JPH01298090A - 導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミック基板 - Google Patents
導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミック基板Info
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- JPH01298090A JPH01298090A JP12679488A JP12679488A JPH01298090A JP H01298090 A JPH01298090 A JP H01298090A JP 12679488 A JP12679488 A JP 12679488A JP 12679488 A JP12679488 A JP 12679488A JP H01298090 A JPH01298090 A JP H01298090A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子の実装７．％ ＋Ｈとして用いら
れるアルミナ複合系低温焼成基板上に導体を形成するだ
めの導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミ
ック基板に関する。
れるアルミナ複合系低温焼成基板上に導体を形成するだ
めの導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミ
ック基板に関する。
従来、半導体素子の実装基板としては、例えばアルミナ
にガラスを加えて焼成して成る低温焼成基板に、銀−パ
ラジウム系の外部導体を形成したものが公知である（エ
レクトロニク・セラミンク’８７．５月号 ＶＯＬ、１
８ Ｎｏ、８７ １９８７年５月２５日発行）。
にガラスを加えて焼成して成る低温焼成基板に、銀−パ
ラジウム系の外部導体を形成したものが公知である（エ
レクトロニク・セラミンク’８７．５月号 ＶＯＬ、１
８ Ｎｏ、８７ １９８７年５月２５日発行）。
上記外部導体は、基本性能として基板との接着強度およ
び半田濡れ性が要求されている。
び半田濡れ性が要求されている。
従来の外部導体は上記の基本性能を満足するものとして
、恨−パラジウム粉末に（１）ホウケイ酸鉛系ガラス成
分を混入したもの、（２）酸化亜鉛、酸化ビスマス等の
金属酸化物を混入したもの、（３）上記（１）と（２）
とを組合せたものが知られている（セラミックスＧｅ
Ｉ ９８１ Ｎｏ、４ Ｐ、２５３〜Ｐ、２６５
昭和５６年４月１日発行）。
、恨−パラジウム粉末に（１）ホウケイ酸鉛系ガラス成
分を混入したもの、（２）酸化亜鉛、酸化ビスマス等の
金属酸化物を混入したもの、（３）上記（１）と（２）
とを組合せたものが知られている（セラミックスＧｅ
Ｉ ９８１ Ｎｏ、４ Ｐ、２５３〜Ｐ、２６５
昭和５６年４月１日発行）。
上記従来のものにおいては、外部導体と低温焼成基板と
の接着強度、半田濡れ性がいまだ満足すべきものではな
い。
の接着強度、半田濡れ性がいまだ満足すべきものではな
い。
そこで、本発明は上記の点に鑑み、上記接着強度、半田
濡れ性を改善しようとするものである。
濡れ性を改善しようとするものである。
本発明は、金属粉末と無機結合剤とビヒクルとを含み、
アルミナ複合系低温焼成基板上に適用される導体組成物
であって、 前記金属粉末は、銀粉末と、パラジウム粉末および／ま
たは白金粉末を含み、 前記無機結合剤は、ガラスフリット、ビスマス化合物、
亜鉛および／または亜鉛化合物、ニッケルおよび／また
はニッケル化合物、およびアルカリ土類金属化合物を含
むという技術的手段を採用するものである。
アルミナ複合系低温焼成基板上に適用される導体組成物
であって、 前記金属粉末は、銀粉末と、パラジウム粉末および／ま
たは白金粉末を含み、 前記無機結合剤は、ガラスフリット、ビスマス化合物、
亜鉛および／または亜鉛化合物、ニッケルおよび／また
はニッケル化合物、およびアルカリ土類金属化合物を含
むという技術的手段を採用するものである。
また、本発明は、アルミナ複合系低温焼成基板に上記の
