JPH01296531A - 表面伝導形電子放出素子及び該素子の製造方法 - Google Patents
表面伝導形電子放出素子及び該素子の製造方法Info
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- JPH01296531A JPH01296531A JP63125876A JP12587688A JPH01296531A JP H01296531 A JPH01296531 A JP H01296531A JP 63125876 A JP63125876 A JP 63125876A JP 12587688 A JP12587688 A JP 12587688A JP H01296531 A JPH01296531 A JP H01296531A
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- substrate
- electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は同一基板上に複数の電子放出部を有する表面伝
導形電子放出素子に関するもので、特に、各放出部の電
極形状によって放出位置、特性等の調整を行った素子及
び該素子の製造方法に関する。
導形電子放出素子に関するもので、特に、各放出部の電
極形状によって放出位置、特性等の調整を行った素子及
び該素子の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エム・アイ・エリンソン(M、 I。
例えば、エム・アイ・エリンソン(M、 I。
Elinson)等によって発表された冷陰極素子が知
られている[ラジオ・エンジニアリングエレクトロン゛
フィジイッス(Radio Eng、 Electro
n。
られている[ラジオ・エンジニアリングエレクトロン゛
フィジイッス(Radio Eng、 Electro
n。
Phys、)第1θ巻、 1290〜1296頁、 1
965年]。
965年]。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より発表された5nOz(Sb)薄膜を用いたものの他
、Au9膜によるもの[ジー・ディトマ一二゛′スイン
・ソリドフィルムス゛’ (G、 Dittmer+”
Th1n 5olid Films” ) 、 9巻、
317頁、 (1972+1=) ] 、 rro薄膜
によるもの[エム・バー□トウエル・アント・シー・ジ
ー・フォンスタット: ”′アイ・イー・イー・イー
・l・ランス・イー・デイー′コン7” (14,H
artwell and C,G、 Fonstad:
” IEEE Trans、 ED Conf、’:
)519頁、(1975年)]、カーボン薄膜によるも
の[荒木久他:“′真空″。
より発表された5nOz(Sb)薄膜を用いたものの他
、Au9膜によるもの[ジー・ディトマ一二゛′スイン
・ソリドフィルムス゛’ (G、 Dittmer+”
Th1n 5olid Films” ) 、 9巻、
317頁、 (1972+1=) ] 、 rro薄膜
によるもの[エム・バー□トウエル・アント・シー・ジ
ー・フォンスタット: ”′アイ・イー・イー・イー
・l・ランス・イー・デイー′コン7” (14,H
artwell and C,G、 Fonstad:
” IEEE Trans、 ED Conf、’:
)519頁、(1975年)]、カーボン薄膜によるも
の[荒木久他:“′真空″。
第26巻、第1号、22頁、 (1983年)]等が
報告されている。
報告されている。
これらの表面伝導形放出素子の典型的な素子構成を第6
図に示す。図中、■は基板、3および4は電気的接続を
得るための電極、5は電子放出部、6は電子放出材料で
形成される簿膜を示す。
図に示す。図中、■は基板、3および4は電気的接続を
得るための電極、5は電子放出部、6は電子放出材料で
形成される簿膜を示す。
−に述した表面伝導形放出素子は、いずれも、薄膜6を
