JPH01296420A - 磁気記録または再生装置 - Google Patents
磁気記録または再生装置Info
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- JPH01296420A JPH01296420A JP12586288A JP12586288A JPH01296420A JP H01296420 A JPH01296420 A JP H01296420A JP 12586288 A JP12586288 A JP 12586288A JP 12586288 A JP12586288 A JP 12586288A JP H01296420 A JPH01296420 A JP H01296420A
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- magnetic
- recording
- film
- main
- head
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は磁気記録媒体に情報の磁気記録または再生を行
なう装置に関し、特に基板上に絶縁膜を介して磁性膜か
ら成る主磁極が設けられ、該主磁極の端面が磁気記録媒
体に対向する薄膜磁気ヘッドを記録媒体に対して相対的
に移動させて垂直磁気記録方式で情報の磁気記録または
再生を行なう磁気記録または再生装置に関するものであ
る。
なう装置に関し、特に基板上に絶縁膜を介して磁性膜か
ら成る主磁極が設けられ、該主磁極の端面が磁気記録媒
体に対向する薄膜磁気ヘッドを記録媒体に対して相対的
に移動させて垂直磁気記録方式で情報の磁気記録または
再生を行なう磁気記録または再生装置に関するものであ
る。
[従来の技術]
従来の一般的な磁気記録はリング型の磁気ヘッドにより
磁気記録媒体の面内方向に残留磁化を形成する面内方向
記録方式のものであったが、この方式では記録の高密度
化に伴ない記録媒体内の反磁界か大きくなり、高密度記
録に限界かあった。
磁気記録媒体の面内方向に残留磁化を形成する面内方向
記録方式のものであったが、この方式では記録の高密度
化に伴ない記録媒体内の反磁界か大きくなり、高密度記
録に限界かあった。
この問題を解決すべく提案されたものが垂直磁気記録方
式であり、記録媒体の厚み方向すなわち記録面に垂直な
方向に交互に残留磁化を形成するもので、短波長特性等
に優れ高密度信号記録が可能であることが確認されてい
る。また更に高密度記録を達成するためには高速の情報
転送が必要であり、このために同時に多数の情報信号す
なわち情報データを同一の記録媒体上に記録しかつ再生
できるように信号記録方式をマルチチャンネル化するこ
とが重要な研究課題とされている。そのために最近では
マルチチャンネル型磁気ヘッドを用いた垂直磁気記録方
式の研究開発か進められている。
式であり、記録媒体の厚み方向すなわち記録面に垂直な
方向に交互に残留磁化を形成するもので、短波長特性等
に優れ高密度信号記録が可能であることが確認されてい
る。また更に高密度記録を達成するためには高速の情報
転送が必要であり、このために同時に多数の情報信号す
なわち情報データを同一の記録媒体上に記録しかつ再生
できるように信号記録方式をマルチチャンネル化するこ
とが重要な研究課題とされている。そのために最近では
マルチチャンネル型磁気ヘッドを用いた垂直磁気記録方
式の研究開発か進められている。
第13図に従来提案されているマルチチンネル化の磁気
ヘッドを用いた垂直磁気記録の様子を示す。この磁気ヘ
ッドは補助磁極励磁型のヘッドであって、従来の単一ト
ラック用補助磁極励磁型のものをトラック幅方向に複数
個並設し、マルチチャンネル化を図ったものである。
ヘッドを用いた垂直磁気記録の様子を示す。この磁気ヘ
ッドは補助磁極励磁型のヘッドであって、従来の単一ト
ラック用補助磁極励磁型のものをトラック幅方向に複数
個並設し、マルチチャンネル化を図ったものである。
図示のようにこの磁気ヘッドは磁気記録媒体である磁気
テープTの上方にそのテープ幅方向に沿って一定間隔を
置いて平行に並設された複数の主磁極1a、lb、Ic
・・・と、下方に磁気テープTを挟んで主磁極1a、I
b、Ic・・・のそれぞれと対で対向するように並設さ
れた補助磁極2a。
テープTの上方にそのテープ幅方向に沿って一定間隔を
置いて平行に並設された複数の主磁極1a、lb、Ic
・・・と、下方に磁気テープTを挟んで主磁極1a、I
b、Ic・・・のそれぞれと対で対向するように並設さ
れた補助磁極2a。
2b、2c・・・から成る。補助磁極2a、2b。
2c・・・のそれぞれにはコイル3a、3b、3”c・
・・が巻回される。そしてコイル3a、3b、3c・・
・に外部から信号電流を印加し補助磁極2a。
・・が巻回される。そしてコイル3a、3b、3c・・
・に外部から信号電流を印加し補助磁極2a。
2b、2c・・・を励磁することにより、各補助磁極の
上端面から信号電流に応じた磁束が漏れ、それぞれの磁
束は高透磁率磁性材から成る主磁極la、lb、lc・
・・のそれぞれに集中して流れ、その間で磁気テープT
の垂直磁化膜を膜面に垂直な方向に交互に反転して磁化
する。そしてそれぞれの磁化部分が記録トラック4a、
4b、4c・・・となる。
上端面から信号電流に応じた磁束が漏れ、それぞれの磁
束は高透磁率磁性材から成る主磁極la、lb、lc・
・・のそれぞれに集中して流れ、その間で磁気テープT
の垂直磁化膜を膜面に垂直な方向に交互に反転して磁化
する。そしてそれぞれの磁化部分が記録トラック4a、
4b、4c・・・となる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら第13図のような従来の垂直磁気記録方式
によれば主磁極が磁気テープの幅方向に互いに平行に直
列に並設されているため、一定のテープ幅内に複数の記
録トラックを納めよう、とじた場合に、主磁極の幅を極
力狭くして磁気テープに記録された記録トラックの幅を
極力狭くしない限り高トラツク密度化を達成することは
できず、それによる記録の高密度化は図れかい。
によれば主磁極が磁気テープの幅方向に互いに平行に直
列に並設されているため、一定のテープ幅内に複数の記
録トラックを納めよう、とじた場合に、主磁極の幅を極
力狭くして磁気テープに記録された記録トラックの幅を
