JPH0465050A - 表面伝導形電子放出素子の製造方法 - Google Patents
表面伝導形電子放出素子の製造方法Info
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- JPH0465050A JPH0465050A JP2174407A JP17440790A JPH0465050A JP H0465050 A JPH0465050 A JP H0465050A JP 2174407 A JP2174407 A JP 2174407A JP 17440790 A JP17440790 A JP 17440790A JP H0465050 A JPH0465050 A JP H0465050A
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- particle film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は表面伝導形量ｆ放出素子の製造方法ムー二関す
るものであり、特に電子放出部に形成する金属微粒子膜
に関するものである。
るものであり、特に電子放出部に形成する金属微粒子膜
に関するものである。
［従来の技術］
電極ギャップを隔てて位置する一対の電極を有する表面
伝導形電子放出素子の素子構成は第２図に示す通りであ
る。同第２図において、４は石英から成る基板であり、
１．２は４上に形成された電極。６は電極ギャップ、、
３は電子放出部を示す。従来、この電子放出素子におい
ては、基板４上に有機金属化合物溶液（奥野製薬工業製
ギヤタベーストｃｃｐ）をスピンコータを用いて回転塗
布し、焼成を行うことにより、電極ギャップ６間の電子
放出部３に微粒子膜を形成し、電極ギャップ６間に所望
の抵抗値、すなわち素子抵抗値を得ていた。この微粒子
膜を光学顕微鏡で観察すると透過光景が異なる場所があ
り、膜厚のバラツキが見られた。また、この素子抵抗は
後述実施例で用いる電極ギャップ６の大きさと電極幅に
おいて、同一基板内の複数の素子間で２．５にΩ１２に
Ωと広い範囲にわたっており、電極１と電極２の間に電
圧を印加することにより、この微粒子膜を局所的に破壊
・変形、もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の
電子放出部３を形成した。これにより、電子放出機能を
得た表面伝導上電子放出素子から電子放出させることが
できる。このとき、表面伝導上電子放出素子から数ｍｍ
程度離れた空間上に蛍光体基板５を配置して１ｋＶの電
圧を印加した場合、観測された同一基板内の複数の素子
間のエミッション電流値はＩｅ＝１．５μＡ±１μＡと
ばらつきを生じた。
伝導形電子放出素子の素子構成は第２図に示す通りであ
る。同第２図において、４は石英から成る基板であり、
１．２は４上に形成された電極。６は電極ギャップ、、
３は電子放出部を示す。従来、この電子放出素子におい
ては、基板４上に有機金属化合物溶液（奥野製薬工業製
ギヤタベーストｃｃｐ）をスピンコータを用いて回転塗
布し、焼成を行うことにより、電極ギャップ６間の電子
放出部３に微粒子膜を形成し、電極ギャップ６間に所望
の抵抗値、すなわち素子抵抗値を得ていた。この微粒子
膜を光学顕微鏡で観察すると透過光景が異なる場所があ
り、膜厚のバラツキが見られた。また、この素子抵抗は
後述実施例で用いる電極ギャップ６の大きさと電極幅に
おいて、同一基板内の複数の素子間で２．５にΩ１２に
Ωと広い範囲にわたっており、電極１と電極２の間に電
圧を印加することにより、この微粒子膜を局所的に破壊
・変形、もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の
電子放出部３を形成した。これにより、電子放出機能を
得た表面伝導上電子放出素子から電子放出させることが
できる。このとき、表面伝導上電子放出素子から数ｍｍ
程度離れた空間上に蛍光体基板５を配置して１ｋＶの電
圧を印加した場合、観測された同一基板内の複数の素子
間のエミッション電流値はＩｅ＝１．５μＡ±１μＡと
ばらつきを生じた。
