JPH01298007A - Production of oxide-based superconductor - Google Patents
Production of oxide-based superconductorInfo
- Publication number
- JPH01298007A JPH01298007A JP63127933A JP12793388A JPH01298007A JP H01298007 A JPH01298007 A JP H01298007A JP 63127933 A JP63127933 A JP 63127933A JP 12793388 A JP12793388 A JP 12793388A JP H01298007 A JPH01298007 A JP H01298007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- layer
- oxide
- superconductor layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、ジョセフソン素子等の超電導回路材や、各
種超電導機器用の超電導材として使用される超電導体の
製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a method for manufacturing a superconductor used as a superconducting circuit material such as a Josephson element or a superconducting material for various superconducting devices.
「従来技術とその課題」
近時、常電導状態から超電導状態に遷(多する臨界温度
(Tc)が液体窒素温度以上の高い値を示す酸化物系超
電導体が種々発見されている。"Prior Art and its Problems" Recently, various oxide-based superconductors have been discovered that exhibit a critical temperature (Tc) higher than the liquid nitrogen temperature when transitioning from a normal conducting state to a superconducting state.
そして、このような酸化物系超電導材料からなる超電導
体を製造する方法として、例えばCVD法(化学気相蒸
着法)やPVD法(物理的蒸着法)によって基板上に超
電導体層を形成する方法が知られている。ところが、こ
れらCVD法やPVD法では層の生成速度が遅く、例え
ばケーブル導体を作製する場合などに適用するのは実用
的でないといった問題がある。As a method for manufacturing a superconductor made of such an oxide-based superconducting material, for example, a method of forming a superconductor layer on a substrate by a CVD method (chemical vapor deposition method) or a PVD method (physical vapor deposition method) is used. It has been known. However, these CVD methods and PVD methods have a problem in that the layer formation speed is slow and it is not practical to apply them to, for example, the production of cable conductors.
また、超電導体層の生成速度が早い方法として、プラズ
マ溶射による方法ら考えられるか、この方法では生成さ
れた超電導体層が緻密な構造とならず、例えばY −B
a−Cu−0系の酸化物系超電導体を製造する場合に
優れた超電導特性を有する酸素欠損型ペロブスカイト構
造のものが十分生成されないといった問題がある。In addition, as a method for producing a superconductor layer at a high speed, a method using plasma spraying may be considered.With this method, the superconductor layer produced does not have a dense structure, for example, Y-B
When manufacturing an a-Cu-0 based oxide superconductor, there is a problem in that an oxygen-deficient perovskite structure having excellent superconducting properties is not sufficiently produced.
「課題を解決するための手段」
そこで本発明の請求項、1に記載した酸化物系超電導体
の製造方法では、プラズマ溶射法により基板上に酸化物
系の超電導体層を形成し、かつこれと同時に、上記基板
上に形成されつつある超電導体層に酸素プラズマガスを
照射しつつ該超電導体層を熱処理することによって上記
課題を解決した。"Means for Solving the Problem" Therefore, in the method for manufacturing an oxide-based superconductor described in claim 1 of the present invention, an oxide-based superconductor layer is formed on a substrate by a plasma spraying method, and At the same time, the above problem was solved by heat-treating the superconductor layer being formed on the substrate while irradiating the superconductor layer with oxygen plasma gas.
また、本発明の請求項2に記載した酸化物系超電導体の
製造方法では、プラズマ溶射法により基板上に酸化物系
の超電導体層を形成し、かつこれと同時に、上記基板上
に形成されつつある超7[導体層に電子リッチな雰囲気
を介して酸素プラズマガスを照射しつつ該超電導体層を
熱処理することによって上記課題を解決した。Further, in the method for manufacturing an oxide superconductor according to claim 2 of the present invention, an oxide superconductor layer is formed on a substrate by a plasma spraying method, and at the same time, an oxide superconductor layer is formed on the substrate. The above problem was solved by heat-treating the superconductor layer while irradiating the conductor layer with oxygen plasma gas through an electron-rich atmosphere.