極力狭くしない限り高トラツク密度化を達成することは
できず、それによる記録の高密度化は図れかい。
これに対して高トラツク密度化を図るために薄膜形成技
術により主磁極を磁性膜から形成した薄膜磁気ヘッドを
用いる手法が考えられる。しかしこの薄膜磁気ヘッドを
用いる手法では、−船釣に記録トラック幅はフォトリソ
グラフィで加工される主磁極の磁性膜の幅により規定さ
れるため、更に高密度トラック化が進んでくるとフォト
リソグラフィによる加工では幅寸法に限界が生じてくる
という問題がある。
術により主磁極を磁性膜から形成した薄膜磁気ヘッドを
用いる手法が考えられる。しかしこの薄膜磁気ヘッドを
用いる手法では、−船釣に記録トラック幅はフォトリソ
グラフィで加工される主磁極の磁性膜の幅により規定さ
れるため、更に高密度トラック化が進んでくるとフォト
リソグラフィによる加工では幅寸法に限界が生じてくる
という問題がある。
−1マルチチャンネル化のため磁気ヘッドをマルチチャ
ンネル化する場合には、従来の面内方向の磁気記録の例
から考えて再生ヘッドが正確に記録トラックの真上に位
置していても隣接する記録l・ラッタの信号か混入し合
う、いわゆるトラック間クロストークか常に存在する。
ンネル化する場合には、従来の面内方向の磁気記録の例
から考えて再生ヘッドが正確に記録トラックの真上に位
置していても隣接する記録l・ラッタの信号か混入し合
う、いわゆるトラック間クロストークか常に存在する。
ましてマルチチャンネル化されたことによって各トラッ
ク幅か数ミクロンオータまたはそれ以上の高密度トラッ
ク化されていることを考えると再生ヘッドと記録トラッ
クとの間の相対位置の誤差は必す生じているものと考え
なければなうなす、トラック間クロストークはかなり大
きな量になるものと考えられる。
ク幅か数ミクロンオータまたはそれ以上の高密度トラッ
ク化されていることを考えると再生ヘッドと記録トラッ
クとの間の相対位置の誤差は必す生じているものと考え
なければなうなす、トラック間クロストークはかなり大
きな量になるものと考えられる。
これに対しクロストークを確実に防止しようとすれは第
13図に符号L1.L2で示す記録トラック間のガード
ハンドの幅を十分に広く設定する必要かある。しかしそ
うすると高密度トラック化に十分に対処しえないという
問題かある。
13図に符号L1.L2で示す記録トラック間のガード
ハンドの幅を十分に広く設定する必要かある。しかしそ
うすると高密度トラック化に十分に対処しえないという
問題かある。
更に高密度トラック化に伴なうた他の問題として記録ト
ラック幅を狭くするとS/N比か著しく低下し、良好な
記録再生が行なえなくなるという問題がある。また高密
度化に伴なって磁気ヘッドが微細化されるに伴ない、コ
イルパターンおよび配線も細線化され、コイルパターン
および配線の電気抵抗か高くなり、効率の良い記録再生
か難しくなるという問題がある。
ラック幅を狭くするとS/N比か著しく低下し、良好な
記録再生が行なえなくなるという問題がある。また高密
度化に伴なって磁気ヘッドが微細化されるに伴ない、コ
イルパターンおよび配線も細線化され、コイルパターン
および配線の電気抵抗か高くなり、効率の良い記録再生
か難しくなるという問題がある。
そこで本発明の課題はこれらの問題を解決し、垂直磁気
記録方式において更に記録の高密度化を図ることにある
。
記録方式において更に記録の高密度化を図ることにある
。
[課題を解決するための手段]
上記の課題を解決するため本発明によれば、基板上に絶
縁膜を介して磁性膜からなる主磁極か設けられ、該主磁
極の端面が磁気記録媒体に対向する薄膜磁気ヘッドを該
記録媒体に対して相対的に移動させて垂直磁気記録方式
で情報の磁気記録または再生を行なう装置において、前
記薄膜磁気ヘッドの主磁極を構成する磁性膜の膜厚が記
録トラック幅となるように前記磁性膜の膜厚方向をトラ
ック幅方向に一致させた構造を採用した。
縁膜を介して磁性膜からなる主磁極か設けられ、該主磁
極の端面が磁気記録媒体に対向する薄膜磁気ヘッドを該
記録媒体に対して相対的に移動させて垂直磁気記録方式
で情報の磁気記録または再生を行なう装置において、前
記薄膜磁気ヘッドの主磁極を構成する磁性膜の膜厚が記
録トラック幅となるように前記磁性膜の膜厚方向をトラ
ック幅方向に一致させた構造を採用した。
[作 用]
このような構造によれば薄膜磁気ヘッドの主磁極を構成
する磁性膜の膜厚が記録トラック幅となるので、薄膜磁
気ヘッドの製造工程における主磁極の磁性膜の成膜時に
膜厚の管理を正確に行なうことにより記録トラック幅を
高精度に極めて小さく設定することができる。
する磁性膜の膜厚が記録トラック幅となるので、薄膜磁
気ヘッドの製造工程における主磁極の磁性膜の成膜時に
膜厚の管理を正確に行なうことにより記録トラック幅を
高精度に極めて小さく設定することができる。
[実施例コ
以下、図を参照して本発明の実施例の詳細を説明する。
なお各図において共通もしくは相当する部分には同一符
号が付しである。
号が付しである。
第1実施例
第1図及び第2図は本発明の第1実施例による垂直磁気
記録方式に係る薄膜磁気ヘッドの構造を説明する分解斜
視図及び記録動作時の斜視図である。
記録方式に係る薄膜磁気ヘッドの構造を説明する分解斜
視図及び記録動作時の斜視図である。
まず本実施例に係るヘッドの各部を製造工程に従って第
1図中の下から順に説明する。まず第1図において符号
5はフェライト等の高透磁率磁性材から成る基板である
。基板5上には5102等から成る絶縁膜6がスパッタ
リング等で堆積して形成される。
1図中の下から順に説明する。まず第1図において符号
5はフェライト等の高透磁率磁性材から成る基板である
。基板5上には5102等から成る絶縁膜6がスパッタ
リング等で堆積して形成される。
次に絶縁膜6上にはCuやAl1等の良導体の導電膜か
ら成る引き出し電極を含むコイル7が蒸着やスパッタリ
ング等の薄膜堆積工程とフォトリソエツチング工程によ
り形成される。なおここでは図を簡単にするためコイル
7はほぼ1ターンとしであるが複数ターンの方が好まし
いのは勿論である。
ら成る引き出し電極を含むコイル7が蒸着やスパッタリ
ング等の薄膜堆積工程とフォトリソエツチング工程によ
り形成される。なおここでは図を簡単にするためコイル
7はほぼ1ターンとしであるが複数ターンの方が好まし
いのは勿論である。
次にコイル7上には再び5i02等から成る絶縁II!
