JPH01296873A - Dropout detecting circuit - Google Patents

Dropout detecting circuit

Info

Publication number
JPH01296873A
JPH01296873A JP63127740A JP12774088A JPH01296873A JP H01296873 A JPH01296873 A JP H01296873A JP 63127740 A JP63127740 A JP 63127740A JP 12774088 A JP12774088 A JP 12774088A JP H01296873 A JPH01296873 A JP H01296873A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
resistor
circuit
collector
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63127740A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Higashida
東田 吉夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63127740A priority Critical patent/JPH01296873A/en
Publication of JPH01296873A publication Critical patent/JPH01296873A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Television Signal Processing For Recording (AREA)

Abstract

PURPOSE:To detect a dropout as specified with a set value by connecting a diode in parallel with the load resistance of a differential amplifier to detect the dropout. CONSTITUTION:A video signal is inputted through a both-wave rectifying circuit 2 to a dropout detecting circuit. The dropout detecting circuit consists of a buffer circuit 3, a detecting circuit 4, a differential amplifying circuit 5 and an output stage circuit 7. The differential amplifier 5 has transistors(TRs) Q2 and Q3, and a diode D is connected in parallel with a load resistance R3. Thus, the gain of the differential amplifier 5 is decreased, and the error of a detection level is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気テープに記録されているビデオ信号を再
生する時に、磁気テープで発生したドロップアウトを検
出するドロップアウト検出回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a dropout detection circuit for detecting dropouts occurring in a magnetic tape when reproducing a video signal recorded on the magnetic tape.

従来の技術 一般にビデオ信号には、画面に色を付けるための色信号
と画面の明るさを表わす輝度信号が有る。このうち輝度
信号を磁気テープに記録する場合は、周波数3.4〜4
.4 MHzに周波数変調されて記録される。つぎに、
磁気テープを再生する場合には、周波数変調された信号
を復調して、もとの信号を再生している。ところが、信
号を記録している磁気テープ上にドロップアウトが有っ
た場合には、磁気テープを再生しても、一部の信号の欠
落により、画面にノイズが発生する。従って、ドロップ
アウトが有る磁気テープを再生する場合には、ドロップ
アウトを検出して、そのドロップアウト以前に再生した
信号を利用して画面のノイズを押える方法が行われてい
る。このためにもドロップアウトの検出を正確に行う必
要が有る。
2. Description of the Related Art Video signals generally include a color signal for adding color to the screen and a luminance signal for representing the brightness of the screen. Among these, when recording the luminance signal on a magnetic tape, the frequency is 3.4 to 4.
.. It is frequency modulated and recorded at 4 MHz. next,
When reproducing a magnetic tape, the frequency modulated signal is demodulated to reproduce the original signal. However, if there is a dropout on the magnetic tape on which signals are recorded, noise will occur on the screen due to the loss of some signals even when the magnetic tape is reproduced. Therefore, when reproducing a magnetic tape with dropouts, a method is used in which the dropouts are detected and the signals reproduced before the dropouts are used to suppress screen noise. For this reason, it is necessary to accurately detect dropout.

このような目的に使用される従来のドロップアウト検出
回路を第2図に示し、これを参照して説明する。
A conventional dropout detection circuit used for this purpose is shown in FIG. 2, and will be described with reference to FIG.

この回路は、入力端子1が接続された両波整流回路2と
、トランジスタQIと電流源■1とからなるバッファ回
路3と、抵抗R1とコンデンサCとからなる検波回路4
と、トランジスタQ2とQ3、抵抗R2とR3、電流源
■2および電圧源V1とからなるドロップアウト検出用
差動増幅器5と、トランジスタQ5とQ6、抵抗R4、
電流源!3、電圧RV 2および出力端子6とからなる
差動増幅器による出力段回路7とから構成される。
This circuit consists of a double-wave rectifier circuit 2 to which an input terminal 1 is connected, a buffer circuit 3 consisting of a transistor QI and a current source 1, and a detection circuit 4 consisting of a resistor R1 and a capacitor C.
, a dropout detection differential amplifier 5 consisting of transistors Q2 and Q3, resistors R2 and R3, current source 2 and voltage source V1, transistors Q5 and Q6, resistor R4,
Current source! 3, an output stage circuit 7 formed by a differential amplifier consisting of a voltage RV 2 and an output terminal 6;

以上のように構成された従来のドロップアウト検出回路
について、以下その動作を説明する。
The operation of the conventional dropout detection circuit configured as described above will be described below.