以下、この発明の請求項1に記載した酸化物系超電導体
の製造方法の一例を図面を利用して詳しく説明する。Hereinafter, an example of the method for producing an oxide-based superconductor according to claim 1 of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
まず、第1図に示すように基板lを用意し、この基板l
を予備加熱して400〜550℃に昇温せしめた後、そ
の表面に減圧下にてプラズマ溶射法により超電導体層2
を形成する。ここで基板1としては、単体金属、合金、
セラミック、ガラスなどが用いられる。また、超電導体
とは、一般式A −B −Cu−0(ただし、AはY、
Sc、La、Yb、Er。First, as shown in FIG. 1, prepare the substrate l, and
The superconductor layer 2 is preheated to 400 to 550°C, and then a superconductor layer 2 is deposited on its surface by plasma spraying under reduced pressure.
form. Here, as the substrate 1, a single metal, an alloy,
Ceramic, glass, etc. are used. In addition, a superconductor has the general formula A -B -Cu-0 (where A is Y,
Sc, La, Yb, Er.
Ho、Dy等の周期律表第111a族元素、13i、S
b等の周期律表第vb族元素およびT1.In等の周期
律表第mb族元索のうち1種以上を示し、BはSr。Group 111a elements of the periodic table such as Ho, Dy, 13i, S
Group Vb elements of the periodic table such as T1. B represents one or more of the elements of group mb of the periodic table, such as In, and B represents Sr.
Ba、Ca等の周期律表第Ha族元素のうち1種以」二
を示す。)として表される酸化物系超電導体をいう。な
お、このような超電導体として具体的なものを例示する
と、Y −B a−Cu−0系、B i−5r−Ca−
Cu−0系、T IB a−Ca−9r−Cu−0系、
Nd−5r) Ce−Cu−0系などである。Indicates one or more elements of group Ha of the periodic table, such as Ba and Ca. ) refers to an oxide-based superconductor expressed as Specific examples of such superconductors include Y-Ba-Cu-0 series, Bi-5r-Ca-
Cu-0 system, TIB a-Ca-9r-Cu-0 system,
Nd-5r) Ce-Cu-0 system, etc.
上記プラズマ溶射法とは、例えば溶射カン3を用いこれ
から超電導体粉末の溶融物を吐出して吹き付ける方法で
あり、直流アークとプラズマガスとの熱交換によって生
ずる直流プラズマ中、あるいは高周波誘導によって生成
した高周波プラズマガス中に搬送ガスにより超電導体の
粉末を導入し、該粉末を溶融せしめて基板i上に吹き付
ける方法である。ここで、搬送ガスとしては酸素が好適
イこ用いられるが、他にアルゴン、窒素等の不活性ガス
等を用いることもできる。また、上記超電導体の粉末の
作製法としては、例えばY −B a−Cu−0系の超
電導体を作製する場合、Y、03粉末とBa−CO3粉
末とCuO粉末とをY :Ba:Cu= l :2 :
3(モル比)となるように混合し、仮焼成、粉砕、本焼
成、粉砕等の処理を順次施してY+BapCUs−Ox
(ただし、x=7−δ、0≦δ≦5 )の組成比で表さ
れる超電導粉末を得る方法や、上記一般式におけるA
、B 、C元素を含む有機化合物をそれぞれ気相源とし
、これらを所望する比となるようにして高熱により瞬時
に熱分解して気相源中の有機物を焼失せしめ、材料中の
A 、B 、C元素を高熱中で励起せしめてガス化し、
さらに昇華させ加熱粉砕して超電導粉末とする方法など
が採用される。The above-mentioned plasma spraying method is a method in which a molten superconductor powder is ejected and sprayed using a spray can 3, for example. This method involves introducing superconductor powder into high-frequency plasma gas using a carrier gas, melting the powder, and spraying it onto the substrate i. Here, oxygen is preferably used as the carrier gas, but other inert gases such as argon and nitrogen can also be used. In addition, as a method for producing the above-mentioned superconductor powder, for example, when producing a Y-Ba-Cu-0 based superconductor, Y,03 powder, Ba-CO3 powder, and CuO powder are mixed into Y:Ba:Cu powder. =l:2:
Y+BapCUs-Ox
(However, x = 7 - δ, 0≦δ≦5) How to obtain superconducting powder expressed by the composition ratio, and A in the above general formula.
