの感
光体を作製することができた。
In this way, a photoreceptor with a SnO2/a-3i:H(n') blocking layer/a-3i:H (non-dope) of 20 μm was fabricated.

CX施例5)・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 実施例4と同様の装置を使用して、セレン(Se)に対
しテルル(Te)が13重量%の割合で混合された金属
粒を用い、蒸着法によりa−5e−Te薄膜を真空度1
0−’Torr、抵抗加熱法でITOガラス基板上に蒸
着した。膜厚は1μmとした。さらに真空度を維持した
状態で、同じく抵抗加熱法でSeのみの蒸着を行いa−
5e−Te層上に10μma−Se層を積層した。
CX Example 5)...Production method of amorphous selenium-tellurium inorganic photoreceptor Using the same equipment as in Example 4, tellurium (Te) was mixed with selenium (Se) at a ratio of 13% by weight. Using metal particles, an a-5e-Te thin film is deposited at a vacuum degree of 1 using a vapor deposition method.
It was deposited on an ITO glass substrate using a resistance heating method at 0-'Torr. The film thickness was 1 μm. Furthermore, while maintaining the degree of vacuum, only Se was evaporated using the same resistance heating method.
A 10 μma-Se layer was laminated on the 5e-Te layer.

〔実施例6〕・・・機能分離型感光体の作製方法(電荷
発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250m/容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズNO3,180mj!を加え
、振動ミル(安用電機製作所KED9−4)により、約
4時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンE−2000(三菱ガス化学)を0.4g加え
約4時間撹拌する。この溶液をInzOs−Snowを
約1000人スパンターしたガラス基板(In厚)にド
クターブレードを用いて塗布し、膜厚約1μmの電荷発
生層を得た。乾燥は室温で1日行った。
[Example 6] Method for producing a functionally separated photoreceptor (method for forming a charge generation layer) A mixed solution having a composition of 0.4 g of chlorodiane blue and 40 g of dichloroethane was placed in a 250 m/volume stainless steel container, and Glass Peas NO3, 180mj! was added and pulverized for about 4 hours using a vibrating mill (Yasuyo Denki Seisakusho KED9-4) to obtain chlorocyan blue with a particle size of ~5 μm. After filtering the glass peas, 0.4 g of polycarbonate, Niepiron E-2000 (Mitsubishi Gas Chemical) was added and stirred for about 4 hours. This solution was applied to a glass substrate (In thickness) spun with about 1000 InzOs-Snow using a doctor blade to obtain a charge generation layer with a thickness of about 1 μm. Drying was carried out at room temperature for one day.

〔電荷輸送層の形成方法〕[Method for forming charge transport layer]

4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデヒド−
1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g、ポリカーボ
ネート(ニーピロンE−2000) 0 、 1 g、
ジクロルエタン2.0gの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約10μ
mの電荷輸送層を得た。乾燥は60℃で2時間行った。
4-Dibenzylamino-2-methylbenzaldehyde-
1,1'-diphenylhydrazone 0.1 g, polycarbonate (Nipilon E-2000) 0, 1 g,
A mixed solution having a composition of 2.0 g of dichloroethane was applied onto the charge generation layer using a doctor blade to form a layer of about 10 μm.
A charge transport layer of m was obtained. Drying was performed at 60°C for 2 hours.

〔実施例7〕 (電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチルLogにブチラール樹脂(積木化学、5LE
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
f104塩、 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タ
ッチミキサーで1日間攪拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したITO上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は1μm以下。
[Example 7] (Formation method of charge generation layer) Butyral resin (Building Chemical, 5LE) was added to butyl acetate Log.
C) 0.25g, azulenium C having the following structural formula
Mix 0.5 g of f104 salt and 133 g of Glass Peas No., stir with a touch mixer for 1 day, disperse well, apply with a doctor blade or applicator on ITO layered on a glass plate, and heat at 60°C. , dried for more than 2 hours. The film thickness after drying is 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTCI
 91) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚
10μm以下であった。
(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nipiron E2000) and a hydrazone derivative represented by the following structural formula (Anan Perfume Co., Ltd., CTCI
91) was mixed with 0.5 g, applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60°C for 12 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.

