JPH03181211A - Modulation circuit - Google Patents

Modulation circuit

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JPH03181211A
JPH03181211A JP1319997A JP31999789A JPH03181211A JP H03181211 A JPH03181211 A JP H03181211A JP 1319997 A JP1319997 A JP 1319997A JP 31999789 A JP31999789 A JP 31999789A JP H03181211 A JPH03181211 A JP H03181211A
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JP
Japan
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transistor
base
emitter
collector
resistor
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JP1319997A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Higashida
東田 吉夫
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Amplitude Modulation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ビデオ信号を磁気テープに記録する場合もし
くはビデオ信号を磁気テープより再生する場合に、色信
号を変調する変調回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a modulation circuit that modulates a color signal when recording a video signal on a magnetic tape or reproducing a video signal from a magnetic tape.

従来の技術 ビデオ信号には、画面に色を付けるための色信号と、画
面の明るさを表わす輝度信号とがある。
Conventional video signals include a color signal for coloring the screen and a luminance signal for representing the brightness of the screen.

このうち、NTSC方式では色信号を磁気テープに記録
する場合は、周波数を3.58 M Hzから630K
 Hzに周波数変換される。また色信号を再生する場合
は、周波数を630 K Hzから3.58M[(zに
変換される。ここで周波数変換に使用されるのが変調回
路である。
Among these, in the NTSC system, when recording color signals on magnetic tape, the frequency is changed from 3.58 MHz to 630K.
The frequency is converted to Hz. When reproducing a color signal, the frequency is converted from 630 KHz to 3.58 M[(z). Here, a modulation circuit is used for frequency conversion.

この目的に使用される従来の変調回路を第2図に示し、
これを参照して説明する。
A conventional modulation circuit used for this purpose is shown in FIG.
This will be explained with reference to this.

この回路は、入力端子1が接続されたトランジスタQ1
と、電圧源v1が接続されたトランジスタQ2とトラン
ジスタQ3とQ4とQsと、出力端子が接続されたトラ
ンジスタQ6と、抵抗R2とR3と電流源11とI2か
らなる変調回路と、トランジスタQ7とQBと、抵抗R
4と、電流源■3と14とI5からなるバッファ回路と
、入力端子2が接続されたトランジスタQ+oと、電圧
源■2が接続されたトランジスタQ+oと、抵抗R5と
R6と、電、流源I6からなるキャリア増幅回路とから
構成される。
This circuit consists of a transistor Q1 connected to input terminal 1.
, transistor Q2 to which voltage source v1 is connected, transistors Q3, Q4, and Qs, transistor Q6 to which the output terminal is connected, a modulation circuit consisting of resistors R2 and R3, current sources 11 and I2, and transistors Q7 and QB. and resistance R
4, a buffer circuit consisting of current source 3, 14, and I5, a transistor Q+o connected to input terminal 2, a transistor Q+o connected to voltage source 2, resistors R5 and R6, and a current source It consists of a carrier amplification circuit consisting of I6.

以上のように構成された従来の変調回路について、以下
その動作を説明する。
The operation of the conventional modulation circuit configured as described above will be described below.

まず入力端子1のDCバイアス電圧V lnl +oC
1は、電圧源v1のDCバイアス電圧と等しいとする。
First, the DC bias voltage of input terminal 1 V lnl +oC
1 is equal to the DC bias voltage of voltage source v1.

V+1Izoc+=V+              
  −−fl)v、;入力端子1のDCバイアス電圧と
電圧源V、のDCバイアス電圧 次に、入力端子2のDCバイアス電圧Vln2+DC+
は、電圧源■2のDCバイアス電圧と等しいとする。
V+1Izoc+=V+
--fl) v,; DC bias voltage of input terminal 1 and DC bias voltage of voltage source V, then DC bias voltage of input terminal 2 Vln2+DC+
It is assumed that is equal to the DC bias voltage of voltage source 2.

