JPH08298018A

JPH08298018A - 導電性ペースト

Info

Publication number: JPH08298018A
Application number: JP10271095A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ito; 伊藤　　隆
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-04-26
Filing date: 1995-04-26
Publication date: 1996-11-12

Abstract

(57)【要約】【構成】 70〜98重量％のＡｇ粉末と０〜28重量％のＰ
ｄ粉末と２〜11重量％のガラスフリットとから成る導電
性ペーストであり、そのガラスフリットの組成成分が15
〜40重量％のＰｂＯと40〜70重量％のＢｉ₂Ｏ₃と０〜
15重量％のＳｉＯ₂と０〜20重量％のＢ₂Ｏ₃と５〜10
重量％のＩｎ₂Ｏ₃とから成る。【効果】誘電体磁器等の基体との接着強度が強い導電
膜が得られ、外部からの応力による膜剥がれが発生せ
ず、外観形状が良好で耐メッキ性や耐半田性にも優れた
導電膜が得られる。特に積層磁器コンデンサの端子電極
形成に好適なものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は導電性ペーストに関し、
詳しくは積層磁器コンデンサの端子電極材料などに用い
られる、磁器との接着強度を改善した導電性ペーストに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】導電性ペーストは、例えば積層磁器（セ
ラミック）コンデンサの内部電極や端子電極、あるいは
ガラスやセラミック等の基板上に形成される導電回路の
導電膜の形成等に広く使用されており、これを所望の箇
所に印刷等の方法により塗布し、乾燥した後に焼成等の
方法により焼き付けることにより、導電膜を形成するも
のである。

【０００３】この様な導電性ペーストは、例えば銀（Ａ
ｇ）・金（Ａｕ）・白金（Ｐｔ）・パラジウム（Ｐｄ）
・ニッケル（Ｎｉ）・銅（Ｃｕ）・亜鉛（Ｚｎ）等のい
ずれか、またはこれらを混合あるいは合金化した金属粉
末を、有機バインダ樹脂を有機溶剤に溶解してなる有機
ビヒクルに分散させたものであり、その他必要に応じて
種々の分散剤等の添加剤や各種のガラスフリット等が添
加されている。

【０００４】またそのようなガラスフリットには、ケイ
酸鉛系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラス・ホウケイ酸ビス
マス系ガラス・ホウケイ酸亜鉛系ガラス・ホウ酸カドミ
ウム径ガラス等が用いられている。

【０００５】導電性ペーストを用いて積層磁器コンデン
サの端子電極を形成する場合、その導電性ペーストによ
り形成される導電膜には、その特性として良好な導電性
の他に導電膜の外観形状が良好であること、誘電体磁器
との接着力が強いこと、ならびにその導電膜上に電解メ
ッキを施す際の耐メッキ性が良好であることが要求され
る。また焼成後の電極膜にボイドなどの欠陥が無く、メ
ッキ液に対する封止性が良いことも要求される。

【０００６】従来、積層磁器コンデンサの端子電極形成
用の導電性ペーストには、Ａｇの微粉末と、ＰｂＯが50
〜80重量％、Ｂ₂Ｏ₃が10〜20重量％、ＳｉＯ₂が５〜
15重量％、ＺｎＯが１〜10重量％の組成から成る低融点
のホウケイ酸鉛系ガラスフリットとを有機ビヒクルに分
散して成る銀ペーストが使用されていた。

【０００７】また特開昭58−11565 号公報には、貴金属
粉末と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を含有す
るホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット１〜30重量％とを、
不活性有機質ビヒクルに分散させて成る導電性ペースト
が提案されている。そのガラスフリットの組成は、Ｚｎ
Ｏが30〜55重量％、Ｂ₂Ｏ₃が25〜45重量％、ＳｉＯ₂
が５〜15重量％、Ｌｉ₂ＯとＮａ₂ＯとＫ₂Ｏのうち少
なくとも一種が１〜10重量％、ＭｇＯとＣａＯとＢａＯ
のうち少なくとも一種が２〜20重量％、さらにＣｄＯが
２〜８重量％、ＳｎＯ₂が２〜10重量％から成るものが
開示されている。それによれば、そのペーストを焼き付
けて形成した導電被膜の表面に電解メッキ法により金属
被膜処理を行なっても劣化せず、接着強度が何等損なわ
れないというものである。