8が堆積して形成される。絶縁膜6.8には磁束リタ
ーンバス用としてコンタクトホール6a、8aかフォト
リソエツチングにより形成される。
8が堆積して形成される。絶縁膜6.8には磁束リタ
ーンバス用としてコンタクトホール6a、8aかフォト
リソエツチングにより形成される。
次に絶縁膜8上には高透磁率、高飽和磁束密度の磁性膜
から成る主磁極9が薄膜堆積工程とフォトリソエツチン
グ工程により形成される。主磁極9の後端部はコンタク
トポール6a、8aを介して基板5に接合される。
から成る主磁極9が薄膜堆積工程とフォトリソエツチン
グ工程により形成される。主磁極9の後端部はコンタク
トポール6a、8aを介して基板5に接合される。
そして主磁極9上に更に保護板10を接着して第2図の
薄膜磁気ヘッド11が構成される。
薄膜磁気ヘッド11が構成される。
この薄膜磁気ヘッド11は主磁極励磁型であり、記録時
には第2図に示すように主磁極9の端面が臨む薄膜磁気
ヘッド11の図中下面の媒体摺動面に対し磁気記録媒体
12が矢印入方向またはその逆方向に摺動走行する。そ
してコイル7に記録信号電流が印加されることにより、
それに応じて主磁極9が励磁され、信号電流2に応じた
磁束が主磁極9の図中下端面から漏れ、磁気記録媒体1
2の磁性層を記録面の垂直方向に磁化し、記録トラック
4が形成される。また再生時には磁気記録媒体12が薄
膜磁気ヘッド11に対し矢印A方向に摺動走行し記録ト
ラック4が主磁極9の端面を摺動することによりその磁
化による磁束が主磁極に導かれ、その磁束変化に応じた
信号電圧がコイル7に励起されて出力される。
には第2図に示すように主磁極9の端面が臨む薄膜磁気
ヘッド11の図中下面の媒体摺動面に対し磁気記録媒体
12が矢印入方向またはその逆方向に摺動走行する。そ
してコイル7に記録信号電流が印加されることにより、
それに応じて主磁極9が励磁され、信号電流2に応じた
磁束が主磁極9の図中下端面から漏れ、磁気記録媒体1
2の磁性層を記録面の垂直方向に磁化し、記録トラック
4が形成される。また再生時には磁気記録媒体12が薄
膜磁気ヘッド11に対し矢印A方向に摺動走行し記録ト
ラック4が主磁極9の端面を摺動することによりその磁
化による磁束が主磁極に導かれ、その磁束変化に応じた
信号電圧がコイル7に励起されて出力される。
ところで本実施例の垂直磁気記録再生装置において記録
再生時には第2図に示すように、薄膜磁気ヘッド11の
主磁極9の幅方向が記録媒体12の摺動方向のA方向に
一致して平行にされる。そして主磁極9の磁性膜の膜厚
方向か記録トラック4の幅方向と一致して平行にされる
。このようにすれば記録トラック4の幅は主磁極9の磁
性膜の膜厚に対応したものとなる。すなわち本実施例に
よれば主磁極9の磁性膜の膜厚3Tが記録トラック幅に
なる。
再生時には第2図に示すように、薄膜磁気ヘッド11の
主磁極9の幅方向が記録媒体12の摺動方向のA方向に
一致して平行にされる。そして主磁極9の磁性膜の膜厚
方向か記録トラック4の幅方向と一致して平行にされる
。このようにすれば記録トラック4の幅は主磁極9の磁
性膜の膜厚に対応したものとなる。すなわち本実施例に
よれば主磁極9の磁性膜の膜厚3Tが記録トラック幅に
なる。
このように本実施例の垂直磁気記録再生装置によれば主
磁極9の磁性膜の膜厚がトラック記録幅になるため、従
来の薄膜磁気ヘッドでは不可能だったフォトリソグラフ
ィの加工の限界以下の記録トラック幅(数百nm程度)
の形成が主磁fi9の磁性膜の薄膜形成時の膜厚管理に
より可能となる。その磁性膜の成膜時の膜厚管理を正確
に行なうことにより記録トラック幅を高精度に均一化で
きる。そしてこのように記録トラック幅を高精度に小さ
く設定できることにより更に記録の高密度化が図れる。
磁極9の磁性膜の膜厚がトラック記録幅になるため、従
来の薄膜磁気ヘッドでは不可能だったフォトリソグラフ
ィの加工の限界以下の記録トラック幅(数百nm程度)
の形成が主磁fi9の磁性膜の薄膜形成時の膜厚管理に
より可能となる。その磁性膜の成膜時の膜厚管理を正確
に行なうことにより記録トラック幅を高精度に均一化で
きる。そしてこのように記録トラック幅を高精度に小さ
く設定できることにより更に記録の高密度化が図れる。
第2〜第5実施例
次に第3図(A)、(B)〜第6図(A)。
(B)は第1実施例で示した薄膜磁気ヘッドの構造のマ
ルチトラック化への応用として2トラツクの場合の異な
る応用例を示している。各図において(A)図はヘッド
の保護板を取り払った状態の上面図であり、(B)図は
媒体摺動面の正面図である。
ルチトラック化への応用として2トラツクの場合の異な
る応用例を示している。各図において(A)図はヘッド
の保護板を取り払った状態の上面図であり、(B)図は
媒体摺動面の正面図である。
まず第3図(A)、(B)及び第4図(A)。
(B)に示した本発明の第2及び第3実施例に係る薄膜
磁気ヘッドでは、基板5上に第1実施例に係るヘッドと
同様に絶縁膜6,8を介しコイル7と主磁極9を設けた
上に、絶縁膜6.8より厚い絶縁膜13を介して第2の
コイル14と主磁極16を設け、その上に保護板10を
接着して2チヤンネルのヘッドが構成されている。
磁気ヘッドでは、基板5上に第1実施例に係るヘッドと
同様に絶縁膜6,8を介しコイル7と主磁極9を設けた
上に、絶縁膜6.8より厚い絶縁膜13を介して第2の
コイル14と主磁極16を設け、その上に保護板10を
接着して2チヤンネルのヘッドが構成されている。
そして第3図(A)、(B)に示すヘッドの場合コイル
7.14は平行に並設されるが、主磁極9.16は媒体
摺動面Sに対し互いに逆向きに傾斜して設けられ、媒体
摺動面Sに臨む先端部が上下に重ねられる。
7.14は平行に並設されるが、主磁極9.16は媒体
摺動面Sに対し互いに逆向きに傾斜して設けられ、媒体
摺動面Sに臨む先端部が上下に重ねられる。
これに対し第4図(A)、(B)のヘッドの場合はコイ
ル7.14と主磁極9.16は共に平行に並設され、媒
体摺動面Sにおいて主磁極9.16の先端面は媒体摺動
方向のへ方向に前後してずれて配置される。
ル7.14と主磁極9.16は共に平行に並設され、媒
体摺動面Sにおいて主磁極9.16の先端面は媒体摺動
方向のへ方向に前後してずれて配置される。
次に本発明の第4実施例に係る第5図(A)。
(B)に示すヘッドでは基板5の上面において中央に段
差5aが設けられており、段差5aにより基板5の上面
の領域か媒体摺動方向のA方向に沿ってほぼ2等分に区
切られている。そして基板5上において段差5aの左右
両側のそれぞれの領域において絶縁膜6.8を介してコ
イル7、主磁極9及びコイル14、主磁極16がそれぞ
れ設けられ、それぞれ記録再生チャンネルを構成してい
る。
差5aが設けられており、段差5aにより基板5の上面
の領域か媒体摺動方向のA方向に沿ってほぼ2等分に区
切られている。そして基板5上において段差5aの左右
両側のそれぞれの領域において絶縁膜6.8を介してコ