V l R2+DC1= V 2          
      ・” ・・−(21V2・入力端子2のD
Cバイアス電圧と電圧源v2のDCバイアス電圧 ここで、vIとv2はトランジスタQ+とQ2と、トラ
ンジスタQ9とQ+oが飽和しない電圧であるとする。
V l R2 + DC1 = V 2
・” ・・−(21V2・D of input terminal 2
C bias voltage and DC bias voltage of voltage source v2 Here, it is assumed that vI and v2 are voltages at which transistors Q+ and Q2 and transistors Q9 and Q+o are not saturated.

まず、出力端子3のDCバイアス電圧V。ulN)C1
は、使用しているトランジスタの特性がすべて等しいと
すると次式となる。
First, the DC bias voltage V of the output terminal 3. ulN)C1
Assuming that all the transistors used have the same characteristics, the following equation is obtained.

0 Vout(Dc+=Vec   R3・□    ・・
・・・・(3)Vec’、電源端子4に印加されている
電圧1o ;電流源IIと12の電流値 R3;抵抗R3の抵抗値 また、トランジスタQ4とQsのベースと、トランジス
タQ3とQ6のベースに加わるDCノイイアス電圧Vc
ar+oc+は次式となる。
0 Vout(Dc+=Vec R3・□...
...(3) Vec', voltage 1o applied to power supply terminal 4; current value R3 of current sources II and 12; resistance value of resistor R3. Also, the bases of transistors Q4 and Qs, and the transistors Q3 and Q6 DC noise voltage Vc applied to the base of
ar+oc+ becomes the following formula.

4 e oe V[lE; VBE               ・・・・・・(
4)抵抗R4の抵抗値 抵抗R5とR6の抵抗値 電流源I3とI4とl5Illりit流値トランジスタ
Q7とQsのベース  エミッタ間の電圧 次に、入力端子1に式(1)で示したDCバイアス電圧
が印加されている状態で、次に示す信号V+ozAc+
を入力する。
4 e oe V[lE; VBE ・・・・・・(
4) Resistance value of resistor R4 Resistance value of resistors R5 and R6 Current source I3, I4 and l5Illit current value Voltage between the base and emitter of transistors Q7 and Qs Next, input terminal 1 has a DC voltage expressed by equation (1). With the bias voltage applied, the following signal V+ozAc+
Enter.

V 1nlfAcl = A s i n Wl t 
     −−(4)A ;入力信号の振幅 W+・角周波数 t ;時間 また、入力端子2に式(2)で示したDCバイアス電圧
が印加されている状態で、次に示す信号Vln2+AC
+を入力する。
V 1nlfAcl = A s i n Wlt
--(4)A; Amplitude W+ of the input signal, angular frequency t; Time Also, with the DC bias voltage shown in equation (2) being applied to the input terminal 2, the following signal Vln2+AC
Enter +.

V 1n2fAcl = B s i nω2 t  
   ・−・−・(51B ;入力信号の振幅 ω2;角周波数 次に入力端子2よりキャリア増幅回路を介してトランジ
スタQ6とQ3のベースに加わるACC信号 c a 
r + (^C)を次式とする。
V 1n2fAcl = B s i nω2 t
・−・−・(51B; Amplitude ω2 of input signal; Angular frequency Next, ACC signal applied from input terminal 2 to the bases of transistors Q6 and Q3 via the carrier amplifier circuit c a
Let r + (^C) be the following formula.

V c a r I (^c+=csinω2t   
  −・・・・・(6)C・トランジスタQ6とQ3の
ベースでのAC信号の振幅 また、トランジスタQ3とQ6のベースでのAC信号V
・・r2(^C)は、式(6)の電気角が180度異な
る成分が伝達される。
V c a r I (^c+=csinω2t
-... (6) C. Amplitude of AC signal at the bases of transistors Q6 and Q3 Also, AC signal V at the bases of transistors Q3 and Q6
...r2(^C) is a component whose electrical angle differs by 180 degrees in equation (6) is transmitted.