〔実施例8〕 (電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積木化学
、5LEC)0.5g、チタニルフクロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、1を33g、タッチミキサーで1
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターでガラス板上に積層したITO上に
塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜
は、膜厚1μm以下であった。
[Example 8] (Method for forming a charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (5LEC, manufactured by Building Blocks Chemical), and 0.2 g of titanyl fucrocyanine.
5g, 4.10-dibromoanthrone 0.25g
, Glass Peas No. 1, 33g, 1 with a touch mixer
The mixture was stirred for several days to be well dispersed, and then applied using a doctor blade or applicator onto ITO laminated on a glass plate, and dried at 60° C. for 2 hours or more. The film after drying had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の作製方法) ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTCI91)0.sgを)容
解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、
60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚は10μm以上で
あった。
(Method for Preparing Charge Transport Layer) To 9.5 g of dichloroethane, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000), 0.5 g of the above hydrazone derivative (CTCI91, Anan Perfumery). sg) and coated on the charge generation layer with a doctor blade,
It was dried at 60°C for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or more.

〔実施例9〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に、可溶性ポリアミド(
東亜合成化学、Fl−175SVLO)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥
させた。
[Example 9]... Method for producing a functionally separated photoreceptor provided with a charge injection prevention layer (method for forming a charge injection prevention layer) Soluble polyamide (
Toagosei Chemical Co., Ltd., Fl-175SVLO) was applied to a thickness of 0.5 to 1 μm using a spin coater and dried at 60° C. for 2 hours or more.

(電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積木化学、5LE
C)0.25g、前記したアズレニウムC10、塩0.
5g、ガラスピーズN01133gとを混合し、タッチ
ミキサーで1日間攪拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
(Method for forming charge generation layer) Add butyral resin (Building Chemical, 5LE) to 10 g of butyl acetate.
C) 0.25g, azulenium C10 as described above, salt 0.
5 g and 133 g of Glass Peas N01 were mixed, stirred for 1 day using a touch mixer, dispersed well, and applied onto the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator, and dried at 60° C. for 12 hours or more. The film after drying had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体く阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚10μm
以下であった。
(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000), and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative Kuanan Kaori, CTC191).
was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60° C. for 2 hours or more. Film thickness 10μm
It was below.

〔実施例10〕 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に、可溶性ポリアミド(
東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥
させた。
[Example 10] (Method for forming charge injection prevention layer) Soluble polyamide (
Toagosei Chemical Co., Ltd., FS-175SV10) was applied to a thickness of 0.5 to 1 μm using a spin coater and dried at 60° C. for 2 hours or more.

(電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積木化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNO61を33g、タッチミキサーで1
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚
1μm以下であった。
(Method for forming a charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (5LEC, manufactured by Building Blocks Chemical), and 0.2 g of titanyl phthalocyanine.
5g, 4.10-dibromoanthrone 0.25g
, 33g of glass peas NO61, 1 with a touch mixer
Stir for several days, disperse well, and apply the mixture onto the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator.
It was dried at 60°C for 2 hours or more. The film after drying had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) 溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネー
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、cTc191)0.
5gを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚は10μ
m以上であった。
(Method for forming a charge transport layer) 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) was added to 9.5 g of dichloroethane as a solvent.
The above hydrazone derivative (Anan Kaori, cTc191) 0.
5 g was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60° C. for 2 hours or more. Film thickness is 10μ
It was more than m.

〔実施例11〕 (感光体電極層の形成方法) 青板ガラス上に、酸化インジウム錫(ITO1比抵抗1
00Ω・cm”)をスパッタリング法により蒸着させた
[Example 11] (Method for forming photoconductor electrode layer) Indium tin oxide (ITO1 specific resistance 1
00Ω·cm”) was deposited by sputtering.

また、EB法により同様に蒸着させることができる。Further, it can be similarly deposited by the EB method.

(電荷注入防止層の形成方法) 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。
(Method for Forming Charge Injection Prevention Layer) Silicon dioxide was deposited on the photoreceptor electrode layer by sputtering.

膜厚は100〜3000人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
The film thickness can be from 100 to 3,000, and aluminum oxide may be used instead of silicon dioxide, and the EB method can be used instead of the sputtering method.

(電荷発生層の形成方法) 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含有
量13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。
(Method for Forming Charge Generation Layer) Selenium-tellurium (tellurium content: 13% by weight) was deposited on the charge injection prevention layer by resistance heating. The film thickness is 2
It is less than μm.

(電荷輸送層の形成方法) 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
(Method for Forming Charge Transport Layer) Granular selenium was used on the charge generation layer and deposited by resistance heating. The film thickness is 10 μm or less.