また、第３図は前述の電子放出素子を多数個並べた画像
形成装置を示すものである。７は電極配線、８は素子電
極、３は電子放出部、１０はグリッド電極、１１は電子
通過孔、１２は画像形成板、１３は蛍光体で電子が衝突
することにより発光する。１４は蛍光体の輝点である。
形成装置を示すものである。７は電極配線、８は素子電
極、３は電子放出部、１０はグリッド電極、１１は電子
通過孔、１２は画像形成板、１３は蛍光体で電子が衝突
することにより発光する。１４は蛍光体の輝点である。
本画像形成装置は２つの電極配線７の間に素子を並列に
並べた線状電子源とグリッド電極１０でＸＹマトリクス
駆動を行い、画像形成板１２上の蛍光体１３に電子を衝
突させることにより、画像形成を行う装置である。この
装置において用いられる表面伝導上電子放出素子のエミ
ッション電流値は上述のように素子間でバラツキが生じ
ることは言うまでもない。
並べた線状電子源とグリッド電極１０でＸＹマトリクス
駆動を行い、画像形成板１２上の蛍光体１３に電子を衝
突させることにより、画像形成を行う装置である。この
装置において用いられる表面伝導上電子放出素子のエミ
ッション電流値は上述のように素子間でバラツキが生じ
ることは言うまでもない。
［発明が解決しようとする課題］
以上のように最初から所望の素子抵抗値となる有機金属
化合物溶液を塗布し、焼成するという方法では金属微粒
子の均一な膜は得られなかった。
化合物溶液を塗布し、焼成するという方法では金属微粒
子の均一な膜は得られなかった。
このために次のような問題が生じていた。
１、電子放出部３に微粒子膜を有する表面伝導上電子放
出素子の素子抵抗は同一基板内の複数素子間でバラツキ
を生じ、他基板素子間でも同様のバラツキを生じる。
出素子の素子抵抗は同一基板内の複数素子間でバラツキ
を生じ、他基板素子間でも同様のバラツキを生じる。
２、電極ギャップ６間に電圧を印加して電子放出をさせ
た場合、エミッション電流値が同一基板内の複数素子間
でバラツキを生じる。
た場合、エミッション電流値が同一基板内の複数素子間
でバラツキを生じる。
３、画像形成装置においては、各素子からのエミッショ
ン電流値がばらつ（ため、蛍光体１３の輝度ムラが生じ
る。
ン電流値がばらつ（ため、蛍光体１３の輝度ムラが生じ
る。
４、画像形成装置の蛍光体の各輝点１４の光放出量がば
らつ（ため、表示にちらつきを生じる。
らつ（ため、表示にちらつきを生じる。
上記問題点は電子放出素子としてのみならず画像形成装
置としても致命的なものである。
置としても致命的なものである。
［課題を解決するための手段］
前記問題点を解決するために本発明では、電極ギャップ
６を隔てて位置する一対の電極１，２と該電極ギャップ
６に金属微粒子膜が配置された電子放出部３を有する表
面伝導上電子放出素子において、該金属微粒子膜の抵抗
値が、該金属微粒子膜上に任意の有機金属含有量の有機
金属化合物溶液を塗布・焼成することによって得られる
金属微粒子膜の最終的な抵抗値の１０倍以上であること
を特徴とする表面伝導上電子放出素子の製造方法を提供
するものであり、さらには有機金属がＰｄ有機金属、ま
たはＡｕ有機金属、またはＡｇ有機金属、またはＲｕ有
機金属であることを特徴とする表面伝導上電子放出素子
の製造方法を提供するものである。
６を隔てて位置する一対の電極１，２と該電極ギャップ
６に金属微粒子膜が配置された電子放出部３を有する表
面伝導上電子放出素子において、該金属微粒子膜の抵抗
値が、該金属微粒子膜上に任意の有機金属含有量の有機
金属化合物溶液を塗布・焼成することによって得られる
金属微粒子膜の最終的な抵抗値の１０倍以上であること
を特徴とする表面伝導上電子放出素子の製造方法を提供
するものであり、さらには有機金属がＰｄ有機金属、ま
たはＡｕ有機金属、またはＡｇ有機金属、またはＲｕ有
機金属であることを特徴とする表面伝導上電子放出素子
の製造方法を提供するものである。
以下、さらに詳しく本発明を説明すると、本発明の表面
伝導上電子放出素子は従来と同様、第２図に示すように
基板４上に形成されるもので、この基板４としてはガラ
ス、石英等の絶縁材料が用いられる。この上に形成され