設けた基板l上に電極3,4を設けて、電極3,4間に
電圧を印加し、フォーミンクと呼ばれる通電加熱処理で
′1シ子放出部5を形成することによって製造されてい
る。即ち、電8i3 、4間への電圧の印加によって≠
Illに通電し、これにより発生するジュール熱で薄1
1Q6を局所的に破壊。
設けた基板l上に電極3,4を設けて、電極3,4間に
電圧を印加し、フォーミンクと呼ばれる通電加熱処理で
′1シ子放出部5を形成することによって製造されてい
る。即ち、電8i3 、4間への電圧の印加によって≠
Illに通電し、これにより発生するジュール熱で薄1
1Q6を局所的に破壊。
変・形も・しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態に
した電子数7J、j都5を形成することにより、電子放
出機能を付与しているものである。
した電子数7J、j都5を形成することにより、電子放
出機能を付与しているものである。
上記電気的な高抵抗状態とは、薄膜6の二部に0.5g
m〜5ILmの亀裂を有し、かつ亀裂内が、いわゆる島
構造を有する不連続状態膜となっていることをいう。島
構造を有する不連続状態膜とは、一般に数十オングスト
ロームから数ミクロン径の微粒子が基板l上にあり、植
機粒子は空間的に不連続でかつ電気的に連続な膜を形成
していることを七う。
m〜5ILmの亀裂を有し、かつ亀裂内が、いわゆる島
構造を有する不連続状態膜となっていることをいう。島
構造を有する不連続状態膜とは、一般に数十オングスト
ロームから数ミクロン径の微粒子が基板l上にあり、植
機粒子は空間的に不連続でかつ電気的に連続な膜を形成
していることを七う。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、電極を設けた後に、当該電極に電圧を印
加し、ジュール熱によって電子放出部を形成する、フォ
ーミング■程を経る従来の製造方法では、電極間に形成
される電子放出部の位置、形状、特性等が一定せず、こ
れらを1F確に制御できない問題がある。従って、一基
板に−・電子放出部を形成する場合でさえ、製品間のバ
ラツキが大きく、素子構造が簡弔であるという利点があ
るにも拘らず、表面伝導形放出素子の積極的な製造は行
われていない。まして、−・基板に複数の電子放出部を
形成することは、同一基板上の各電子放出部の位置関係
、形状、特性等が全く無秩序となってしまい、とても実
用的価値のある製品が得られないのが現状である。
加し、ジュール熱によって電子放出部を形成する、フォ
ーミング■程を経る従来の製造方法では、電極間に形成
される電子放出部の位置、形状、特性等が一定せず、こ
れらを1F確に制御できない問題がある。従って、一基
板に−・電子放出部を形成する場合でさえ、製品間のバ
ラツキが大きく、素子構造が簡弔であるという利点があ
るにも拘らず、表面伝導形放出素子の積極的な製造は行
われていない。まして、−・基板に複数の電子放出部を
形成することは、同一基板上の各電子放出部の位置関係
、形状、特性等が全く無秩序となってしまい、とても実
用的価値のある製品が得られないのが現状である。
本発明は、」二記問題点に鑑みてなされたもので、点状
あるいは線状に二次元配列された表面伝導形電子放出素
子において各電子放出部の位置、形状、特性等(具体的
には例えば微粒子の分散密度の違い等を電極形状によっ
て調整した、同一基板上に複数の安定した電子放出部を
有する表面伝導形電子放出素子を提供することを解決す
べき課題としている。
あるいは線状に二次元配列された表面伝導形電子放出素
子において各電子放出部の位置、形状、特性等(具体的
には例えば微粒子の分散密度の違い等を電極形状によっ
て調整した、同一基板上に複数の安定した電子放出部を
有する表面伝導形電子放出素子を提供することを解決す
べき課題としている。
[課題を解決するだめの手段]
1−記課題を解決するために本発明において講じられた
手段を、本発明の説明図である第1図により説明すると
、本発明では、あらかじめ基板1上に、電子放出材料で