導体組成物を適用し、焼成、固着して成るという技術的
手段を採用するものである。
導体組成物を適用し、焼成、固着して成るという技術的
手段を採用するものである。
本発明の導体組成物においては、前記金属粉末、前記無
機結合剤、前記ビヒクルの３成分の合計を１００重量％
としたとき、 前記金属粉末については銀粉末は４０〜８７％であり、
パラジウム粉末および／または白金！５）末は３０重量
％以下であり、 前記無機結合剤についてはガラスフリットは０．５〜２
．０％、ビスマス化合物は２．０〜８．０％、亜鉛およ
び／または亜鉛化合物は０．３〜３．０％、ニッケルお
よび／またはニッケル化合物は０．１〜２．０％、アル
カリ土類金属化合物は０．１〜１．５％であり、 前記ビヒクルは残部である組成範囲が好ましい。
機結合剤、前記ビヒクルの３成分の合計を１００重量％
としたとき、 前記金属粉末については銀粉末は４０〜８７％であり、
パラジウム粉末および／または白金！５）末は３０重量
％以下であり、 前記無機結合剤についてはガラスフリットは０．５〜２
．０％、ビスマス化合物は２．０〜８．０％、亜鉛およ
び／または亜鉛化合物は０．３〜３．０％、ニッケルお
よび／またはニッケル化合物は０．１〜２．０％、アル
カリ土類金属化合物は０．１〜１．５％であり、 前記ビヒクルは残部である組成範囲が好ましい。
ガラスフリットは３５０〜６５０″Ｃの軟化点を有する
通常のフリットガラスでよく、−Ｃ的なホウケイ酸鉛（
Ｂ２Ｏ２ＳｉＯ□−ＰｂＯ）に代表される非晶質ガラス
、あるいはＰｂＯＢｚＯ３ＺｎＯ等の結晶化ガラスのい
ずれでもよく、含有量は全導体組成物中で０．５〜２．
０重世％が望ましい。
通常のフリットガラスでよく、−Ｃ的なホウケイ酸鉛（
Ｂ２Ｏ２ＳｉＯ□−ＰｂＯ）に代表される非晶質ガラス
、あるいはＰｂＯＢｚＯ３ＺｎＯ等の結晶化ガラスのい
ずれでもよく、含有量は全導体組成物中で０．５〜２．
０重世％が望ましい。
ガラスフリットの含有量は、２．０重量％を越えるとガ
ラスフリット自体が基板側へ移動しきれず、残りが導体
の表面に出て半田濡れ性を悪化させる。
ラスフリット自体が基板側へ移動しきれず、残りが導体
の表面に出て半田濡れ性を悪化させる。
また、０．５重世％未満になると基板と導体との界面に
十分な結合相ができず、強度が不十分となる。
十分な結合相ができず、強度が不十分となる。
ビスマス化合物としては、酸化ビスマス粉末あるいはオ
クヂル酸ビスマス等の有機化合物のいずれでもよく、含
有量は２．０〜８．０重量％が必要であり、２．０重量
％未満であると十分な結合相が生成せず、また８、０重
量％を越えると、反応に供さないビスマス化合物が導体
に必要以上に残留し、半田濡れ性を悪化させる。
クヂル酸ビスマス等の有機化合物のいずれでもよく、含
有量は２．０〜８．０重量％が必要であり、２．０重量
％未満であると十分な結合相が生成せず、また８、０重
量％を越えると、反応に供さないビスマス化合物が導体
に必要以上に残留し、半田濡れ性を悪化させる。
亜鉛もしくは亜鉛化合物は、平均０．１〜３．０μｍの
粒度の亜鉛金属粉、又は酸化亜鉛、もしくは２−エチル
ヘキサン酸亜鉛のような有機化合物のいずれでもよく、
０．３〜３．０重量％の含有量が望ましい。亜鉛含有量
が０．３重１％未満であると、基板との反応による結合
が不十分となり、３．０重量％を越えると、反応に供さ
ない亜鉛が導体中に残留し、半田濡れ性を阻害する。
粒度の亜鉛金属粉、又は酸化亜鉛、もしくは２−エチル
ヘキサン酸亜鉛のような有機化合物のいずれでもよく、
０．３〜３．０重量％の含有量が望ましい。亜鉛含有量
が０．３重１％未満であると、基板との反応による結合
が不十分となり、３．０重量％を越えると、反応に供さ
ない亜鉛が導体中に残留し、半田濡れ性を阻害する。
ニッケルもしくはニラ七ル化合物には、ニッケル金属粉
又は酸化ニッケル、もしくは有機化合物のいずれでもよ
く、含有量は０．１〜２．０重量％が必要である。ニッ
ケル含有量が０．１重量％未満であると、熱的経時後の
密着強度の劣化が激しくなり、２．０重量％を越えると
導体表面に分布するニッケル成分が半田の広がりを阻害
する。
又は酸化ニッケル、もしくは有機化合物のいずれでもよ