Vear2tAc+ = −Cs i n ω2 t 
   −(71以上のような信号が入力された時に、出
力端子3に伝達されるAC信号v0.(^C)は次式と
なる。
Vear2tAc+ = −Cs in ω2 t
-(When a signal such as 71 or above is input, the AC signal v0.(^C) transmitted to the output terminal 3 is expressed by the following equation.

・ sin ω2t       ・・・・・・(8)
R1;抵抗RIの抵抗値 k ;ポルツマン定数 T ;絶対温度 q ;電気素量 しかしながら、トランジスタQ6のコレクタ・ベース間
には容量Cjcが存在しており、Q6のベースでのAC
信号成分が出力端子3に漏れ込む。この漏れ量をV c
 a v l L e e k lとすると次式で示さ
れる。
・sin ω2t・・・・・・(8)
R1; resistance value k of resistor RI; Portzmann constant T; absolute temperature q; elementary charge However, there is a capacitance Cjc between the collector and base of transistor Q6, and AC at the base of Q6
The signal component leaks into the output terminal 3. This leakage amount is V c
When a v l L e k l, it is expressed by the following formula.

従って、出力端子3に伝達されるAC成分V Ou 1
は次式で示される。
Therefore, the AC component V Ou 1 transmitted to the output terminal 3
is expressed by the following equation.

・・・・・・(IG 発明が解決しようとする課題 上記に示したように、第2図に示した従来例においては
、出力端子3に入力端子2より入力された周波数成分も
出力されてしまい、これがVTRの画質を悪くする要因
となっていた。
(IG) Problems to be Solved by the Invention As shown above, in the conventional example shown in FIG. This caused the VTR's image quality to deteriorate.

本発明は、この周波数の漏れを理論的に零にできる変調
回路の提供を目的とするものである。
An object of the present invention is to provide a modulation circuit that can theoretically reduce this frequency leakage to zero.

課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の変調回路は、バッフ
ァの出力を電気角が180度異なる2つのAC信号でな
く、1つのAC信号とDC電圧としたものである。
Means for Solving the Problems In order to achieve this object, the modulation circuit of the present invention outputs a buffer with one AC signal and a DC voltage instead of two AC signals with electrical angles different by 180 degrees. .

作用 この構成によれば、従来の変調回路と比べると、出力に
漏れ込む信号成分を零にできる。
Effect: According to this configuration, compared to conventional modulation circuits, the signal component leaking into the output can be reduced to zero.

実施例 以下本発明の変調回路の実施例について、第1図に示し
た回路図を参照しながら説明する。
Embodiments Below, embodiments of the modulation circuit of the present invention will be described with reference to the circuit diagram shown in FIG.

