JPH0129799B2 - - Google Patents
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- JPH0129799B2 JPH0129799B2 JP61048742A JP4874286A JPH0129799B2 JP H0129799 B2 JPH0129799 B2 JP H0129799B2 JP 61048742 A JP61048742 A JP 61048742A JP 4874286 A JP4874286 A JP 4874286A JP H0129799 B2 JPH0129799 B2 JP H0129799B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1896—Compounds having one or more Si-O-acyl linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、式:
R3SiOCOOSiR3
〔式中、Rは基1個あたり1〜18個の炭素原子を
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
オルガノシリルカーボネートを製造する方法に関
する。
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
オルガノシリルカーボネートを製造する方法に関
する。
従来の技術
オルガノシリルカーボネートの製造方法は既に
公知である。これについては、ブツツ(W.C.
Butts)および協力者の“アナリテイカル・ケミ
ストリー(Analytical Chemistry)”第43巻、第
4号(1971年)第538〜542ページおよびヤマモト
(Y.Yamamoto)および協力者の“ジヤーナル・
オブ・オルガニツク・ケミストリー(Journal of
Organic Chemistry)”第36巻、第20号(1971年)
第2954〜2956ページを引用する。
公知である。これについては、ブツツ(W.C.
Butts)および協力者の“アナリテイカル・ケミ
ストリー(Analytical Chemistry)”第43巻、第
4号(1971年)第538〜542ページおよびヤマモト
(Y.Yamamoto)および協力者の“ジヤーナル・
オブ・オルガニツク・ケミストリー(Journal of
Organic Chemistry)”第36巻、第20号(1971年)
第2954〜2956ページを引用する。
発明が解決しようとする問題点
ところで、大規模にも比較的容易に実施するこ
とのできる、比較的容易に入手できる原料からオ
ルガノシリルカーボネート、殊にビストリオルガ
ノシリルカーボネートを製造する方法を提供する
という課題が生じた。
とのできる、比較的容易に入手できる原料からオ
ルガノシリルカーボネート、殊にビストリオルガ
ノシリルカーボネートを製造する方法を提供する
という課題が生じた。
問題点を解決するための手段
上記の課題は本発明により解決される。すなわ
ち本発明の対象は、式: R3SiOCOOSiR3 〔式中、Rは基1個あたり1〜18個の炭素原子を
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
オルガノシリルカーボネートを製造する方法にお
いて、式; R3SiCl 〔式中、Rは前記のものを表わす〕で示されるト
リオルガノクロルシランと炭酸水素アルカリおよ
びアミンとを、反応成分に対して不活性の中性溶
液中で反応させ、その際アミンとして塩化水素を
塩化アンモニウムの形成下に結合するようなアミ
ンを使用し、こうして得られた混合物から塩化ア
ンモニウムを除去し、かつ塩化物を除去した混合
物からオルガノシリルカーボネートを単離するこ
とを特徴とする、オルガノシリルカーボネートの
製造方法である。
ち本発明の対象は、式: R3SiOCOOSiR3 〔式中、Rは基1個あたり1〜18個の炭素原子を
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
オルガノシリルカーボネートを製造する方法にお
いて、式; R3SiCl 〔式中、Rは前記のものを表わす〕で示されるト
リオルガノクロルシランと炭酸水素アルカリおよ
びアミンとを、反応成分に対して不活性の中性溶
液中で反応させ、その際アミンとして塩化水素を
塩化アンモニウムの形成下に結合するようなアミ
ンを使用し、こうして得られた混合物から塩化ア
ンモニウムを除去し、かつ塩化物を除去した混合