る電極１，２は真空堆積法等で形成され、電極材料とし
てはＮｉ＋ ＡＩ２＋ Ｃｕ、、Ａｕ、ｐｔ、Ａｇ等の
金属やＳｎｏｗ’、Ｉｎｚ Ｏ３，ＩＴＯ等の金属酸化
物等を用いることができる。電極ギャップ６は０． １
〜１００μｍであれば良い。
伝導上電子放出素子は従来と同様、第２図に示すように
基板４上に形成されるもので、この基板４としてはガラ
ス、石英等の絶縁材料が用いられる。この上に形成され
る電極１，２は真空堆積法等で形成され、電極材料とし
てはＮｉ＋ ＡＩ２＋ Ｃｕ、、Ａｕ、ｐｔ、Ａｇ等の
金属やＳｎｏｗ’、Ｉｎｚ Ｏ３，ＩＴＯ等の金属酸化
物等を用いることができる。電極ギャップ６は０． １
〜１００μｍであれば良い。
また、本発明は第４図に示されるようなものでも良（、
基板４上に設けられた段差形成層１８の段差部上下端に
一対の電極１，２の各端部が位置し、該電極１，２が該
段差部をはさんで対向して電極ギャップ６を有しており
、該電極ギャップ６である段差部側端面に電子放出部３
を形成してなり、電極１，２間に電圧を印加することに
より、電子放出部３から電子放出するという電子放出素
子の構造においても同様な効果を得ることができる。
基板４上に設けられた段差形成層１８の段差部上下端に
一対の電極１，２の各端部が位置し、該電極１，２が該
段差部をはさんで対向して電極ギャップ６を有しており
、該電極ギャップ６である段差部側端面に電子放出部３
を形成してなり、電極１，２間に電圧を印加することに
より、電子放出部３から電子放出するという電子放出素
子の構造においても同様な効果を得ることができる。
上記段差形成層１８としては、一般に絶縁材料を用いる
。例えば、５ｉ０２．ＭｇＯ８Ｔ ｉ ０２ 、Ｔａ２
０ｓ 、Ａｆ１２０３等及びこれらの積層物もしくはこ
れらの混合物でも良い。電極ギャップ６は、段差形成層
１８の厚みと電極１゜２の厚みによって決定されるが、
数１０人〜数μカ良い。その他の構成部旧は、前述した
ものと同様な材料、構成を用いることかできる。
。例えば、５ｉ０２．ＭｇＯ８Ｔ ｉ ０２ 、Ｔａ２
０ｓ 、Ａｆ１２０３等及びこれらの積層物もしくはこ
れらの混合物でも良い。電極ギャップ６は、段差形成層
１８の厚みと電極１゜２の厚みによって決定されるが、
数１０人〜数μカ良い。その他の構成部旧は、前述した
ものと同様な材料、構成を用いることかできる。
また、電子放出部３に形成する金属微粒子膜の材料どし
てはＡｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｐｄ等の金属の微粒子を用いる
ことかできる。この微粒子は、得ようとする金属の有機
金属化合物溶液を例えばディッピングやスピンコード等
で基板４に塗布した後、焼成することによって得られる
。
てはＡｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｐｄ等の金属の微粒子を用いる
ことかできる。この微粒子は、得ようとする金属の有機
金属化合物溶液を例えばディッピングやスピンコード等
で基板４に塗布した後、焼成することによって得られる
。
なお、１回目に電子放出部に形成する金属微粒子膜を得
る方法としては、上記ディッピングやスピンコード以外
に金属材料の真空堆積法を用いることもできる。
る方法としては、上記ディッピングやスピンコード以外
に金属材料の真空堆積法を用いることもできる。
このようにして電子放出部３を形成することができる。
［作用］
本発明によれば、」二連した有機金属溶液が基板４上に
均一に塗布できるため、均一な膜厚と膜質の金属微粒子
膜を得ることかできる。
均一に塗布できるため、均一な膜厚と膜質の金属微粒子
膜を得ることかできる。
すなわち、初めに電子放出部３に金属微粒子膜を配置す
る。この際、金属微粒子で基板４表面を覆うことによっ
て基板４表面への溶液のぬれ性を向上させることができ
る。
る。この際、金属微粒子で基板４表面を覆うことによっ
て基板４表面への溶液のぬれ性を向上させることができ
る。
但し、この際基板４の表面材質や表面形状により金属微
粒子膜の＠厚分布が大きく発生するやしかし、この表面
に形成された金属微粒子膜は、膜厚が非常に薄く、導電