, B, and C elements are used as a gas phase source, and the organic compounds in the gas phase source are instantaneously decomposed by high heat in a desired ratio to burn out the organic substances in the gas phase source, and the A, B, and B elements in the material are , excite C element in high heat and gasify it,
Further, methods such as sublimation, heating and pulverization to produce superconducting powder are adopted.
さらに、上記処理時における減圧条件としては100T
orr以下程度が好適とされ、その減圧雰囲気として
は酸素雰囲気が好適とされる。Furthermore, the pressure reduction condition during the above treatment was 100T.
orr or less is preferable, and an oxygen atmosphere is preferable as the reduced pressure atmosphere.
また、このような超電導体層2の形成と同時に、基板1
上に形成されつつある超電導体層2に減圧下にて酸素プ
ラズマガス供給源4より酸素プラズマガスを照射し、か
つ該超電導体層2に熱処理を施す。この場合に酸素プラ
ズマガスを作製する方法としては、直流アーク放電を用
いる方法や高周波プラズマを用いる方法などが採用され
る。Further, at the same time as forming such a superconductor layer 2, the substrate 1 is
The superconductor layer 2 being formed thereon is irradiated with oxygen plasma gas from the oxygen plasma gas supply source 4 under reduced pressure, and the superconductor layer 2 is subjected to heat treatment. In this case, as a method for producing oxygen plasma gas, a method using direct current arc discharge, a method using high frequency plasma, etc. are adopted.
直流アーク放電を用いる方法は、第2図に示すように陰
極5と陽極6との間を減圧状態に保つとともにこれらの
間に直流電圧を印加してアーク放電を起こし、該放W箇
所Aに酸素管7より酸素を通気し、酸素を上記アークと
で熱交換させてプラズマ化せしめ、これを減圧下におい
て上述した基板1.の超電導体層2に照射する方法であ
る。In the method using DC arc discharge, as shown in Fig. 2, a vacuum is maintained between the cathode 5 and the anode 6, and a DC voltage is applied between them to cause arc discharge. Oxygen is vented through the oxygen tube 7, and the oxygen is heat-exchanged with the arc to form plasma, which is then heated under reduced pressure to the substrate 1 described above. This is a method of irradiating the superconductor layer 2.
高周波プラズマを用いる方法は、第3図に示すように石
英管8内を減圧下に保つとともに該石英管8内に酸素を
通気し、かっこの石英管8に巻回した高周波コイル9に
図示略の高周波電源を接続し高周波電磁誘導によって石
英管8内の酸素をプラズマ状にし、これを減圧下におい
て上述した基板1の超電導体層2に照射する方法である
。As shown in FIG. 3, the method using high-frequency plasma involves keeping the inside of the quartz tube 8 under reduced pressure and aerating oxygen into the quartz tube 8, and then installing a high-frequency coil 9 (not shown) wound around the quartz tube 8 in parentheses. In this method, a high-frequency power source is connected, oxygen in the quartz tube 8 is turned into plasma by high-frequency electromagnetic induction, and the plasma is irradiated onto the superconductor layer 2 of the substrate 1 described above under reduced pressure.
さらに、このような酸素プラズマガスの照射処理と同時
に行う超電導体層2の熱処理の加熱温度としては、20
0〜150°C作度とされ、酸素プラズマガスの照射お
よび加熱の処理時間としては2〜5時間程度とされる。Furthermore, the heating temperature for the heat treatment of the superconductor layer 2, which is carried out simultaneously with such oxygen plasma gas irradiation treatment, is 20
The cropping rate is 0 to 150°C, and the treatment time for oxygen plasma gas irradiation and heating is about 2 to 5 hours.