まず入力端子1に、下記に示した信号V inaを入力
する。
First, the signal Vina shown below is input to the input terminal 1.

Vina= A s i n ωt        −
(1)A;入力信号の振幅 ω;角周波数 t;時間 入力信号V innが、両波整流回路2(この回路ゲイ
ンを1倍とする)を通過して、バッファ回路3のトラン
ジスタQ!のエミッタに伝達される。
Vina= As in ωt −
(1) A: Amplitude ω of input signal; Angular frequency t; Time input signal V inn passes through the double-wave rectifier circuit 2 (the circuit gain is set to 1), and the transistor Q of the buffer circuit 3! is transmitted to the emitter of

トランジスタQ1のエミッタでの信号をV e I a
とすると、信号V E I aは、フーリエ級数の展開
を使用して次式で示される。
The signal at the emitter of transistor Q1 is V e I a
Then, the signal V E I a is expressed by the following equation using Fourier series expansion.

V E l m−(2A/K )−(4# )x山t 
cos2nIIIt/ (2n−1)(2n+1 ) 
f・・・・・・(2) 次に、信号V E l sが、トランジスタQ2のベー
スに伝達される。ここでの信号をVB2mとすると、次
式で示される。
V E l m-(2A/K)-(4#) x mountain t
cos2nIIIt/ (2n-1) (2n+1)
f...(2) Next, the signal V E l s is transmitted to the base of the transistor Q2. If the signal here is VB2m, it is expressed by the following equation.

VB2a−(2A/z)−(4/x) x 1 11/J1+(2nwr+−c)211cos
2rvt/(2n−1)(2n+1)fn+l+ ・・・・・・(3) 1口抵抗R1の抵抗値 C:コンデンサCの容量 ここで、式(3)の左辺より、信号VB21の直流成分
は2A/π、信号VB2aの交流成分は−(4/に) x ”f、  I 1/ I l+(2nwrl −C
)2ttcos2niit/(2n−1)(2n+1 
)1n寓1 である。
VB2a-(2A/z)-(4/x) x 1 11/J1+(2nwr+-c)211cos
2rvt/(2n-1)(2n+1)fn+l+ (3) Resistance value C of single resistor R1: Capacity of capacitor C Here, from the left side of equation (3), the DC component of signal VB21 is 2A/π, the AC component of the signal VB2a is −(4/) x ”f, I 1/I l+(2nwrl −C
)2ttcos2niit/(2n-1)(2n+1
) 1n fable 1.

次に、差動増幅器5の出力電圧であるトランジスタQ5
のベース電位について示す。式(3)で示した信号VB
2aと電圧源V1の基準電圧v1が、V B2@>> 
V + +7)場合、電流源■2の電流はすべてトラン
ジスタQ2のコレクタに流れてトランジスタQ5のベー
ス電位VB5aHは次式となる。
Next, the output voltage of the differential amplifier 5 is the transistor Q5.
The base potential of is shown below. Signal VB shown by equation (3)
2a and the reference voltage v1 of the voltage source V1 is V B2@>>
V + +7), all of the current from current source 2 flows to the collector of transistor Q2, and the base potential VB5aH of transistor Q5 is expressed by the following equation.

VBSaH= vcc  r 2×12      °
−−−−−(4)Vcc;電源電圧 r2 ;抵抗R2の抵抗値 +2 ;電流源■2の電流値 次にトランジスタQ2のベース信号VB2aと基準電圧
v1の関係がV B2.<< v Iの場合、すなわち
ドロップアウトがあった場合、電流源I2の電流(12
)はすべてトランジスタQ3のコレクタに流れて、トラ
ンジスタQ5のベース電位VB5aLは次式となる。
VBSaH= vcc r 2×12°
------- (4) Vcc; power supply voltage r2; resistance value of resistor R2 +2; current value of current source 2. Next, the relationship between the base signal VB2a of transistor Q2 and the reference voltage v1 is VB2. If << v I, that is, if there is dropout, the current of current source I2 (12
) all flow to the collector of the transistor Q3, and the base potential VB5aL of the transistor Q5 becomes the following equation.