性も非常に小さいため、素子の抵抗としては無限大か、
あいは最終的に得る微粒子膜の素子抵抗の１０倍程度以
上の高抵抗しか示さない。従ってたとえ基板４も表面の
材質や形状によって微粒子膜の膜厚にバラツキが生じて
いても、最終的に得る素子抵抗のバラツキには直接影響
を与えない。
粒子膜の＠厚分布が大きく発生するやしかし、この表面
に形成された金属微粒子膜は、膜厚が非常に薄く、導電
性も非常に小さいため、素子の抵抗としては無限大か、
あいは最終的に得る微粒子膜の素子抵抗の１０倍程度以
上の高抵抗しか示さない。従ってたとえ基板４も表面の
材質や形状によって微粒子膜の膜厚にバラツキが生じて
いても、最終的に得る素子抵抗のバラツキには直接影響
を与えない。
ここで初めに配置した金属微粒子膜の膜厚ムラがあった
としても、基板４は金属微粒子が覆った表面であるため
、以降の有機金属化合物溶液の塗布に対するヌレ性が非
常に良好になる。従って２度目以降の有機金属化合物溶
液の塗布においては、有機金属の含有率に関わらず、均
一なヌレ性で基板４へ塗布され、膜厚や膜質の均一な金
属微粒子膜を得ることがで参る。
としても、基板４は金属微粒子が覆った表面であるため
、以降の有機金属化合物溶液の塗布に対するヌレ性が非
常に良好になる。従って２度目以降の有機金属化合物溶
液の塗布においては、有機金属の含有率に関わらず、均
一なヌレ性で基板４へ塗布され、膜厚や膜質の均一な金
属微粒子膜を得ることがで参る。
以後２回目以降の有機金属化合物溶液の塗布・焼成を行
い、最終的に所望の素子抵抗値になるように金属微粒子
膜を均一に形成することができる。
い、最終的に所望の素子抵抗値になるように金属微粒子
膜を均一に形成することができる。
２回目以降、所望の素子抵抗を得るために有機金属濃度
の高い溶液を１度塗布しても良いし、また、濃度の低い
溶液を多数回塗布しても良く、特に有機金属の濃度・回
転塗布の回数に制限はない。
の高い溶液を１度塗布しても良いし、また、濃度の低い
溶液を多数回塗布しても良く、特に有機金属の濃度・回
転塗布の回数に制限はない。
［実施例］
実施例１
第１図は本実施例を説明する概略的説明図である。
最初に、＋分脱脂、洗浄を行った１ｉｎｃｈｘ１．５ｉ
ｎｃｈ角の石英基板４上に、通常よく用いられるフォト
リソグラフィ技術と真空成膜技術により一対の電極１．
２を５素子形成した。
ｎｃｈ角の石英基板４上に、通常よく用いられるフォト
リソグラフィ技術と真空成膜技術により一対の電極１．
２を５素子形成した。
電極ギャップ６は２μｍ、電極幅は３００ ／Ｊｍであ
る。
る。
電極材料は、膜厚５０人のＣｒを下引咎とした膜厚９５
０人のＮｉであり、真空堆積法により成膜を行った。
０人のＮｉであり、真空堆積法により成膜を行った。
この基板４上に有機パラジウム化合物を含む有機溶媒（
奥野製薬工業製キャタペーストＣＣＰ、Ｐｄ含有量２．
２ｇ±０．５ｇ／ｊ２．以下Ａ液と略す）をスピンコー
タを用いて回転塗布し、３００℃−１３分間の焼成を行
った。４：の後、該Ａ液よりも有機Ｐｄ化合物の含有量
の多い有機溶媒（奥野製薬工業製キャタペーストＣＣＰ
、Ｐｄ含含有量２２土±５／に以下Ｂ液と略す）をスピ
ンコータで回転塗布し、３００℃−１３分間の焼成を行
った。
奥野製薬工業製キャタペーストＣＣＰ、Ｐｄ含有量２．
２ｇ±０．５ｇ／ｊ２．以下Ａ液と略す）をスピンコー
タを用いて回転塗布し、３００℃−１３分間の焼成を行
った。４：の後、該Ａ液よりも有機Ｐｄ化合物の含有量
の多い有機溶媒（奥野製薬工業製キャタペーストＣＣＰ
、Ｐｄ含含有量２２土±５／に以下Ｂ液と略す）をスピ
ンコータで回転塗布し、３００℃−１３分間の焼成を行
った。
こうして得られた素子の素子抵抗をテスターで測定した
ところ、２．５にΩ±０．５にΩとなり、従来の方法と
比べて素子抵抗値のバラツキが小さくなった。
ところ、２．５にΩ±０．５にΩとなり、従来の方法と
比べて素子抵抗値のバラツキが小さくなった。
また、この素子の電子放出特性を調べるため素子を真空
容器中に入れ、電極１，２間に１４Ｖの電圧を印加し、
更に、素子から５ｍｍ沿直上に１ｋＶの電圧を印加した
蛍光体基板５を設置して放出電流の測定を行った。