物からオルガノシリルカーボネートを単離するこ
とを特徴とする、オルガノシリルカーボネートの
製造方法である。
アミンの不在では、トリオルガノハロゲンシラ
ンと炭酸水素ナトリウムとからは唯一の有機ケイ
素化合物としてトリオルガノシラノールないしは
ヘキサオルガノジシロキサンが生成する〔ノル
(W.Noll)“ヒエミー・ウント・テクノロギー・
デア・シリコン(Chemie und Technologie der
Silicone)”、ワインハイム(Weinheim)、1968
年、第168ページ参照〕。
ンと炭酸水素ナトリウムとからは唯一の有機ケイ
素化合物としてトリオルガノシラノールないしは
ヘキサオルガノジシロキサンが生成する〔ノル
(W.Noll)“ヒエミー・ウント・テクノロギー・
デア・シリコン(Chemie und Technologie der
Silicone)”、ワインハイム(Weinheim)、1968
年、第168ページ参照〕。
本発明による方法において使用されるトリオル
ガノクロルシランは、式; R3SiCl 〔式中、Rは基1個あたり1〜18個の炭素原子を
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
ようなものである。
ガノクロルシランは、式; R3SiCl 〔式中、Rは基1個あたり1〜18個の炭素原子を
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
ようなものである。
基1個あたり1〜18個の炭素原子を有する一価
の炭化水素基としては、アルキル基、たとえばメ
チル−、エチル−、n−プロピル−、n−ブチル
−および第二−ブチル基ならびにオクタデシル
基;シクロアルキル基、たとえばシクロヘキシル
基;1個あたり2〜18個の炭素原子および脂肪族
炭素−炭素−多重結合を有する炭化水素基、たと
えばエチニル−、ビニル−、アリル−およびメタ
リル基が挙げられる。
の炭化水素基としては、アルキル基、たとえばメ
チル−、エチル−、n−プロピル−、n−ブチル
−および第二−ブチル基ならびにオクタデシル
基;シクロアルキル基、たとえばシクロヘキシル
基;1個あたり2〜18個の炭素原子および脂肪族
炭素−炭素−多重結合を有する炭化水素基、たと
えばエチニル−、ビニル−、アリル−およびメタ
リル基が挙げられる。
これらの炭化水素基は、Si−結合塩素および炭
酸水素アルカリに対して不活性の置換基を有する
ことができる。この種の置換炭化水素基の例は、
ハロゲン置換された一価の炭化水素基、たとえば
3−クロルプロピル基、3,3,3−トリフルオ
ロプロピル基、o−,p−およびm−クロルフエ
ニル基ならびにブロモトリル基;炭素原子、水素
原子、エーテル酸素原子およびフツ素原子から構
成された一価の脂肪族基、たとえば1,1,2,
2,3,3−ヘキサフルオロプロピルオキシプロ
ピル基および1,1,2,2−テトラフルオロエ
トキシプロピル基、およびエーテル酸素を唯一つ
の置換基として含有する一価の炭化水素基、たと
えばp−メテキシフエニル基である。
酸水素アルカリに対して不活性の置換基を有する
ことができる。この種の置換炭化水素基の例は、
ハロゲン置換された一価の炭化水素基、たとえば
3−クロルプロピル基、3,3,3−トリフルオ
ロプロピル基、o−,p−およびm−クロルフエ
ニル基ならびにブロモトリル基;炭素原子、水素
原子、エーテル酸素原子およびフツ素原子から構
成された一価の脂肪族基、たとえば1,1,2,
2,3,3−ヘキサフルオロプロピルオキシプロ
ピル基および1,1,2,2−テトラフルオロエ
トキシプロピル基、およびエーテル酸素を唯一つ
の置換基として含有する一価の炭化水素基、たと
えばp−メテキシフエニル基である。
本発明による方法の場合に使用されるトリオル
ガノクロルシランとして特に有利なのは、トリメ
チルクロルシランおよびビニルジメチルクロルシ
ランである。
ガノクロルシランとして特に有利なのは、トリメ
チルクロルシランおよびビニルジメチルクロルシ
ランである。
入手が容易なため、炭酸水素アルカリとしては
炭酸水素ナトリウムが特に有利である。しかし、
たとえば炭酸水素カリウムまたは炭酸水素リチウ
ムも使用することができる。
炭酸水素ナトリウムが特に有利である。しかし、
たとえば炭酸水素カリウムまたは炭酸水素リチウ
ムも使用することができる。
特に、本発明方法においては、炭酸水素アルカ
リは少なくともSi−結合塩素1グラム原子につき
少なくとも1モルの量で、殊にSi−結合塩素1グ
ラム原子につき3〜5モルの量で使用される。
リは少なくともSi−結合塩素1グラム原子につき
少なくとも1モルの量で、殊にSi−結合塩素1グ