VBSsL=VCC−(r2+ r3)X +2・・・
・・・(5) r3;抵抗R3の抵抗値 次に、出力段回路7の出力電圧であるV。utaについ
て示す。出力段回路7の入力信号の最大値と最小値は式
(4)と(5)テ示したように、VBSaHとV B 
5 a Lである。この入力信号で、出力段回路7の差
動増幅器は、動作しなければならない。従って、電圧源
’V2(7)基準電圧v 2とVBSa)I+ VB5
aLは、以下の条件が必要である。
VBSsL=VCC-(r2+r3)X+2...
(5) r3: resistance value of resistor R3 Next, V which is the output voltage of the output stage circuit 7. This is shown for uta. The maximum and minimum values of the input signal to the output stage circuit 7 are determined by VBSaH and VB as shown in equations (4) and (5).
5 a L. The differential amplifier of the output stage circuit 7 must operate with this input signal. Therefore, voltage source 'V2 (7) reference voltage v 2 and VBSa) I+ VB5
aL requires the following conditions.

V B511L < V 2 < V B5aH++ 
++ (6)以下、式(6)の条件を満足しているとし
て説明する。
V B511L < V 2 < V B5aH++
++ (6) The following description will be made assuming that the condition of equation (6) is satisfied.

出力段回路7の入力信号を、V B S aとして、V
B5aL < VB5s < V 2の状態では、電流
源I3の電流(i3)は、すべてトランジスタQ5のコ
レクタに流れ、出力電圧V。utaは次式となる。
Assuming that the input signal of the output stage circuit 7 is VBSa, V
In the state of B5aL < VB5s < V2, the current (i3) of current source I3 flows entirely to the collector of transistor Q5, and the output voltage V. uta becomes the following formula.

VOuta = i3 X r 4         
・・・・・・(′7)r4;抵抗R4の抵抗値 次に、出力段回路7のトランジスタQ5のベース電位V
 B 5 aがs V2〈VBSa≦VBS自Hの状態
の場合は、電流源I3の電流(i3)は、すべてトラン
ジスタQ6のコレクタに流れ、出力電圧V。utaは零
となる。
Vouta = i3 x r 4
......('7) r4; Resistance value of resistor R4 Next, base potential V of transistor Q5 of output stage circuit 7
When B5a is in the state of sV2<VBSa≦VBSH, all the current (i3) of current source I3 flows to the collector of transistor Q6, and the output voltage V. uta becomes zero.

以上により、ドロップアウトがあった場合、出力端子6
からは高レベルの出力が検出される。
As a result of the above, if there is a dropout, output terminal 6
A high level of output is detected.

発明が解決しようとする課題 上記の従来の構成において、差動増幅器5のトランジス
タQ2のベースの信号V B 2 aが、基準電圧v1
とほぼ等しい場合(VB2aΣv1)、すなわちドロッ
プアウトとして定めた付近の信号が入力された場合にお
いて、問題点があることを以下に示す。トランジスタQ
2のベースに伝達される信号VB2aは、式(3)で示
した。VB2a=VIの場合には、式(3)で示した交
流成分も考えて、差動増幅器5の出力を考える必要が有
る。まず、差動増幅器5の利得(ゲイン)をAhaとす
ると、次式で表わされる。
Problems to be Solved by the Invention In the above conventional configuration, the signal V B 2 a at the base of the transistor Q2 of the differential amplifier 5 is equal to the reference voltage v1.
(VB2aΣv1), that is, when a signal in the vicinity determined as dropout is input, there is a problem as shown below. transistor Q
The signal VB2a transmitted to the base of 2 is expressed by equation (3). When VB2a=VI, it is necessary to consider the output of the differential amplifier 5 by also considering the alternating current component shown in equation (3). First, assuming that the gain of the differential amplifier 5 is Aha, it is expressed by the following equation.

^5s=r3/1(k−T/q−ig2)+(kT/q
−igs)l  ・・・・・・(8)k ;ボルツマン
定数 r3 ;抵抗R3の抵抗値 T ;絶対温度 q ;電気素量 igz;トランジスタQ2のエミッタ電流ig3;)ラ
ンジスタQ3のエミッタ電流ここで、トランジスタQ2
とQ3の特性は等しいとして、かつVB2a二v1の関
係より I E2= I E3= i E         °
°°°°19)となる。式(9)より式(8)は次式の
ようになる。
^5s=r3/1(k-T/q-ig2)+(kT/q
-igs)l...(8)k; Boltzmann constant r3; resistance value T of resistor R3; absolute temperature q; elementary charge igz; emitter current ig3 of transistor Q2;) emitter current of transistor Q3 where: , transistor Q2
Assuming that the characteristics of and Q3 are equal, and from the relationship between VB2a and v1, I E2= I E3= i E °
°°°°19). From equation (9), equation (8) becomes as follows.