イル7、主磁極9及びコイル14、主磁極16がそれぞ
れ設けられ、それぞれ記録再生チャンネルを構成してい
る。
また、本発明の第5実施例に係る第6図(A)、(B)
に示すヘッドでは基板5の代りに絶縁膜6.8の少なく
ともいずれか一方の中央に段差aが設けられ、この段差
aにより基板5上の領域が媒体摺動方向のA方向に沿っ
てほぼ2等分して区切られ、そのそれぞれの領域にコイ
ル7、主磁極9及びコイル14、主磁極16が設けられ
それぞれ記録再生チャンネルを構成している。
に示すヘッドでは基板5の代りに絶縁膜6.8の少なく
ともいずれか一方の中央に段差aが設けられ、この段差
aにより基板5上の領域が媒体摺動方向のA方向に沿っ
てほぼ2等分して区切られ、そのそれぞれの領域にコイ
ル7、主磁極9及びコイル14、主磁極16が設けられ
それぞれ記録再生チャンネルを構成している。
以上の第3図(A)、(B)〜第6図(A)。
(B)にヘッド構成を示す各実施例においても主磁極9
.16について第1実施例の場合と同様にその幅方向を
媒体摺動力向のA方向に一致させて同方向に平行にし、
主磁極9.16の磁性膜の膜厚方向を記録トラックのト
ラック幅方向に一致させて平行にすることにより、主磁
極9.16の磁性膜の膜厚か記録トラック幅となり、記
録トラツタ幅を極めて高精度に小さく設定てぎる。また
高精度に均一化てぎる。また記録トラック間のガートハ
ントの幅についても第3図(A)、(B)と第4図(A
)、(B)のヘッドの場合は絶縁膜13の成膜時の膜厚
の管理により、第5図(A)、(B)及び第6図(A)
、(B)のヘッドの場合は基板5の段差5aないし絶縁
+11A6.8の段差aの寸法により高精度に所定にか
つ小さく設定できる。従って極めて高いトラック密度で
マルチチャンネルで高密度記録を高速に行なえる。
.16について第1実施例の場合と同様にその幅方向を
媒体摺動力向のA方向に一致させて同方向に平行にし、
主磁極9.16の磁性膜の膜厚方向を記録トラックのト
ラック幅方向に一致させて平行にすることにより、主磁
極9.16の磁性膜の膜厚か記録トラック幅となり、記
録トラツタ幅を極めて高精度に小さく設定てぎる。また
高精度に均一化てぎる。また記録トラック間のガートハ
ントの幅についても第3図(A)、(B)と第4図(A
)、(B)のヘッドの場合は絶縁膜13の成膜時の膜厚
の管理により、第5図(A)、(B)及び第6図(A)
、(B)のヘッドの場合は基板5の段差5aないし絶縁
+11A6.8の段差aの寸法により高精度に所定にか
つ小さく設定できる。従って極めて高いトラック密度で
マルチチャンネルで高密度記録を高速に行なえる。
なお以上の構造において基板5の段差5aはエツチング
や研摩等により形成され、絶縁膜6.8の段差aはエツ
チング等により形成される。
や研摩等により形成され、絶縁膜6.8の段差aはエツ
チング等により形成される。
また以上の構造は3トラック以上の多トラツクヘッドに
も適用できるのは勿論である。
も適用できるのは勿論である。
第6実施例
ところて第7図は前述した第4図(A)3(B)の薄膜
磁気ヘトの媒体摺動面と同ヘッドを用いて記録された磁
気記録媒体上の記録の磁化パターンを示している。磁化
パターンの向きが斜線で示されている。
磁気ヘトの媒体摺動面と同ヘッドを用いて記録された磁
気記録媒体上の記録の磁化パターンを示している。磁化
パターンの向きが斜線で示されている。
第7図中の磁気ヘッドにおいて主磁極9.16の媒体摺
動面に臨む端部の媒体摺動方向のA方向に沿って媒体か
進入する側の端縁9a、16aはフォトリソエツチング
の加工によって基板5の上面に対してそれぞれ同方向に
鋭角の角度θ傾斜して形成される。すなわち第7図の左
側に示すトラック幅1w方向に対して角度θに応じた角
度(90°−θ)同方向に傾斜している。このため図示
のように記録媒体の記録トラック4a、4bの磁化パタ
ーンも斜線で示すようにトラック幅1w方向に対し同様
に角度θに応じた角度傾斜して記録される。記録トラッ
ク4a、4bの磁化パターンはほぼ平行に記録される。
動面に臨む端部の媒体摺動方向のA方向に沿って媒体か
進入する側の端縁9a、16aはフォトリソエツチング
の加工によって基板5の上面に対してそれぞれ同方向に
鋭角の角度θ傾斜して形成される。すなわち第7図の左
側に示すトラック幅1w方向に対して角度θに応じた角
度(90°−θ)同方向に傾斜している。このため図示
のように記録媒体の記録トラック4a、4bの磁化パタ
ーンも斜線で示すようにトラック幅1w方向に対し同様
に角度θに応じた角度傾斜して記録される。記録トラッ
ク4a、4bの磁化パターンはほぼ平行に記録される。
ところがトラック密度を上げるためにカートハンドGg
の幅を極力小さくしていくと再生時において隣り合う記
録トラックからのクロストークやl・ラックキングずれ
による読み出しエラーか生じる。
の幅を極力小さくしていくと再生時において隣り合う記
録トラックからのクロストークやl・ラックキングずれ
による読み出しエラーか生じる。
そこでこのような問題を解決するために本発明の第6実
施例では第8図の右側に示すように、第7図のヘッドと
ほぼ同様の構造において主磁極9.16の先端部の端縁
9a、16aが基板5の上面に対して互いに逆方向に鋭
角の角度θ傾斜し、トラック幅方向に対 して互いに逆
向きに角度θに応じた角度で傾斜して形成されたヘッド
を採用した。
施例では第8図の右側に示すように、第7図のヘッドと
ほぼ同様の構造において主磁極9.16の先端部の端縁
9a、16aが基板5の上面に対して互いに逆方向に鋭
角の角度θ傾斜し、トラック幅方向に対 して互いに逆
向きに角度θに応じた角度で傾斜して形成されたヘッド
を採用した。
このようなヘッド構造によれは第8図の左側に示すよう
に隣り合う記録トラック4a、4bにおいてそれぞれの
磁化パターンがトラック幅方向に対して互いに逆向きに
角度θに応じた角度傾斜して記録され、互いの間に20
の交角をもって記録される。その結果再生時にある記録
トラックの再生について、悪影響を及ぼず隣接トラック
の再生感度をいわゆるアジマス損失により低く押えるこ
とができ、従来再生時に生していたトラック間り0スト
ークを低く抑えることが可能になる。そしてトラック間
クロストークの低減により記録トラック間に設けられる
カードバンドの幅Ge (第7図参照)を狭くするこ
とができ、更にトラック密度を高密度化できる。
に隣り合う記録トラック4a、4bにおいてそれぞれの
磁化パターンがトラック幅方向に対して互いに逆向きに
角度θに応じた角度傾斜して記録され、互いの間に20
の交角をもって記録される。その結果再生時にある記録
トラックの再生について、悪影響を及ぼず隣接トラック
の再生感度をいわゆるアジマス損失により低く押えるこ
とができ、従来再生時に生していたトラック間り0スト
ークを低く抑えることが可能になる。そしてトラック間