〔実施例12〕・・・静電荷記録方法 第4図はROM型静電荷記録カードにおける静電荷記録
方法を説明するための図、第5図はDRAWROM型静
電荷記録カードる静電荷記録方法を説明するための図で
ある。
[Example 12] Electrostatic charge recording method Fig. 4 is a diagram for explaining the electrostatic charge recording method in a ROM type electrostatic charge recording card, and Fig. 5 shows the electrostatic charge recording method in a DRAWROM type electrostatic charge recording card. It is a figure for explaining.

lは静電荷記録カード、2は感光体、3は静電荷記録体
、4はカード基材、5は光導電層支持体、7は感光体電
極、9は光導電層、11は絶縁層、13は静電荷記録体
電極、14は露出電極部、15は静電荷記録体支持体、
16は保護膜、17は電源、18はスイッチである。
1 is an electrostatic charge recording card, 2 is a photoreceptor, 3 is an electrostatic charge recording member, 4 is a card base material, 5 is a photoconductive layer support, 7 is a photoconductor electrode, 9 is a photoconductive layer, 11 is an insulating layer, 13 is an electrostatic charge recording member electrode, 14 is an exposed electrode portion, 15 is an electrostatic charge recording member support,
16 is a protective film, 17 is a power supply, and 18 is a switch.

第4図(イ)に示すように、まず実施例1で作製した静
電荷記録体3を、膜厚10μmのポリエステルフィルム
スペーサーによる10μmの空隙を介して、絶縁N11
面を実施例3で作製した感光体の光導電N9に対向させ
て配置し、次いで同図(ロ)に示すように両電極間7.
13に、感光体側を負、絶縁層側を正にして、−700
Vの直流電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高
抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。そ
してその状態で感光体裏面より照度1000ルツクスの
ハロゲンランプを光源とする露光を1秒間行い、露光終
了後、電圧を同図(ハ)に示すようにOFFとした。光
が入射した部分の光導電層9は導電性を示し、絶縁層1
1との間に放電が生じ、絶縁層11に電荷が蓄積される
。次いで、同図(ニ)に示すように静電荷記録体3を取
り出すことにより静電潜像の形成が終了する。この結果
静電荷記録体上に一100■の表面電位が表面電位計に
より測定され、一方未露光部では表面電位はOvであっ
た。その後、絶縁性フィルムでラミネートを行い、ラミ
ネートフィルム上からの電位読み取りで、同様の一10
0vの表面電位が表面電位計により測定された。
As shown in FIG. 4(A), first, the electrostatic charge recording body 3 produced in Example 1 was inserted into an insulating N11
Place the surface facing the photoconductor N9 of the photoreceptor prepared in Example 3, and then as shown in FIG.
13, set the photoconductor side as negative and the insulating layer side as positive, and set -700.
A DC voltage of V is applied. In a dark place, since the photoconductive layer 9 is a high-resistance material, no change occurs between the electrodes. In this state, exposure was performed for 1 second from the back surface of the photoreceptor using a halogen lamp with an illuminance of 1000 lux as a light source, and after the exposure was completed, the voltage was turned off as shown in FIG. The photoconductive layer 9 in the part where the light is incident exhibits conductivity, and the insulating layer 1
1, and electric charges are accumulated in the insulating layer 11. Next, as shown in FIG. 4(d), the electrostatic charge recording medium 3 is taken out, thereby completing the formation of the electrostatic latent image. As a result, a surface potential of 1100 cm was measured on the electrostatic charge recording medium using a surface electrometer, while the surface potential in the unexposed area was Ov. After that, it was laminated with an insulating film, and the potential was read from the top of the laminated film.
A surface potential of 0v was measured by a surface electrometer.

また、露光時に解像度パターンフィルムを感光体裏面に
密着させて同様の露光を行った後、静電荷記録体を50
X50μmの微小面積表面電位測定プローブ面でXY軸
スキャニングを行い、50μm車位の電位データを処理
し、CRT上に電位−輝度変換により拡大表示した結果
、100μmまでの解像度パターンをCRT上に確認で
きた。
In addition, after performing similar exposure with the resolution pattern film in close contact with the back surface of the photoreceptor during exposure, the electrostatic charge recording material was
XY-axis scanning was performed on the small area surface potential measurement probe surface of 50 μm, and the potential data at 50 μm position was processed and enlarged and displayed on the CRT using potential-luminance conversion. As a result, a resolution pattern of up to 100 μm was confirmed on the CRT. .