ASa= r3/ 2 r6        ・・−・
−・(to)ro ;に@T/q@iI! 通常は、r3>>r、なので利得AssはA5*>>1
となる。よって差動増幅器5のトランジスタQ3のコレ
クタ電位、すなわちトランジスタQ5のベース電位V 
B 5 sは次式となる。
ASa= r3/ 2 r6...
-・(to)ro ;ni@T/q@iI! Normally, r3>>r, so the gain Ass is A5*>>1
becomes. Therefore, the collector potential of the transistor Q3 of the differential amplifier 5, that is, the base potential V of the transistor Q5
B 5 s is expressed by the following formula.

Vssa−Vcc−i21rz+<r3/2)1−(4
/に)・Ass・”t (1/71”(2niirヒc
)2)l lcos2nwt/(2n−1)(2n+1 )1・・
・・・・(11) 式(11)より、ドロップアウトとして定めた付近の信
号が入力された場合には、出力段回路7に入力される信
号には大きな値の交流成分が含まれる。
Vssa-Vcc-i21rz+<r3/2)1-(4
/ni)・Ass・”t (1/71”(2niirhic)
)2)l cos2nwt/(2n-1)(2n+1)1...
(11) From equation (11), when a signal near the dropout is input, the signal input to the output stage circuit 7 contains a large AC component.

よって式(11)の交流成分が、ドロップアウトとして
定めた信号レベルと、比較して実際の回路では誤差とな
るという問題点を有していた。
Therefore, there is a problem in that the alternating current component in equation (11) results in an error in an actual circuit when compared with the signal level determined as dropout.

本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、ドロッ
プアウトを検出する差動増幅器の交流的なゲインを、従
来の回路と比べて、小さ(して、設定値どうりのドロッ
プアウト検出のできるドロップアウト検出回路の提供を
目的とするものである。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems by reducing the alternating current gain of the differential amplifier for detecting dropouts to a smaller value than that of the conventional circuit. The purpose of this invention is to provide a dropout detection circuit that can perform the following steps.

課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のドロップアウト検出
回路は、従来のドロップアウト検出回路のドロップアウ
トを検出する差動増幅器の負荷抵抗と並列にダイオード
を接続するものである。
Means for Solving the Problems To achieve this object, the dropout detection circuit of the present invention connects a diode in parallel with the load resistance of a differential amplifier that detects dropouts in a conventional dropout detection circuit. be.

作用 この構成によれば、従来のドロップアウト検出回路と比
べ差動増幅器のゲインが減少して検出レベルの誤差を少
な(することができる。
Effect: According to this configuration, the gain of the differential amplifier is reduced compared to the conventional dropout detection circuit, and errors in the detection level can be reduced.

実施例 以下本発明のドロップアウト検出回路の実施例について
、第1図に示した回路図を参照しながら説明する。
Embodiments Below, embodiments of the dropout detection circuit of the present invention will be described with reference to the circuit diagram shown in FIG.