クロストークの低減により記録トラック間に設けられる
カードバンドの幅Ge (第7図参照)を狭くするこ
とができ、更にトラック密度を高密度化できる。
なおここで本実施例に係るヘッドの製造方法を第9図(
A)〜(H)により説明しておく。
A)〜(H)により説明しておく。
まず第9図(A)のように基板5上に絶縁膜6をスパッ
タリング等により堆積して形成した後、第9図(B)の
ように絶縁膜6上に引き出し電極を含むコイル7を良導
体の薄膜形成工程とフォトリソエツチング工程により形
成する。
タリング等により堆積して形成した後、第9図(B)の
ように絶縁膜6上に引き出し電極を含むコイル7を良導
体の薄膜形成工程とフォトリソエツチング工程により形
成する。
次に第9図(C)のようにコイル7上に再び8102等
から成る絶縁膜8を堆積させて形成し、コンタクトホー
ル6a、8aをエツチングにより形成する。
から成る絶縁膜8を堆積させて形成し、コンタクトホー
ル6a、8aをエツチングにより形成する。
次に第9図CD)のように絶縁tri B上に主磁極9
を高透磁率磁性材の薄膜形成工程とフォトリソエツチン
グ工程により形成する。この時主磁極9の前述した端縁
9a(図中斜線部)に角度θのテーパをつけるために例
えばイオンビームの入射角度を可変に制御できるイオン
ビームシーリング装置等を用いて加工する。
を高透磁率磁性材の薄膜形成工程とフォトリソエツチン
グ工程により形成する。この時主磁極9の前述した端縁
9a(図中斜線部)に角度θのテーパをつけるために例
えばイオンビームの入射角度を可変に制御できるイオン
ビームシーリング装置等を用いて加工する。
次に第9図(E)のように主磁極9上に絶縁膜13を堆
積させて形成した後、第2チヤンネル用のコイル14を
形成し、更に第9図(F)のようにコイル14上に再び
絶縁膜15を堆積して形成する。そして絶縁膜15に第
2チヤンネル用の主磁極を設けるための凹部15aを形
成する。この場合凹部15aの周縁は第1チヤネンル用
の主磁極9の端縁9aに対応する部分におて端縁9aと
逆向きに角度θ傾斜したテーパを付けて形成する。更に
絶縁膜15に対しコンタクトホール15bをエツチング
により形成する。
積させて形成した後、第2チヤンネル用のコイル14を
形成し、更に第9図(F)のようにコイル14上に再び
絶縁膜15を堆積して形成する。そして絶縁膜15に第
2チヤンネル用の主磁極を設けるための凹部15aを形
成する。この場合凹部15aの周縁は第1チヤネンル用
の主磁極9の端縁9aに対応する部分におて端縁9aと
逆向きに角度θ傾斜したテーパを付けて形成する。更に
絶縁膜15に対しコンタクトホール15bをエツチング
により形成する。
次に第9図(G)のように第2チヤンネル用の主磁極1
6を磁性材の薄膜形成工程とホトリソエツチング工程に
より形成し、先に形成した凹部15aに埋め込むように
して形成する。
6を磁性材の薄膜形成工程とホトリソエツチング工程に
より形成し、先に形成した凹部15aに埋め込むように
して形成する。
そして最後に第9図(H)のように主磁極16上に5i
02などから成る保護膜17を堆積させて形成し、その
上に第8図の保護板10を接着して工程を終了する。
02などから成る保護膜17を堆積させて形成し、その
上に第8図の保護板10を接着して工程を終了する。
以上のようにして第8図の薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。なお以上の工程を繰り返すことにより3ト
ラック以上の多トラツクヘッドも製造することができる
。
とができる。なお以上の工程を繰り返すことにより3ト
ラック以上の多トラツクヘッドも製造することができる
。
第7実施例
ところで従来薄膜磁気ヘッドではコイルやその引き出し
電極はAJ2やCu等の良導体から形成されていたが、
記録の高密度化に伴なうコイル形状の微細化及び薄膜化
に伴ないその電気抵抗が大きくなる。その結果記録時に
は記録電流の増大及びジュール熱により発熱が生じ効率
の低下を招くことになる。また再生時においては直流抵
抗値が大きくなるためインピーダンスノイズも大きくな
る。その結果S/N比の低下が生じるという問題がある
。そこで上記の問題を解決するために本発明の第7実施
例として上述した第1〜第6実施例のヘッドのそれぞれ
の構造において引き出し電極を含むコイルフないし14
の少なくとも一部な超電導材から形成するものとする。
電極はAJ2やCu等の良導体から形成されていたが、
記録の高密度化に伴なうコイル形状の微細化及び薄膜化
に伴ないその電気抵抗が大きくなる。その結果記録時に
は記録電流の増大及びジュール熱により発熱が生じ効率
の低下を招くことになる。また再生時においては直流抵
抗値が大きくなるためインピーダンスノイズも大きくな
る。その結果S/N比の低下が生じるという問題がある
。そこで上記の問題を解決するために本発明の第7実施
例として上述した第1〜第6実施例のヘッドのそれぞれ
の構造において引き出し電極を含むコイルフないし14
の少なくとも一部な超電導材から形成するものとする。
超電導材としては例えば組成式で示してYIBa2Cu
30?−x等が用いられる。
30?−x等が用いられる。
そしてこのようにコイルフないし14の少なくとも一部
を超電導材から形成したヘッドについて前記の超電導材
が超電導状態にある温度に冷却して用いることにより超
電導材部分の電気抵抗が0になり上述した問題が解決で
き、記録を効率良く行なえるとともに、再生時にはノイ
ズを抑えて良好に再生を行なうことができる。
を超電導材から形成したヘッドについて前記の超電導材
が超電導状態にある温度に冷却して用いることにより超
電導材部分の電気抵抗が0になり上述した問題が解決で
き、記録を効率良く行なえるとともに、再生時にはノイ
ズを抑えて良好に再生を行なうことができる。
第8実施例
次に本発明の第8実施例による磁気記録再生装置では各
チャンネルの記録再生について記録は前述した主磁極と
コイルから成る話導型のヘッド素子により行ない、再生
はジョセフソン効果を応用した磁束センサで極めて高感
度で応答が早いSQUID素子(超電導量子干渉デバイ
ス)により行なうものとする。周知のようにSQUID
素子は超電導材のジョセフソン結合から構成されるが、
ここでは記録用のヘッド素子の引き出し電極を含むコイ
ルについても超電導材から構成するものとする。
チャンネルの記録再生について記録は前述した主磁極と
コイルから成る話導型のヘッド素子により行ない、再生
はジョセフソン効果を応用した磁束センサで極めて高感
度で応答が早いSQUID素子(超電導量子干渉デバイ
ス)により行なうものとする。周知のようにSQUID
素子は超電導材のジョセフソン結合から構成されるが、
ここでは記録用のヘッド素子の引き出し電極を含むコイ
ルについても超電導材から構成するものとする。
第10図に本実施例に係る薄膜磁気ヘッドの構造を示す
。このヘッドはこの場合2チヤネルヘツドとして構成さ