また、加熱方法としては加熱炉中にて熱処理する他、ヒ
ーター等による外部からの熱放射加熱法などを採用する
ことができる。Further, as a heating method, in addition to heat treatment in a heating furnace, heat radiation heating method from the outside using a heater or the like can be adopted.
このような酸化物系超電導体の製造方法によれば、プラ
ズマ溶射法により超電導体層2を形成するので、従来の
CVD法やPVD法に比較してその生成速度が洛段に早
くなり、生産性が向上する。According to this method of manufacturing an oxide-based superconductor, the superconductor layer 2 is formed by plasma spraying, so the production speed is much faster than that of conventional CVD or PVD methods, and production is much faster. Improves sex.
また、超電導体層2の形成と同時に酸素プラズマガスを
照射することによってプラズマ状に励起された酸素が超
電導体層2に照射されるので、超電導体層2中に酸素が
十分供給され、よって超電導体層2は、熱処理されるこ
とにより酸素欠損型ペロブスカイト構造をaする超電導
体になるととらに、その結晶内に酸素が十分取り込まれ
るため、結晶中から酸素が抜は出て結晶構造か変化し、
超電導特性が低下するといった不都合か防止される。Furthermore, since the superconductor layer 2 is irradiated with plasma-excited oxygen by irradiating the oxygen plasma gas at the same time as the formation of the superconductor layer 2, oxygen is sufficiently supplied into the superconductor layer 2, thereby increasing the superconductivity. When the body layer 2 is heat-treated, it becomes a superconductor with an oxygen-deficient perovskite structure, and since enough oxygen is taken into the crystal, oxygen is extracted from the crystal and the crystal structure changes. ,
Inconveniences such as deterioration of superconducting properties are prevented.
さらに、超電導体層2の形成と同時に酸素プラズマガス
を照射しつつ熱処理を行うので、超電導体層2の形成と
そのアニール処理とが同時に行われ、よって生産性が向
上するとともに、アニール処理の条件が従来に比較して
低温・短時間となる。Furthermore, since the heat treatment is performed while irradiating oxygen plasma gas at the same time as the formation of the superconductor layer 2, the formation of the superconductor layer 2 and its annealing treatment are performed at the same time, which improves productivity and improves the conditions for the annealing treatment. is lower and takes a shorter time than before.
また、酸素プラズマガスの発生・照射を減下下にて行う
ことにより、酸素プラズマガスや酸素イオンの生成速度
が早まり、かつその飛行速度が高まるので、より高度な
確率で超電導体の結晶内に取り込まれ、よって十分量の
酸素供給を短時間にて行うことができる。In addition, by generating and irradiating oxygen plasma gas at a reduced rate, the production rate of oxygen plasma gas and oxygen ions is accelerated, and their flight speed is increased, so there is a higher probability that they will be absorbed into the superconductor crystal. Therefore, a sufficient amount of oxygen can be supplied in a short time.
次に、本発明の請求項2に記載した酸化物系超電導体の
製造方法を特徴する
請求項2に記載した製造方法が先の請求項1に記載した
製造方法と異なるところは、形成されつつある超電導体
層2に酸素プラズマガスを照射するにあたり、該酸素プ
ラズマガスを電子リッチな雰囲気に通過せしめて照射す
る点にある。Next, the difference between the manufacturing method described in claim 2, which is characterized by the manufacturing method of an oxide-based superconductor according to claim 2 of the present invention, from the manufacturing method described in claim 1 is that When a certain superconductor layer 2 is irradiated with oxygen plasma gas, the oxygen plasma gas is passed through an electron-rich atmosphere and irradiated with the oxygen plasma gas.