【０００８】また特開昭62−237605号公報には、パラジ
ウムおよび銀を主成分とし、これにガラス成分と金属酸
化物とを含有する厚膜ペーストが提案されており、その
ガラス成分がＰｂを含まないＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系のもの
であり、パラジウムおよび銀100重量部に対して１〜６
重量部含まれることが開示されている。それによれば、
窒化アルミニウム焼結体基体等の非酸化物系絶縁基体と
の接着強度の信頼性を高めることができ、特に高温中で
接着強度の劣化を抑制することが可能になるというもの
である。

【０００９】さらに特公平５−14363 号公報には、銀粉
末を導電性付与成分として有機分散媒中に分散させる銀
系導電ペーストにおいて、この銀系導電ペースト中に、
Ｂｉ₂Ｏ₃粉末を４重量％以下、ＣｕＯ粉末を0.05〜0.
6 重量％、ＭｎＯ₂粉末を0.05〜0.5 重量％、そして、
軟化点が 700℃以下のホウケイ酸鉛系ガラスフリットを
0.1〜1.5 重量％の量で分散含有させてなる導電ペース
ト組成物が提案されている。但しガラスフリットの組成
については開示されていない。この導電ペーストによれ
ば、これを焼成した後の導体表面がフラットな表面とは
ならず、あたかも等高線が走っているような模様が形成
され、そのような場合に半田付き性および半田に対する
耐溶解性が著しく向上し、且つ熱エージング後の接着強
度の低下が少なくなるというものである。

【００１０】さらにまた特開平４−334007号公報には、
セラミック素体と、そのセラミック素体の外面に形成さ
れ金属と無機結合材により構成された焼付け電極層を含
む外部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、
焼付け電極層の表面にＰｂを主成分としＳｎ，Ａｇ，Ｉ
ｎを少なくとも１種含む合金層とＮｉメッキ層とＳｎ又
はＳｎ／Ｐｂメッキ層がこの順に形成されたセラミック
コンデンサが提案されている。なお、その合金層は無電
解および電解メッキ法またはディッピング法により形成
され、実用的な合金としてはＰｂ93.5重量％／Ｓｎ５重
量％／Ａｇ 1.5重量％およびＰｂ92.5重量％／Ｉｎ５重
量％／Ａｇ 2.5重量％等の組成が開示されている。それ
によれば、合金層が焼付け電極層の金属と比較して柔軟
性があり、室温でも応力を受けると容易に塑性変形し、
半田付け時に溶融しない高い融点を有するので、半田耐
熱性および半田濡れ性を具備しつつ、コンデンサが熱的
衝撃または機械的衝撃を受けても誘電体内にクラックを
生じず、結果として各種特性に優れた信頼性の高いセラ
ミックコンデンサが得られるというものである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の銀ペーストにより形成した端子電極は、ガラスフリ
ット中のＰｂＯ含有率が高いため、誘電体磁器との接着
力が不十分となって焼き付け後の電極膜に球状のふくら
みや膜の浮き、剥がれ等の外観不良が発生するという問
題点があった。また電解メッキを施した場合に、メッキ
液が端子電極を経て積層磁器コンデンサの内部電極と誘
電体磁器との間に侵入して導電性イオンを残留させるた
めに、磁器コンデンサのＱ値等の特性に悪影響を及ぼす
といった問題点があった。さらにガラスフリットが電極
膜表面に層状に偏析して浮いてくるという現象が見ら
れ、そのために電極膜上に半田処理を行なう場合の半田
濡れ性や耐熱性が悪くなる、あるいはガラスフリットや
貴金属（銀）が半田中に溶け出す半田くわれという現象
が生じるという問題点もあった。

【００１２】また特開昭58−11565 号公報に提案された
組成の導電性ペーストによっても、ガラスフリット中に
含有させたＺｎＯ成分が焼き付けによりにじみ出るため
に、その導電性ペーストにより形成した電極膜がメッキ
後に変色するという問題点があった。

【００１３】また特開昭62−237605号公報に提案された
厚膜ペーストによっても、組成成分においてガラス成分
比がパラジウムおよび銀 100重量部に対して１〜６重量
部の範囲しかないため、電子部品の電極に採用した場
合、耐半田性および機械的強度（電極膜の固着力）に劣
るという問題点があった。