容器中に入れ、電極１，２間に１４Ｖの電圧を印加し、
更に、素子から５ｍｍ沿直上に１ｋＶの電圧を印加した
蛍光体基板５を設置して放出電流の測定を行った。
その結果、上記条件のもとてのエミッション電流Ｉｅは
Ｉｅ＝２．０４ｚＡ±０．５μＡとなった。素子抵抗値
と同様、従来の方法と比べてバラツキが小さくなったこ
とがわかる。以上説明したように本発明は同一基板およ
び他基板の複数の表面伝導形電子放出素子について素子
抵抗および特性のバラツキの小さい素子を提供すること
ができる。
Ｉｅ＝２．０４ｚＡ±０．５μＡとなった。素子抵抗値
と同様、従来の方法と比べてバラツキが小さくなったこ
とがわかる。以上説明したように本発明は同一基板およ
び他基板の複数の表面伝導形電子放出素子について素子
抵抗および特性のバラツキの小さい素子を提供すること
ができる。
実施例２
電極ギャップ６にＳｉＯ□薄膜を応用したたて型構造の
素子を作製した。
素子を作製した。
第４図は本実施例を説明する為の概略的説明図である。
第５図はその電子放出部３を説明する為の概略的断面図
である。
である。
石英の基板４上に段差形成層１８として、５ｉ０２の液
体コーテイング材（東京応化工業社製○ＣＤ）を塗布、
乾燥し、厚み３０００人の５ｉ０２層を作成した。次に
、電子放出部３の平面形状となるように、段差形成層１
８をＨＦエツチング液によりパターンエッチし、段差部
を設けた。さらに、該段差部上へ、マスク真空蒸着法に
より、Ｎｉを厚み５００人成膜し、電極１．２を実施例
１と同様の形状に形成した。この時、電極ギャップ６部
分には、成膜時のステップカバレージを悪くして、Ｎｉ
が堆積しないようにした。その後、前述実施例と同様に
して、微粒子を形成して、電極ギャップ６に電子放出部
３を配置した。
体コーテイング材（東京応化工業社製○ＣＤ）を塗布、
乾燥し、厚み３０００人の５ｉ０２層を作成した。次に
、電子放出部３の平面形状となるように、段差形成層１
８をＨＦエツチング液によりパターンエッチし、段差部
を設けた。さらに、該段差部上へ、マスク真空蒸着法に
より、Ｎｉを厚み５００人成膜し、電極１．２を実施例
１と同様の形状に形成した。この時、電極ギャップ６部
分には、成膜時のステップカバレージを悪くして、Ｎｉ
が堆積しないようにした。その後、前述実施例と同様に
して、微粒子を形成して、電極ギャップ６に電子放出部
３を配置した。
この後、実施例１と同様に本素子の電極ギャップ６部に
Ｐｄ微粒子膜を形成し、素子を完成した。
Ｐｄ微粒子膜を形成し、素子を完成した。
この素子について前述実施例同様の実験を行つたところ
、抵抗値Ｒ＝１．５にΩ±０．５にΩ、エミッション電
流Ｉｅ＝３．０±０．５μＡとバラツキが小さくなった
。
、抵抗値Ｒ＝１．５にΩ±０．５にΩ、エミッション電
流Ｉｅ＝３．０±０．５μＡとバラツキが小さくなった
。
実施例３
実施例１と同様に十分脱脂洗浄を行った石英基板４上に
通常よく用いられるフォトリソグラフィ技術と真空成膜
技術により電極ギャップ６が２μｍ、電極幅３００μｍ
の一対の電極１．２を５素子形成した。電極材料は下引
きとしてのＣｒ（膜厚５０人）、電極はＮｉ（膜厚９５
０人）とした。
通常よく用いられるフォトリソグラフィ技術と真空成膜
技術により電極ギャップ６が２μｍ、電極幅３００μｍ
の一対の電極１．２を５素子形成した。電極材料は下引
きとしてのＣｒ（膜厚５０人）、電極はＮｉ（膜厚９５
０人）とした。
この基板４上に上述したＡ液をスピンコータを用いて回
転塗布し、３００℃−１３分間の焼成を行った。この後
、同様にして、さらにＡ液の塗布、焼成を２回行った。
転塗布し、３００℃−１３分間の焼成を行った。この後
、同様にして、さらにＡ液の塗布、焼成を２回行った。
このようにして作成した素子について前述実施例１と同
様の実験を行ったところ、抵抗値、エミッション電流と
も同様にそろった値を示した。
様の実験を行ったところ、抵抗値、エミッション電流と
も同様にそろった値を示した。
また、実施例２と同様の素子（第４図）についても実施
例２と同様にそろった値を示した。
例２と同様にそろった値を示した。
実施例４
実施例１と同様に、十分脱脂洗浄を行った石英基板４上