れており、上面に段差18aを形成されたフェライトか
ら成る基板18上において段差18aの上側の領域と下
側の領域のそれぞれに前述した主磁極とコイルから成る
話導型のヘッド素子として記録用素子35とSQU I
D素子としての再生用素子36が隣り合って設けられ
る。
。このヘッドはこの場合2チヤネルヘツドとして構成さ
れており、上面に段差18aを形成されたフェライトか
ら成る基板18上において段差18aの上側の領域と下
側の領域のそれぞれに前述した主磁極とコイルから成る
話導型のヘッド素子として記録用素子35とSQU I
D素子としての再生用素子36が隣り合って設けられ
る。
記録用素子35は基板18上に絶縁膜22を介して形成
されたコイル23と記録用の主磁極27から成る。コイ
ル23は例えば第7実施例で述べた超電導材から形成さ
れる。またコイル23上には絶縁膜24が形成される。
されたコイル23と記録用の主磁極27から成る。コイ
ル23は例えば第7実施例で述べた超電導材から形成さ
れる。またコイル23上には絶縁膜24が形成される。
なおコイル23の端部において符号32で示すものは記
録信号電流をコイル23に印加するための端子である。
録信号電流をコイル23に印加するための端子である。
一方再生用素子36は基板18に形成された溝20に埋
め込まれた超電導材21と、その上に絶縁膜24を介し
て形成された磁束を導く再生用の主磁極27と、不図示
の酸化絶縁膜によるジョセフソン結合30を介し超電導
材21に結合された超電導膜31からなる。超電導膜3
1は主磁極27上に形成された絶縁膜34を介して主砲
4石27をまたくようにして形成され、超電導材21に
結合される。なお超電導材21および超電導膜31はコ
イル23と同様の超電導材から構成される。
め込まれた超電導材21と、その上に絶縁膜24を介し
て形成された磁束を導く再生用の主磁極27と、不図示
の酸化絶縁膜によるジョセフソン結合30を介し超電導
材21に結合された超電導膜31からなる。超電導膜3
1は主磁極27上に形成された絶縁膜34を介して主砲
4石27をまたくようにして形成され、超電導材21に
結合される。なお超電導材21および超電導膜31はコ
イル23と同様の超電導材から構成される。
また符号33て示すものはそれぞれ再生用素子36から
出力信号を取り出すための端子である。
出力信号を取り出すための端子である。
なおこれら全体の上に不図示の保護板か接合さ]]る。
このような構造のもとに記録時には外部から端子32を
介してコイル23に記録信号か印加され、第1実施例の
場合と同様に記録か行なわれる。この場合も主磁極26
の磁性膜の膜厚方向か記録トラック幅方向に一致して平
行にされ、その膜厚が記録トラック幅となるように構成
されるのは勿論である。
介してコイル23に記録信号か印加され、第1実施例の
場合と同様に記録か行なわれる。この場合も主磁極26
の磁性膜の膜厚方向か記録トラック幅方向に一致して平
行にされ、その膜厚が記録トラック幅となるように構成
されるのは勿論である。
一方再生時には再生用素子36の主磁極27か記録トラ
ックに摺接し、その磁化による磁束が主磁極27を介し
超電導材21、超電導膜31間に導かれ、ジョセフソン
結合によりその磁束の変化に応じた電圧が超電導材21
、超電導膜31間に発生し、端子33から再生出力信号
として出力される。
ックに摺接し、その磁化による磁束が主磁極27を介し
超電導材21、超電導膜31間に導かれ、ジョセフソン
結合によりその磁束の変化に応じた電圧が超電導材21
、超電導膜31間に発生し、端子33から再生出力信号
として出力される。
なお記録再生時に超電導材21、コイル23、超電導膜
31が超電導状態になる温度にヘッド全体を冷却して記
録再生を行なうことは勿論である。
31が超電導状態になる温度にヘッド全体を冷却して記
録再生を行なうことは勿論である。
このような本実施例のヘッドによれは再生用素子36と
して極めて高感度のSQU I D素子を用いているた
め極めて高感度に再生を行なえ、従来垂直磁気記録方式
の磁気ヘッドで問題とされていた再生時のS/N比の改
善を行なうことができる。またコイル23を超電導材か
ら形成することにより記録時の効率の向」二も図ること
かてきる。
して極めて高感度のSQU I D素子を用いているた
め極めて高感度に再生を行なえ、従来垂直磁気記録方式
の磁気ヘッドで問題とされていた再生時のS/N比の改
善を行なうことができる。またコイル23を超電導材か
ら形成することにより記録時の効率の向」二も図ること
かてきる。
なおここて本実施例ヘッドの製造方法について第11図
(A)〜(E)および第10図により説明しておく。
(A)〜(E)および第10図により説明しておく。
まず第11図(A)に示すように段差18aを設けた基
板18を例えはMn−Znフェライト等の磁性材から形
成する。なお段差18aの高さHは記録トラック幅Tw
と等しいかそれ以上とする。なおこの場合2チヤンネル
として段差18aを1つしか設けていないかさらにチャ
ンネル数を増やすには段差18aを増やせはよい。
板18を例えはMn−Znフェライト等の磁性材から形
成する。なお段差18aの高さHは記録トラック幅Tw
と等しいかそれ以上とする。なおこの場合2チヤンネル
として段差18aを1つしか設けていないかさらにチャ
ンネル数を増やすには段差18aを増やせはよい。
次に第11図(B)のように基板18に先述した超電導
材21を埋設するための溝2oを研削などで加工する。
材21を埋設するための溝2oを研削などで加工する。
次に第11図(C)に示すように溝20に超電導材21
を埋設し、基板18と超電導材21の上面を平坦化した
後に、基板18の上面のみについて5i02などから絶
縁膜22を成膜する。
を埋設し、基板18と超電導材21の上面を平坦化した
後に、基板18の上面のみについて5i02などから絶
縁膜22を成膜する。
次いで第11図(D)に示すように前述した超電導材か
ら励磁用のコイル23を形成し、更にその上に絶縁膜2
4を成膜する。尚この時に超電導材21の上面において
前述した記録用の主磁極26と再生用の主磁極27か設
けられる部分にも絶縁膜24を形成しておく。そして絶
縁膜22及び24に対し主磁極26.27が基板18と
閉磁路を形成するためのコンタクトホール25を形成す
る。
ら励磁用のコイル23を形成し、更にその上に絶縁膜2
4を成膜する。尚この時に超電導材21の上面において
前述した記録用の主磁極26と再生用の主磁極27か設
けられる部分にも絶縁膜24を形成しておく。そして絶
縁膜22及び24に対し主磁極26.27が基板18と
閉磁路を形成するためのコンタクトホール25を形成す
る。
次に第11図(E)に示すように絶縁膜22゜24上に
主1infi26.27を形成する。主磁極26.27
は先述のコンタクトホール25を介して基板18と接合
されるようにする。なお先述のように主砲fi26,2