この回路は、入力端子1が接続された両波整流回路2と
、ベースが両波整流回路2に、コレクタが電源端子8に
、エミッタが電流源■1を介して接地点に接続されたト
ランジスタQ+で構成されたバッファ回路と、トランジ
スタQIのエミッタと接地点間に抵抗R+とコンデンサ
Cを直列に接続し、抵抗R1七コンデンサCの共通接続
点を出力とした検波回路と、ベースが抵抗R+とコンデ
ンサCの共通接続点に、コレクタが抵抗R2を介して電
源端子8に、エミッタが電流源I2を介して接地点に接
続されたトランジスタQ2と、コレクタが抵抗R3を介
して抵抗R2に、ベースが定電圧源v1に、エミッタが
電流源■2に接続されたトランジスタQ3と、抵抗R3
に並列に接続されたダイオードDとで構成された差動増
幅回路と、ベースがトランジスタQ3のコレクタに、エ
ミッタが電流源■3を介して電源端子8に、コレクタが
出力端子6と抵抗R4を介して接地点に接続されたトラ
ンジスタQsと、エミッタが電流源I3に、ベースが定
電圧源v2に、コレクタが接地点に接続されたトランジ
スタQBとから構成される出力段回路とから構成される
This circuit consists of a double-wave rectifier circuit 2 connected to an input terminal 1, a transistor whose base is connected to the double-wave rectifier circuit 2, whose collector is connected to a power supply terminal 8, and whose emitter is connected to a ground point via a current source 1. A buffer circuit consisting of Q+, a detection circuit in which a resistor R+ and a capacitor C are connected in series between the emitter of the transistor QI and the ground point, and the output is the common connection point of the resistor R1 and the seven capacitors C, and a detection circuit whose base is the resistor R+ and a transistor Q2 whose collector is connected to the power supply terminal 8 through a resistor R2 and whose emitter is connected to the ground point through a current source I2, to the common connection point of the capacitor C and the transistor Q2, whose collector is connected to the resistor R2 through a resistor R3, A transistor Q3 whose base is connected to a constant voltage source v1 and an emitter connected to a current source ■2, and a resistor R3.
A differential amplifier circuit consists of a diode D connected in parallel to the transistor Q3, the base is connected to the collector of the transistor Q3, the emitter is connected to the power supply terminal 8 via the current source 3, and the collector is connected to the output terminal 6 and the resistor R4. an output stage circuit consisting of a transistor Qs connected to the ground point through the .

以上のように構成された本実施例のドロップアウト検出
回路について以下その動作を説明する。
The operation of the dropout detection circuit of this embodiment configured as described above will be explained below.

まず入力端子1に、次のような信号を入力する。First, input the following signal to input terminal 1.

V;nb=A s i nωを 次に、両波整流回路2を通過してトランジスタQ1のエ
ミッタに伝達される信号をVElbとすると、正弦波の
両波整流をフーリエ級数に展開することにより、次式で
示される。(ここで仮に両波整流回路のゲインはlとす
る) VEtb−(2A/x)−(4#)・11cos2nw
t/(2n−1)(2n+1)1l ・・・・・・(12) 次に、このVElbの信号を直流成分に変換するために
、抵抗R1とコンデンサCで構成する検波回路4に伝達
される。ここで、まずこの検波回路4の伝達関数G求め
ると次式となる。
Next, if V;nb=A s i nω and the signal passed through the double-wave rectifier circuit 2 and transmitted to the emitter of the transistor Q1 is VElb, then by expanding the double-wave rectification of the sine wave into a Fourier series, It is shown by the following formula. (Here, assume that the gain of the double-wave rectifier circuit is l) VEtb-(2A/x)-(4#)・11cos2nw
t/(2n-1)(2n+1)1l (12) Next, in order to convert this VElb signal into a DC component, it is transmitted to the detection circuit 4 composed of a resistor R1 and a capacitor C. Ru. Here, first, when the transfer function G of this detection circuit 4 is determined, the following equation is obtained.

G= 1/ (1+ j ωc rl)    −・”
(13)j ;虚数単位 ω ;角周波数 C;コンデンサCの容量値 rl;抵抗R1の抵抗値 式(12)で示した信号が、抵抗R,とのコンデンサC
で構成されている検波回路4を通って、トランジスタQ
2のベースに伝達され、この信号をV B2bとすると
次式となる。
G= 1/ (1+ j ωc rl) −・”
(13)j; imaginary unit ω; angular frequency C; capacitance value rl of capacitor C; resistance value of resistor R1.
The transistor Q
If this signal is V B2b, the following equation is obtained.

B2b− (2A/に)−(4/に) ・’f、 11/  +  nwr+c  tlcos
2nwt/(2n−1)(2n+1)i−l ・・・・・・(I4) 差動増幅器5の出力であるトランジスタQ3のコレクタ
電位V c 3 bは、式(14)で示した信号V B
2bと定電圧源v1の基準電圧Vlとの関係より決まる
。まず、 VEtb>>vlの場合は電流源■2の電流
はすべてトランジスタQ2のコレクタに流れる。
B2b- (2A/to) - (4/to) ・'f, 11/ + nwr+c tlcos
2nwt/(2n-1)(2n+1)i-l (I4) The collector potential Vc3b of the transistor Q3, which is the output of the differential amplifier 5, is the signal V shown in equation (14). B
2b and the reference voltage Vl of the constant voltage source v1. First, when VEtb>>vl, all of the current from current source 2 flows to the collector of transistor Q2.