この回路は、ベースが入力端子1に、エミッタが第1の
抵抗を介して第2のトランジスタのエミッタと、第1の
電流源を介して接地点に、コレクタが第3のトランジス
タのエミッタと第4のトランジスタのエミッタに接続さ
れた第1のトランジスタと、ベースが第1の電圧源を介
して接地点に、エミッタが前記第1の抵抗と第2の電流
源に、コレクタが第5のトランジスタのエミッタと第6
のトランジスタのエミッタに接続された第2のトランジ
スタと、コレクタが第2の抵抗を介して電源端子に、エ
ミッタが前記第4のトランジスタのエミッタと第1のト
ランジスタのコレクタに、ベースが、第6のトランジス
タのベースと第7のトランジスタのエミッタと第3の電
流源を介して接地点に接続された前記第3のトランジス
タと、コレクタが電源端子に、エミッタが前記第3のト
ランジスタのエミッタと前記第1のトランジスタのコレ
クタに、ベースが前記第5のトランジスタのベースと第
8のトランジスタのエミッタと第4の電流源を介して接
地点に接続された前記第4のトランジスタと、コレクタ
が電源端子に、エミッタが前記第6のトランジスタのエ
ミッタと前記第2のトランジスタのコレクタに接続され
た前記第5のトランジスタと、コレクタが出力端子3と
第3の抵抗を介して電源端子に、エミッタが前記第5の
トランジスタのエミッタと前記第2のトランジスタのコ
レクタに、ベースが前記第3のトランジスタのベースと
前記第7のトランジスタのエミッタと前記第3の電流源
を介して接地点に接続された前記第6のトランジスタで
構成された変調回路と、コレクタが電源端子に、エミッ
タが前記第3のトランジスタのベースと前記第6のトラ
ンジスタのベースと前記第3の電流源を介して接地点に
、ベースが第4の抵抗を介して電源端子と第5の電流源
を介して接地点に接続された前記第7のトランジスタと
、コレクタが電源端子に、エミッタが、前記第4のトラ
ンジスタのベースと市記第5のトランジスタのベースと
前記第4の電M源を介して接地点に、ベースが第6の抵
抗の一端と第9のトランジスタのコレクタに接続された
市記第8のトランジスタで構成されたバッファ回鈴と、
コレクタが前記第8のトランジスタのベースと前記第6
の抵抗の一端に、ベースが第2の電圧源V2を介して接
地点に、エミッタが第10のトランジスタのエミッタと
第6の電流源を介して揉地点に接続された前記第9のト
ランジスタと、ベースが出力端子2に、エミッタが前記
第9のトランジスタのエミッタと前記第6の電流源を介
して接地点に、コレクタが前記第6の抵抗の一端と第5
の抵抗を介して電源端子に接続された前記第10のトラ
ンジスタで構成されたキャリア増幅回路とから構成され
る。
This circuit has a base connected to the input terminal 1, an emitter connected to the emitter of the second transistor through the first resistor and a ground point through the first current source, and a collector connected to the emitter of the third transistor and the a first transistor connected to the emitter of the transistor No. 4; a base connected to a ground point via a first voltage source; an emitter connected to the first resistor and a second current source; and a collector connected to the fifth transistor. emitter and the sixth
a second transistor whose collector is connected to the emitter of the fourth transistor and the collector of the fourth transistor through the second resistor; whose emitter is connected to the emitter of the fourth transistor and the collector of the first transistor; The third transistor is connected to the ground point via the base of the transistor, the emitter of the seventh transistor, and a third current source, the collector is connected to the power supply terminal, and the emitter is connected to the emitter of the third transistor and the third transistor. The collector of the first transistor is connected to the fourth transistor, the base of which is connected to the ground via the base of the fifth transistor, the emitter of the eighth transistor, and a fourth current source, and the collector is connected to the power supply terminal. the fifth transistor, the emitter of which is connected to the emitter of the sixth transistor and the collector of the second transistor; the collector is connected to the output terminal 3 and the power supply terminal via the third resistor; the emitter of the fifth transistor, the collector of the second transistor, and the base of the third transistor connected to the ground via the base of the third transistor, the emitter of the seventh transistor, and the third current source; a modulation circuit including a sixth transistor, a collector connected to a power supply terminal, an emitter connected to a ground point via the base of the third transistor, the base of the sixth transistor, and the third current source; is connected to a power supply terminal via a fourth resistor and to a ground point via a fifth current source; a collector is connected to the power supply terminal, and an emitter is connected to the base of the fourth transistor an eighth transistor, the base of which is connected to a ground point via the fifth transistor and the fourth power source, and the base is connected to one end of a sixth resistor and the collector of the ninth transistor; With the buffer ringing bell,
The collector is connected to the base of the eighth transistor and the sixth transistor.
the ninth transistor, whose base is connected to the ground point via the second voltage source V2, and whose emitter is connected to the emitter of the tenth transistor and the rubbing point via the sixth current source; , the base is connected to the output terminal 2, the emitter is connected to the ground point via the emitter of the ninth transistor and the sixth current source, and the collector is connected to one end of the sixth resistor and the fifth
and a carrier amplification circuit constituted by the tenth transistor connected to the power supply terminal via the resistor.

以上のように構成された本実施例の変調回路について以
下その動作を説明する。
The operation of the modulation circuit of this embodiment configured as described above will be explained below.