く、含有量は０．１〜２．０重量％が必要である。ニッ
ケル含有量が０．１重量％未満であると、熱的経時後の
密着強度の劣化が激しくなり、２．０重量％を越えると
導体表面に分布するニッケル成分が半田の広がりを阻害
する。
アルカリ土類金属化合物としては、カルシウム化合物、
バリウム化合物、マグネシウム化合物、ストロンチウム
化合物がよい。その内では、酸化カルシウムもしくは有
機化合物等のカルシウム化合物が望ましい。このアルカ
リ土類金属化合物の含有量は０．１〜１．５重量％が必
要であり、０．１重量％未満であると、前記反応生成物
が基板側へ移動し難くなり、半田濡れ性が悪化する。ま
た、１．５重量％を越えると、金属粉末の焼結に悪影響
を与え、密着強度が不十分となる。
バリウム化合物、マグネシウム化合物、ストロンチウム
化合物がよい。その内では、酸化カルシウムもしくは有
機化合物等のカルシウム化合物が望ましい。このアルカ
リ土類金属化合物の含有量は０．１〜１．５重量％が必
要であり、０．１重量％未満であると、前記反応生成物
が基板側へ移動し難くなり、半田濡れ性が悪化する。ま
た、１．５重量％を越えると、金属粉末の焼結に悪影響
を与え、密着強度が不十分となる。
かかる導体組成物において、ビヒクル中に分散される金
属粉末の成分は、銀粉末にパラジウムもしくは白金粉末
のうち少なくとも一種を含むもので、パラジウムと白金
の混合物でもよい。上記金属粉末の混合割合は組成物の
設計段階において無機結合剤で調整できるが、銀粉末４
０〜８７重世％、かつパラジウムと白金粉末の一種また
は二種を合計で３０重世％以下が必要な割合である。
属粉末の成分は、銀粉末にパラジウムもしくは白金粉末
のうち少なくとも一種を含むもので、パラジウムと白金
の混合物でもよい。上記金属粉末の混合割合は組成物の
設計段階において無機結合剤で調整できるが、銀粉末４
０〜８７重世％、かつパラジウムと白金粉末の一種また
は二種を合計で３０重世％以下が必要な割合である。
かかる導体組成物における金属粉及び無機結合剤を分散
させるビヒクルは、導体組成物に対して、通常用いられ
ている割合がかまわないが、１０〜３０重景％と重量。
させるビヒクルは、導体組成物に対して、通常用いられ
ている割合がかまわないが、１０〜３０重景％と重量。
本発明において、ビヒクルは導体組成物に粘性を付与し
てペースト状になし、基板への適用を容易ならしめるも
のであるので、材料は特定されず、種々のものを用いる
ことができる。
てペースト状になし、基板への適用を容易ならしめるも
のであるので、材料は特定されず、種々のものを用いる
ことができる。
本発明において、アルミナ複合系低温焼成基板としては
、アルミナに酸化鉛、酸化ケイ素を添加したアルミナへ
の添加物系で構成することができる。アルミナへの添加
物系としては、その他にアルミナに酸化鉛、酸化ケイ素
、酸化亜鉛を添加したもの、あるいはアルミナに酸化ケ
イ素、酸化ホウ酸、酸化リチウム、酸化カルシウムを添
加したものがある。また、ホウケイ酸系ガラスにアルミ
ナを加えて焼成した材料、Ｃａ ＯＡ １２０ｚ Ｓ
１０２−Ｂｏｏ３系ガラスにアルミナを加えて焼成し
た、等のいわゆるアルミナガラス複合系材料で構成して
もよい。
、アルミナに酸化鉛、酸化ケイ素を添加したアルミナへ
の添加物系で構成することができる。アルミナへの添加
物系としては、その他にアルミナに酸化鉛、酸化ケイ素
、酸化亜鉛を添加したもの、あるいはアルミナに酸化ケ
イ素、酸化ホウ酸、酸化リチウム、酸化カルシウムを添
加したものがある。また、ホウケイ酸系ガラスにアルミ
ナを加えて焼成した材料、Ｃａ ＯＡ １２０ｚ Ｓ
１０２−Ｂｏｏ３系ガラスにアルミナを加えて焼成し
た、等のいわゆるアルミナガラス複合系材料で構成して
もよい。
〔作用］
導体材料中のビスマス化合物は焼成時、Ｂｉ。
０３の形態となり、バインダーとしてのガラスフリット
に溶は込むと同時に基板中のアルミナと反応し、２ （
Ｂ ｔ、 Ａｆｆｉ） ｇｏｓの固溶体を生成して接着
強度を高める。また、半田付けに際し、半田中のスズと
反応し、Ｂｉが析出して半田濡れ性を高める。
に溶は込むと同時に基板中のアルミナと反応し、２ （
Ｂ ｔ、 Ａｆｆｉ） ｇｏｓの固溶体を生成して接着