構成された島構造を右する不連続状yハ;膜2を形成し
、その後電極3,4を設けて電極3,4間を電子放出部
5とするという手段を講じているものである。
手段を、本発明の説明図である第1図により説明すると
、本発明では、あらかじめ基板1上に、電子放出材料で
構成された島構造を右する不連続状yハ;膜2を形成し
、その後電極3,4を設けて電極3,4間を電子放出部
5とするという手段を講じているものである。
更に本発明を説明すると、本発明において、′電子放出
材料で構成された島構造を有する不連続状態膜2の形成
は、次のような方法で行うことができる。
材料で構成された島構造を有する不連続状態膜2の形成
は、次のような方法で行うことができる。
(1)第1図(a)〜(c)に示されるように、基板1
トに電子放出材料の薄膜6を形成した後焼成して微粒子
7を生成させ、島構造を有する不連続」二大麻区3とす
る方法。この場合の薄膜6の形成には、例えば真空蒸着
等の一般の薄膜形成方法を利用することができる他、電
子放出材料の溶融液の塗布や当該溶解液へのディッピン
グ等によってもよい。
トに電子放出材料の薄膜6を形成した後焼成して微粒子
7を生成させ、島構造を有する不連続」二大麻区3とす
る方法。この場合の薄膜6の形成には、例えば真空蒸着
等の一般の薄膜形成方法を利用することができる他、電
子放出材料の溶融液の塗布や当該溶解液へのディッピン
グ等によってもよい。
(2)第1図(b)の段階を経ずして(C)の島構造を
有する不連続状態膜3を形成する方法としては、電子放
出材料の微粒子7の分散液の塗布や当該分散液へのディ
ッピング等により、基板1へ微粒子7を固着させる方法
か挙げられる。微粒子7の基板1への固着は、分散液へ
のバインターの混入や、分散液塗布又は分散液へのデイ
ンピンク後の焼結等によって行うことかできる。また、
電子放出材お(の蒸着やガスデポジションの初期膜を、
(c)の島構造をイフする不連続状態j模3とすること
も可能である。
有する不連続状態膜3を形成する方法としては、電子放
出材料の微粒子7の分散液の塗布や当該分散液へのディ
ッピング等により、基板1へ微粒子7を固着させる方法
か挙げられる。微粒子7の基板1への固着は、分散液へ
のバインターの混入や、分散液塗布又は分散液へのデイ
ンピンク後の焼結等によって行うことかできる。また、
電子放出材お(の蒸着やガスデポジションの初期膜を、
(c)の島構造をイフする不連続状態j模3とすること
も可能である。
上記のようにして得られた微粒子から成る島構造を有す
る不連続状態膜2の微粒子密度が不均一で基板1−に配
置されていた場合には、前記微粒子密度の分4jに応じ
て最適な電極形状を選択すれば複数の安定した電子放出
部を有する表面伝導形放出素子とすることができる。ま
た微粒子密度が均一・で基板1 、l−に配置されてい
た場合には電子放出部を形成する電極形成を調整するこ
とで、各電子放出部の電子放出特性を各々調整した複数
の電子放出部を有する表面伝導形放出素子とすることが
できる。本発明でいう電極形状とは、電子放出特性隔と
なる電極間隔及び/又は電極幅を示す。
る不連続状態膜2の微粒子密度が不均一で基板1−に配
置されていた場合には、前記微粒子密度の分4jに応じ
て最適な電極形状を選択すれば複数の安定した電子放出
部を有する表面伝導形放出素子とすることができる。ま
た微粒子密度が均一・で基板1 、l−に配置されてい
た場合には電子放出部を形成する電極形成を調整するこ
とで、各電子放出部の電子放出特性を各々調整した複数
の電子放出部を有する表面伝導形放出素子とすることが
できる。本発明でいう電極形状とは、電子放出特性隔と
なる電極間隔及び/又は電極幅を示す。
次に島構造を有する不連続状態膜2を基板1」−に形成
、その後電極4,5を設ける。この電極4.5は、第1
図(d) 、 (e)に示されるように、電極形成用マ
スク8を、島構造を有する不連続状態膜3上に施し、真
空蒸着を行ってから7[棒形成用マスク8を1りがすこ
と等によって、所望の位置、間隔及び形状で設けること