【００１４】さらに特公平５−14363 号公報に提案され
た導電ペーストによっても、ＣｕＯは誘電体磁器中のＢ
ａＴｉＯ₃に対して熱化学反応性が強いため、誘電体磁
器にマイクロクラックが無数に発生することがあるとい
う問題点があった。

【００１５】さらにまた特開平４−334007号公報に開示
された合金層は、メッキ法またはディッピング法によっ
て形成するものであり、磁器部にメタライズされる下地
電極（焼き付け電極）部ではないために導電性ペースト
には適用できないという問題点があった。また、メッキ
液の侵入によりコンデンサの特性が劣化するという問題
点もあった。

【００１６】本発明は、上記事情に鑑みて問題点を解決
すべく完成されたもので、その目的は、特に誘電体磁器
等の基体との接着強度を高め、外力が加わっても基体か
らの剥がれが発生しない導電膜が得られる導電性ペース
トを提供することにある。

【００１７】また本発明の目的は、外観形状が良好で、
電解メッキに対する耐メッキ性に優れた導電膜が得られ
る導電性ペーストを提供することにある。

【００１８】さらに本発明の目的は、積層磁器コンデン
サの端子電極形成に用いた場合に、外観形状が良好で、
誘電体磁器との接着強度および電解メッキに対する耐メ
ッキ性に優れ、かつ半田濡れ性や耐熱性にも優れてお
り、さらに電極膜にボイド等の欠陥発生が無く、メッキ
液に対する封止性が良好な電極膜が得られる、積層磁器
コンデンサの端子電極形成に好適な導電性ペーストを提
供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
は、70〜98重量％（ただし98重量％を除く）のＡｇ粉末
と０〜28重量％（ただし０重量％を除く）のＰｄ粉末と
２〜11重量％のガラスフリットとから成り、そのガラス
フリットの組成成分が15〜40重量％のＰｂＯと40〜70重
量％のＢｉ₂Ｏ₃と０〜15重量％（ただし０重量％を除
く）のＳｉＯ₂と０〜20重量％（ただし０重量％を除
く）のＢ₂Ｏ₃と５〜10重量％のＩｎ₂Ｏ₃とから成る
ことを特徴とするものである。

【００２０】

【作用】本発明の導電性ペーストにより得られる導電膜
は、そのガラスフリットの組成成分としてＩｎ₂Ｏ
₃（酸化インジウム）を用いてＩｎ（インジウム）を添
加したことにより、Ｉｎを含有しないＡｇ−Ｐｄ合金に
よる導電膜に比べて機械的柔軟性がある膜となり、応力
を受けると室温においても容易に塑性変形し得る導電膜
となる。またＩｎは導電性ペーストの焼き付け時にＰｄ
と共に誘電体磁器などのセラミック基体に拡散して接着
強度を高める。そのため外力が加わっても基体からの剥
がれが発生しない導電膜が得られる導電性ペーストとな
る。

【００２１】従って本発明の導電性ペーストを積層磁器
コンデンサの端子電極形成に使用した場合、その電極膜
は誘電体磁器に対する外部からの応力を緩衝する特性を
有し、その結果、誘電体磁器と端子電極との接着強度を
向上させることができ、誘電体磁器からの端子電極の剥
がれ発生を防止することができ、耐メッキ性にも優れた
ものとなる。

【００２２】さらに本発明の導電性ペーストにより得ら
れる導電膜は、Ｉｎを含有させることによりＩｎを含有
しない導電膜よりも高い融点を有するようになるので、
半田付けに際しても溶融しない電極膜を得ることがで
き、耐熱性や耐半田性にも優れたものとなる。

【００２３】上記のようなＩｎ添加効果について本発明
者が詳細に調査・検討した結果によれば、その効果は上
記組成成分に示した範囲においてＩｎの添加量にほぼ比
例し、上記の範囲を超えた場合にはその向上効果が得ら
れないことを知見した。

【００２４】また本発明の導電性ペーストによれば、Ａ
ｇ粉末とＰｄ粉末の組成割合の選択により、外観形状が
良好で、電解メッキに対する耐メッキ性に優れた導電膜
が得られるものとなる。しかもガラスフリットとＰｄ粉
末の組成割合の選択により半田濡れ性にも優れたものと
なり、さらに電極膜にボイド等の欠陥発生が無く、メッ
キ液に対する封止性が良好な電極膜が得られるものとな
る。