強度を高める。また、半田付けに際し、半田中のスズと
反応し、Ｂｉが析出して半田濡れ性を高める。
亜鉛もしくはその化合物は焼成時、基板のアルミナと反
応して亜鉛アルミナスピネル（Ｚ ｎ Ａ ｌ ｚＯｌ
）を生成し、基板と導体との初期接着強度向上に貢献す
る。
応して亜鉛アルミナスピネル（Ｚ ｎ Ａ ｌ ｚＯｌ
）を生成し、基板と導体との初期接着強度向上に貢献す
る。
次に、アルカリ土類金属化合物は焼成時、アルカリ土類
金属酸化物の形態となり、そのアルカリ土類金属イオン
（例えばＣａ ”）は導体材料内のガラス中の移動度が
大きい。このため、焼成時そのガラスの粘度が下がって
いる状態では、上記金属イオンの移動とともに、上記ガ
ラスが基板の内部へよく浸透する。低温焼成基板は非晶
質のガラス成分が多いため、基板内部への上記ガラスの
浸透が助長される。この結果、導体表面のガラス分が少
なくなり、半田濡れ性が向上する。
金属酸化物の形態となり、そのアルカリ土類金属イオン
（例えばＣａ ”）は導体材料内のガラス中の移動度が
大きい。このため、焼成時そのガラスの粘度が下がって
いる状態では、上記金属イオンの移動とともに、上記ガ
ラスが基板の内部へよく浸透する。低温焼成基板は非晶
質のガラス成分が多いため、基板内部への上記ガラスの
浸透が助長される。この結果、導体表面のガラス分が少
なくなり、半田濡れ性が向上する。
ニッケルもしくはその化合物は焼成時、ＮｉＯの形態と
なり、半田のスズと反応してＮｉ１Ｓｎ。
なり、半田のスズと反応してＮｉ１Ｓｎ。
Ｎ ｉ、ｓｎｚ 、Ｎ ｉ、Ｓｎ４という金属間化合物
を生成し、この金属間化合物が障壁となって、半田のス
ズが導体の銀へ拡散するのを防ぎ、半田と導体との耐久
接着強度が向上する。
を生成し、この金属間化合物が障壁となって、半田のス
ズが導体の銀へ拡散するのを防ぎ、半田と導体との耐久
接着強度が向上する。
上述のごとくであり、導体と低温焼成基板との接着強度
が強く、かつ半田濡れ性がよいという極めて優れた実用
上の効果を奏する。
が強く、かつ半田濡れ性がよいという極めて優れた実用
上の効果を奏する。
表１に示す組成の低温焼成基板を構成する無機粉末材料
にポリビニルブチラール、ジブチルフタレート、エタノ
ール及びブタノールより成るビヒクルを適量加え、ボッ
トミルにて混合し、スラリーとする。次に、ドクターブ
レード法により０．１〜０．３ ｍｍの厚さのグリーン
シートを成形し、打抜き後、４桟積層し、脱脂後９５０
゜Ｃにて１５〜１２０分間焼成する。
にポリビニルブチラール、ジブチルフタレート、エタノ
ール及びブタノールより成るビヒクルを適量加え、ボッ
トミルにて混合し、スラリーとする。次に、ドクターブ
レード法により０．１〜０．３ ｍｍの厚さのグリーン
シートを成形し、打抜き後、４桟積層し、脱脂後９５０
゜Ｃにて１５〜１２０分間焼成する。
次に、導体組成物を表１に示す組成範囲で調整する。な
お、この導体組成物において、ガラスはホウケイ酸鉛系
の非晶質系ガラスを用い、ビヒクルはエチルセルロース
とターピネオールとの／１１． 合物を用いた。このビ
ヒクルにより、導体組成物はペースト状となる。
お、この導体組成物において、ガラスはホウケイ酸鉛系
の非晶質系ガラスを用い、ビヒクルはエチルセルロース
とターピネオールとの／１１． 合物を用いた。このビ
ヒクルにより、導体組成物はペースト状となる。
上記低温焼成基板に、上記導体組成物のベース） ヲー
辺カ２ ｍｍの正方形のパターンでスクリーン印刷し、
１２５゜Ｃで１０分間乾燥後、８５０゜Ｃで１０分間焼
成する。このようにして得た導体付きテストピースの導
体の耐久接着強度、半田濡れ性を次のようにして評価し
た。
辺カ２ ｍｍの正方形のパターンでスクリーン印刷し、
１２５゜Ｃで１０分間乾燥後、８５０゜Ｃで１０分間焼
成する。このようにして得た導体付きテストピースの導
体の耐久接着強度、半田濡れ性を次のようにして評価し
た。
（耐久接着強度）
試験法は、一般的にビール法として知られているもので
あり、上記導体（２ｎｍ角の正方形）上にスズめっき線
を半田付けし、引張り強度試験機を用いて破壊時の引張
り荷重を接着強度とする。
あり、上記導体（２ｎｍ角の正方形）上にスズめっき線