ができる。
、その後電極4,5を設ける。この電極4.5は、第1
図(d) 、 (e)に示されるように、電極形成用マ
スク8を、島構造を有する不連続状態膜3上に施し、真
空蒸着を行ってから7[棒形成用マスク8を1りがすこ
と等によって、所望の位置、間隔及び形状で設けること
ができる。
第2図は、上述のようにして得られる表面伝導形放出素
子の平面図で、電極4,5間に数百オングストローム−
数十ミクロンの間隔を持った対向部を形成することによ
り、当該対向部間の島構造を有する不連続状態膜2が電
子放出部5となっている。
子の平面図で、電極4,5間に数百オングストローム−
数十ミクロンの間隔を持った対向部を形成することによ
り、当該対向部間の島構造を有する不連続状態膜2が電
子放出部5となっている。
本発明における’r[r極3,4の形状は、プラスとマ
イナスが相対向していれば特に制約かなく、直線的であ
っても曲線的であってもよい。特に、電子放出部5の特
性は、相対向する電極3,4間の間隔と、当該対向部間
の島構造を有する不連続状態膜2とに大きく影響される
。従って、相対向する電極3,4間の間隔及び幅を同一
、−)i(板11−で積極的に変化させ、電子放出特性
を制御したことが本発明の特徴である。
イナスが相対向していれば特に制約かなく、直線的であ
っても曲線的であってもよい。特に、電子放出部5の特
性は、相対向する電極3,4間の間隔と、当該対向部間
の島構造を有する不連続状態膜2とに大きく影響される
。従って、相対向する電極3,4間の間隔及び幅を同一
、−)i(板11−で積極的に変化させ、電子放出特性
を制御したことが本発明の特徴である。
本発明であらかしめ基板11−に設ける、島構造を有す
る不連続状態膜2は、相対向する電極3゜4間の間隔調
整によるその間の電子放出部5の特性調整を容易にする
ため、できるだけ均一に形成することか好ましい。また
、島構造を有する不連続状態膜2の(l設は、前記(2
)の方法、中でも焼結によらず微粒子7を基板1へ固着
する方法によれば、作業が簡単でかつ基板1の材質的制
約が小さいので好ましい。
る不連続状態膜2は、相対向する電極3゜4間の間隔調
整によるその間の電子放出部5の特性調整を容易にする
ため、できるだけ均一に形成することか好ましい。また
、島構造を有する不連続状態膜2の(l設は、前記(2
)の方法、中でも焼結によらず微粒子7を基板1へ固着
する方法によれば、作業が簡単でかつ基板1の材質的制
約が小さいので好ましい。
本発明で用いる電子放出材Piとしては、低仕事関数で
高融点かつ低蒸気圧という性質をもつ通常の陰極材料や
、従来のフォーミング処理によって電子放出部5を形成
する材料や、二次電子放出効率の高い材料が好適である
。
高融点かつ低蒸気圧という性質をもつ通常の陰極材料や
、従来のフォーミング処理によって電子放出部5を形成
する材料や、二次電子放出効率の高い材料が好適である
。
具体的には、例えば、LaB1.、 CeB+、、 Y
B4. CaB6等の硼化物、Tie、 ZrC:、
HfC,Tag、 Sin、 We等の炭化物、TiN
、 ZrN、 HfN等の窒化物、Nb、 Mo。
B4. CaB6等の硼化物、Tie、 ZrC:、
HfC,Tag、 Sin、 We等の炭化物、TiN
、 ZrN、 HfN等の窒化物、Nb、 Mo。
Rh、 Hf、 Ta、 W、 Re、 Ir、 Pt
、 Ti、 Au、 Az、 Cu。
、 Ti、 Au、 Az、 Cu。
Or、 AR,Go、 Ni、 Fp、 Pb、 Pd
、 Cs等の金属、In;+03. SnO2,5b2
Or、等の金属醇化物、Si、 Geなどの゛V、導体
、カーボン、Ag、Mg等を挙げることができる。前記
(1)の方法による場合、これらの中結晶を使用し、前
記(2)の方法による場合、これらの微粒子を使用すれ
ばよい。
、 Cs等の金属、In;+03. SnO2,5b2
Or、等の金属醇化物、Si、 Geなどの゛V、導体
、カーボン、Ag、Mg等を挙げることができる。前記
(1)の方法による場合、これらの中結晶を使用し、前