まず入力端子1のDCバイアス電圧V+++IfDC1
は電圧源V1のDCバイアス電圧と等しいとする。
First, the DC bias voltage of input terminal 1 V+++IfDC1
is assumed to be equal to the DC bias voltage of voltage source V1.

V Inl fDc) −V I         ・
・・・・・(11)ここで、VlはトランジスタQ1と
Q2が飽和しない電圧であるとする。
V Inl fDc) -V I ・
(11) Here, it is assumed that Vl is a voltage at which transistors Q1 and Q2 are not saturated.

次に入力端子2のDCバイアス電圧V+nzoc+は電
圧源V2のDCバイアス電圧と等しいとする。
Next, it is assumed that the DC bias voltage V+nzoc+ of the input terminal 2 is equal to the DC bias voltage of the voltage source V2.

V 、R2fDel = V 2        −−
 (12)ここで、VlはトランジスタQ9とQ+oが
飽和しない電圧であるとする。
V , R2fDel = V 2 --
(12) Here, it is assumed that Vl is a voltage at which transistors Q9 and Q+o are not saturated.

次に出力端子3のDCバイアス電圧V0゜、。。Next, the DC bias voltage V0° at the output terminal 3. .

は、使用しているトランジスタの特性がすべて等しいと
すると次式となる。
Assuming that all the transistors used have the same characteristics, the following equation is obtained.

O V、uzoc+ = Vce−R3・□・=”(13)
IO1電流源■、と12の電流値 また、キャリア増幅器よりバッファ回路を介してトラン
ジスタQ4とQ5のベースに伝わるDCバイアス電圧V
caB(oc+は、次式となる。
O V,uzoc+ = Vce-R3・□・=”(13)
The current value of IO1 current source ■ and 12 is also the DC bias voltage V transmitted from the carrier amplifier to the bases of transistors Q4 and Q5 via the buffer circuit.
caB(oc+ is the following formula.

Vem++toc+ = Vec  Rs ” I O
c  R6、ニ−VBE8          ・・・
・・・(14)R5;抵抗R5の抵抗値 IQe;電流源I3,14.Is、ISの電流値■8E
8;トランジスタQ8のベース・エミッタ間の電圧 また、バッファ回路よりトランジスタQ3とQ6のベー
スに伝わるDC電圧Vcar2toc+は、次式となる
Vem++toc+ = Vec Rs ” I O
c R6, knee-VBE8...
...(14) R5; resistance value IQe of resistor R5; current source I3, 14. Is, IS current value ■8E
8; Voltage between the base and emitter of transistor Q8 Also, the DC voltage Vcar2toc+ transmitted from the buffer circuit to the bases of transistors Q3 and Q6 is expressed by the following equation.

Ve−r2+oc+ = VecR4・I ocVeE
t−−(15)R4、抵抗R4の抵抗値 Vec7;トランジスタQ7のベース・エミッタ間の電
圧 ここで、トランジスタの特性が等しいとすると以下が言
える。
Ver-r2+oc+ = VecR4・IocVeE
t--(15) R4, resistance value Vec7 of resistor R4; voltage between the base and emitter of transistor Q7. Assuming that the characteristics of the transistors are equal, the following can be said.

V BE8 = V BE7         −− 
(16)また、抵抗R4と抵抗R5とR6の間に以下の
関係が成立するとする。
VBE8 = VBE7 --
(16) Furthermore, it is assumed that the following relationship holds between the resistor R4 and the resistors R5 and R6.

R4=R5+  ”’ 2         ・・・・・・(17)式(16)
と式(17)より以下が言える。
R4=R5+ "' 2...(17) Formula (16)
From equation (17), the following can be said.

V earl fDel = V car2(Dcl 
     雫−’ ”・(18)従って、式(16)と
式(17)を満足していれば、トランジスタQ3とQ6
のベース電位と、トランジスタQ4とQ5のベース電位
は等しくなる。
V ear fDel = V car2 (Dcl
Drop -' ”・(18) Therefore, if equations (16) and (17) are satisfied, transistors Q3 and Q6
The base potential of transistors Q4 and Q5 become equal.