ラム原子につき3〜5モルの量で使用される。
アミンとしては、塩化水素を塩化アンモニウム
の形成下に結合するような任意の化合物を使用す
ることができる。
の形成下に結合するような任意の化合物を使用す
ることができる。
アミンとしては、室温で液状でありかつ
150hpa(絶対)で最高50℃の沸点を有するような
アミン、殊にヘキサメチルジシラザンおよびトリ
エチルアミンが有利である。本発明による方法の
場合に使用することのできるアミンのその他の例
は、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピリジ
ン、クロルエチルジメチルアミンおよびn−ブチ
ルアミンである。
150hpa(絶対)で最高50℃の沸点を有するような
アミン、殊にヘキサメチルジシラザンおよびトリ
エチルアミンが有利である。本発明による方法の
場合に使用することのできるアミンのその他の例
は、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピリジ
ン、クロルエチルジメチルアミンおよびn−ブチ
ルアミンである。
本発明による方法の場合に、アミンは好ましく
はSi−結合塩素1グラム原子につき合計少なくと
も1モルの量で、殊にSi−結合塩素1グラム原子
につき3〜5モルの量で使用される。
はSi−結合塩素1グラム原子につき合計少なくと
も1モルの量で、殊にSi−結合塩素1グラム原子
につき3〜5モルの量で使用される。
反応成分に対して不活性の中性溶剤としては、
極性であり、かつ150hpa(絶対)で最高50℃の沸
点を有するようなものが好ましい。これらの溶剤
は、たとえばジクロルメタンのような極性ハロゲ
ン化炭化水素またはジエチルエーテルのようなエ
ーテルであつてもよい。殊に取扱いが容易なた
め、トリオルガノクロルシランと炭酸水素アルカ
リおよびアミンとの反応を実施する場合の溶剤と
してはジクロルメタンが特に好ましい。
極性であり、かつ150hpa(絶対)で最高50℃の沸
点を有するようなものが好ましい。これらの溶剤
は、たとえばジクロルメタンのような極性ハロゲ
ン化炭化水素またはジエチルエーテルのようなエ
ーテルであつてもよい。殊に取扱いが容易なた
め、トリオルガノクロルシランと炭酸水素アルカ
リおよびアミンとの反応を実施する場合の溶剤と
してはジクロルメタンが特に好ましい。
特に、反応成分に対して不活性の中性溶剤は、
それぞれ使用されるトリオルガノクロルシランの
重量に対して100〜1200重量%の量で使用される。
それぞれ使用されるトリオルガノクロルシランの
重量に対して100〜1200重量%の量で使用される。
トリオルガノクロルシランと炭酸水素アルカリ
およびアミンとの反応は、反応物の混合によるか
ないしは反応物の混合の際に行なわれる。特に、
反応は10〜50℃および環境大気の圧力で、すなわ
ち1020hpa(絶対)または約1020hpa(絶対)で実
施される。
およびアミンとの反応は、反応物の混合によるか
ないしは反応物の混合の際に行なわれる。特に、
反応は10〜50℃および環境大気の圧力で、すなわ
ち1020hpa(絶対)または約1020hpa(絶対)で実
施される。
トリオルガノクロルシランと炭酸水素アルカリ
およびアミンとを、反応成分に対して不活性の中
性溶剤中で反応させることによつて得られた混合
物から塩化アンモニウムを除去するためには、こ
の混合物を有利には反応生成物に対して不活性の
中性非極性溶剤と混合して、塩化アンモニウムを
できるだけ完全に沈殿させるようにし、次いでこ
れを濾別、デカント除去または遠心分離する。こ
の場合に非極性溶剤としては、150hPa(絶対)で
最高50℃の沸点を有する炭化水素、特にn−ヘキ
サンが有利である。
およびアミンとを、反応成分に対して不活性の中
性溶剤中で反応させることによつて得られた混合
物から塩化アンモニウムを除去するためには、こ
の混合物を有利には反応生成物に対して不活性の
中性非極性溶剤と混合して、塩化アンモニウムを
できるだけ完全に沈殿させるようにし、次いでこ
れを濾別、デカント除去または遠心分離する。こ
の場合に非極性溶剤としては、150hPa(絶対)で
最高50℃の沸点を有する炭化水素、特にn−ヘキ
サンが有利である。
特に非極性溶剤は、それを使用する場合には、
所望のオルガノシリルカーボネートを製造するた
めに使用されるトリオルガノクロルシランの重量
に対して100〜1000重量%の量で使用される。
所望のオルガノシリルカーボネートを製造するた
めに使用されるトリオルガノクロルシランの重量
に対して100〜1000重量%の量で使用される。