記(2)の方法による場合、これらの微粒子を使用すれ
ばよい。
また、基板lの材料としては、島構造を有する不連続状
態膜2の形成に焼成や焼結等の熱処理を経るときには、
例えばガラス、石莢笠の電気的絶縁性と耐熱性を備えた
ものを用いるが、熱処理を経ずして島構造を有する不連
続状態膜2を形成するときには、ことさら耐熱性材料と
しなくともよい。
態膜2の形成に焼成や焼結等の熱処理を経るときには、
例えばガラス、石莢笠の電気的絶縁性と耐熱性を備えた
ものを用いるが、熱処理を経ずして島構造を有する不連
続状態膜2を形成するときには、ことさら耐熱性材料と
しなくともよい。
[作 用コ
あらかじめ基板1」:に、島構造を有する不連続状態膜
2を設け、その後電極3,4を設けることにより、所要
の間隔で相対向して電極3,4を設けるだけで、確実に
当該電極3,4間を電子−発生部5として機能させるこ
とができる。即ち、後から行われる電極3.4の付設は
、先立って設けられている、島構造を有する不連続状態
膜2のいずれの箇所をどのような形状の電子発生部5と
するかを定める働きをなす。また、電子発生部5の特性
は、相対向する電極3,4の間隔に影響されるので、後
から行われる電極の付設は、電子発生部5の特性を定め
る働きをもなすものである。
2を設け、その後電極3,4を設けることにより、所要
の間隔で相対向して電極3,4を設けるだけで、確実に
当該電極3,4間を電子−発生部5として機能させるこ
とができる。即ち、後から行われる電極3.4の付設は
、先立って設けられている、島構造を有する不連続状態
膜2のいずれの箇所をどのような形状の電子発生部5と
するかを定める働きをなす。また、電子発生部5の特性
は、相対向する電極3,4の間隔に影響されるので、後
から行われる電極の付設は、電子発生部5の特性を定め
る働きをもなすものである。
[実施例]
実施例1
以下に述べるようにして、第3図に示されるような表面
伝導形放出素子を作製した。
伝導形放出素子を作製した。
まず、十分脱脂、洗浄を行った5cm角の石英基板1上
に、スピンコータを用いて、有機パラジウム化合物を含
む有機溶媒(奥野製薬工業製キャタペース)−CC:P
)を回転塗布した。次に、塗布した基板】について、空
気中で250°C110分間の焼成を行い、パラジウム
を微粒子化して、島構造を有する不連続状8膜2を基板
1上全面に形成した。
に、スピンコータを用いて、有機パラジウム化合物を含
む有機溶媒(奥野製薬工業製キャタペース)−CC:P
)を回転塗布した。次に、塗布した基板】について、空
気中で250°C110分間の焼成を行い、パラジウム
を微粒子化して、島構造を有する不連続状8膜2を基板
1上全面に形成した。
こうして得られた基板1上の比抵抗を測定したところ、
基板中央部と周辺部では、周辺部分の比抵抗は中央部分
の比抵抗は中央部分のほぼ3分の1程度となっていた。
基板中央部と周辺部では、周辺部分の比抵抗は中央部分
の比抵抗は中央部分のほぼ3分の1程度となっていた。
また、同じ部分を電子顕微鏡によって観察したところ、
微粒子は周辺部分で密に存在した。1つの基板上に均一
の電子放出部を形成するためには電極形状による制御が
必要である。そこで、本実施例では、中央部分の′電極
幅を1mm、周辺部分の電極幅を300μmとして電子
放出特性の均一化を図った。このときの相対向する電極
の微少間隔は基板全面で51一定とした。電極3.4の
材料にはN1を用いており、その膜厚はほぼ100OA
である。
微粒子は周辺部分で密に存在した。1つの基板上に均一
の電子放出部を形成するためには電極形状による制御が
必要である。そこで、本実施例では、中央部分の′電極
幅を1mm、周辺部分の電極幅を300μmとして電子
放出特性の均一化を図った。このときの相対向する電極
の微少間隔は基板全面で51一定とした。電極3.4の
材料にはN1を用いており、その膜厚はほぼ100OA
である。
米表面伝導形放出素子では、相対向する電極3.4間に
挟まれた微小間隔領域が電気的には最も低抵抗となり、