露光後、静電荷記録体を室温25℃、35℃の状態で3
ケ月放置後、同様の電位スキャニング読み取りを行った
結果、露光直後と全く変化のない解像度パターン表示が
得られた。解像度パターン露光後、保護膜としてポリエ
ステルフィルムを使用して被覆し、そのフィルム上から
の電位読み取りで10(lumの解像度をCRT上で得
た。
After exposure, the electrostatic charge recording medium was heated at room temperature of 25℃ and 35℃ for 3
After being left for several months, a similar potential scanning reading was performed, and as a result, a resolution pattern display with no change at all from immediately after exposure was obtained. After exposure to the resolution pattern, a polyester film was used as a protective film to cover the film, and a resolution of 10 (lumens) was obtained by reading the potential on the film on the CRT.

また露光方法として、通常のカメラを使用し、−700
Vの電圧印加状態で、露出f=1.4、シャッタ−スピ
ード1/60秒で、屋外昼間の複写体(最影を行った。
Also, as an exposure method, using a normal camera, -700
A copy was made outdoors during the daytime (closest shadow) with a voltage of V applied, exposure f=1.4, and shutter speed 1/60 seconds.

露光後、静電荷記録体を50×50μmの微小面積表面
電位測定プローブ面でXY軸ススキャニング行い、50
μm単位の電位データを処理し、CRT上に電位−輝度
変換により拡大表示した結果、諧調性を有する画像形成
が行われた。上記同様この静電荷記録体をラミネートし
、ラミネート上から測定したところ、ラミネート無しの
場合と変わらぬ諧調性を有する画像形成が行われた。
After exposure, the electrostatic charge recording medium was scanned in the XY axes with a surface potential measuring probe surface of a micro area of 50 x 50 μm, and
As a result of processing potential data in μm units and enlarging and displaying it on a CRT by potential-luminance conversion, an image with gradation was formed. When this electrostatic recording medium was laminated in the same manner as described above and measurements were made from the top of the laminate, an image was formed with the same gradation as in the case without lamination.

次ぎに第4図における露光手段として、レーザー照射手
段を使用して静電潜像を形成し、トナーにより顕在化さ
せ、光カード読み取り装置を使用してカード表面を走査
し、電位電荷の有無、或いは電位差をrOJ、「1」信
号として読み取ることができた。
Next, as the exposure means in FIG. 4, a laser irradiation means is used to form an electrostatic latent image, which is made visible with toner, and an optical card reading device is used to scan the card surface to determine the presence or absence of potential charges. Alternatively, the potential difference could be read as rOJ, a "1" signal.

また面露光によりアナログ情報電荷を絶縁層に蓄積し、
レーザー光によるスキャニングすることにより、アナロ
グ(階5II)、デジタル(0,1)信号として読み取
ることができた。
In addition, analog information charges are accumulated in the insulating layer by surface exposure,
By scanning with laser light, it was possible to read analog (5II) and digital (0,1) signals.

〔実施例13〕 カラー画像の撮影は以下の方法で行った。[Example 13] Color images were taken using the following method.

■プリズム型3面分割法 第21図に示すようにプリズムの3面上にRlG、Bフ
ィルターを配置し、それぞれの面に上記実施例12で使
用したと同じ媒体をセットし、f=1.4、シャッタ−
スピード1/30秒で被写体撮影を行った。
■ Prism-type three-plane division method As shown in FIG. 21, RlG and B filters are arranged on three sides of a prism, and the same medium used in Example 12 above is set on each side, and f=1. 4. Shutter
The subject was photographed at a speed of 1/30 seconds.

■カラーCRT表示法 R,G、B潜像各々を実施例12と同様の方法でスキャ
ニングして読み取り、R,G、B潜像に対応した螢光発
色をCRT上で形成し、3色分解画像をCRT上で合成
することによりカラー画像を得た。
■Color CRT display method Each of the R, G, and B latent images is scanned and read in the same manner as in Example 12, and fluorescent colors corresponding to the R, G, and B latent images are formed on the CRT, and three-color separation is performed. A color image was obtained by combining the images on a CRT.

〔実施例14) 第27図は、実施例1 (a)の静電荷記録体の電荷保
持特性を示す図で、その表面電位を時間経過で測定した
結果を示すものである。
[Example 14] FIG. 27 is a diagram showing the charge retention characteristics of the electrostatic recording material of Example 1 (a), and shows the results of measuring the surface potential over time.

A線は、温度25℃、湿度30%の状態で放置して測定
したものであるが、3ケ月経過しても静電荷記録体上の
表面電荷は減衰しなかった。B線は、温度40℃、湿度
75%の状態で放置して測定したものであるが、1週間
経過した状態で約25%しか減衰しなかった。
Line A was measured after being left at a temperature of 25° C. and a humidity of 30%, and the surface charge on the electrostatic charge recording material did not attenuate even after 3 months. The B line was measured after being left at a temperature of 40° C. and a humidity of 75%, and it was only attenuated by about 25% after one week had passed.