【００２５】その結果、本発明の導電性ペーストを積層
磁器コンデンサの端子電極形成に用いた場合、外観形状
が良好で、誘電体磁器との接着強度および電解メッキに
対する耐メッキ性に優れ、かつ半田濡れ性や耐熱性にも
優れており、さらに電極膜にボイド等の欠陥発生が無
く、メッキ液に対する封止性が良好な電極膜が得られる
ので、積層磁器コンデンサの端子電極の接着性や耐熱衝
撃性を顕著に向上させることができる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の導電性ペーストについて具体
例に基づいて詳述する。

【００２７】以下の実施例では、導電性ペーストの応用
例として積層磁器コンデンサの端子電極について説明す
るが、本発明の導電性ペーストの用途は必ずしもこれに
限定されるものではなく、ガラスやセラミック等の基板
を用いたプリント配線基板の導電回路、あるいはマイク
ロスイッチ接点部・各種電子部品の電極部など、一般に
導電性ペーストが使用される種々の用途にも適用できる
ものである。

【００２８】本発明の導電性ペーストの金属粉末には、
70〜98重量％（ただし98重量％を除く）のＡｇ（銀）粉
末と０〜28重量％（ただし０重量％を除く）のＰｄ（パ
ラジウム）粉末とを用いる。これら金属粉末の組成割合
は上記範囲に設定することが内部電極との接続性や半田
濡れ性・耐熱性の点で好ましく、Ａｇ粉末が70重量％未
満の場合には、積層磁器コンデンサチップを基板に実装
する際に半田中のＳｎが端子電極中のＰｄに拡散して導
電膜の接着強度が劣化する、いわゆる半田くわれが発生
する傾向があり、他方98重量％以上の場合には、必然的
にガラスフリット添加量が減るために接着強度や半田耐
熱性が劣化する傾向がある。

【００２９】またＰｄ粉末が28重量％を超える場合に
は、Ａｇ粉末が70重量％未満の場合と同様に、半田くわ
れが発生する傾向がある。

【００３０】これら粉末の形状は、球状またはフレーク
状あるいはパウダー状などが良く、球状であればその比
表面積およびタップ密度がそれぞれ0.05〜10ｍ²／ｇお
よび1.0〜5.0 ｇ／ｃｍ²の範囲が、またフレーク状で
あればそれぞれ 0.1〜10.0ｍ²／ｇおよび 1.0〜15.0ｇ
／ｃｍ²の範囲が、またパウダー状であればそれぞれ5.
0〜30.0ｍ²／ｇおよび 0.1〜10.0ｇ／ｃｍ²の範囲
が、分散性や混合特性が良く、導電性ペーストの塗布膜
の外観形状も良好になり、安定した導電特性が得られや
すいという点で好ましい。

【００３１】また球状の形状の粉末とフレーク状の形状
の粉末との組合せを重量比で１：１〜１：３の範囲内に
設定し、好適には１：1.5 〜１：２とするのが、導電性
ペーストを塗布して焼き付けた後の電極膜の形状が良好
になるという点で好ましい。上記範囲よりも球状の形状
の粉末が多いと電極膜の形状がタレやすく、他方フレー
ク状の形状の粉末が多いと電極膜の形状がトガリやすい
傾向がある。

【００３２】ガラスフリットは誘電体磁器などのセラミ
ック基体と端子電極との接着性および電極膜の半田耐熱
性の向上のために用いるものであり、その組成割合は２
〜11重量％の範囲が半田濡れ性や耐熱性などの半田特性
ならびに接着強度の点で好ましい。ガラスフリットが２
重量％未満の場合には接着強度が低下し、耐熱性が劣化
する傾向があり、他方11重量％を超える場合には半田濡
れ性が劣化する傾向がある。

【００３３】本発明の導電性ペーストにおいては、この
ガラスフリットの組成成分が20〜40重量％のＰｂＯと40
〜70重量％のＢｉ₂Ｏ₃と０〜15重量％（ただし０重量
％を除く）のＳｉＯ₂と０〜20重量％（ただし０重量％
を除く）のＢ₂Ｏ₃と５〜10重量％のＩｎ₂Ｏ₃とから
成ることを特徴とする。