次に入力端子1に式(11)で示したDCバイアス電圧
が印加されている状態で、次に示すメイン信号VIII
IIAC+を入力する。
Next, with the DC bias voltage shown in equation (11) being applied to input terminal 1, the following main signal VIII
Enter IIAC+.

V+nzAc+=A s i nωI t    −・
−・・−(19)また入力端子2に式(2)で示したD
Cバイアス電圧が印加されている状態で、次に示すキャ
リア信号VIII2いC,を入力する。
V+nzAc+=A s i nωI t −・
−・・−(19) Also, D shown in equation (2) at input terminal 2
While the C bias voltage is being applied, the following carrier signal VIII2C is input.

V 1n2(^c) = B S i n (1)2 
t     −−(20)これがキャリア増幅回路とバ
ッファ回路を介してトランジスタQ4と05のベースに
伝達されるAC信号V。rl+^C)を次式とする。
V 1n2(^c) = B S i n (1)2
t --(20) AC signal V which is transmitted to the bases of transistors Q4 and 05 via a carrier amplification circuit and a buffer circuit. Let rl+^C) be the following formula.

Vcar++^c+ = CS i nω2t……(2
1)また、トランジスタQ3とQ6のベースに伝達され
るAC信号Vemrz+xc+は次式となる。
Vcar++^c+ = CS i nω2t……(2
1) Furthermore, the AC signal Vemrz+xc+ transmitted to the bases of transistors Q3 and Q6 is expressed by the following equation.

V c、a r 2 L^c〉=0         
・・・・・・(22)以上より、出力端子3に伝達され
るAC信号Vou+fAC+は次式となる。
V c, a r 2 L^c〉=0
(22) From the above, the AC signal Vou+fAC+ transmitted to the output terminal 3 is expressed by the following equation.

−s  i  n (112t       −”(2
3)また、トランジスタQ6のコレクタ・ベース間容J
I CJ Cより、出力端子3へ伝達されるキャリア信
号V car、Lgek+は式(22)より次式となる
−s in (112t −”(2
3) Also, the collector-base capacitance J of transistor Q6
The carrier signal Vcar, Lgek+ transmitted from I CJ C to the output terminal 3 is expressed by the following equation from equation (22).

V car、esい一==0        ・・・・
・・(24)従って、出力端子3に伝達されるAC成分
■。。。
Vcar,esii==0...
...(24) Therefore, the AC component ■ transmitted to the output terminal 3. . .

は次式で示される。is expressed by the following equation.

V Out = V ou+ tAc+ + V ea
r fLecklたキャリア信号の漏れ込みを減少させ
ることができる。
V Out = V ou+ tAc+ + V ea
It is possible to reduce the leakage of the carrier signal.