〔実施例15〕・・・熱エレクトレフトによる静電荷記
録体の作製方法 ポリ弗化ビニリデンフィルム20μm上に真空蒸着(1
0−6Torr、抵抗加熱法)によりA2を1000人
蒸着レムものを静電荷記録体とし、機能分離型感光体の
光導電性感光体と共に静電潜像を形成する。
[Example 15]...Method for producing electrostatic charge recording material by thermal electroleft vacuum evaporation (1
A 1,000-person vacuum-deposited layer of A2 was used as an electrostatic charge recording medium using a resistive heating method (0-6 Torr, resistance heating method), and an electrostatic latent image was formed together with the photoconductive photoreceptor of the functionally separated photoreceptor.

まず静電荷記録体のAd基板側からホットプレート(3
x3cm)を接触させ、180℃に媒体を加熱する。加
熱直後に感光体を静電荷記録体に10μmの空気ギャッ
プで表面同志を対向させ、置型極間に一550Vの電圧
を印加(感光体電極を負とする)し、露光させた。露光
はハロゲンランプを光源として、10ルツクスで、文字
パターン原稿を介して感光体裏面から1秒間行った。
First, from the Ad substrate side of the electrostatic charge recording medium, the hot plate (3
x 3 cm) and heat the medium to 180°C. Immediately after heating, the photoreceptor was placed so that its surfaces faced each other with an air gap of 10 .mu.m, and a voltage of -550 V was applied between the electrodes (with the photoreceptor electrode being negative) to expose the photoreceptor to light. Exposure was carried out at 10 lux using a halogen lamp as a light source for 1 second from the back surface of the photoreceptor through the character pattern document.

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部(文字部)
には、−150Vの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一150vの電位が
測定された。
After this, the film was naturally cooled, and as a result, the exposed areas (characters)
A potential of -150 V was measured in the area, and no potential was measured in the unexposed area. Water droplets were dropped onto the film on which the charged pattern was formed, and after being collected, the potential was measured. As a result, the potential of -150 V was measured in the exposed area, which was the same as before.

一方間様の静電荷記録体に強制的にコロナ放電で表面に
一150vの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−150■を示した露光部がOVと全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレフト化して
いることがわかった。
On the other hand, after forcibly forming a charge of -150V on the surface of the electrostatic charge recording medium by corona discharge, water droplets were dropped and collected. Disappeared. Therefore, it was found that charge formation under heating is caused by polarization inside polyvinylidene fluoride, resulting in electroleft formation.

このようにして形成された熱エレクトレ・ノドは、静電
荷記録体として上記同様の電位読み取りが可能であった
The thermoelectric node thus formed was capable of reading the potential as described above as an electrostatic charge recording medium.

〔実施例16〕・・・光エレクトレットの作製方法1、
 1mm厚のガラス支持体上にA1を、約1000人ス
パッタリング法により積層して基板とし、そのAP、層
上に硫化亜鉛を約1.5μmの膜厚に蒸着(10−’T
orr、抵抗加熱)させた。この硫化亜鉛層面に、ガラ
ス上に積層したITO面を空気ギャップ10μm設けて
対向させ、両電極間に+700Vの電圧を印加(A7!
電極側を負にする)した状態で、ITO基板側から露光
を行った。
[Example 16]...Method for producing photoelectret 1,
A1 was laminated on a 1 mm thick glass support by about 1000 sputtering method to form a substrate, and zinc sulfide was evaporated onto the AP layer to a thickness of about 1.5 μm (10-'T
orr, resistance heating). The surface of this zinc sulfide layer is opposed to the surface of ITO laminated on glass with an air gap of 10 μm, and a voltage of +700V is applied between both electrodes (A7!
Exposure was performed from the ITO substrate side with the electrode side set negative.

露光は実施例11と同様にして行った。その結果露光部
には+80Vの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例11と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。
Exposure was performed in the same manner as in Example 11. As a result, a potential of +80 V was measured in the exposed area, and no potential was measured in the unexposed area. In this case as well, a water droplet experiment similar to that in Example 11 was conducted, but there was no change in the potential after recovery, and an electret with charge accumulated inside was formed.

このようにして形成された光エレクトレフトは、静電荷
記録体として上記同様の電位読み取りが可能であった。
The photoelectric left thus formed could be used as an electrostatic charge recording medium to read the potential in the same way as described above.