【００３４】ＰｂＯ（酸化鉛）は半田濡れ性および耐熱
性・接着強度の向上のために用いられ、ガラスフリット
におけるその成分比率を15〜40重量％とすることにより
それらの特性が良好となる。このＰｂＯが15重量％未満
の場合はガラス成分が増加し、半田濡れ性が劣化する傾
向があり、他方40重量％を超える場合はガラス成分が減
少し、耐半田性が劣化する傾向がある。

【００３５】Ｂｉ₂Ｏ₃（酸化ビスマス）も半田濡れ性
および耐熱性・接着強度の向上のために用いられ、ガラ
スフリットにおけるその成分比率を40〜70重量％とする
ことによりそれらの特性が良好となる。このＢｉ₂Ｏ₃
が40重量％未満の場合は上記の特性を向上させる作用効
果が十分に得られない傾向があり、他方70重量％を超え
る場合は上記の特性をそれ以上向上させる効果は得られ
ない傾向がある。

【００３６】ＳｉＯ₂（二酸化珪素）は耐熱性の向上の
ために用いられ、ガラスフリットにおけるその成分比率
を０〜15重量％（ただし０重量％を除く）とすることに
より半田濡れ性および耐熱性が良好となる。このＳｉＯ
₂が０重量の場合は上記の作用効果が得られず、他方15
重量％を超える場合は焼き付けの際に端子電極の表面に
ＳｉＯ₂が析出してしまい、半田濡れ性を劣化させてし
まう傾向がある。

【００３７】Ｂ₂Ｏ₃（酸化硼素）は半田耐熱性の向上
のために用いられ、ガラスフリットにおけるその成分比
率を０〜20重量％（ただし０重量％を除く）とすること
により半田耐熱性が良好となる。このＢ₂Ｏ₃が０重量
の場合は上記の作用効果が得られず、他方20重量％を超
える場合はガラスフリット使用温度範囲でのガラス化が
困難となる傾向がある。

【００３８】そしてＩｎ₂Ｏ₃（酸化インジウム）は上
述のように端子電極（電極膜）と誘電体磁器などのセラ
ミック基体との接着強度の強化のために用いられ、ガラ
スフリットにおけるその成分比率を５〜10重量％とする
ことにより接着強度が良好となる。このＩｎ₂Ｏ₃が５
重量％未満の場合は十分な効果が得られない傾向があ
り、他方10重量％を超える場合はそれ以上の接着強度の
向上効果は望めない傾向がある。

【００３９】本発明の導電性ペーストは、上記のような
組成割合の金属粉末とガラスフリットとを、有機溶剤に
有機バインダ樹脂を溶解させた有機ビヒクル中に分散さ
せて用いられる。この有機ビヒクルの特性としては、こ
れを使用して得られる導電性ペーストの粘度および粘度
適性がコントロールでき、良好な塗布形状が得られるこ
と、ならびに適当な乾燥膜強度が得られることが要求さ
れる。

【００４０】本発明の導電性ペーストに用い得る有機ビ
ヒクルとしては、アクリル樹脂やフェノール樹脂・アル
キッド樹脂・ロジンエステル・エチルセルロース・メチ
ルセルロース・エチルハイドロセルロース・ＰＶＡ（ポ
リビニルアルコール）・ポリビニルブチラート等の有機
バインダ樹脂を、α−テルピネオールやＢＣＡ（ブチル
カルビトールアセテート）・ベンジルアルコール等の有
機溶剤に分散させたもの等がある。

【００４１】中でも有機バインダ樹脂としてエチルセル
ロースを用いると、通常はセラミックグリーンシートの
結合樹脂がアクリル系であるので、この樹脂と溶解しな
い石油エーテル系の溶剤に完全に溶解する、という点で
好ましい。まか有機溶剤として石油エーテル系溶剤を用
いると、鎖状分子で結合能力の高いエチルセルロースを
十分溶解するという点で好ましい。

【００４２】有機ビヒクルに金属粉末やガラスフリット
を分散させるには、ロールミルやプラネタリミキサー等
を用いると良く、特にロールミルによれば一様な分散が
短時間に効率良く行なえるので好ましい。