7の成膜時の膜厚か記録トラック幅Twとなる。また再
生用の主磁極27の幅丁P1は再生分解能により、また
記録用の主磁極26の幅TP2は記録時の記録効率が低
下しないようにそれぞれ適当に決められる。またこの場
合に第1チヤンネルの主磁極26.27の媒体進入側の
端縁28と第2チヤンネルの主磁極26゜27の媒体進
入側の端縁29について記録トラック幅方向に対して互
いに逆向きに適当なアジマス角をつけて傾斜させて形成
することか好ましい。
主1infi26.27を形成する。主磁極26.27
は先述のコンタクトホール25を介して基板18と接合
されるようにする。なお先述のように主砲fi26,2
7の成膜時の膜厚か記録トラック幅Twとなる。また再
生用の主磁極27の幅丁P1は再生分解能により、また
記録用の主磁極26の幅TP2は記録時の記録効率が低
下しないようにそれぞれ適当に決められる。またこの場
合に第1チヤンネルの主磁極26.27の媒体進入側の
端縁28と第2チヤンネルの主磁極26゜27の媒体進
入側の端縁29について記録トラック幅方向に対して互
いに逆向きに適当なアジマス角をつけて傾斜させて形成
することか好ましい。
次に第10図に示すように再生用の主磁極27上に絶縁
膜34を形成した後、超電導材21上に掻く薄い不図示
の酸化絶縁膜を形成し、同絶縁膜によるジョセフソン結
合30を介して超電導膜31を主磁極27上に絶縁膜3
4を介してまたがるように形成する。そしてこれら全体
の上に不図示の保護板を接合して工程を終了する。
膜34を形成した後、超電導材21上に掻く薄い不図示
の酸化絶縁膜を形成し、同絶縁膜によるジョセフソン結
合30を介して超電導膜31を主磁極27上に絶縁膜3
4を介してまたがるように形成する。そしてこれら全体
の上に不図示の保護板を接合して工程を終了する。
以上のようにして本実施例の薄lIM磁気ヘッドを製造
することがてきる。
することがてきる。
第9実施例
次に第12図は本発明の第9実施例に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構造を示している。このヘッドでは基板18上に絶
縁膜22.24を介して設けられた主磁極26とコイル
23からなる誘導型のヘッド素子としての記録用素子3
5が設けられ、同素子35の主磁極26上に絶縁膜34
を介して5QLIID素子としての再生用素子36′が
設けられる。
ドの構造を示している。このヘッドでは基板18上に絶
縁膜22.24を介して設けられた主磁極26とコイル
23からなる誘導型のヘッド素子としての記録用素子3
5が設けられ、同素子35の主磁極26上に絶縁膜34
を介して5QLIID素子としての再生用素子36′が
設けられる。
再生用素子36′は主磁極26上に絶縁膜34を介して
またがるように形成された第1の超電導膜31aと、主
磁極26上で超電導膜31aの中央部の上に設けられた
再生用の主磁極27と、この主磁極27にまたがりジョ
セフソン結合30を介し第1の超電導膜31aに結合さ
れた第2の超電導膜31bからなる。なお符号32は記
録用素子35のコイル23に記録信号を印加するための
端子であり、符号33は再生用素子36′から再生出力
信号を取り出すための端子である。このような構造で第
8実施例の場合と同様に誘導型のヘッド素子としての記
録用素子35により記録を行ないSQU I D素子か
らなる再生用素子36′により再生を行なう。
またがるように形成された第1の超電導膜31aと、主
磁極26上で超電導膜31aの中央部の上に設けられた
再生用の主磁極27と、この主磁極27にまたがりジョ
セフソン結合30を介し第1の超電導膜31aに結合さ
れた第2の超電導膜31bからなる。なお符号32は記
録用素子35のコイル23に記録信号を印加するための
端子であり、符号33は再生用素子36′から再生出力
信号を取り出すための端子である。このような構造で第
8実施例の場合と同様に誘導型のヘッド素子としての記
録用素子35により記録を行ないSQU I D素子か
らなる再生用素子36′により再生を行なう。
このような本実施例によれば、第8実施例の場合と全く
同様の効果が得られる上に、薄膜磁気ヘッドの製造工程
においてマルチチャンネル化するために基板18に第8
実施例と同様の段差を形成するための工程以外は全て成
膜工程で真空中で成されるため不純物による汚染を少な
くでき、歩留りを向上でき品質を向上できる。また記録
用素子35上に再生用素子36′が重なっているので第
8実施例の場合より1チャンネル分に要するスペースが
少なくて済み、コンパクト化できるというメリットがあ
る。
同様の効果が得られる上に、薄膜磁気ヘッドの製造工程
においてマルチチャンネル化するために基板18に第8
実施例と同様の段差を形成するための工程以外は全て成
膜工程で真空中で成されるため不純物による汚染を少な
くでき、歩留りを向上でき品質を向上できる。また記録
用素子35上に再生用素子36′が重なっているので第
8実施例の場合より1チャンネル分に要するスペースが
少なくて済み、コンパクト化できるというメリットがあ
る。
なお以上の実施例のヘッドはいずれも主磁極励磁型とし
たが、例えば従来例の第13図で示した補助磁極励磁型
の薄膜磁気ヘッドについても同様に主磁極の磁性膜の膜
厚が記録トラック幅となる構造を採用することにより全
く同様の効果が期待できることは勿論である。
たが、例えば従来例の第13図で示した補助磁極励磁型
の薄膜磁気ヘッドについても同様に主磁極の磁性膜の膜
厚が記録トラック幅となる構造を採用することにより全
く同様の効果が期待できることは勿論である。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように本発明によれば、基板上
に絶縁膜を介して磁性膜からなる主磁極が設けられ、該
主磁極の端面を磁気記録媒体に対向する薄膜磁気ヘッド
を該磁気記録媒体に対して相対的に移動させて垂直磁気
記録方式で情報の磁気記録または再生を行なう装置にお
いて、前記主磁極を構成する磁性膜の膜厚が記録トラッ
ク幅となるように前記磁性膜の膜厚方向をトラック幅方
向に一致させた構造を採用したので、主磁極の磁性膜の
成膜時の膜厚の管理により記録トラック幅を極めて高精
度に小さく設定することができ、トラック密度を向上し
記録密度を向上できるという優れた効果が得られる。
に絶縁膜を介して磁性膜からなる主磁極が設けられ、該
主磁極の端面を磁気記録媒体に対向する薄膜磁気ヘッド
を該磁気記録媒体に対して相対的に移動させて垂直磁気
記録方式で情報の磁気記録または再生を行なう装置にお
いて、前記主磁極を構成する磁性膜の膜厚が記録トラッ
ク幅となるように前記磁性膜の膜厚方向をトラック幅方
向に一致させた構造を採用したので、主磁極の磁性膜の
成膜時の膜厚の管理により記録トラック幅を極めて高精
度に小さく設定することができ、トラック密度を向上し
記録密度を向上できるという優れた効果が得られる。