〔実施例17〕・・・ROM型静電荷記録カードの作製
方法 第1図に示すように、カード基材として0.8mmの膜
厚を有する塩化ビニルシート(85X55mm)を使用
し、その上面に長方形状の静電荷記録体3の収納孔を有
する形状に成型し、次いで上記静電荷記録方法で情報を
記録した静電荷記録体3の裏面に接着剤を塗布して、カ
ード基材4の収納孔に絶縁層11表面を露出させて埋め
込み、圧着して一体化させた。次いで静電荷記録カード
表面を、ポリエステルフィルムを保護膜16として被膜
した。
[Example 17]...Production method of ROM type electrostatic charge recording card As shown in Figure 1, a vinyl chloride sheet (85 x 55 mm) with a film thickness of 0.8 mm was used as the card base material, and a A rectangular electrostatic charge recording body 3 is molded into a shape having a storage hole, and then an adhesive is applied to the back side of the electrostatic charge recording body 3 on which information has been recorded by the above-mentioned electrostatic charge recording method, and the card base material 4 is stored. The surface of the insulating layer 11 was exposed and embedded in the hole, and the insulating layer 11 was integrated by pressure bonding. Next, the surface of the electrostatic charge recording card was coated with a polyester film as a protective film 16.

〔実施例18〕・・・DRAW型静電荷記録カードの作
製方法 第3図に示すようにカード基材4として塩化ビニルシー
ト(85X55mm)を使用し、その上面に長方形状の
静電荷記録体3の収納孔、および収納孔底部の一部に裏
面への導通孔を穿設する。
[Example 18]...Production method of DRAW type electrostatic charge recording card As shown in Fig. 3, a vinyl chloride sheet (85 x 55 mm) is used as the card base material 4, and a rectangular electrostatic charge recording body 3 is placed on the top surface of the vinyl chloride sheet (85 x 55 mm). A through hole to the back surface is formed in the storage hole and a part of the bottom of the storage hole.

一方、静電荷記録体3における静電荷記録体電極13の
裏面に露出電極部14を一体成型し、静電荷記録体電極
13上に絶縁層11を積層し、情報を記録しないで絶縁
層11を上面にし、導出電極部14をカード基材4の露
出孔より露出させて収納孔に収納し、圧着させ一体化さ
せる。静電荷記録体表面に保護膜として、実施例17同
様にシリコンゴムフィルムを粘着させた(図示せず)。
On the other hand, the exposed electrode part 14 is integrally molded on the back surface of the electrostatic charge recording body electrode 13 in the electrostatic charge recording body 3, and the insulating layer 11 is laminated on the electrostatic charge recording body electrode 13, and the insulating layer 11 is formed without recording information. The lead-out electrode part 14 is exposed from the exposure hole of the card base material 4 and stored in the storage hole, and is crimped and integrated. As in Example 17, a silicone rubber film was adhered to the surface of the electrostatic charge recording material as a protective film (not shown).

このDRAW型静電荷記録カードへの記録方法は、まず
保護膜を剥離し、第5図(イ)に示すように画電極7.
13の間に700■の電圧を印加しつつ、1000ルツ
クスのハロゲンランプにより1秒間露光して絶縁層表面
上に情報を記録し、再度保護膜を静電荷記録体表面上に
粘着させた。
To record on this DRAW type electrostatic charge recording card, first, the protective film is peeled off, and as shown in FIG. 5(a), the picture electrode 7.
Information was recorded on the surface of the insulating layer by exposing it to light for 1 second using a 1000 lux halogen lamp while applying a voltage of 700 .mu. during 13 hours, and the protective film was again adhered to the surface of the electrostatic charge recording material.