【００４３】また、有機ビヒクルに分散させる金属粉末
とガラスフリットとの混合物の割合は、導電性ペースト
中で混合物が70〜85重量％、有機ビヒクルが15〜30重量
％の範囲で、合計して 100重量％となるように調製する
ことが、導電性ペーストのレオロジーや導電膜の外観形
状が良好になるという点で好ましい。

【００４４】本発明の導電性ペーストにより導電膜を形
成するには、基体となる誘電体磁器やガラス・セラミッ
ク等の表面に、ディッピング（浸漬）や印刷等の方法に
よって導電性ペーストを所望の形状および厚みに塗布し
てペースト被膜を形成し、これを乾燥した後、焼成等の
方法によって焼き付けて導電膜を形成する。

【００４５】上記のようにして導電膜を形成するに当た
っては、ペースト被膜の厚みは30〜150 μｍの範囲に設
定することが好ましく、それにより外観形状が良好で均
一な特性の導電膜を得やすくなる。また乾燥は乾燥炉を
用いて 130〜180 ℃の温度で５〜15分程度の時間行なう
ことが好ましく、それによりペースト被膜の形状のコン
トロールができることから、外観形状が良好で基体との
接着力が強く、組織が密な導電膜を得やすくなる。この
乾燥は、酸素（Ｏ₂）雰囲気下で行なうと乾燥後のペー
スト被膜の強度が向上してより好適となる。さらに焼き
付けは、焼成であれば焼成炉（トンネル炉）を用いて 6
00〜900 ℃の温度で30〜60分程度の時間行なうことが好
ましく、それにより導電膜中のＡｇを焼結させることが
できるので、外観形状が良好で基体との接着力が高く、
組織が密で耐メッキ性や耐半田性に優れた導電膜を得や
すくなる。この焼成も、Ｏ₂の雰囲気下で行なうとペー
スト被膜中の脱バインダが進み、良好な導電膜を得られ
るようになってより好適となる。

【００４６】以下、具体例を示す。導電性ペーストの金
属粉末として80重量％のＡｇ粉末と18重量％のＰｄ粉末
を用意し、また２重量％のガラスフリットとして表１に
示す組成成分のものを用意した。

【００４７】

【表１】

【００４８】また、有機溶剤である石油エーテル系溶剤
（リプロイン）にエチルセルロースを有機バインダ樹脂
として25重量％溶解した溶液を、有機ビヒクルとして用
意した。

【００４９】そして、上記のＡｇ粉末とＰｄ粉末とガラ
スフリットとをそれぞれ調合し、その固形成分78重量％
と上記の有機ビヒクル22重量％とを混合し、各々をプラ
ネタリミキサーにて90分混練した後３本ロールミルで45
分間分散させ、さらに上記の有機溶剤で粘度の調整を行
なって、表１に示す組成成分のガラスフリットを用いた
導電性ペーストＡ〜Ｇを作製した。なお、導電性ペース
トＡおよびＢ・Ｆ・Ｇは比較例である。

【００５０】これらの導電性ペーストをＢａＴｉＯ₃系
の誘電体から成る積層磁器コンデンサチップにディッピ
ング法により塗布し、150 ℃で乾燥させ、800 ℃の焼成
温度で40分間焼成して焼結させ、それぞれ導電性ペース
トＡ〜Ｇによる積層磁器コンデンサの端子電極を形成し
て、コンデンサ試料Ａ〜Ｇを作製した。

【００５１】これらのコンデンサ試料について、今田製
作所（株）製の引張圧縮試験機ＳＶ51−Ｅ−50ＭＶを使
用して、引張圧縮速度 0.5ｍｍ／秒の条件により端子電
極の固着力強度および引張強度を測定した。これらの評
価基準としては、固着力強度が 2.0ｋｇｆ以上、引張強
度が 2.0ｋｇｆ以上であれば良好とした。

【００５２】また外部からの応力による電極膜剥がれの
発生については、同じく今田製作所（株）製の引張圧縮
試験機ＳＶ51−Ｅ−50ＭＶを使用して、引張圧縮速度
0.5ｍｍ／秒の条件により、各20個ずつの試料について
剥がれの発生個数を調べて評価した。