第1図は本発明の第1実施例に係る薄膜磁気ヘッドの構
造を示す分解斜視図、第2図は同実施例による記録動作
時の斜視図、第3図(A)。 (B)はそれぞれ第2実施例に係る薄膜磁気ヘッドの上
面図及び媒体摺動面の正面図、第4図(A)、(B)は
それぞれ第3実施例に係るヘッドの上面図及び媒体摺動
面の正面図、第5図(A)、(B)はそれぞれ第4実施
例に係るヘッドの上面図及び媒体摺動面の正面図、第6
図(A)、(B)はそれぞれ第5実施例に係るヘッドの
上面図及び媒体摺動面の正面図、第7図は第3実施例に
係るヘッドとそれによる記録の磁化パターンの傾斜との
関係を示す説明図、第8図は本発明の第6実施例による
ヘッドとそれによる記録の磁化パターンの傾斜との関係
を示す説明図、第9図(A)〜(H)はそれぞれ第6実
施例に係るヘッドの製造工程の説明図、第10図は本発
明の第8実施例に係る薄膜磁気ヘッドの構造を示す斜視
図、第11図(A)〜(E)は第10図のベツ1〜の製
造工程の説明図、第12図は第9実施例に係る薄膜社主
気ヘッドの構造を示す斜視図、第13図は従来の補助磁
極励磁型のヘッドの構造およびこれを用いた磁気記録を
説明する斜視図である。 5・・・基板 6.8.13,22.24.34・・・絶縁膜7.14
・・・コイル 9.16,26,27・・・主磁極 10・・・保護板 11・・・薄膜磁気ヘッド1
2・・・磁気記録媒体 21・・・超電導材31.31
a、31b−超電導膜
造を示す分解斜視図、第2図は同実施例による記録動作
時の斜視図、第3図(A)。 (B)はそれぞれ第2実施例に係る薄膜磁気ヘッドの上
面図及び媒体摺動面の正面図、第4図(A)、(B)は
それぞれ第3実施例に係るヘッドの上面図及び媒体摺動
面の正面図、第5図(A)、(B)はそれぞれ第4実施
例に係るヘッドの上面図及び媒体摺動面の正面図、第6
図(A)、(B)はそれぞれ第5実施例に係るヘッドの
上面図及び媒体摺動面の正面図、第7図は第3実施例に
係るヘッドとそれによる記録の磁化パターンの傾斜との
関係を示す説明図、第8図は本発明の第6実施例による
ヘッドとそれによる記録の磁化パターンの傾斜との関係
を示す説明図、第9図(A)〜(H)はそれぞれ第6実
施例に係るヘッドの製造工程の説明図、第10図は本発
明の第8実施例に係る薄膜磁気ヘッドの構造を示す斜視
図、第11図(A)〜(E)は第10図のベツ1〜の製
造工程の説明図、第12図は第9実施例に係る薄膜社主
気ヘッドの構造を示す斜視図、第13図は従来の補助磁
極励磁型のヘッドの構造およびこれを用いた磁気記録を
説明する斜視図である。 5・・・基板 6.8.13,22.24.34・・・絶縁膜7.14
・・・コイル 9.16,26,27・・・主磁極 10・・・保護板 11・・・薄膜磁気ヘッド1
2・・・磁気記録媒体 21・・・超電導材31.31
a、31b−超電導膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に絶縁膜を介して磁性膜からなる主磁極が設
けられ、該主磁極の端面が磁気記録媒体に対向する薄膜
磁気ヘッドを該記録媒体に対して相対的に移動させて垂
直磁気記録方式で情報の磁気記録または再生を行なう装
置において、前記薄膜磁気ヘッドの主磁極を構成する磁
性膜の膜厚が記録トラック幅となるように前記磁性膜の
膜厚方向をトラック幅方向に一致させたことを特徴とす
る磁気記録または再生装置。 2)前記薄膜磁気ヘッドは前記基板上に絶縁膜を介して
それぞれ磁性膜からなる複数の主磁極が異なる高さに設
けられてなり、各主磁極がそれぞれ記録または再生チャ
ンネルを構成することを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の磁気記録または再生装置。 3)前記薄膜磁気ヘッドは前記基板または絶縁膜の上面
において段差が設けられ該段差により区切られる領域の
それぞれに前記主磁極が設けられており、該主磁極がそ
れぞれ記録または再生チャンネルを構成することを特徴
とする特許請求の範囲第2項に記載の磁気記録または再
生装置。 4)前記薄膜磁気ヘッドの前記複数の主磁極中、隣り合
うチャンネルの主磁極どうしの磁気記録媒体に対向する
端部の磁気記録媒体進入側の端縁が記録トラック幅方向
に対して互いに逆向きに傾斜して形成されたことを特徴
とする特許請求の範囲第2項または第3項に記載の磁気
記録または再生装置。 5)前記薄膜磁気ヘッドの前記基板上に絶縁膜を介して
引き出し電極を含むコイルが導電膜から形成されて前記
主磁極とともに設けられ、前記コイルの少なくとも一部
が超電導材から形成されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第1項から第4項までのいずれか一項に記載の
磁気記録または再生装置。 6)前記薄膜磁気ヘッドの前記基板上には前記主磁極と
コイルからなる誘導型のヘッド素子とSQUID素子が
並設されており、前記ヘッド素子により記録を行ない、
前記SQUID素子により再生を行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項から第5項までのいずれか一項
に記載の磁気記録または再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12586288A JPH01296420A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 磁気記録または再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12586288A JPH01296420A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 磁気記録または再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296420A true JPH01296420A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14920778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12586288A Pending JPH01296420A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 磁気記録または再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296420A (ja) |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP12586288A patent/JPH01296420A/ja active Pending
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