プラズマ溶射法による超電導体層2の形成と同時に、基
板I」二に形成されつつある超電導体層2に減圧下にて
酸素プラズマガス供給源4から酸素プラズマガスを照射
しかつ熱処理を施すが、その際、酸素プラズマガスを第
1図ウニ点鎖線で示す電子リッチな雰囲気Eに通過せし
める。ここで、電子リッチな雰囲気Eを作製するには、
例えば第1図に示すようにヒーターIOにより加熱して
熱電子を陰極Ii上に大量に発生させ、これらを対向4
−る陽極12に向かって走行させることにより電rリン
チな雰囲気のエレクトロンノヤワー13を形成する。そ
して、上記の酸素プラズマガスをエレクトロンノヤワー
13中に通気し、さらに通過さけて1に仮1の超電導体
層2に照射すれば、酸素プラズマガスはエレクトロンシ
ャワー13中を通過することにより、酸素分子がイオン
化して超電導体層2に衝突する。なお、第4図に示した
例では、エレクトロンノヤワー13の発生方法として熱
電子を放出する例を示したか、他に例えば光電子を放出
する方法なとを採用してもよい。Simultaneously with the formation of the superconductor layer 2 by the plasma spraying method, the superconductor layer 2 being formed on the substrate I'2 is irradiated with oxygen plasma gas from the oxygen plasma gas supply source 4 under reduced pressure and subjected to heat treatment. At this time, the oxygen plasma gas is passed through an electron-rich atmosphere E shown by the dashed line in FIG. Here, to create an electron-rich atmosphere E,
For example, as shown in FIG.
By causing the electrons to travel toward the anode 12, an electron shower 13 with an electric atmosphere is formed. Then, the above oxygen plasma gas is passed through the electron shower 13 and is irradiated onto the temporary superconductor layer 2 while avoiding the passage of the oxygen plasma gas. The molecules are ionized and collide with the superconductor layer 2. In the example shown in FIG. 4, the method of generating the electron shower 13 is to emit thermoelectrons, but other methods such as emitting photoelectrons may be adopted.
このような製造方法によれば、エレクトロンノヤワー1
3中を通過することによりイオン化されて励起しfこ酸
素イオンを超電導体層2に衝突せしめるので、照射した
酸素プラズマガス中の個々の原子が超電導体層2との反
応に関与してその結晶内に取り込まれ、よって超電導体
層2は、熱処理されることにより酸素欠損型ペロブスカ
イト構造をaする超電導体になる。According to such a manufacturing method, Electron Noah 1
3, the oxygen ions are ionized and excited and collide with the superconductor layer 2, so that the individual atoms in the irradiated oxygen plasma gas participate in the reaction with the superconductor layer 2, forming crystals. Therefore, the superconductor layer 2 becomes a superconductor having an oxygen-deficient perovskite structure by being heat-treated.
また、エレクトロンシャワー13中を通過させて酸素プ
ラズマを照射することにより、超電導体層2と励起した
酸素イオンとの反応・結合が大幅に促進されるので、熱
処理条件が従来に比較して低温・短時間となる。In addition, by passing through the electron shower 13 and irradiating oxygen plasma, the reaction and bonding between the superconductor layer 2 and the excited oxygen ions is greatly promoted, so the heat treatment conditions are lower and lower than in the past. It will be a short time.
なお、上記例においては、超電導体として基板上に形成
したこれらの薄膜層を用い、酸素プラズマガスを照射し
つつ熱処理を行ったが、超電導体として他にバルク状な
ど所望する形状に成形したらのを用いてらよく、またテ
ープ状のJλ体表面に薄膜層として形成したものを用い
てらよく、さらには金属被覆層を有する超電導線から金
属被覆凶を除去し、露出した超電導体からなる芯線を用
いてらよい。In the above example, these thin film layers formed on a substrate were used as superconductors, and heat treatment was performed while irradiating oxygen plasma gas. Alternatively, a thin film layer formed on the surface of a tape-shaped Jλ body may be used.Furthermore, the metal coating layer may be removed from a superconducting wire having a metal coating layer, and a core wire made of the exposed superconductor may be used. It's good.