トリオルガノクロルシランと炭酸水素アルカリ
およびアミンとを反応成分に対して不活性の中性
溶剤中で反応させることによつて得られた混合物
からの塩化アンモニウムの除去も、特に10〜50℃
および環境大気の圧力、すなわち1020hPa(絶対)
または約1020hPa(絶対)で実施される。
およびアミンとを反応成分に対して不活性の中性
溶剤中で反応させることによつて得られた混合物
からの塩化アンモニウムの除去も、特に10〜50℃
および環境大気の圧力、すなわち1020hPa(絶対)
または約1020hPa(絶対)で実施される。
所望のオルガノシリルカーボネートの単離は有
利に、溶剤、過剰のアミンおよび所望のオルガノ
シリルカーボネートよりも低い沸点を有する他の
物質を、高くとも50℃および高くとも150hPa(絶
対)で蒸発し去ることによつて行なわれる。
利に、溶剤、過剰のアミンおよび所望のオルガノ
シリルカーボネートよりも低い沸点を有する他の
物質を、高くとも50℃および高くとも150hPa(絶
対)で蒸発し去ることによつて行なわれる。
特に、本発明による方法では水の侵入はできる
かぎり遮断される。
かぎり遮断される。
本発明によつて製造されたオルガノシリルカー
ボネートは、たとえば熱分解法により製造された
二酸化ケイ素を疎水性化するためまたはアミノ酸
をシリル化する〔ヤマモト(Y.Yamamoto)お
よび協力者、“ジヤーナル・オブ・オルガニツ
ク・ケミストリー(Journal of Organic
Chemistry)”第38巻、第14号(1973年)第2521
〜2525ページ参照〕のために使用することができ
る。
ボネートは、たとえば熱分解法により製造された
二酸化ケイ素を疎水性化するためまたはアミノ酸
をシリル化する〔ヤマモト(Y.Yamamoto)お
よび協力者、“ジヤーナル・オブ・オルガニツ
ク・ケミストリー(Journal of Organic
Chemistry)”第38巻、第14号(1973年)第2521
〜2525ページ参照〕のために使用することができ
る。
実施例
例 1
(a) 撹拌機、滴下漏斗、温度計および還流冷却器
を備えたフラスコ中の、炭酸水素ナトリウム
(純度:NaHCO3少なくとも99.5重量%)134
g、無水トリエチルアミン162gおよびジクロ
ルメタン(純度:CH2Cl2少なくとも99.5重量
%)100gからなる混合物に、撹拌下にかつ水
の遮断下に、ジクロメタン(純度:CH2Cl2少
なくとも99.5重量%)40g中のトリエチルクロ
ルシラン43.6gの溶液を30分間に滴下する。そ
の際、フラスコ内部の温度は約40℃に上昇す
る。中性溶剤中のシランの添加が終了した後
に、なお2時間撹拌し、その際、フラスコ内部
は室温に冷却される。こうして得られた混合物
の1試料の有機ケイ素子化合物は、1H−核磁気
共鳴スペクトルに基づき、81モル%がビス−
(トリメチルシリル)−カーボネートからなり、
19モル%がヘキサメチルジシロキサンからな
る。
を備えたフラスコ中の、炭酸水素ナトリウム
(純度:NaHCO3少なくとも99.5重量%)134
g、無水トリエチルアミン162gおよびジクロ
ルメタン(純度:CH2Cl2少なくとも99.5重量
%)100gからなる混合物に、撹拌下にかつ水
の遮断下に、ジクロメタン(純度:CH2Cl2少
なくとも99.5重量%)40g中のトリエチルクロ
ルシラン43.6gの溶液を30分間に滴下する。そ
の際、フラスコ内部の温度は約40℃に上昇す
る。中性溶剤中のシランの添加が終了した後
に、なお2時間撹拌し、その際、フラスコ内部
は室温に冷却される。こうして得られた混合物
の1試料の有機ケイ素子化合物は、1H−核磁気
共鳴スペクトルに基づき、81モル%がビス−
(トリメチルシリル)−カーボネートからなり、
19モル%がヘキサメチルジシロキサンからな
る。
(b) 前記(a)項に記載したようにして製造された混
合物を無水n−ヘキサン100gと混合し、乾燥
窒素下に濾過する。濾液から、室温および
10hPa(絶対)までの圧力で、ビス−(トリメチ
ルシリル)−カーボネートよりも低い沸点の物
質を留去し、その際残分としてビス−(トリメ
チルシリル)−カーボネートが56.6gの量で得
られる。
合物を無水n−ヘキサン100gと混合し、乾燥
窒素下に濾過する。濾液から、室温および
10hPa(絶対)までの圧力で、ビス−(トリメチ
ルシリル)−カーボネートよりも低い沸点の物
質を留去し、その際残分としてビス−(トリメ
チルシリル)−カーボネートが56.6gの量で得
られる。
例 2
(a) 撹拌機、滴下漏斗、温度計および還流冷却器