を半田付けし、引張り強度試験機を用いて破壊時の引張
り荷重を接着強度とする。
この前提のもので、耐久接着強度条件として、１５０゜
Ｃの恒温槽に一定時間、上記スズめっき線半田付けの基
板を放置して上記引張り試験を行った。また、１５０゜
Ｃの恒温槽中で３０分放置し、その後、直ちに一４０゜
Ｃの恒温槽中に３０分放置するという冷熱サイクル後の
上記引張り試験を行った。なお、耐久接着強度について
は表１の実施例１〜９の全部について行い、冷熱サイク
ルについては実施例９は除いた。
Ｃの恒温槽に一定時間、上記スズめっき線半田付けの基
板を放置して上記引張り試験を行った。また、１５０゜
Ｃの恒温槽中で３０分放置し、その後、直ちに一４０゜
Ｃの恒温槽中に３０分放置するという冷熱サイクル後の
上記引張り試験を行った。なお、耐久接着強度について
は表１の実施例１〜９の全部について行い、冷熱サイク
ルについては実施例９は除いた。
（半田濡れ性）
試験法は、一般的に半田ボール法として知られているも
のであり、上記テストピースの導体上（２ｍｍ角の正方
形）に直径１ｎｖｎの半田ボールを置き、２４０゜Ｃ±
５゜Ｃで４０秒間加熱した後、半田法がり幅を縦、横方
向について測定する。そして、測定結果の平均値を７と
すると、半田濡れ性は、す る。この半田濡れ性については、表１の実施例１゜２．
５と後述の比較例１．２について評価した。
のであり、上記テストピースの導体上（２ｍｍ角の正方
形）に直径１ｎｖｎの半田ボールを置き、２４０゜Ｃ±
５゜Ｃで４０秒間加熱した後、半田法がり幅を縦、横方
向について測定する。そして、測定結果の平均値を７と
すると、半田濡れ性は、す る。この半田濡れ性については、表１の実施例１゜２．
５と後述の比較例１．２について評価した。
比較例１．２として表１に示す基板材料、導体層材料を
用いて前述の実施例と同様にテストａ板を作製し、かつ
同様の試験を行った。
用いて前述の実施例と同様にテストａ板を作製し、かつ
同様の試験を行った。
（以下余白）
耐久接着強度の結果を第１図〜第２０図に示し、また半
田濡れ性の結果を表２に示す。
田濡れ性の結果を表２に示す。
（以下余白）
表２
第１図〜第２０図及び第２においては、テストピース２
０枚の結果であって、その最大、最小値及び平均値が示
しである。これらの結果から明らかなごとく、耐久接着
強度及び半田濡れ性の両特性とも本実施例のものが比較
例のものに比べて優れていることがわかる。なお、比較
例２における冷熱サイクル後の接着強度は全て１５０サ
イクルで、接着強度０となったため、図示は省略した。
０枚の結果であって、その最大、最小値及び平均値が示
しである。これらの結果から明らかなごとく、耐久接着
強度及び半田濡れ性の両特性とも本実施例のものが比較
例のものに比べて優れていることがわかる。なお、比較
例２における冷熱サイクル後の接着強度は全て１５０サ
イクルで、接着強度０となったため、図示は省略した。
かかる効果は低温焼成基板と前記組成の導体組成物との
組合せによるものであるが、特に導体組成物によるとこ
ろが大きい。
組合せによるものであるが、特に導体組成物によるとこ
ろが大きい。
次に、導体組成物中の金属粉末の組成範囲、無機結合剤
の組成範囲を適度に振った場合の耐久接着強度、半田濡
れ性について、実験により求めたので説明する。
の組成範囲を適度に振った場合の耐久接着強度、半田濡
れ性について、実験により求めたので説明する。
表３に上記導体組成物の組成を示す。なお、この導体組
成物が適用される基板の組成は、表１の実施例１である
。この表３の導体組成物を調整し、基板に適用して焼成
、固着する方法は、表１のところで説明した方法と同じ
である。
成物が適用される基板の組成は、表１の実施例１である
。この表３の導体組成物を調整し、基板に適用して焼成
、固着する方法は、表１のところで説明した方法と同じ
である。
表３に記載の導体組成物を採用した場合の導体の耐久接
着強度および半田濡れ性の評価結果を表４に示す。なお
、この評価条件は、耐久接着強度の時間が５００時間で
ある点を除いて、前述した条件と同じである。
着強度および半田濡れ性の評価結果を表４に示す。なお