この場合、トランジスタQ3のコレクタ電圧をV c 
3 Hとすると、次式で表わされる。
In this case, the collector voltage of transistor Q3 is set to V c
3H, it is expressed by the following formula.

Vc3)1= vCCr 2 ・i 2     ・”
(15)VCCi電源電圧 r2 ;抵抗R2の抵抗値 12 ;電流源I2の電流値 次に、VEtb<<y、の場合、すなわちドロップアウ
トがあった場合は、電流源I2の電流はすべて、トラン
ジスタQ3のコレクタに流れる。この場合、トランジス
タQ3のコレクタの電圧をVC3Lとすると、次式で表
わされる。
Vc3)1=vCCr2・i2・”
(15) VCCi power supply voltage r2; resistance value 12 of resistor R2; current value of current source I2 Next, if VEtb<<y, that is, if there is dropout, all the current of current source I2 is transferred to the transistor Flows to the Q3 collector. In this case, if the voltage at the collector of transistor Q3 is VC3L, it is expressed by the following equation.

VC3L” vcc   r 2・ i 2  VD 
   −=・(16)vD ;ダイオードのアノード・
カソード間の電圧 次に、この高レベルの信号VC3Hもしくは低レベルの
信号VC3Lが、差動増幅器を構成している出力段回路
7に伝達される。ここで、この差動増幅器が、VC3H
とVC3Lで動作するためには、定電圧源v2の基準電
圧v2との間に以下の条件が必要である。
VC3L"vccr2・i2VD
−=・(16) vD; diode anode・
Voltage between cathodes Next, this high level signal VC3H or low level signal VC3L is transmitted to the output stage circuit 7 forming a differential amplifier. Here, this differential amplifier is VC3H
In order to operate with VC3L and the reference voltage v2 of the constant voltage source v2, the following conditions are required between the constant voltage source v2 and the reference voltage v2.

VC3L < V 2 < VO2)1       
 − ・・(17)ここでまず、ドロップアウトが無い
場合、すなわちトランジスタQ5のベースに高レベルの
信号V C3Hが入力された場合には、電流源I3から
供給される電流はすべてトランジスタQ6のコレクタに
流れる。よって出力電圧V。utb=0となる。次に、
ドロップアウトが有る場合、すなわちトランジスタQ5
のベースに低レベルの信号VC3Lが入力された場合に
は、電流源I3から供給される電流〈I3〉はすべてト
ランジスタQ5のコレクタに流れる。
VC3L < V2 < VO2)1
- (17) First, if there is no dropout, that is, if a high-level signal V C3H is input to the base of transistor Q5, then all the current supplied from current source I3 flows to the collector of transistor Q6. flows to Therefore, the output voltage V. utb=0. next,
If there is dropout, i.e. transistor Q5
When a low level signal VC3L is input to the base of the transistor Q5, all of the current <I3> supplied from the current source I3 flows to the collector of the transistor Q5.

この時の出力端子6の出力電圧V。utbは、次式とな
る。
The output voltage V of the output terminal 6 at this time. utb is expressed by the following formula.

Voutb:! 3 @r 4 I4 ;抵抗R4の抵抗値 次に、トランジスタQ2のベース信号V B2bが基準
電圧v1とほぼ等しい場合(vB2b二V+)すなわち
、設定したドロップアウト検出信号付近の大きさの信号
が入力された場合について調べる。まず、差動増幅器5
のゲインをAsbとすると、次式%式% iD ;ダイオードDに流れる電流 iH2;)ランジスタQ2のエミッタ電流iH3;トラ
ンジスタQ3のエミッタ電流 ここで、トランジスタQ2  とQsの特性が等しく、
iH= 1Ez= ig3とすると、ゲインAsbは次
式となる。
Voutb:! 3 @r 4 I4 ; Resistance value of resistor R4 Next, when the base signal V B2b of transistor Q2 is almost equal to the reference voltage v1 (vB2b2V+), that is, a signal with a magnitude near the set dropout detection signal is input. Find out if this happens. First, the differential amplifier 5
If the gain of is Asb, then the following formula % Formula % iD ; Current flowing through diode D iH2 ;) Emitter current of transistor Q2 iH3 ; Emitter current of transistor Q3 Here, the characteristics of transistors Q2 and Qs are equal,
When iH=1Ez=ig3, the gain Asb is given by the following equation.