を備えたフラスコ中の、炭酸水素カリウム(純
度:KHCO3少なくとも99.5重量%)11.9g、
無水トリエチルアミン16.2g、およびジクロル
メタン(純度:CH2Cl2少なくとも99.5重量%)
10gからなる混合物に、撹拌下にかつ水の遮断
下に、ジクロルメタン(純度:CH2Cl2少なく
とも99.5重量%)5g中のトリメチルクロルシ
ラン4.4gの溶液を5分間に滴加する。その際、
フラスコ内部の温度は約30℃に上昇する。中性
溶剤中のシランの添加が終了した後に、なお2
時間撹拌し、その際フラスコ内部は室温に冷却
される。こうして得られた混合物の1試料の有
機ケイ素子化合物は、1H−核磁気共鳴スペクト
ルに基づき、65モル%がビス−(トリメチルシ
リル)−カーボネートからなり、35モル%がヘ
キサメチルジシロキサンからなる。
を備えたフラスコ中の、炭酸水素カリウム(純
度:KHCO3少なくとも99.5重量%)11.9g、
無水トリエチルアミン16.2g、およびジクロル
メタン(純度:CH2Cl2少なくとも99.5重量%)
10gからなる混合物に、撹拌下にかつ水の遮断
下に、ジクロルメタン(純度:CH2Cl2少なく
とも99.5重量%)5g中のトリメチルクロルシ
ラン4.4gの溶液を5分間に滴加する。その際、
フラスコ内部の温度は約30℃に上昇する。中性
溶剤中のシランの添加が終了した後に、なお2
時間撹拌し、その際フラスコ内部は室温に冷却
される。こうして得られた混合物の1試料の有
機ケイ素子化合物は、1H−核磁気共鳴スペクト
ルに基づき、65モル%がビス−(トリメチルシ
リル)−カーボネートからなり、35モル%がヘ
キサメチルジシロキサンからなる。
(b) 前記(a)項に記載されたようにして製造された
混合物を無水n−ヘキサン200gと混合し、乾
燥窒素下に濾過する。濾液から室温および
10hPa(絶対)までの圧力で、ビス−(トリメチ
ルシリル)−カーボネートよりも低い沸点の物
質を留去し、その際残分としてビス−(トリメ
チルシリル)−カーボネートが3.3gの量で得ら
れる。
混合物を無水n−ヘキサン200gと混合し、乾
燥窒素下に濾過する。濾液から室温および
10hPa(絶対)までの圧力で、ビス−(トリメチ
ルシリル)−カーボネートよりも低い沸点の物
質を留去し、その際残分としてビス−(トリメ
チルシリル)−カーボネートが3.3gの量で得ら
れる。
例 3
(a) 撹拌機、滴下漏斗、温度計および還流冷却器
を備えたフラスコ中の、炭酸水素ナトリウム
(純度:NaHCO3少なくとも99.5重量%)67.2
g、無水トリエチルアミン162gおよびジクロ
ルメタン(純度:CH2Cl2少なくとも99.5重量
%)100gからなる混合物に、撹拌下にかつ水
の遮断下に、ジクロルメタン(純度:少なくと
も99.5重量%)24g中のビニルジメチルクロル
シラン24.1gの溶液を15分間に滴加する。中性
溶剤中のシランの添加が終了した後に、なお
3.5時間撹拌し、その後、こうして得られた混
合物の1試料の有機ケイ素化合物は、1H−核磁
気共鳴スペクトルに基づき、55モル%がビス−
(ビニルジメチルシリル)−カーボネートからな
り、45モル%が、1,3ジビニル−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサンからなる。
を備えたフラスコ中の、炭酸水素ナトリウム
(純度:NaHCO3少なくとも99.5重量%)67.2
g、無水トリエチルアミン162gおよびジクロ
ルメタン(純度:CH2Cl2少なくとも99.5重量
%)100gからなる混合物に、撹拌下にかつ水
の遮断下に、ジクロルメタン(純度:少なくと
も99.5重量%)24g中のビニルジメチルクロル
シラン24.1gの溶液を15分間に滴加する。中性
溶剤中のシランの添加が終了した後に、なお
3.5時間撹拌し、その後、こうして得られた混
合物の1試料の有機ケイ素化合物は、1H−核磁
気共鳴スペクトルに基づき、55モル%がビス−
(ビニルジメチルシリル)−カーボネートからな
り、45モル%が、1,3ジビニル−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサンからなる。
(b) 前記(a)項に記載されたようにして製造された
混合物を無水のn−ヘキサン500gと混合し、
乾燥窒素下に濾過する。濾液から、50℃および
10hPa(絶対)までの圧力で、ビス−(ビニルジ
メチルシリル)−カーボネートよりも低い沸点
の物質を留去し、その際残分としてビス−(ビ
ニルジメチルシリル)−カーボネートは、澄明
な帯黄色の油状物として得られる。
混合物を無水のn−ヘキサン500gと混合し、