このフィルム上より表面電位読み取りを行ったところ、
情報電荷は好適に保持されており、3ケ月後にもこの像
情報電荷は全く減衰しなかった。
When we read the surface potential on this film, we found that
The information charge was suitably retained, and the image information charge did not attenuate at all even after three months.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明における静電荷記録体は、文字、線画、画像、(
0,1)情報等のアナログ情報、またデジタル情報を静
電荷の形で蓄積するものであるので、高品質、高解像度
の情報を蓄積でき、また静電潜像として長期間保存する
ことを可能としたものである。また蓄積された情報は、
任意の時点で静電潜像の局部電位を任意の走査密度で読
み出し出力することができ、高画質の原画と任意時点で
の出力を行うことができるものである。またこの静電荷
記録体を使用することにより、直接電位検出すれば現像
手段のような物理的、または化学的手段を必要としない
ので、安価で簡便な記録再生システムを作ることができ
るものである。本発明の静電荷記録カードは、この静電
荷記録体をカード基材上に配置することによりカード化
したものであり、情報の蓄積手段が簡単で、しかも永続
的に記録保持することができ、またカード化した段階で
の再記録も可能とするものである。また情報電荷をトナ
ー現像することより、光カードとして使用することがで
きるものである。更に静電荷状態の情報、またはトナー
現像された情報は、表面電位計、また光カード読み取り
装置により容易に、かつ短時間で再生することができ、
キャッシュカード、クレジットカード等の記録カードと
して適したものとすることができる。
The electrostatic charge recording material in the present invention includes characters, line drawings, images, (
0,1) Since it stores analog information such as information and digital information in the form of electrostatic charge, it can store high quality and high resolution information and can be stored for a long time as an electrostatic latent image. That is. In addition, the accumulated information is
The local potential of an electrostatic latent image can be read and output at any scanning density at any time, and a high-quality original image can be output at any time. Furthermore, by using this electrostatic charge recording medium, direct potential detection eliminates the need for physical or chemical means such as developing means, making it possible to create an inexpensive and simple recording/reproducing system. . The electrostatic charge recording card of the present invention is made into a card by arranging this electrostatic charge recording body on a card base material, and has a simple means for storing information, and can record and retain information permanently. It also makes it possible to re-record data once it has been converted into a card. Furthermore, by developing the information charge with toner, it can be used as an optical card. Further, the information on the electrostatic charge state or the information on the toner development can be easily and quickly reproduced by a surface electrometer or an optical card reader.
It can be suitable as a recording card such as a cash card or a credit card.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(イ)は本発明のROM型静電荷記録カード斜視
図、同図(ロ)はROM型静電荷記録カードに保護膜を
積層する状態を示す同図(イ)のA−A線での断面図、
第2図は本発明における静電荷記録体断面図、第3図(
イ)はDRAWROM型静電荷記録カード斜視図(ロ)
は同図(イ)のB−B線での断面図、第4図はROM型
静電荷記録カードにおける静電荷記録方法を説明する図
、第5図はDRAWROM型静電荷記録カードる静電荷
記録方法を説明するための図、第6図は光エレクトレッ
トを用いた静電画像記録再生方法の原理を説明するため
の図、第7図は熱エレクトレフトを用いた静電画像記録
再生方法の原理を説明するための図、第8図、第9図、
第10図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を示す図
、第11図、第12図、第13図は交流増幅型の電位読
み取り方法の例を示す図、第14図、第15図はCTス
スキャン法よる電位読み取り方法の例を示す図、第16
図は集電型の電位読み取り方法の例を示す図、第17図
は電子ビーム型の電位読み取り方法の例を示す図、第1
8図、第19図はトナー着色を利用した電位読み取り方
法を説明するための図、第20図は本発明の静電画像再
生の概略構成を示す図、第21図は色分解光学系の構成
を示す図、第22図はカラー静電潜像を形成する場合の
説明図、第23図は微細カラーフィルタの例を示す図、
第24図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図、第25図はNDフィルタとR,G
、Bフィルタの併用による3面分割を示す図、第26図
はa−Si:H感光体の作製方法を説明するための図、
第27図は静電荷記録体の電荷保持特性を示す図である
。 1は静電荷記録カード、2は感光体、3は静電荷記録体
、4はカード基材、5は光導電層支持体、7は感光体電
極、9は光導電層、11は絶縁層、13は静電荷記録体
電極、14は露出電極部、15は静電荷記録体支持体、
16は保護膜、17は電源、18はスイッチ、21・・
・電位読み取り部、23・・・検出電極、25・・・ガ
ード電極、27・・・コンデンサ、 出  願  人  大日本印刷株式会社代理人 弁理士
  内1)亘彦(外4名)第1図 第2図 第3図 ト4 第5図 第8図 第9図       第10図 ノ 第11図  7,24 ト       ト ド           ト 第12図 2ム 第14図 第15図 第16図 第17図 第20図 第21図 第22図 第23図 第24図 第25図
FIG. 1(A) is a perspective view of a ROM type electrostatic charge recording card of the present invention, and FIG. 1(B) is a line A-A in FIG. A cross-sectional view at
Figure 2 is a sectional view of the electrostatic charge recording body in the present invention, and Figure 3 (
A) is a perspective view of a DRAWROM type electrostatic charge recording card (B)
is a cross-sectional view taken along line B-B in Figure (A), Figure 4 is a diagram explaining the electrostatic charge recording method in a ROM type electrostatic charge recording card, and Figure 5 is a diagram explaining the electrostatic charge recording method in a DRAWROM type electrostatic charge recording card. Figure 6 is a diagram to explain the principle of the electrostatic image recording and reproducing method using a photoelectret, and Figure 7 is a diagram explaining the principle of the electrostatic image recording and reproducing method using a thermal electret. Diagrams for explaining, Figures 8 and 9,
Figure 10 is a diagram showing an example of a DC amplification type potential reading method, Figures 11, 12, and 13 are diagrams showing an example of an AC amplification type potential reading method, and Figures 14 and 15 are diagrams showing an example of a potential reading method of an AC amplification type. Figure 16 showing an example of a potential reading method using the CT scan method
The figure shows an example of a current collector type potential reading method, Figure 17 shows an example of an electron beam type potential reading method, and Figure 1 shows an example of an electron beam type potential reading method.
Figures 8 and 19 are diagrams for explaining a potential reading method using toner coloring, Figure 20 is a diagram showing a schematic configuration of electrostatic image reproduction according to the present invention, and Figure 21 is a diagram showing the configuration of a color separation optical system. FIG. 22 is an explanatory diagram for forming a color electrostatic latent image, FIG. 23 is a diagram showing an example of a fine color filter,
Figure 24 shows an example of a combination of a fine color filter and a Fresnel lens, and Figure 25 shows an ND filter and R, G
, a diagram showing three-plane division using a B filter in combination, FIG. 26 is a diagram for explaining the method for manufacturing an a-Si:H photoreceptor,
FIG. 27 is a diagram showing the charge retention characteristics of the electrostatic charge recording medium. 1 is an electrostatic charge recording card, 2 is a photoreceptor, 3 is an electrostatic charge recording member, 4 is a card base material, 5 is a photoconductive layer support, 7 is a photoconductor electrode, 9 is a photoconductive layer, 11 is an insulating layer, 13 is an electrostatic charge recording member electrode, 14 is an exposed electrode portion, 15 is an electrostatic charge recording member support,
16 is a protective film, 17 is a power supply, 18 is a switch, 21...
・Potential reading section, 23...Detection electrode, 25...Guard electrode, 27...Capacitor, Applicant Dai Nippon Printing Co., Ltd. Agent Patent attorney (1) Nobuhiko (4 others) Figure 1 Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4 Fig. 5 Fig. 8 Fig. 9 Fig. 10 Fig. 11 Fig. 7, 24 Fig. 12 Fig. 2 M Fig. 14 Fig. 15 Fig. 16 Fig. 17 Fig. 20 Figure 21 Figure 22 Figure 23 Figure 24 Figure 25