、この評価条件は、耐久接着強度の時間が５００時間で
ある点を除いて、前述した条件と同じである。
（以下余白）
第２１図（ａ）、 （２）及び第２２図（ａ）、 （２
）は、導体組成物中のガラス量、恨−パラジウム粉末中
のパラジウム量により初期接着強度、半田広がり率がど
のように変化するかを示したものであり、テストピース
２０枚の平均値を示しである。なお、各材料特性は表５
に示すとおりである。
）は、導体組成物中のガラス量、恨−パラジウム粉末中
のパラジウム量により初期接着強度、半田広がり率がど
のように変化するかを示したものであり、テストピース
２０枚の平均値を示しである。なお、各材料特性は表５
に示すとおりである。
表５
各図から理解されるごとく、ガラス量と初期接着強度と
の関係はガラス量の増加に従ってその強度が強くなる。
の関係はガラス量の増加に従ってその強度が強くなる。
これに対し、半田広がり率は、ガラス量が増えると低下
する。また、パラジウムの量が増えると半田広がり率は
上昇し、接着強度は変わらない傾向にある。
する。また、パラジウムの量が増えると半田広がり率は
上昇し、接着強度は変わらない傾向にある。
第１図〜第２０図は、実施例１〜９、比較例１゜２にお
ける耐久時間に対する接着強度の関係を示す特性図、第
２１図（ａ）、 （２）はガラスの添加量と接着強度、
半田広がり率との関係を示す特性図、第２２図（ａ）、
（２）は１艮−パラジウムのツマラジウム量と接着強
度、半田広がり率との関係を示す特性図である。 代理人弁理士 岡 部 隆 り゛ラス埠１０量（Ｘ） （Ｊ） （ａ） グラス璋ｒＪｏ量 Ｃ％） （２） 第２１図 第２２図
ける耐久時間に対する接着強度の関係を示す特性図、第
２１図（ａ）、 （２）はガラスの添加量と接着強度、
半田広がり率との関係を示す特性図、第２２図（ａ）、
（２）は１艮−パラジウムのツマラジウム量と接着強
度、半田広がり率との関係を示す特性図である。 代理人弁理士 岡 部 隆 り゛ラス埠１０量（Ｘ） （Ｊ） （ａ） グラス璋ｒＪｏ量 Ｃ％） （２） 第２１図 第２２図
Claims (8)
- （１）金属粉末と無機結合剤とビヒクルとを含み、アル
ミナ複合系低温焼成基板上に適用される導体組成物であ
って、 前記金属粉末は、銀粉末と、パラジウム粉末および／ま
たは白金粉末を含み、 前記無機結合剤は、ガラスフリット、ビスマス化合物、
亜鉛および／または亜鉛化合物、ニッケルおよび／また
はニッケル化合物、およびアルカリ土類金属化合物を含
むことを特徴とする導体組成物。 - （２）アルミナ複合系低温焼成基板に請求項１記載の導
体組成物を適用し、焼成、固着して成ることを特徴とす
る導体を有したセラミック基板。 - （３）前記金属粉末、前記無機結合剤、前記ビヒクルの
３成分の合計を１００重量％としたとき、前記金属粉末
については銀粉末は４０〜８７％であり、パラジウム粉
末および／または白金粉末は３０重量％以下であり、 前記無機結合剤についてはガラスフリットは０．５〜２
．０％、ビスマス化合物は２．０〜８．０％、亜鉛およ
び／または亜鉛化合物は０．３〜３．０％、ニッケルお
よび／またはニッケル化合物は０．１〜２．０％、アル
カリ土類金属化合物は０．１〜１．５％であり、 前記ビヒクルは残部である ことを特徴とする請求項１または２記載のもの。 - （４）前記無機結合剤において、前記ガラスフリットは
３５０〜６５０゜Ｃの軟化点を有するガラスフリットに
より構成されていることを特徴とする請求項１〜３いず
れか１つに記載のもの。 - （５）前記無機結合剤において、前記ガラスフリットは
、酸化鉛−酸化ホウ素−酸化亜鉛系の結晶化ガラスまた
は酸化ホウ素−酸化ケイ素−酸化鉛系の非晶質ガラスで
構成されていることを特徴とする請求項４記載のもの。 - （６）前記無機結合剤において、前記ビスマス化合物は
酸化ビスマス、前記亜鉛化合物は酸化亜鉛、前記ニッケ
ル化合物は酸化ニッケル、前記アルカリ土類金属化合物
は酸化カルシウムであることを特徴とする請求項１〜５
いずれか１つに記載のもの。 - （７）前記基板は、アルミナへの添加物系材料で構成さ
れていることを特徴とする請求項６記載のもの。 - （８）前記基板は、（ａ）アルミナ、酸化鉛、酸化ケイ