乾燥窒素下に濾過する。濾液から、50℃および
10hPa(絶対)までの圧力で、ビス−(ビニルジ
メチルシリル)−カーボネートよりも低い沸点
の物質を留去し、その際残分としてビス−(ビ
ニルジメチルシリル)−カーボネートは、澄明
な帯黄色の油状物として得られる。
例 4
(a) 撹拌機、滴下漏斗、温度計および還流冷却器
を備えたフラスコ中の炭酸水素ナトリウム(純
度:NaHCO3少なくとも99.5重量%)672g、
ジクロルメタン(純度:少なくとも99.5重量
%)1780gおよびヘキサメチルジシラザン966
gからなる混合物に、撹拌下にかつ水の遮断下
に、ジクロメタン(純度:CH2Cl2少なくとも
99.5重量%)220g中のトリエチルクロルシラ
ン217gの溶液を90分間に滴加した。中性溶剤
中のシランの添加が終了した後に、なお45時間
撹拌し、次いで乾燥窒素下に濾過する。濾液か
ら、30℃および10hPa(絶対)までの圧力で、
ビス−(トリエチル)−カーボネートよりも低い
沸点の物質を留去し、その際残分としてビス−
(トリメチルシリル)−カーボネートが370g
(理論値の重量%)の量で得られる。
を備えたフラスコ中の炭酸水素ナトリウム(純
度:NaHCO3少なくとも99.5重量%)672g、
ジクロルメタン(純度:少なくとも99.5重量
%)1780gおよびヘキサメチルジシラザン966
gからなる混合物に、撹拌下にかつ水の遮断下
に、ジクロメタン(純度:CH2Cl2少なくとも
99.5重量%)220g中のトリエチルクロルシラ
ン217gの溶液を90分間に滴加した。中性溶剤
中のシランの添加が終了した後に、なお45時間
撹拌し、次いで乾燥窒素下に濾過する。濾液か
ら、30℃および10hPa(絶対)までの圧力で、
ビス−(トリエチル)−カーボネートよりも低い
沸点の物質を留去し、その際残分としてビス−
(トリメチルシリル)−カーボネートが370g
(理論値の重量%)の量で得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式: R3SiOCOOSiR3 〔式中、Rは基1個あたり1〜18個の炭素原子を
有する同じかまたは異なる一価の、場合によつて
置換されている炭化水素基を表わす〕で示される
オルガノシリルカーボネートを製造する方法にお
いて、式; R3SiCl 〔式中、Rは前記のものを表わす〕で示されるト
リオルガノクロルシランと炭酸水素アルカリおよ
びアミンとを、反応成分に対して不活性の中性溶
液中で反応させ、その際アミンとして塩化水素を
塩化アンモニウムの形成下に結合するようなアミ
ンを使用し、こうして得られた混合物から塩化ア
ンモニウムを除去し、かつ塩化物を除去した混合
物からオルガノシリルカーボネートを単離するこ
とを特徴とする、オルガノシリルカーボネートの
製造方法。 2 トリオルガノクロルシランとして、トリメチ
ルクロルシランを使用する、特許請求の範囲1項
記載の方法。 3 トリオルガノクロルシランとして、ビニルジ
メチルクロルシランを使用する、特許請求の範囲
第1項記載の方法。 4 炭酸水素アルカリとして炭酸水素ナトリウム
を使用する、特許請求の範囲第1項から第3項ま
でのいずれか1項に記載の方法。 5 炭酸水素アルカリを、Si−結合塩素1グラム
原子につき3〜5モルの量で使用する、特許請求
の範囲第1項から第4項までのいずれか1項に記
載の方法。 6 アミンとしてヘキサメチルジシラザンまたは
トリエチルアミンを使用する、特許請求の範囲第
1項から第5項までのいずれか1項に記載の方
法。 7 アミンを、Si−結合塩素1グラム原子につき
3〜5モルの量で使用する、特許請求の範囲第1
項から第6項までのいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3508363.8 | 1985-03-08 | ||
| DE19853508363 DE3508363A1 (de) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | Verfahren zur herstellung von organosilylcarbonaten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207393A JPS61207393A (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0129799B2 true JPH0129799B2 (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=6264666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61048742A Granted JPS61207393A (ja) | 1985-03-08 | 1986-03-07 | オルガノシリルカーボネートの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675425A (ja) |