「発明の効果」
以上説明したように、本発明における請求項Iに記載し
た酸化物系超電導体の製造方法は、プラズマ溶射法によ
り基板上に酸化物系の超電導体層を形成し、かつこれと
同時に、上記基板」二に形成されつつある超電導体層に
酸素プラズマガスを照射しつつ該超電導体層を熱処理す
るものであるから、プラズマ溶射法により超電導体層を
形成するので、従来のCVD法やPVD法に比較してそ
の生成速度が格段に早くなり、生産性が著しく向上する
。"Effects of the Invention" As explained above, the method for producing an oxide-based superconductor according to claim I of the present invention forms an oxide-based superconductor layer on a substrate by a plasma spraying method, and At the same time, since the superconductor layer being formed on the substrate is heat-treated while irradiating the superconductor layer with oxygen plasma gas, the superconductor layer is formed by a plasma spraying method, which is different from conventional CVD. The production speed is much faster than that of the PVD method or the PVD method, and productivity is significantly improved.
また、超電導体層中に酸素を十分供給することができ、
よって超電導体層をその結晶内に十分な酸素を有する構
造の酸化物系超電導体とすることができ、したがって得
られた酸化物系超電導体は高い臨界温度を示すなど優れ
た超電導特性を有するものとなる。In addition, oxygen can be sufficiently supplied into the superconductor layer,
Therefore, the superconductor layer can be an oxide-based superconductor having a structure with sufficient oxygen in its crystals, and the obtained oxide-based superconductor has excellent superconducting properties such as a high critical temperature. becomes.
さらに、酸素プラズマガスを照射することにより励起し
た酸素を結晶内に十分供給することができるので、熱処
理条件を従来に比較して低温・短時間とすることができ
、よって生産性の向上を図ることができる。Furthermore, by irradiating oxygen plasma gas, excited oxygen can be sufficiently supplied into the crystal, so the heat treatment conditions can be lowered and shortened compared to conventional methods, thereby improving productivity. be able to.
また、本発明における請求項2に記載した酸化物系超電
導体の製造方法は、プラズマ溶射法により基板上に酸化
物系の超電導体層を形成し、かつこれと同時に、上記基
板上に形成されつつある超電導体層に電子リッチな雰囲
気を介して酸素プラズマガスを照射しつつ該超電導体層
を熱処理するものであるから、上記電子リッチな雰囲気
を通過することによりイオン化されて励起した酸素イオ
ンが超電導体層に衝突し、該酸素イオンが超電導体層の
結晶内に取り込まれ、よって超電導体層かその結晶内に
十分な酸素を有する構造の酸化物系超電導体なり、した
がって得られた酸化物系超電導体は高い臨界温度を示す
など浸れた超電導特性を有するものとなる。Further, the method for producing an oxide superconductor according to claim 2 of the present invention includes forming an oxide superconductor layer on a substrate by a plasma spraying method, and at the same time forming an oxide superconductor layer on the substrate. Since the superconductor layer is heat-treated while being irradiated with oxygen plasma gas through an electron-rich atmosphere, the oxygen ions that are ionized and excited by passing through the electron-rich atmosphere are The oxygen ions collide with the superconductor layer and are incorporated into the crystals of the superconductor layer, thus making the superconductor layer or an oxide-based superconductor having a structure with sufficient oxygen in its crystals, and thus the obtained oxide. The system superconductor has strong superconducting properties such as a high critical temperature.
また、電子リッチな雰囲気を通過させて酸素プラズマを
照射することにより、超電導体層と励起した酸素イオン
との反応・結合が大幅に促進されるので、熱処理条件が
従来に比較して低温・短時間とすることができ、よって
生産性の向上を図ることができる。In addition, by passing through an electron-rich atmosphere and irradiating oxygen plasma, the reaction and bonding between the superconductor layer and excited oxygen ions is greatly promoted, so the heat treatment conditions are lower and shorter than conventional ones. Therefore, it is possible to improve productivity.