当該領域が電子放出部5として機能するので、電子放出
部の数は、電極3.4間の微小間隔領域の数で決まる。
挟まれた微小間隔領域が電気的には最も低抵抗となり、
当該領域が電子放出部5として機能するので、電子放出
部の数は、電極3.4間の微小間隔領域の数で決まる。
本実施例では、5cm角の基板1上に縦横lOケ所ずつ
100個の電子放出部5を形成した。また、焼成によっ
て得られたパラジウム微粒子の大きさは、電子顕微鏡観
察の結果、直径は数十オングストロームから数百オング
ストロームであった。
100個の電子放出部5を形成した。また、焼成によっ
て得られたパラジウム微粒子の大きさは、電子顕微鏡観
察の結果、直径は数十オングストロームから数百オング
ストロームであった。
米表面伝導形放出素子を、I X 1O−6Torr程
度の真空度に保たれた真空容器中に入れ、電極3,4間
に直流電圧20Vを印加し、同素子から5Hの距離に蛍
光体を設け、その蛍光体に1kVの電圧を印加して電子
放出実験を行った。蛍光体上での輝点観察では、米表面
伝導形放出素子に複数設けられた電子放出部5の配列形
状を反映していると思われる輝点が確認され、その数は
、縦10列、横10列のマトリクス状に100個配列さ
れていた。従って、電極3,4の微小間隔領域が電子放
出部5となっていることが確認できた。
度の真空度に保たれた真空容器中に入れ、電極3,4間
に直流電圧20Vを印加し、同素子から5Hの距離に蛍
光体を設け、その蛍光体に1kVの電圧を印加して電子
放出実験を行った。蛍光体上での輝点観察では、米表面
伝導形放出素子に複数設けられた電子放出部5の配列形
状を反映していると思われる輝点が確認され、その数は
、縦10列、横10列のマトリクス状に100個配列さ
れていた。従って、電極3,4の微小間隔領域が電子放
出部5となっていることが確認できた。
次に、微粒子重度に応じて電極幅を変えたことによる各
放出部の電子放出特性を調べるため100ケ所の放出部
の中から基板中央部分から10ケ所、周辺部分から10
ケ所任意に選び各放出部の電子放出特性を測定したとこ
ろ、素子印加電圧Vf= 20vのとき平均の放出電流
は500nAであった。また、このときの任意に選んだ
20ケ所の放出部の各放出電流の差は最大で50nA程
度であり、はぼ均一の放出電流が得られ、電極幅を変化
させることで複数の電子放出部の特性制御が容易に可能
であった。
放出部の電子放出特性を調べるため100ケ所の放出部
の中から基板中央部分から10ケ所、周辺部分から10
ケ所任意に選び各放出部の電子放出特性を測定したとこ
ろ、素子印加電圧Vf= 20vのとき平均の放出電流
は500nAであった。また、このときの任意に選んだ
20ケ所の放出部の各放出電流の差は最大で50nA程
度であり、はぼ均一の放出電流が得られ、電極幅を変化
させることで複数の電子放出部の特性制御が容易に可能
であった。
実施例2
以下に述べるようにして第4図に示すような表面伝導形
電子放出素子を作製した。
電子放出素子を作製した。
まず、実施例1と同様に脱脂、洗浄を行った10cm角
の石英基板l上にスピンコータな用いて有機パラジウム
化合物を含む有機溶媒を回転塗布した後250°C−1
0分間の焼成を行ってパラジウム微粒子からなる島状不
連続膜2を基板1−h全面に形成した。この島状不連続
膜は実施例1同様に同辺部分では密度が高く中央部分で
は密度が低くなっていることが比抵抗の測定及び電子顕
微鏡観察から明らかになった。
の石英基板l上にスピンコータな用いて有機パラジウム
化合物を含む有機溶媒を回転塗布した後250°C−1
0分間の焼成を行ってパラジウム微粒子からなる島状不
連続膜2を基板1−h全面に形成した。この島状不連続
膜は実施例1同様に同辺部分では密度が高く中央部分で
は密度が低くなっていることが比抵抗の測定及び電子顕
微鏡観察から明らかになった。
次に通常のフォトリングラフィ技術を用いて、パラジウ
ム微粒子密度の低い中央部分には狭ギャップとなり、密
度の高い周辺部分では広ギャップとなるように電極3.