| EP (1) | EP0198205B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61207393A (ja) |
| AT (1) | ATE43600T1 (ja) |
| DE (2) | DE3508363A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004052060A1 (de) * | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Henkel Kgaa | Silylcarbonat-und/oder -carbamat-haltiges Mittel zum gleichzeitigen Färben und Aufhellen von keratinhaltigen Fasern |
| DE102004052052A1 (de) * | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Henkel Kgaa | Blondiermittel mit Silylcarbonat(en) und/oder Silylcarbamat(en) |
| CN101362777B (zh) * | 2008-09-25 | 2011-07-20 | 江苏宏达新材料股份有限公司 | 一种六甲基二硅氧烷的制备方法 |
| CN114573628B (zh) * | 2022-04-13 | 2024-10-18 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 胺基硅烷的制备系统和方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2566347A (en) * | 1946-04-17 | 1951-09-04 | Montclair Res Corp | Silicon acylates |
| FR2148772A5 (en) * | 1971-08-03 | 1973-03-23 | Rhone Poulenc Sa | Organo silyl carbonates - prepd by reaction of a tri organo silane with a carbonic ester |
-
1985
- 1985-03-08 DE DE19853508363 patent/DE3508363A1/de not_active Withdrawn
- 1985-11-25 US US06/801,185 patent/US4675425A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-03-07 DE DE8686103070T patent/DE3663665D1/de not_active Expired
- 1986-03-07 EP EP86103070A patent/EP0198205B1/de not_active Expired
- 1986-03-07 AT AT86103070T patent/ATE43600T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-03-07 JP JP61048742A patent/JPS61207393A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JPS61207393A (ja) | 1986-09-13 |
| ATE43600T1 (de) | 1989-06-15 |
| US4675425A (en) | 1987-06-23 |
| DE3508363A1 (de) | 1986-09-11 |
| EP0198205B1 (de) | 1989-05-31 |
| EP0198205A1 (de) | 1986-10-22 |
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