第1図ないし第4図はこの発明に係わる図であって、第
1図は本発明の製造方法の例を説明するための概略構成
図、第2図は直流アーク放電を用いて酸素プラズマガス
を発生させる処理方法を説明するための概略構成図、第
3図は高周波プラズマを用いて酸素プラズマガスを発生
させる処理方法を説明するための概略構成図、第4図は
請求項2に記載した製造方法を説明するための概略構成
図である。
1・・・・・・基板、2・・・・・・超電導体層、3・
・・・・・溶射ガン、
4・・・・・・酸素プラズマガス供給源、13・・・・
・・エレクトロンシャワーE・・・・・・電子リッチな
雰囲気。1 to 4 are diagrams related to the present invention, in which FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining an example of the manufacturing method of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing an oxygen plasma gas using DC arc discharge. FIG. 3 is a schematic configuration diagram for explaining a processing method for generating oxygen plasma gas using high frequency plasma, and FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining a processing method for generating oxygen plasma gas using high frequency plasma. FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining a manufacturing method. 1...Substrate, 2...Superconductor layer, 3.
...Thermal spray gun, 4...Oxygen plasma gas supply source, 13...
...Electron Shower E...Electron-rich atmosphere.
Claims (2)
体層を形成し、かつこれと同時に、上記基板上に形成さ
れつつある超電導体層に酸素プラズマガスを照射しつつ
該超電導体層を熱処理することを特徴とする酸化物系超
電導体の製造方法。(1) An oxide-based superconductor layer is formed on a substrate by plasma spraying, and at the same time, the superconductor layer being formed on the substrate is irradiated with oxygen plasma gas. A method for producing an oxide-based superconductor, the method comprising heat treatment.
体層を形成し、かつこれと同時に、上記基板上に形成さ
れつつある超電導体層に電子リッチな雰囲気を介して酸
素プラズマガスを照射しつつ該超電導体層を熱処理する
ことを特徴とする酸化物系超電導体の製造方法。(2) An oxide-based superconductor layer is formed on the substrate by plasma spraying, and at the same time, oxygen plasma gas is irradiated to the superconductor layer being formed on the substrate through an electron-rich atmosphere. A method for producing an oxide-based superconductor, comprising heat-treating the superconductor layer while
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127933A JPH01298007A (en) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Production of oxide-based superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127933A JPH01298007A (en) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Production of oxide-based superconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298007A true JPH01298007A (en) | 1989-12-01 |
Family
ID=14972226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127933A Pending JPH01298007A (en) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Production of oxide-based superconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01298007A (en) |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127933A patent/JPH01298007A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0302506B1 (en) | Method and apparatus for fabricating superconductive thin films | |
| EP0431160B1 (en) | Process for producing thin-film oxide superconductor | |
| JPS63241823A (en) | Manufacture of superconducting thin film | |
| EP0342039B1 (en) | Josephson device and method of making same | |
| JPH01298007A (en) | Production of oxide-based superconductor | |
| US5219834A (en) | Process for producing a superconducting transistor | |
| JP2854623B2 (en) | Method for producing oxide superconductor thin film | |
| JPH06291375A (en) | Manufacture of thin film superconductor and its manufacture | |
| US5731270A (en) | Oxide superconductor and method and apparatus for fabricating the same | |
| JPH01298005A (en) | Production of oxide-based superconductor | |
| JP2713343B2 (en) | Superconducting circuit fabrication method | |
| JPS63299019A (en) | Manufacture of thin film superconductive material | |
| EP0433294B1 (en) | Method of producing a semiconductor device incorporating a superconductor | |
| JP2533233B2 (en) | Manufacturing method of oxide superconducting thin film | |
| JPH0331482A (en) | Manufacture of material contain- ing either one or both of alkali earth metal and alkali earth metal oxide | |
| JP2611332B2 (en) | Manufacturing method of thin film superconductor | |
| JPH03197306A (en) | Apparatus and method for producing oxide superconducting thin film | |
| JP2742418B2 (en) | Method for producing oxide superconducting thin film | |
| JPH0645864B2 (en) | Method of forming ceramic layer | |
| JPH06287100A (en) | Method for forming superconducting oxide thin film containing rare earth element | |
| JPH012219A (en) | Manufacturing method of ceramic superconducting wire | |
| JPH01298006A (en) | Production of oxide-based superconductor | |
| JPH0812936B2 (en) | Method for manufacturing oxide-based superconducting thin film | |
| JPS63298920A (en) | Manufacture of membranous superconductor | |
| JPH05279025A (en) | Oxide superconducting thin film |