【００５３】また電極膜の耐メッキ性については、各コ
ンデンサ試料の端子電極に対してＮｉメッキの上にＳｎ
メッキを各々電解メッキにより施し、その前後でのコン
デンサのＱ値を測定してその変化を求めて評価した。そ
してメッキ後のＱ値が 1,000以上でかつメッキ前後のＱ
値の変化が 2,000以内のものを良好とした。

【００５４】さらに電極膜の半田濡れ性および耐半田性
については、Ａｇ３％含有のＰｄ／Ａｇ共晶半田を用い
て浸漬法により評価した。半田濡れ性の評価条件は温度
を 230±５℃、時間を４±１秒とし、端子電極部が半田
で90％以上カバーされていれば良好（ＯＫ）とし、それ
未満のものは不良（ＮＧ）とした。また耐半田性の評価
条件は温度を 270±５℃、時間を10±５秒とし、端子電
極部の半田くわれが25％未満であれば良好（ＯＫ）と
し、それ以上のものは不良（ＮＧ）とした。

【００５５】これらの結果を表２にまとめた。なお試料
欄に＊を記したものは、本発明の範囲外のものであるこ
とを示す。

【００５６】

【表２】

【００５７】表２の結果より、本発明の導電性ペースト
であるＣ〜Ｅを用いた試料では、端子電極の固着力強度
および引張強度が大きく、応力に対する膜剥がれの発生
もなく、さらに耐メッキ性、半田濡れ性および耐半田性
の全てが良好であり、積層磁器コンデンサの端子電極と
して極めて優れた電極膜が得られることが分かる。

【００５８】これに対して導電性ペーストＡ・Ｂを用い
た試料Ａ・Ｂでは、Ｉｎ₂Ｏ₃の添加量が本発明の範囲
を超えて多いため、本発明の範囲内のものと比べて接着
強度の向上効果は特に見られず、その反面、半田濡れ性
に劣ることが分かった。

【００５９】また導電性ペーストＦ・Ｇを用いた試料Ｆ
・Ｇでは、固着力および引張強度が不十分であり、電極
膜剥がれの発生も認められ、Ｉｎ₂Ｏ₃の添加量が本発
明の範囲より少ないために接着強度に劣ることが分か
る。さらに耐半田性にも劣っていた。

【００６０】なお本発明の導電性ペーストによる試料Ｃ
〜Ｅの電極膜は、いずれも電極膜にボイド等の欠陥発生
が無く外観形状が良好であり、コンデンサの電気特性も
良好でかつ安定していることも確かめられた。

【００６１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ａ
ｇ−Ｐｄ導電性ペーストにガラスフリットとしてＩｎ₂
Ｏ₃を添加してＩｎを含有させたことにより、誘電体磁
器等の基体との接着強度を高め、外力が加わっても基体
からの剥がれが発生しない導電膜が得られる導電性ペー
ストを提供することができた。

【００６２】また本発明によれば、外観形状が良好で、
電解メッキに対する耐メッキ性に優れた導電膜が得られ
る導電性ペーストを提供することができた。

【００６３】さらに本発明の導電性ペーストを例えば積
層磁器コンデンサの端子電極形成に用いた場合には、外
観形状が良好で、誘電体磁器との接着強度および電解メ
ッキに対する耐メッキ性に優れ、かつ半田濡れ性や耐熱
性にも優れており、さらに電極膜にボイド等の欠陥発生
が無く、メッキ液に対する封止性が良好な電極膜が得ら
れ、それにより外部からの応力による剥がれが発生せ
ず、電解メッキあるいは半田処理に対しても特性の安定
な積層磁器コンデンサを得ることができた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】７０〜９８重量％（ただし９８重量％を
除く）のＡｇ粉末と０〜２８重量％（ただし０重量％を
除く）のＰｄ粉末と２〜１１重量％のガラスフリットと
から成り、該ガラスフリットの組成成分が１５〜４０重
量％のＰｂＯと４０〜７０重量％のＢｉ₂Ｏ₃と０〜１
５重量％（ただし０重量％を除く）のＳｉＯ₂と０〜２
０重量％（ただし０重量％を除く）のＢ₂Ｏ₃と５〜１
０重量％のＩｎ₂Ｏ₃とから成ることを特徴とする導電
性ペースト。