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電極に絶縁層を積層した静電荷記録体を、カード
基材上に絶縁層を上面にして積層した静電荷記録カード
(1) An electrostatic charge recording card in which an electrostatic charge recording medium in which an insulating layer is laminated on an electrode is laminated on a card base material with the insulating layer facing upward.
(2)上記静電荷記録体が、絶縁層表面を露出させてカ
ード基材に埋めこまれるか、または絶縁層を上面にして
カード基材上に貼着されて積層された請求項1記載の静
電荷記録カード。
(2) The electrostatic charge recording material according to claim 1, wherein the electrostatic charge recording body is embedded in the card base material with the surface of the insulating layer exposed, or is laminated by being stuck on the card base material with the insulating layer facing upward. Electrostatic charge recording card.
(3)上記静電荷記録体が、情報が記録されている状態
、または記録されていない状態で積層された請求項1、
または2記載の静電荷記録カード。
(3) Claim 1, wherein the electrostatic charge recording body is laminated in a state in which information is recorded or in a state in which information is not recorded.
Or the electrostatic charge recording card described in 2.
(4)上記静電荷記録体における記録形態が、電荷であ
るか、またはトナー現像したトナーである請求項3記載
の静電荷記録カード。
(4) The electrostatic charge recording card according to claim 3, wherein the recording form on the electrostatic charge recording medium is charge or toner developed with toner.
(5)上記カード基材の適宜箇所で、電極を一部露出さ
せた請求項1、2、3、または4項記載の静電荷記録カ
ード。
(5) The electrostatic charge recording card according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the electrodes are partially exposed at appropriate locations on the card base material.
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WO1995016972A1 (en) * 1993-12-17 1995-06-22 Masayuki Matsuda Information recording/reading method
US5903296A (en) * 1993-04-26 1999-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method

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