4を第4図に示すように形成した。このときの放出部の
電極幅は全て300p、m一定とした。
ム微粒子密度の低い中央部分には狭ギャップとなり、密
度の高い周辺部分では広ギャップとなるように電極3.
4を第4図に示すように形成した。このときの放出部の
電極幅は全て300p、m一定とした。
こうして得られた素子を実施例1と同様にI X 1O
−6Torr程度の真空度に保たれた真空容器中に入れ
電極39.4間に直流電圧2該を印加し同素子から5m
mの距離に蛍光体を設け、その蛍光体に1kVの電圧を
印加して電子放出実験を行った。その結果、電子放出部
のほぼ鉛直」二の蛍光体上に輝点が観察された。この輝
点は全て、はぼ同様の明るさとなっており、各放出部か
ら均一の放出電流が得られていると考えられるため、同
一基板上の各放出部からの電流を各々測定したところ平
均で1放出部当り300nA 、各放出部間の放出電流
のバラツキはほぼ20nA程度であった。
−6Torr程度の真空度に保たれた真空容器中に入れ
電極39.4間に直流電圧2該を印加し同素子から5m
mの距離に蛍光体を設け、その蛍光体に1kVの電圧を
印加して電子放出実験を行った。その結果、電子放出部
のほぼ鉛直」二の蛍光体上に輝点が観察された。この輝
点は全て、はぼ同様の明るさとなっており、各放出部か
ら均一の放出電流が得られていると考えられるため、同
一基板上の各放出部からの電流を各々測定したところ平
均で1放出部当り300nA 、各放出部間の放出電流
のバラツキはほぼ20nA程度であった。
従って、基板上の微粒子の密度に対応した電極キャンプ
を設けることで放出電流の均一化が容易に実現できた。
を設けることで放出電流の均一化が容易に実現できた。
実施例3
以下に述べるようにして、第5図に示されるような表面
伝導形電子放出素子を作製した。第4図において、■は
10cm角石英基板、2はパラジウム微粒子から成る、
島構造を有する不連続状態膜、3.4はN1電極である
。
伝導形電子放出素子を作製した。第4図において、■は
10cm角石英基板、2はパラジウム微粒子から成る、
島構造を有する不連続状態膜、3.4はN1電極である
。
パラジウム微粒子の形成は、実施例1と同様に、脱脂洗
浄を行った石芙基板l上に有機パラジウム化合物を含む
有機溶媒(奥野製薬工業製キャタペースI−GCP)を
スピンコータで回転塗布した後、焼成することによって
行った。こうして得られたパラジウム微粒子は、基板l
上で周辺部をのぞいて、はぼ均一密度に分散されている
。
浄を行った石芙基板l上に有機パラジウム化合物を含む
有機溶媒(奥野製薬工業製キャタペースI−GCP)を
スピンコータで回転塗布した後、焼成することによって
行った。こうして得られたパラジウム微粒子は、基板l
上で周辺部をのぞいて、はぼ均一密度に分散されている
。
次に、この基板1上に50本の線状の電子放出部5を形
成するために、第5図に示すようなくし形の電極3,4
を真空蒸着によって形成するが、その際、各電子放出部
5の電気的特性及び放出電流量を変えるため、各電子放
出部5を形成する電極3.4間の間隔を、IIi、mか
らloILmまで変化させた。
成するために、第5図に示すようなくし形の電極3,4
を真空蒸着によって形成するが、その際、各電子放出部
5の電気的特性及び放出電流量を変えるため、各電子放
出部5を形成する電極3.4間の間隔を、IIi、mか
らloILmまで変化させた。
こうして得られた表面伝導形電子放出素子を真空容器中
に入れ、電極3.4間に直流20Vの電圧を印加して電
子放出実験を行った。放出された電子は、米表面伝導形
電子放出素子から5mmの距離に設けられて1kVの電
圧印加された蛍光体上での輝点観察及び電流測定によっ
て確認された。
に入れ、電極3.4間に直流20Vの電圧を印加して電
子放出実験を行った。放出された電子は、米表面伝導形
電子放出素子から5mmの距離に設けられて1kVの電
圧印加された蛍光体上での輝点観察及び電流測定によっ
て確認された。
輝点観察では、はぼ線状の輝点が50本見られ、設計通
りの表面伝導形電子放出素子となっていた。電極3,4
間の間隔の違いは、輝点の明るさの違いとして現われ、
I#Lmと10#Lmの部分を比較すると、IILm間
隔の電子放出部5に対応した輝点が明るく、狭間隔から
成る電子放出部5の方が放出電子量が多くなっているこ
とが確認された。
りの表面伝導形電子放出素子となっていた。電極3,4