に通常よく用いられるフォトリソグラフィ技術と真空成
膜技術により電極ギヤ・ツブ６が２ＬＬｍ、電極幅３０
０ μｍの一対の電極１，２を５素子形成した。電極材
料は下引きとしてのＣｒ（膜厚５０人）、電極はＮｉ（
膜厚９５０人）とした。
に通常よく用いられるフォトリソグラフィ技術と真空成
膜技術により電極ギヤ・ツブ６が２ＬＬｍ、電極幅３０
０ μｍの一対の電極１，２を５素子形成した。電極材
料は下引きとしてのＣｒ（膜厚５０人）、電極はＮｉ（
膜厚９５０人）とした。
この基板４を、初めに上述のＡ液に浸し、毎秒５ｍｍの
速度でひきあげてディッピングコートを行い、３００℃
−１３分の焼成を行った。この後、Ａ液よりも有機Ｐｄ
化合物の含有量の多いＢ液に浸し、同様にしてディッピ
ングを行い、３００℃−１３分間の焼成を行った。
速度でひきあげてディッピングコートを行い、３００℃
−１３分の焼成を行った。この後、Ａ液よりも有機Ｐｄ
化合物の含有量の多いＢ液に浸し、同様にしてディッピ
ングを行い、３００℃−１３分間の焼成を行った。
このようにして作成した素子について前述実施例１と同
様の実験を行ったところ、抵抗値、エミッション電流と
も同様にそろった値を示した。
様の実験を行ったところ、抵抗値、エミッション電流と
も同様にそろった値を示した。
また、実施例２と同様の素子（第４図）および、実施例
３と同様の塗布方法についても他の実施例と同様にそろ
った値を示した。
３と同様の塗布方法についても他の実施例と同様にそろ
った値を示した。
［発明の効果］
以上説明したＪ：うに、本発明は一対の相対向する電極
と該電極間に設りられた金属微粒子膜からなる表面伝導
形電子放出素子において、次のような効果がある。
と該電極間に設りられた金属微粒子膜からなる表面伝導
形電子放出素子において、次のような効果がある。
１ 該微粒子膜を均一な厚さで形成することができる。
２、素子を直線上にマルチに配置することにより、−様
な線状電子源を得るのに効果がある。
な線状電子源を得るのに効果がある。
３ 特性のそろった素子ができるため、一定の規格にあ
った素子が多数得られ、画像形成装置として大面積化が
容易Ｉこなる。
った素子が多数得られ、画像形成装置として大面積化が
容易Ｉこなる。
第１図は本発明の特徴を示す説明図、第２図は実施例１
て作製した素子の平面図、第３図はＳ２図の素子をマル
チに直線上に配置した図、第４図は実施例２で作製した
素子の平面図、第５図は実施例２で作製した素子の断面
図である。 １．２、電極 ３：電子放出部 ４、基板 ５：蛍光体基板 ・電極ギャップ ：素子電極 １：電子通過孔 ３・蛍光体 ８：段差形成層 ：配線電極 ０ニゲリツド電極 ２：画像形成板 ４：蛍光体の輝点
て作製した素子の平面図、第３図はＳ２図の素子をマル
チに直線上に配置した図、第４図は実施例２で作製した
素子の平面図、第５図は実施例２で作製した素子の断面
図である。 １．２、電極 ３：電子放出部 ４、基板 ５：蛍光体基板 ・電極ギャップ ：素子電極 １：電子通過孔 ３・蛍光体 ８：段差形成層 ：配線電極 ０ニゲリツド電極 ２：画像形成板 ４：蛍光体の輝点
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電極ギャップを隔てて位置する一対の電極と該電極
ギャップに金属微粒子膜が配置された電子放出部を有す
る表面伝導形電子放出素子において、該金属微粒子膜の
抵抗値が、該金属微粒子膜上に任意の有機金属含有量の
有機金属化合物溶液を塗布・焼成することによって得ら
れる金属微粒子膜の最終的な抵抗値の１０倍以上である
ことを特徴とする表面伝導形電子放出素子の製造方法。 ２、有機金属がＰｄ有機金属、またはＡｕ有機金属、ま
たはＡｇ有機金属、またはＲｕ有機金属であることを特
徴とする請求項１記載の表面伝導形電子放出素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174407A JPH0465050A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 表面伝導形電子放出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174407A JPH0465050A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 表面伝導形電子放出素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465050A true JPH0465050A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=15978019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2174407A Pending JPH0465050A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 表面伝導形電子放出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465050A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660359A3 (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device and image-forming apparatus |
| US5593335A (en) * | 1993-04-05 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electron source |
| US5674100A (en) * | 1994-07-20 | 1997-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device |
| US5759080A (en) * | 1987-07-15 | 1998-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated form electrodes |
| USRE40062E1 (en) * | 1987-07-15 | 2008-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP2174407A patent/JPH0465050A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759080A (en) * | 1987-07-15 | 1998-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated form electrodes |
| USRE40062E1 (en) * | 1987-07-15 | 2008-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes |
| US5593335A (en) * | 1993-04-05 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electron source |
| EP0660359A3 (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device and image-forming apparatus |
| US6063453A (en) * | 1993-12-22 | 2000-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device and image-forming apparatus comprising such devices |
| US5674100A (en) * | 1994-07-20 | 1997-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device |
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