Asb=(1/2)・(ig/(ig−Vo/r3) 
t    ・・・−(19)ここで、i E>>VD/
 r sの条件を満足するとゲインAshは以下になる
Asb=(1/2)・(ig/(ig-Vo/r3)
t...-(19) Here, i E >> VD/
When the condition of r s is satisfied, the gain Ash becomes as follows.

Asb=1/2          ・・・・・・(2
0)従って、トランジスタQ2のベースに基準電圧v1
とほぼ等しい入力信号が入力された場合のトランジスタ
Q3のコレクタ電圧VC3bは、次式で表わされる。
Asb=1/2 (2
0) Therefore, the reference voltage v1 is applied to the base of transistor Q2.
The collector voltage VC3b of the transistor Q3 when an input signal substantially equal to is inputted is expressed by the following equation.

Vc3b=Vcc−r29i2−V。Vc3b=Vcc-r29i2-V.

−(4/に)・ 1・0す(l/1r−];1:3「hi;1171コー
1l−tl cos2n&It/(2n−1)(2n+
1 )1・・・・・・(21) 従って、本発明により、ドロップアウト検出回路が動作
するスレッシュでの動作で、誤動作の原因となった高調
波成分を、減少させることができる。
-(4/に)・1・0s(l/1r-];1:3"hi;1171ko1l-tl cos2n&It/(2n-1)(2n+
1) 1... (21) Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the harmonic components that cause malfunctions when the dropout detection circuit operates at the threshold.

発明の効果 本発明のドロップアウト検出回路によれば、従来の回路
では、誤動作を発生させる高調波成分を増幅していたが
、本発明により、ゲインを1/2の小さい値にでき、誤
動作を少な(することができる。この結果、ドロップア
ウトの検出精度が高められ、信頼性が向上する。
Effects of the Invention According to the dropout detection circuit of the present invention, conventional circuits amplify harmonic components that cause malfunctions, but with the present invention, the gain can be reduced to a small value of 1/2, thereby preventing malfunctions. As a result, dropout detection accuracy is increased and reliability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明のドロップアウト検出回路の実施例を示
す回路図、第2図は従来のドロップアウト検出回路の回
路図である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・両波整流回路
、3・・・・・・バッファ回路、4・・・・・・検波回
路、5・・・・・・差動増幅器、6・・・・・・出力端
子、7・・・・・・出力段回路、8・・・・・・電源端
子、Ql、 Q2. Qs、 Q4. Qs、 Qe・
・・・・・トランジスタ、R1,R21R3,R4・・
・・・・抵抗、D・・・・・・ダイオード、rl、  
I2. 13・・・・・・電流源、Vl+V2・・・・
・・定電圧源。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名l・−入力
端子 3・−バッファ回路 4− 掌騒皮凹將 5−差動増幅回路 6−・出力端子 7一エカ投回路 Qt、Qz、Qs、 Ch、Qs、 Q6−  トラン
クスゲF−,Ji’z、 f?s、 f?4・−抵抗C
−−−ゴンテン丈 Vt、 Vt−一一定電工源
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the dropout detection circuit of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional dropout detection circuit. 1...Input terminal, 2...Double wave rectifier circuit, 3...Buffer circuit, 4...Detection circuit, 5...Difference dynamic amplifier, 6...output terminal, 7...output stage circuit, 8...power supply terminal, Ql, Q2. Qs, Q4. Qs, Qe・
...Transistor, R1, R21R3, R4...
...Resistance, D...Diode, rl,
I2. 13...Current source, Vl+V2...
... Constant voltage source. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person - Input terminal 3 - Buffer circuit 4 - Palm cutout 5 - Differential amplifier circuit 6 - Output terminal 7 - Equation throw circuit Qt, Qz, Qs, Ch, Qs, Q6- trunksge F-, Ji'z, f? s, f? 4.-Resistance C
---Gonten length Vt, Vt- constant electric power source