間の間隔の違いは、輝点の明るさの違いとして現われ、
I#Lmと10#Lmの部分を比較すると、IILm間
隔の電子放出部5に対応した輝点が明るく、狭間隔から
成る電子放出部5の方が放出電子量が多くなっているこ
とが確認された。
また、50本の線状の電子放出部5から放出された電子
による総放出電流はほぼ10ILAであった。
による総放出電流はほぼ10ILAであった。
以」二の結果、電極3,4間の間隔によって電子放出特
性を容易に制御できることが示された。
性を容易に制御できることが示された。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明は、相対向する2つの電極
3,4によって電子放出部5の位置、形状及び特性を制
御することができるものであり以下のような効果がある
。
3,4によって電子放出部5の位置、形状及び特性を制
御することができるものであり以下のような効果がある
。
(1)製造される表面伝導形電子放出素子のバラツキを
なくし、均質な製品を容易に大量生産できる。
なくし、均質な製品を容易に大量生産できる。
(2)大面積化が容易となる。
(3)マルチ化が容易となる。
第1図(a)〜(e)は本発明の製造方法の説明図、第
2図は本発明によって得られる表面伝導形電子放出素子
の一例を示す平面図、第3図、第4図及び第5図は各々
実施例1と2と3で作製した表面伝導形電子放出素子の
平面図、第6図は従来技術の説明図である。 l:基板 2:島構造を有する不連続状態膜 3.4:電極 5:電子放出部
2図は本発明によって得られる表面伝導形電子放出素子
の一例を示す平面図、第3図、第4図及び第5図は各々
実施例1と2と3で作製した表面伝導形電子放出素子の
平面図、第6図は従来技術の説明図である。 l:基板 2:島構造を有する不連続状態膜 3.4:電極 5:電子放出部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)電極間に配置してある微粒子により電子放出部が形
成される表面伝導形電子放出素子に対し、前記放出部が
基板上に複数形成されており、さらに1つの電子放出部
を形成する電極の形状が他の電子放出部を形成する電極
の形状と異なっていることを特徴とする表面伝導形電子
放出素子。 2)前記電極の形状が、電子放出部を形成する一対の電
極間隔及び/又は電極幅を示している請求項1記載の表
面伝導形電子放出素子。 3)あらかじめ基板上に微粒子を配置した後、該微粒子
の密度に応じ電極間隔を調整して形成することを特徴と
する表面伝導形電子放出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63125876A JPH01296531A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 表面伝導形電子放出素子及び該素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63125876A JPH01296531A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 表面伝導形電子放出素子及び該素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296531A true JPH01296531A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14921110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63125876A Pending JPH01296531A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 表面伝導形電子放出素子及び該素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296531A (ja) |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63125876A patent/JPH01296531A/ja active Pending
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