発明の効果 本発明の変調回路によれば、キャリア信号成分の漏れを
理論的に零にできる。この結果、変調回路の精度が向上
する。
Effects of the Invention According to the modulation circuit of the present invention, leakage of carrier signal components can be theoretically reduced to zero. As a result, the accuracy of the modulation circuit is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例変調回路図、第2図は従来のキ
ラー回路の回路図である。 1・・・・・・入力端子1.2・・・・・・入力端子2
.3・・・・・・出力端子、4・・・・・・電源端子、
5・・・・・・変調回路、6・・・・・・バッファ回路
、7・・・・・・キャリア増幅回路、Ql、 Q2. 
Q3. Q4. Qs+ Ql)、 Q7. Qs、 
Q9゜0 +o−−トランジスタ、R1,R2,R3,
R4,R5・・・・・・抵抗、II、  12.  I
3. .14. 15.  I6・・・・・・電流源、
V、、V2・・・・・・電圧源。
FIG. 1 is a modulation circuit diagram according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional killer circuit. 1...Input terminal 1.2...Input terminal 2
.. 3... Output terminal, 4... Power terminal,
5...Modulation circuit, 6...Buffer circuit, 7...Carrier amplification circuit, Ql, Q2.
Q3. Q4. Qs+Ql), Q7. Qs,
Q9゜0 +o--transistor, R1, R2, R3,
R4, R5...Resistance, II, 12. I
3. .. 14. 15. I6...Current source,
V,, V2... Voltage source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ベースが入力端子1に、エミッタが第1の抵抗と第1
の電流源を介して接地点に、コレクタが第3のトランジ
スタのエミッタと第4のトランジスタのエミッタに接続
された第1のトランジスタと、ベースが第1の電圧源を
介して接地点に、エミッタが上記第1の抵抗と第2の電
流源を介して接地点に、コレクタが第5のトランジスタ
のエミッタと第6のトランジスタのエミッタに接続され
た第2のトランジスタと、コレクタが第2の抵抗を介し
て電源端子に、ベースが前記第6のトランジスタのベー
スと第7のトランジスタのエミッタと第3の電流源を介
して接地点に接続された前記第3のトランジスタと、コ
レクタが電源端子に、ベースが前記第5のベースと第8
のトランジスタのエミッタと第4の電流源を介して接地
点に接続された前記第5のトランジスタと、コレクタが
出力端子3と第3の抵抗を介して電源端子に接続された
前記第6のトランジスタで構成された変調回路と、コレ
クタが電源端子に、ベースが第4の抵抗を介して電源端
子と第5の電流源を介して接地点に接続された前記第7
のトランジスタと、コレクタが電源端子に、ベースが第
6の抵抗の一端と第10のトランジスタのベースに接続
された前記第8のトランジスタと、前記第3の電流源と
、前記第4の電流源で構成されたバッファ回路と、ベー
スが第2の電圧源を介して接地点に、エミッタが第10
のトランジスタのエミッタと接続され第6の電流源を介
して接地点に接続された前記第10のトランジスタと、
ベースが入力端子2に、コレクタが前記第6の抵抗の一
端と接続され第5の抵抗を介して電源端子に接続された
前記第10のトランジスタで構成されたキャリア増幅回
路を備えたことを特徴とする変調回路。
The base is connected to input terminal 1, and the emitter is connected to the first resistor and the first
a first transistor having a collector connected to the emitter of the third transistor and an emitter of the fourth transistor to ground via a current source, and a base to ground via a first voltage source; a second transistor whose collector is connected to the ground point via the first resistor and the second current source, whose collector is connected to the emitter of the fifth transistor and the emitter of the sixth transistor, and whose collector is connected to the second resistor. the third transistor, whose base is connected to the base of the sixth transistor, the emitter of the seventh transistor, and a ground point via a third current source; and the collector is connected to the power terminal. , the base is connected to the fifth base and the eighth base.
the fifth transistor whose emitter is connected to a ground point via the fourth current source; and the sixth transistor whose collector is connected to the power supply terminal via the output terminal 3 and a third resistor. a modulation circuit comprising: a modulation circuit having a collector connected to a power supply terminal and a base connected to the power supply terminal via a fourth resistor and a ground point via a fifth current source;
the eighth transistor, the collector of which is connected to the power supply terminal, the base of which is connected to one end of the sixth resistor and the base of the tenth transistor, the third current source, and the fourth current source. a buffer circuit consisting of a base connected to a ground point via a second voltage source, and an emitter connected to a tenth point
the tenth transistor connected to the emitter of the transistor and connected to a ground point via a sixth current source;
It is characterized by comprising a carrier amplification circuit including the tenth transistor whose base is connected to the input terminal 2 and whose collector is connected to one end of the sixth resistor and connected to the power supply terminal via the fifth resistor. Modulation circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04342303A (en) * 1991-05-20 1992-11-27 Sanyo Electric Co Ltd Balanced modulator

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JPS554421A (en) * 1978-06-22 1980-01-12 Osaka Soda Co Ltd Ornamental wall
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