素より成るもの、（２）前記（ａ）に酸化亜鉛が添加さ
れたもの、および（ｃ）アルミナ、酸化ケイ素、酸化ホ
ウ素、酸化リチウム、酸化カルシウムより成るもの、の
（ａ）〜（ｃ）のグループより選択された一種の材料で
構成されていることを特徴とする請求項７に記載のもの
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679488A JP2701864B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679488A JP2701864B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298090A true JPH01298090A (ja) | 1989-12-01 |
| JP2701864B2 JP2701864B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=14944111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12679488A Expired - Lifetime JP2701864B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 導体組成物およびそれより成る導体を有したセラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701864B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020023040A (ko) * | 2000-09-22 | 2002-03-28 | 박판호 | 은과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그방법으로 제조된 전도체 |
| KR20020023039A (ko) * | 2000-09-22 | 2002-03-28 | 박판호 | 은과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그방법으로 제조된 전도체 |
| US6815073B2 (en) | 2001-06-08 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
| JP2007084384A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | セラミックス電子部品の製造方法およびセラミックス電子部品 |
| WO2014123092A1 (ja) | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
| CN111192732A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-05-22 | 上海双腾电子电器有限公司 | 一种厚膜铂钯银电阻片及其制造方法 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12679488A patent/JP2701864B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6815073B2 (en) | 2001-06-08 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
| JP2007084384A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | セラミックス電子部品の製造方法およびセラミックス電子部品 |
| WO2014123092A1 (ja) | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701864B2 (ja) | 1998-01-21 |
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