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 入力端子が接続された両波整流回路と、ベースが前記両
波整流回路に、コレクタが電源端子に、エミッタが第1
の電流源を介して接地点に接続された第1のトランジス
タで構成されたバッファ回路と、前記第1のトランジス
タのエミッタと接地点間に第1の抵抗とコンデンサを直
列に接続し、前記第1の抵抗と前記コンデンサの共通接
続点を出力とした検波回路と、ベースが前記第1の抵抗
と前記コンデンサの共通接続点に、コレクタが第2の抵
抗を介して前記電源端子に、エミッタが第2の電流源を
介して接地点に接続された第2のトランジスタと、コレ
クタが第3の抵抗を介して前記第2の抵抗に、ベースが
第1の定電圧源に、エミッタが前記第2の電流源に接続
された第3のトランジスタと、前記第3の抵抗と並列に
接続されたダイオードとで構成された差動増幅回路と、
ベースが前記第3のトランジスタのコレクタに、エミッ
タが第3の電流源を介して前記電源端子に、コレクタが
出力端子と第4の抵抗を介して接地点に接続された第5
のトランジスタと、エミッタが前記第3の電流源に、ベ
ースが第2の定電圧源に、コレクタが接地点に接続され
た第6のトランジスタとから構成される出力段回路とを
備えたことを特徴とするドロップアウト検出回路。
A double-wave rectifier circuit to which an input terminal is connected, a base to the double-wave rectifier circuit, a collector to the power supply terminal, and an emitter to the first
a buffer circuit including a first transistor connected to a ground point via a current source; a first resistor and a capacitor connected in series between the emitter of the first transistor and the ground point; a detection circuit whose output is a common connection point between the first resistor and the capacitor, a base connected to the common connection point between the first resistor and the capacitor, a collector connected to the power supply terminal via a second resistor, and an emitter connected to the power supply terminal. a second transistor connected to a ground point via a second current source; a collector connected to the second resistor via a third resistor; a base connected to the first constant voltage source; and an emitter connected to the first constant voltage source. a differential amplifier circuit configured with a third transistor connected to the second current source and a diode connected in parallel with the third resistor;
A fifth transistor whose base is connected to the collector of the third transistor, whose emitter is connected to the power supply terminal via the third current source, and whose collector is connected to the output terminal and the ground point via the fourth resistor.
and a sixth transistor whose emitter is connected to the third current source, whose base is connected to the second constant voltage source, and whose collector is connected to the ground point. Features a dropout detection circuit.
JP63127740A 1988-05-25 1988-05-25 Dropout detecting circuit Pending JPH01296873A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63127740A JPH01296873A (en) 1988-05-25 1988-05-25 Dropout detecting circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63127740A JPH01296873A (en) 1988-05-25 1988-05-25 Dropout detecting circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01296873A true JPH01296873A (en) 1989-11-30

Family

ID=14967508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63127740A Pending JPH01296873A (en) 1988-05-25 1988-05-25 Dropout detecting circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01296873A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58202603A (en) Full-wave detecting circuit
US4621206A (en) Level detector
JPH01296873A (en) Dropout detecting circuit
US4694248A (en) Magnetic field sensor compensated for offset error
JP3104652B2 (en) Oscillation circuit
JPH03117085A (en) Comparator of high frequency amplitude modulation signals
JPH11203611A (en) Amplifier circuit
US4535256A (en) Integrated video amp with common base lateral PNP transistor
US6707623B2 (en) Circuit device for restoring the symmetry of an analog signal originated by the reading of data from magnetic supports
KR100271590B1 (en) Differential amplifier
US5138273A (en) FM demodulator
JPH04172004A (en) Differential circuit
JPH0388506A (en) Direct-coupled amplifier
JPS5912803Y2 (en) Detection device with temperature compensation
JPS59191906A (en) Phase detection circuit
JPS60261209A (en) Ic-converted stable resistance circuit
JPH01128605A (en) Amplitude limit amplifier circuit
JPS5846115B2 (en) clamp circuit
JPS63193377A (en) Shaking width detection method
JPH03181211A (en) Modulation circuit
JPH05290309A (en) Head drive circuit
JPS6248886A (en) Amplitude detecting circuit
JPS60143093A (en) Expanding/compressing circuit of video color signal
JPH0783215B2 (en) Peak detection circuit
JPH06273454A (en) Buffer circuit